JP3260425B2 - パターンのエッジライン推定方式及びパターン検査装置 - Google Patents
パターンのエッジライン推定方式及びパターン検査装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルムキャリヤなど
に形成された微細な導体パターンの検査をするのに適し
たエッジライン推定方式及びこの方式を適用したパター
ン検査装置に関する。
に形成された微細な導体パターンの検査をするのに適し
たエッジライン推定方式及びこの方式を適用したパター
ン検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の実装に多用されつつあるフィ
ルムキャリヤでは０．１〜０．５ｍｍ幅の導体パターン
がポリイミド等のフィルム上に形成されている。図４に
はそのパターンの欠陥の例を平面図で示す。これらのパ
ターンは従来は顕微鏡による目視により検査されてお
り、多大な工数を要するので自動化が求められていた。
ルムキャリヤでは０．１〜０．５ｍｍ幅の導体パターン
がポリイミド等のフィルム上に形成されている。図４に
はそのパターンの欠陥の例を平面図で示す。これらのパ
ターンは従来は顕微鏡による目視により検査されてお
り、多大な工数を要するので自動化が求められていた。
【０００３】パターンを機械により自動的に検査する方
法としてパターンマッチング法が考えられている。テレ
ビカメラで得たパターンの画像を２値化して画像メモリ
に記憶し、予め記憶されている標準パターンと比較し、
両パターンの一致度から適格性を判断する方法である。
法としてパターンマッチング法が考えられている。テレ
ビカメラで得たパターンの画像を２値化して画像メモリ
に記憶し、予め記憶されている標準パターンと比較し、
両パターンの一致度から適格性を判断する方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５は画像メモリに記
憶されるフィルムキャリヤのパターンの一部を示す平面
図である。図において、各升目は１つの画素を現し、ハ
ッチングを付した領域が導体のパターンであり、白地の
部分がフィルムだけの領域である。光を照射し反射光を
テレビジョンカメラで撮影して得られる像では導体の部
分（ハッチング領域）が明るく、導体がなくフィルムだ
け又は何もない部分は暗い。そのテレビジョンカメラか
ら出力される画像信号を２値化すると、明るい導体パタ
ーン領域“１”に、暗い領域“０”として符号化され
る。２値化したパターンのエッジラインを１点鎖線で符
号１３を付して示す。２値化されるから、エッジライン
が横切る画素では横切る位置に応じて“１”又は“０”
に判断される。従って、エッジラインは±０．５画素の
誤差で検出される。この誤差は量子化による誤差であ
る。テレビジョンカメラにより得られる１画素が１０μ
ｍの場合には±５μｍ、即ち１０μｍの精度でエッジラ
インは検出される。
憶されるフィルムキャリヤのパターンの一部を示す平面
図である。図において、各升目は１つの画素を現し、ハ
ッチングを付した領域が導体のパターンであり、白地の
部分がフィルムだけの領域である。光を照射し反射光を
テレビジョンカメラで撮影して得られる像では導体の部
分（ハッチング領域）が明るく、導体がなくフィルムだ
け又は何もない部分は暗い。そのテレビジョンカメラか
ら出力される画像信号を２値化すると、明るい導体パタ
ーン領域“１”に、暗い領域“０”として符号化され
る。２値化したパターンのエッジラインを１点鎖線で符
号１３を付して示す。２値化されるから、エッジライン
が横切る画素では横切る位置に応じて“１”又は“０”
に判断される。従って、エッジラインは±０．５画素の
誤差で検出される。この誤差は量子化による誤差であ
る。テレビジョンカメラにより得られる１画素が１０μ
ｍの場合には±５μｍ、即ち１０μｍの精度でエッジラ
インは検出される。
【０００５】いま、フィルムキャリヤにおける導体パタ
ーンの幅が５０μｍであるとすると、図４の欠け４４や
突起４５は３μｍの精度で検出することが要求される。
ところが、通常のテレビジョンカメラで得られる分解能
は±５μｍであり、上記２値化による量子化誤差±５μ
ｍと合わせると±１０μｍの誤差が避けられない。
