JPH0637161A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
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- JPH0637161A JPH0637161A JP4191031A JP19103192A JPH0637161A JP H0637161 A JPH0637161 A JP H0637161A JP 4191031 A JP4191031 A JP 4191031A JP 19103192 A JP19103192 A JP 19103192A JP H0637161 A JPH0637161 A JP H0637161A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＳＥＭ像に基づいて被検査物の検査を行う電
子ビーム装置に関し、二値化のための閾値の決定を容易
に且つ正確に行う。 【構成】 被検査物１４の設計データとしてマスク図デ
ータを格納する手段３２と、データのパターンから配線
のエッジ部分の画素数を計数する手段３６と、被検査物
１４のＳＥＭ像を取得する手段２２と、該取得されたＳ
ＥＭ像を微分処理して配線のエッジ部分の画像を抽出す
る手段２６と、前記配線のエッジ部分の画像及び前記計
数されたエッジ部分の画素数に基づいて２値化のための
閾値を決定し、前記配線のエッジ部分の画像を２値化す
る手段３０と、２値化したエッジ部分の画像を配線方向
に投影し、この投影データを前記マスク図データから作
成された投影エッジデータにパターンマッチングさせ、
前記被検査物１４と前記電子ビーム１２との相対位置を
調整する手段４４と、を含む。
子ビーム装置に関し、二値化のための閾値の決定を容易
に且つ正確に行う。 【構成】 被検査物１４の設計データとしてマスク図デ
ータを格納する手段３２と、データのパターンから配線
のエッジ部分の画素数を計数する手段３６と、被検査物
１４のＳＥＭ像を取得する手段２２と、該取得されたＳ
ＥＭ像を微分処理して配線のエッジ部分の画像を抽出す
る手段２６と、前記配線のエッジ部分の画像及び前記計
数されたエッジ部分の画素数に基づいて２値化のための
閾値を決定し、前記配線のエッジ部分の画像を２値化す
る手段３０と、２値化したエッジ部分の画像を配線方向
に投影し、この投影データを前記マスク図データから作
成された投影エッジデータにパターンマッチングさせ、
前記被検査物１４と前記電子ビーム１２との相対位置を
調整する手段４４と、を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームを用いて被
検査物、例えばＬＳＩチップのＳＥＭ像を取得し、該Ｓ
ＥＭ像に基づいて被検査物の検査を行う電子ビーム装置
に関する。
検査物、例えばＬＳＩチップのＳＥＭ像を取得し、該Ｓ
ＥＭ像に基づいて被検査物の検査を行う電子ビーム装置
に関する。
【０００２】本発明は、特に、電子ビームによりＬＳＩ
チップの内部配線の電圧測定を行ない、ＬＳＩの検査を
行なう装置に関するものである。更に詳述すると、被検
査ＬＳＩの設計データであるマスク図を用いて、効率的
に測定を行なう装置に関するものである。
チップの内部配線の電圧測定を行ない、ＬＳＩの検査を
行なう装置に関するものである。更に詳述すると、被検
査ＬＳＩの設計データであるマスク図を用いて、効率的
に測定を行なう装置に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】ＬＳＩチップ内の測定対象の配線に電子
ビームを自動的に位置決めする技術として、測定対象の
配線を含むほぼ同じ領域のＳＥＭ像とマスク図とのパタ
ーン・マッチングを行う手法がある。このパターン・マ
ッチング手法のなかでも、配線のエッジ部分を抽出し、
これを縦方向及び横方向の二方向に投影し、該得られた
投影データとマスク図からの投影データとパターン・マ
ッチングにより、それぞれの方向の位置決めを行なう方
法がある。
ビームを自動的に位置決めする技術として、測定対象の
配線を含むほぼ同じ領域のＳＥＭ像とマスク図とのパタ
ーン・マッチングを行う手法がある。このパターン・マ
ッチング手法のなかでも、配線のエッジ部分を抽出し、
これを縦方向及び横方向の二方向に投影し、該得られた
投影データとマスク図からの投影データとパターン・マ
ッチングにより、それぞれの方向の位置決めを行なう方
法がある。
【０００４】濃淡画像として取得されるＳＥＭ像からエ
ッジ部分を抽出するには、微分処理を行なう。ここで、
ＳＥＭ像では、電圧コントラストにより正レベルの配線
は暗く表れてしまい、微分により検出したエッジ部分の
輝度は低くなる。このため、投影したデータでは、実効
的なエッジの長さが短くなってしまう。以下、この電圧
コントラストの投影を図３を用いて説明する。
ッジ部分を抽出するには、微分処理を行なう。ここで、
ＳＥＭ像では、電圧コントラストにより正レベルの配線
は暗く表れてしまい、微分により検出したエッジ部分の
輝度は低くなる。このため、投影したデータでは、実効
的なエッジの長さが短くなってしまう。以下、この電圧
コントラストの投影を図３を用いて説明する。
【０００５】図３には、電圧コントラストの影響の説明
が示されており、（ａ）はＬＳＩ基板のＳＥＭ像を示
し、（ｂ）はＳＥＭ像（ａ）を横軸方向に微分した画像
を示し、（ｃ）は微分画像（ｂ）を横軸方向に投影した
図を示す。
が示されており、（ａ）はＬＳＩ基板のＳＥＭ像を示
し、（ｂ）はＳＥＭ像（ａ）を横軸方向に微分した画像
を示し、（ｃ）は微分画像（ｂ）を横軸方向に投影した
図を示す。
【０００６】図３（ａ）のＳＥＭ像では、右から３本の
配線，，は、視野内で同じ長さである。しかしな
がら、配線には正レベルのバイアスがかかっており、
配線は、他の２本の配線，より暗く見えている。
このため、図４（ｃ）の投影データでは、配線のエッ
ジ部分ａ1 ，ａ2 は、他の２本の配線，のエッジ部
分ｂ1 ，ｂ2 ；ｃ1 ，ｃ2 に比べて短くなっている。す
なわち、電圧コントラストのために、必要なエッジ部分
の長さが正しく得られないという問題がある。また、配
線のエッジ部分ｂ1 ，ｂ2 と配線のエッジ部分
ｃ1 ，ｃ2 との間にもバラツキがある。
配線，，は、視野内で同じ長さである。しかしな
がら、配線には正レベルのバイアスがかかっており、
配線は、他の２本の配線，より暗く見えている。
このため、図４（ｃ）の投影データでは、配線のエッ
ジ部分ａ1 ，ａ2 は、他の２本の配線，のエッジ部
分ｂ1 ，ｂ2 ；ｃ1 ，ｃ2 に比べて短くなっている。す
なわち、電圧コントラストのために、必要なエッジ部分
の長さが正しく得られないという問題がある。また、配
線のエッジ部分ｂ1 ，ｂ2 と配線のエッジ部分
ｃ1 ，ｃ2 との間にもバラツキがある。
【０００７】上記電圧コントラストの影響を除去するた
めに、微分により得られたエッジ部分の画像を２値化し
た後、該２値化画像に基づいて投影データを得る方法が
ある。以下、この方法を図４を用いて説明する。
めに、微分により得られたエッジ部分の画像を２値化し
た後、該２値化画像に基づいて投影データを得る方法が
ある。以下、この方法を図４を用いて説明する。
【０００８】図４には、電圧コントラストの影響を除去
した場合が示されており、（ａ）は、ＬＳＩ基板のＳＥ
Ｍ像を示し、この図４（ａ）は前記図３（ａ）と同様で
ある。この図４（ａ）のＳＥＭ像は、横軸方向に微分さ
れた後、２値化される（図４（ｂ）参照）。この図４
（ｂ）の２値化画像は、横軸方向に投影されて、投影デ
ータが得られる（図４（ｃ）参照）。この図４（ｃ）の
投影データでは、３本の配線，，のエッジ部分ａ
1 ，ａ2 ；ｂ1 ，ｂ2 ；ｃ1 ，ｃ2 は、全て同じ長さに
表されており、従って、電圧コントラストの影響が除去
されていることが分かる。
した場合が示されており、（ａ）は、ＬＳＩ基板のＳＥ
Ｍ像を示し、この図４（ａ）は前記図３（ａ）と同様で
ある。この図４（ａ）のＳＥＭ像は、横軸方向に微分さ
れた後、２値化される（図４（ｂ）参照）。この図４
（ｂ）の２値化画像は、横軸方向に投影されて、投影デ
ータが得られる（図４（ｃ）参照）。この図４（ｃ）の
投影データでは、３本の配線，，のエッジ部分ａ
1 ，ａ2 ；ｂ1 ，ｂ2 ；ｃ1 ，ｃ2 は、全て同じ長さに
表されており、従って、電圧コントラストの影響が除去