ーンの幅が５０μｍであるとすると、図４の欠け４４や
突起４５は３μｍの精度で検出することが要求される。
ところが、通常のテレビジョンカメラで得られる分解能
は±５μｍであり、上記２値化による量子化誤差±５μ
ｍと合わせると±１０μｍの誤差が避けられない。
【０００６】エッジラインの検出精度を改善しようとし
て、パターンを拡大して撮影すると検査のための画素数
が増大し、検査のための時間が長くなり実用的でなくな
る。図５において、導体パターンのエッジライン１２が
判定基準Ｗ2 をどの程度越えているかを推定できれば検
査対象画素数を増大させることなく高い精度でパターン
の検査ができるが、従来の技術では１画素内においてエ
ッジラインがどこを横切っているかを推定する方法は知
られていなかった。
て、パターンを拡大して撮影すると検査のための画素数
が増大し、検査のための時間が長くなり実用的でなくな
る。図５において、導体パターンのエッジライン１２が
判定基準Ｗ2 をどの程度越えているかを推定できれば検
査対象画素数を増大させることなく高い精度でパターン
の検査ができるが、従来の技術では１画素内においてエ
ッジラインがどこを横切っているかを推定する方法は知
られていなかった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、検査すべき画素
の数を増やすことなく（高速で）高い精度でパターンの
エッジラインを推定する方式及びこの方式を適用したパ
ターン検査装置の提供にある。
の数を増やすことなく（高速で）高い精度でパターンの
エッジラインを推定する方式及びこの方式を適用したパ
ターン検査装置の提供にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに本発明は次の手段を提供する。
めに本発明は次の手段を提供する。
【０００９】第１の手段は、パターンの濃淡画像を画素
単位で画素メモリに記憶しておき、該パターンのエッジ
ラインが前記画素を横切る位置を推定する方式であっ
て、該エッジラインが横切る画素Ａの輝度ａと、該画素
Ａに隣接し前記パターンがない画素Ｂの輝度ｂと、閾値
ｃ（ｂ＜ｃ＜ａ）とから、画素Ａの中心位置から画素Ｂ
の中心位置方向にずれた前記エッジラインの位置αを α＝（ａ−ｃ）／（ａ−ｂ） なる式で計算により求めることを特徴とするパターンの
エッジライン推定方式である。
単位で画素メモリに記憶しておき、該パターンのエッジ
ラインが前記画素を横切る位置を推定する方式であっ
て、該エッジラインが横切る画素Ａの輝度ａと、該画素
Ａに隣接し前記パターンがない画素Ｂの輝度ｂと、閾値
ｃ（ｂ＜ｃ＜ａ）とから、画素Ａの中心位置から画素Ｂ
の中心位置方向にずれた前記エッジラインの位置αを α＝（ａ−ｃ）／（ａ−ｂ） なる式で計算により求めることを特徴とするパターンの
エッジライン推定方式である。
【００１０】第２の手段は、前記エッジライン推定方式
で検出した良品の標準パターンのエッジラインを標準パ
ターンメモリに予め記憶しておき、前記濃淡画像を２値
化して２値画像を生成し２値画像メモリに記憶し、前記
標準パターンメモリから読み出した前記標準パターンの
エッジラインと前記２値画像メモリから読み出した前記
２値画像のエッジラインとをパターンマッチング法によ
り比較し、前記２値画像メモリから読み出した前記２値
画像における不適格画素の候補を抽出し、その不適格候
補画素を前記エッジラインが横切る画素Ａとすることを
特徴とする第１の手段に記載のパターンのエッジライン
推定方式である。
で検出した良品の標準パターンのエッジラインを標準パ
ターンメモリに予め記憶しておき、前記濃淡画像を２値
化して２値画像を生成し２値画像メモリに記憶し、前記
標準パターンメモリから読み出した前記標準パターンの
エッジラインと前記２値画像メモリから読み出した前記
２値画像のエッジラインとをパターンマッチング法によ
り比較し、前記２値画像メモリから読み出した前記２値
画像における不適格画素の候補を抽出し、その不適格候
補画素を前記エッジラインが横切る画素Ａとすることを
特徴とする第１の手段に記載のパターンのエッジライン
推定方式である。
【００１１】第３の手段は、フィルムキャリヤにおける
導体パターンその他の微細なパターンをテレビジョンカ
メラで撮影することにより該パターンの画像を生成し、
該画像のパターンを２値化して２値パターンとして２値
メモリに記憶し、許容されるパターンのエッジラインを
判定基準Ｗ1 として標準パターンメモリに予め標準パタ
ーンのエッジラインを記憶しておき、前記２値メモリか
ら読み出した前記２値パターンのエッジラインと前記標
準パターンメモリから読み出した前記標準パターンのエ
ッジラインとの位置ずれ量を判定基準Ｗ1 にて比較判定
し、前記パターンの適格性を検査するパターン検査装置
であって、前記テレビジョンカメラで得られる前記画像
パターンを濃淡画像で記憶する濃淡画像メモリを備え、
前記標準パターンメモリは、前記判定基準Ｗ1 よりせま
い許容範囲のエッジラインに対応する判定基準Ｗ2 を予
め記憶しており、前記２値パターンのエッジラインにお
ける不適格な画素の候補の座標ｘをまず検出し、前記濃
淡画像における前記不適格候補画素の輝度ａと該不適格
候補画素に隣接するパターンが無い領域の画素の輝度ｂ
と閾値ｃ（ｂ＜ｃ＜ａ）とから不適格候補画素における
エッジラインの座標をｘ＋（ａ−ｃ）／（ａ−ｂ）なる
式で計算して推定し、計算により推定した前記エッジラ
インの座標を前記判定基準Ｗ2 との比較から前記不適格
候補画素のパターンが不適格か否かを判定することを特
徴とするパターン検査装置である。
導体パターンその他の微細なパターンをテレビジョンカ
メラで撮影することにより該パターンの画像を生成し、
該画像のパターンを２値化して２値パターンとして２値
メモリに記憶し、許容されるパターンのエッジラインを
判定基準Ｗ1 として標準パターンメモリに予め標準パタ
ーンのエッジラインを記憶しておき、前記２値メモリか
ら読み出した前記２値パターンのエッジラインと前記標
準パターンメモリから読み出した前記標準パターンのエ
ッジラインとの位置ずれ量を判定基準Ｗ1 にて比較判定
し、前記パターンの適格性を検査するパターン検査装置
であって、前記テレビジョンカメラで得られる前記画像
パターンを濃淡画像で記憶する濃淡画像メモリを備え、
前記標準パターンメモリは、前記判定基準Ｗ1 よりせま
い許容範囲のエッジラインに対応する判定基準Ｗ2 を予
め記憶しており、前記２値パターンのエッジラインにお
ける不適格な画素の候補の座標ｘをまず検出し、前記濃
淡画像における前記不適格候補画素の輝度ａと該不適格
候補画素に隣接するパターンが無い領域の画素の輝度ｂ
と閾値ｃ（ｂ＜ｃ＜ａ）とから不適格候補画素における
エッジラインの座標をｘ＋（ａ−ｃ）／（ａ−ｂ）なる
式で計算して推定し、計算により推定した前記エッジラ
インの座標を前記判定基準Ｗ2 との比較から前記不適格
候補画素のパターンが不適格か否かを判定することを特
徴とするパターン検査装置である。
【００１２】
【作用】本発明によるパターンのエッジライン推定方式
では、濃淡画像における輝度ａ，ｂと閾値ｃとを用いて
１つの画素内においてエッジラインが横切る位置を検出
している。その閾値ｃは、よく知られている判別分析法
により適応的に設定してもよいし、或いは予め定めた固
定値に設定してもよい。エッジラインにおける全ての画
素について濃淡画像の検査を行うと検査時間が長くなる
から、従来から既知のパターンマッチング法で２値画像
について検査し不適格候補画素を抽出し、不適格候補画
素についてだけ濃淡画像に基づくエッジラインの推定を
する。本発明のパターン検査装置は、そのエッジライン
推定方式を適用してパターンの適格性を検査する装置で
ある。
では、濃淡画像における輝度ａ，ｂと閾値ｃとを用いて
１つの画素内においてエッジラインが横切る位置を検出
している。その閾値ｃは、よく知られている判別分析法
により適応的に設定してもよいし、或いは予め定めた固
定値に設定してもよい。エッジラインにおける全ての画
素について濃淡画像の検査を行うと検査時間が長くなる
から、従来から既知のパターンマッチング法で２値画像
について検査し不適格候補画素を抽出し、不適格候補画
素についてだけ濃淡画像に基づくエッジラインの推定を
する。本発明のパターン検査装置は、そのエッジライン
推定方式を適用してパターンの適格性を検査する装置で
ある。
【００１３】
【実施例】次に実施例を挙げ本発明を更に詳しく説明す
る。図１は本発明の一実施例になるパターンのエッジラ
イン推定方式を説明する図である。図１（Ａ）はテレビ
ジョンカメラで導体のパターンを撮影して得た画像の一
部を示す図である。図において、各升目は１つの画素で
あり、符号１０で示してある。ハッチングを付した領域
は導体パターンである。ハッチングを付していない空白
領域は、導体パターンがない部分で、この領域にはフィ
ルムだけがあるか又は何もない（フィルムが打ち抜かれ
ている）。ｘ−３〜ｘ＋４はｘ座標を示し、ｙ−４〜ｙ
＋５はｙ座標を示す。Ｗ1 ，Ｗ2 は判定基準である。い
ま、導体パターンのエッジライン１２は図示の如く曲線
であるが、このエッジライン１２を２値化したときその
エッジライン１３は１点鎖線で示す如く階段状となる。
る。図１は本発明の一実施例になるパターンのエッジラ
イン推定方式を説明する図である。図１（Ａ）はテレビ
ジョンカメラで導体のパターンを撮影して得た画像の一
部を示す図である。図において、各升目は１つの画素で
あり、符号１０で示してある。ハッチングを付した領域
は導体パターンである。ハッチングを付していない空白
領域は、導体パターンがない部分で、この領域にはフィ
ルムだけがあるか又は何もない（フィルムが打ち抜かれ
ている）。ｘ−３〜ｘ＋４はｘ座標を示し、ｙ−４〜ｙ
＋５はｙ座標を示す。Ｗ1 ，Ｗ2 は判定基準である。い
ま、導体パターンのエッジライン１２は図示の如く曲線
であるが、このエッジライン１２を２値化したときその
エッジライン１３は１点鎖線で示す如く階段状となる。
【００１４】本実施例では２値化エッジライン１３と判
定基準Ｗ1 とをパターンマッチングにより対応させ、画
素［ｘ，ｙ−１］，［ｘ，ｙ］，［ｘ，ｙ＋１］，
［ｘ，ｙ＋２］において２値化エッジライン１３が判定
基準Ｗ1 より後退している。許容範囲が１画素分だとす
ると、上記４つの画素の内側にエッジライン１２があれ
ば適格であるが、エッジライン１２が判定基準Ｗ2 より
左側の画素［ｘ−１，ｙ−１］，［ｘ−１，ｙ］，［ｘ
−１，ｙ＋１］，［ｘ−１，ｙ＋２］を横切っていれば
この部分において導体パターンは不適格である。
定基準Ｗ1 とをパターンマッチングにより対応させ、画
素［ｘ，ｙ−１］，［ｘ，ｙ］，［ｘ，ｙ＋１］，
［ｘ，ｙ＋２］において２値化エッジライン１３が判定
基準Ｗ1 より後退している。許容範囲が１画素分だとす
ると、上記４つの画素の内側にエッジライン１２があれ
ば適格であるが、エッジライン１２が判定基準Ｗ2 より
左側の画素［ｘ−１，ｙ−１］，［ｘ−１，ｙ］，［ｘ
−１，ｙ＋１］，［ｘ−１，ｙ＋２］を横切っていれば
この部分において導体パターンは不適格である。
【００１５】エッジライン１２が判定基準Ｗ2 より左側
において画素を横切っているか否か、横切っているとす
ればどの位置で横切っているかを本実施例では知ること
ができる。このような詳しい検査をエッジラインの全て
において行うのは時間がかかり過ぎて実用的でないか
ら、２値化エッジラインと判定基準Ｗ1 とのパターンマ
ッチングにより許容値を越えている可能性のある部位を
検出し、その部位にある画素を不適格候補画素として選
BR>択する。図１の例では画素［ｘ−１，ｙ−１］，
［ｘ−１，ｙ］，［ｘ−１，ｙ＋１］，［ｘ−１，ｙ＋
２］が不適格候補画素である。
において画素を横切っているか否か、横切っているとす
ればどの位置で横切っているかを本実施例では知ること
ができる。このような詳しい検査をエッジラインの全て
において行うのは時間がかかり過ぎて実用的でないか
ら、２値化エッジラインと判定基準Ｗ1 とのパターンマ
ッチングにより許容値を越えている可能性のある部位を
検出し、その部位にある画素を不適格候補画素として選
BR>択する。図１の例では画素［ｘ−１，ｙ−１］，
［ｘ−１，ｙ］，［ｘ−１，ｙ＋１］，［ｘ−１，ｙ＋
２］が不適格候補画素である。
【００１６】いま、４ビットで１６階調に輝度を表現し
たパターンの濃淡画像を濃淡画像メモリに記憶し、その
濃淡画像においてｙ座標がｙである画素の輝度（図１
（Ａ）におけるＥ−Ｅ線上の画素の輝度を図示すると図
１（Ｂ）の如くなる。ａは不適格候補画素［ｙ，ｘ−
１］の輝度、ｂはその隣りであって導体パターンがない
画素［ｘ，ｙ］の輝度である。ｃは閾値Ｌが輝度曲線ｕ
1 と交わる点を表わしている。
たパターンの濃淡画像を濃淡画像メモリに記憶し、その
濃淡画像においてｙ座標がｙである画素の輝度（図１
（Ａ）におけるＥ−Ｅ線上の画素の輝度を図示すると図
１（Ｂ）の如くなる。ａは不適格候補画素［ｙ，ｘ−
１］の輝度、ｂはその隣りであって導体パターンがない
画素［ｘ，ｙ］の輝度である。ｃは閾値Ｌが輝度曲線ｕ
1 と交わる点を表わしている。
【００１７】本実施例ではその閾値Ｌは、最も明るい輝
度１と最も暗い輝度の間に予め設定した固定値０．７に
設定してある。図１（ｃ）は、図１（ｂ）における点ａ
とｂを結ぶ直線と閾値Ｌとの交叉点をｃとして求めるこ
とを示している。画素［ｘ−１，ｙ］の中心のｘ座標を
ｘ，画素［ｘ，ｙ］の中心のｘ座標をｘ＋１．０とする
と（１画素分の長さを１．０とする）、点ｃのｘ座標ｘ
＋αにおけるαは α＝（ａ−ｃ）／（ａ−ｂ） （１） である。
度１と最も暗い輝度の間に予め設定した固定値０．７に
設定してある。図１（ｃ）は、図１（ｂ）における点ａ
とｂを結ぶ直線と閾値Ｌとの交叉点をｃとして求めるこ
とを示している。画素［ｘ−１，ｙ］の中心のｘ座標を
ｘ，画素［ｘ，ｙ］の中心のｘ座標をｘ＋１．０とする
と（１画素分の長さを１．０とする）、点ｃのｘ座標ｘ
＋αにおけるαは α＝（ａ−ｃ）／（ａ−ｂ） （１） である。
【００１８】この点ｃのｘ座標が不適格候補画素［ｘ−
１，ｙ］におけるエッジライン１２のｘ座標に相当する
ことが経験上見い出されてた。閾値Ｌは通常０．５〜
０．７程度に選ばれる。また、閾値Ｌをよく知られた判
別分析法による自動２値化により適応的に求めても差し
支えない。
１，ｙ］におけるエッジライン１２のｘ座標に相当する
ことが経験上見い出されてた。閾値Ｌは通常０．５〜
０．７程度に選ばれる。また、閾値Ｌをよく知られた判
別分析法による自動２値化により適応的に求めても差し
支えない。
【００１９】このようにして不適格候補画素［ｘ−１，
ｙ］をエッジライン１２が横切り、その位置は判定基準
Ｗ2 より深いから、この導体パターンは画素［ｘ−１，
ｙ］において不適格であることが推定できた。同様にし
て他の不適格候補画素についても適格性が推定できる。
ｙ］をエッジライン１２が横切り、その位置は判定基準
Ｗ2 より深いから、この導体パターンは画素［ｘ−１，
ｙ］において不適格であることが推定できた。同様にし
て他の不適格候補画素についても適格性が推定できる。
【００２０】図２は本発明によるパターン検査装置の構
成を示すブロック図である。この実施例は図１を参照し
て説明したパターンのエッジライン推定方式を適用して
導体パターンのエッジラインを精密に検査する装置であ
り、カメラ１，Ａ／Ｄ変換回路２、濃淡画像メモリ３、
２値化回路４、２値画像メモリ５、エッジ検出回路６、
演算部７及び標準パターンメモリ８からなる。
成を示すブロック図である。この実施例は図１を参照し
て説明したパターンのエッジライン推定方式を適用して
導体パターンのエッジラインを精密に検査する装置であ
り、カメラ１，Ａ／Ｄ変換回路２、濃淡画像メモリ３、
２値化回路４、２値画像メモリ５、エッジ検出回路６、
演算部７及び標準パターンメモリ８からなる。
【００２１】カメラ１はＣＣＤ撮像素子とするテレビジ
ョンカメラであり、フィルムキャリヤを撮像している。
フィルムキャリヤには０．１ｍｍ幅の導体パターンが形
成されている。カメラ１の出力はアナログの濃淡画像信
号である。Ａ／Ｄ変換回路２はアナログ画像信号１０１
を１６階調のデジタル画像信号１０２に変換する。濃淡
画像メモリ３は１画面分のデジタル画像を１６階調のま
ま記憶する。２値化回路４は、濃淡画像メモリ３から読
み出した１６階調のデジタル画像信号１０３ａを受け
て、２値の画像信号１０４を生成する。２値画像メモリ
５は２値画像信号１０４を１画面分記憶する。エッジ検
出回路６は、２値画像メモリ５から読み出した２値画像
信号１０５を受け、２値画像信号１０５で表わされる導
体パターンの境界線ライン（エッジライン）を生成す
る。エッジパターン信号１０６は、そのエッジラインに
おけるｘ，ｙ座標を表す信号である。標準パターンメモ
リ８は、検査の対象とするフィルムキャリヤの導体パタ
ーンの標準を予め記憶している。その標準パターンは２
種類あり、その第１は図１の判定基準Ｗ１ を表し、そ
の第２は図１の判定基準Ｗ２ を表わす。標準パターン
はいずれも２値で記憶され、エッジラインを表してい
る。
ョンカメラであり、フィルムキャリヤを撮像している。
フィルムキャリヤには０．１ｍｍ幅の導体パターンが形
成されている。カメラ１の出力はアナログの濃淡画像信
号である。Ａ／Ｄ変換回路２はアナログ画像信号１０１
を１６階調のデジタル画像信号１０２に変換する。濃淡
画像メモリ３は１画面分のデジタル画像を１６階調のま
ま記憶する。２値化回路４は、濃淡画像メモリ３から読
み出した１６階調のデジタル画像信号１０３ａを受け
て、２値の画像信号１０４を生成する。２値画像メモリ
５は２値画像信号１０４を１画面分記憶する。エッジ検
出回路６は、２値画像メモリ５から読み出した２値画像
信号１０５を受け、２値画像信号１０５で表わされる導
体パターンの境界線ライン（エッジライン）を生成す
る。エッジパターン信号１０６は、そのエッジラインに
おけるｘ，ｙ座標を表す信号である。標準パターンメモ
リ８は、検査の対象とするフィルムキャリヤの導体パタ
ーンの標準を予め記憶している。その標準パターンは２
種類あり、その第１は図１の判定基準Ｗ１ を表し、そ
の第２は図１の判定基準Ｗ２ を表わす。標準パターン
はいずれも２値で記憶され、エッジラインを表してい
る。
【００２２】演算部７はＣＰＵでなる。演算部７におい
ては、エッジライン信号１０６で表わされる被検査パタ
ーンのエッジラインと標準パターンメモリ８から読み出
され判定基準Ｗ1 で表わされる第１標準エッジラインと
のパターンマッチングを行ない、両エッジラインの一致
度を調べ、被検査パターンのエッジラインが判定基準Ｗ
1 から１画素またはそれ以上離れているときは、１画素
またはそれ以上離れているｘ軸またはｙ軸の片方におい
てＷ1 から直近の導体パターンの画素（２値において
“１”で表わされる画素）を不適格候補画素として選択
する。図１（Ａ）にハッチングを付して示す導体パター
ンの例では、同図を参照して説明したとおり、画素［ｘ
−１，ｙ−１］，［ｘ−１，ｙ］，［ｘ−１，ｙ＋
１］，［ｘ−１，ｙ＋２］が不適格候補画素として抽出
される。不適格候補画素が抽出されると、演算部７はそ
の領域においてエッジライン１２がどのように横切って
いるかを調べるために、濃淡画像メモリ３からその不適
格候補画素の濃淡画像を読み出し、該画素の輝度ａおよ
びその不適格候補画素に隣接する判定基準Ｗ1 側の画素
の輝度ｂを取り出し、前記式（１）により該画素におけ
るエッジラインが横切る座標を求める。そして、図１
（Ａ）の例では、その求めた座標が判定基準Ｗ2 で表わ
される第２標準エッジラインより左側にあり、不適格候
補画素は不適格と判定される。
ては、エッジライン信号１０６で表わされる被検査パタ
ーンのエッジラインと標準パターンメモリ８から読み出
され判定基準Ｗ1 で表わされる第１標準エッジラインと
のパターンマッチングを行ない、両エッジラインの一致
度を調べ、被検査パターンのエッジラインが判定基準Ｗ
1 から１画素またはそれ以上離れているときは、１画素
またはそれ以上離れているｘ軸またはｙ軸の片方におい
てＷ1 から直近の導体パターンの画素（２値において
“１”で表わされる画素）を不適格候補画素として選択
する。図１（Ａ）にハッチングを付して示す導体パター
ンの例では、同図を参照して説明したとおり、画素［ｘ
−１，ｙ−１］，［ｘ−１，ｙ］，［ｘ−１，ｙ＋
１］，［ｘ−１，ｙ＋２］が不適格候補画素として抽出
される。不適格候補画素が抽出されると、演算部７はそ
の領域においてエッジライン１２がどのように横切って
いるかを調べるために、濃淡画像メモリ３からその不適
格候補画素の濃淡画像を読み出し、該画素の輝度ａおよ
びその不適格候補画素に隣接する判定基準Ｗ1 側の画素
の輝度ｂを取り出し、前記式（１）により該画素におけ
るエッジラインが横切る座標を求める。そして、図１
（Ａ）の例では、その求めた座標が判定基準Ｗ2 で表わ
される第２標準エッジラインより左側にあり、不適格候
補画素は不適格と判定される。
【００２３】図３は以上に説明した図２の実施例におけ
る演算部７で行われる処理の流れを示す図である。
る演算部７で行われる処理の流れを示す図である。
【００２４】図２を参照して説明したパターン検査装置
の実施例では、２値画像により行う粗い検査は全てのエ
ッジラインを対象とするが、濃淡画像により行う詳細な
検査は２値画像の検査で抽出された不適格候補画素につ
いてだけ行われるから、検査が精密に行えるのにもかか
わらず、全体の検査時間は２値画像だけについて検査を
する従来の装置に近い短時間に行われる。
の実施例では、２値画像により行う粗い検査は全てのエ
ッジラインを対象とするが、濃淡画像により行う詳細な
検査は２値画像の検査で抽出された不適格候補画素につ
いてだけ行われるから、検査が精密に行えるのにもかか
わらず、全体の検査時間は２値画像だけについて検査を
する従来の装置に近い短時間に行われる。
【００２５】
【発明の効果】以上に実施例を挙げて詳しく説明したよ
うに、本発明によれば、エッジラインを精密に高速に推
定できるパターンのエッジライン推定方式及びそのエッ
ジライン推定方式をエッジラインの精密な推定に適用す
ることによりパターンの適否を精密にしかも高速に行え
るようにしたパターン検査装置が提供できる。
うに、本発明によれば、エッジラインを精密に高速に推
定できるパターンのエッジライン推定方式及びそのエッ
ジライン推定方式をエッジラインの精密な推定に適用す
ることによりパターンの適否を精密にしかも高速に行え
るようにしたパターン検査装置が提供できる。
【図１】本発明によるパターンエッジライン推定方式の
一実施例を説明する図。
一実施例を説明する図。
【図２】本発明によるパターン検査装置の一実施例の構
成を示す図。
成を示す図。
【図３】図２の演算部７で行われる処理の流れを示す
図。
図。
【図４】フィルムキャリヤに形成された導体パターンの
例を示す平面図。
例を示す平面図。
【図５】テレビジョンカメラでフィルムキャリヤを撮像
して得られる導体パターンの例を示す図。
して得られる導体パターンの例を示す図。
１ テレビジョンカメラ ２ Ａ／Ｄ交換回路 ３ 濃淡画像メモリ ４ ２値化回路 ５ ２値画像メモリ ６ エッジ検出回路 ７ 演算部 ８ 標準パターンメモリ １０ 画素 １２ 導体パターンのエッジライン １３ ２値化エッジライン ４１〜４３ 導体パターン ４４ 欠け ４５ 突起
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ０６Ｆ 15/70 ３３５Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】 パターンの濃淡画像を画素単位で画素メ
モリに記憶しておき、該パターンのエッジラインが前記
画素を横切る位置を推定する方式であって、該エッジラ
インが横切る画素Ａの輝度ａと、該画素Ａに隣接し前記
パターンがない画素Ｂの輝度ｂと、閾値ｃ（ｂ＜ｃ＜
ａ）とから、画素Ａの中心位置から画素Ｂの中心位置方
向にずれた前記エッジラインの位置αを α＝（ａ−ｃ）／（ａ−ｂ） なる式で計算により求めることを特徴とするパターンの
エッジライン推定方式。 - 【請求項２】 標準パターンについて請求項１により作
成したエッジラインを標準パターンメモリに予め記憶し
ておき、被検査パターンの濃淡画像を２値化して２値画
像を生成し２値画像メモリに記憶し、前記標準パターン
メモリから読み出した前記標準パターンのエッジライン
と前記２値画像メモリから読み出して生成した前記被検
査パターンのエッジラインとの位置を比較し、前記２値
画像メモリから読み出した前記２値画像における不適格
画素の候補を抽出し、その不適格候補画素を前記エッジ
ラインが横切る画素Ａとすることを特徴とする請求項１
に記載のパターンのエッジライン推定方式。 - 【請求項３】 フィルムキャリヤにおける導体パターン
その他の微細なパターンをテレビジョンカメラで撮影す
ることにより該パターンの画像を生成し、該画像のパタ
ーンを２値化して２値パターンとして２値メモリに記憶
し、許容されるパターンのエッジラインを判定基準Ｗ１
として標準パターンメモリに予め標準パターンのエッ
ジラインを記憶しておき、前記２値メモリから読み出し
た前記２値パターンのエッジラインと前記標準パターン
メモリから読み出した前記標準パターンのエッジライン
との位置ずれ量を判定基準Ｗ１ にて比較判定し、前記
パターンの適格性を検査するパターン検査装置におい
て、 前記テレビジョンカメラで得られる前記画像パターンを
濃淡画像で記憶する濃淡画像メモリを備え、 前記標準パターンメモリは、前記判定基準Ｗ１ よりせ
まい許容範囲のエッジラインに対応する判定基準Ｗ２
を予め記憶しており、 前記２値パターンのエッジラインにおける不適格な画素
の候補の座標ｘをまず検出し、前記濃淡画像における前
記不適格候補画素の輝度ａと該不適格候補画素に隣接す
るパターンが無い領域の画素の輝度ｂと閾値ｃ（ｂ＜ｃ
＜ａ）とから不適格候補画素におけるエッジラインの座
標をｘ＋（ａ−ｃ）／（ａ−ｂ）なる式で計算して推定
し、計算により推定した前記エッジラインの座標を前記
判定基準Ｗ２との比較から前記不適格候補画素のパター
ンが不適格か否かを判定することを特徴とするパターン
検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19908692A JP3260425B2 (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | パターンのエッジライン推定方式及びパターン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19908692A JP3260425B2 (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | パターンのエッジライン推定方式及びパターン検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0618240A JPH0618240A (ja) | 1994-01-25 |
| JP3260425B2 true JP3260425B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=16401873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19908692A Expired - Fee Related JP3260425B2 (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | パターンのエッジライン推定方式及びパターン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3260425B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2661736T3 (es) * | 2007-10-03 | 2018-04-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositivo de examen visual y método de examen visual |
| JP5214323B2 (ja) * | 2008-05-13 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | 目視検査装置及び方法 |
| JP5367305B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | 目視検査装置および目視検査方法 |
| JP5772675B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-09-02 | トヨタ車体株式会社 | 濃淡画像のエッジ抽出方法、エッジ抽出装置並びに濃淡画像のエッジ抽出プログラム |
| JP6680552B2 (ja) * | 2016-02-08 | 2020-04-15 | Ntn株式会社 | 形状測定装置および被塗布対象物の製造方法 |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP19908692A patent/JP3260425B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0618240A (ja) | 1994-01-25 |
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