されていることが分かる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
エッジ画像の二値化処理には、以下に記すような問題が
ある。
エッジ画像の二値化処理には、以下に記すような問題が
ある。
【００１０】エッジ画像では、画像全体におけるエッジ
部分の占める割合がかなり少ないという特性がある。こ
のため、エッジ画像の輝度ヒストグラムは双峰的になら
ないことが多く、よく知られたモード法、判別閾値法と
いったヒストグラム形状を解析する方法では、２値化の
ための閾値の決定が困難であり、従って、正しくエッジ
部分を抽出できないという問題があった。
部分の占める割合がかなり少ないという特性がある。こ
のため、エッジ画像の輝度ヒストグラムは双峰的になら
ないことが多く、よく知られたモード法、判別閾値法と
いったヒストグラム形状を解析する方法では、２値化の
ための閾値の決定が困難であり、従って、正しくエッジ
部分を抽出できないという問題があった。
【００１１】そこで、本発明は、二値化のための閾値の
決定を容易に且つ正確に行うことを目的とするものであ
り、これによって、正確なパターン・マッチングを可能
とし、効率的なＬＳＩの故障検査を行なうことを目的と
する。
決定を容易に且つ正確に行うことを目的とするものであ
り、これによって、正確なパターン・マッチングを可能
とし、効率的なＬＳＩの故障検査を行なうことを目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１には、本発明の原理
による電子ビーム装置のブロック回路が示されており、
本発明に係る電子ビーム装置は、電子ビーム（１２）を
被検査物（１４）に照射してＳＥＭ像を取得し、該ＳＥ
Ｍ像に基づいて該被検査物（１４）の検査を行う電子ビ
ーム装置において、被検査物（１４）の設計データとし
てマスク図データを格納する手段（３２）と、該格納さ
れたマスク図データのパターンから配線のエッジ部分の
画素数を計数する手段（３６）と、被検査物（１４）の
ＳＥＭ像を取得する手段（２２）と、該取得されたＳＥ
Ｍ像を微分処理して配線のエッジ部分の画像を抽出する
手段（２６）と、前記配線のエッジ部分の画像及び前記
計数されたエッジ部分の画素数に基づいて２値化のため
の閾値を決定し、該閾値に基づいて、前記配線のエッジ
部分の画像を２値化する手段（３０）と、前記２値化し
たエッジ部分の画像を配線方向に投影し、この投影デー
タを前記マスク図データから作成された投影エッジデー
タにパターンマッチングさせ、前記被検査物（１４）と
前記電子ビーム（１２）との相対位置を調整する手段
（４４）と、を含むことを特徴とする。
による電子ビーム装置のブロック回路が示されており、
本発明に係る電子ビーム装置は、電子ビーム（１２）を
被検査物（１４）に照射してＳＥＭ像を取得し、該ＳＥ
Ｍ像に基づいて該被検査物（１４）の検査を行う電子ビ
ーム装置において、被検査物（１４）の設計データとし
てマスク図データを格納する手段（３２）と、該格納さ
れたマスク図データのパターンから配線のエッジ部分の
画素数を計数する手段（３６）と、被検査物（１４）の
ＳＥＭ像を取得する手段（２２）と、該取得されたＳＥ
Ｍ像を微分処理して配線のエッジ部分の画像を抽出する
手段（２６）と、前記配線のエッジ部分の画像及び前記
計数されたエッジ部分の画素数に基づいて２値化のため
の閾値を決定し、該閾値に基づいて、前記配線のエッジ
部分の画像を２値化する手段（３０）と、前記２値化し
たエッジ部分の画像を配線方向に投影し、この投影デー
タを前記マスク図データから作成された投影エッジデー
タにパターンマッチングさせ、前記被検査物（１４）と
前記電子ビーム（１２）との相対位置を調整する手段
（４４）と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
【作用】次に、図１を参照しながら本発明の電子ビーム
装置の作用を説明する。電子ビーム１０では、電子ビー
ム１２が被検査ＬＳＩ１４に照射され、該被検査ＬＳＩ
１４からの２次電子１６は、検出器１８で検出される。
検出器１８からの検出信号２０は、ＳＥＭ像取得部２２
に供給され、被検査ＬＳＩ１４の画像が濃淡画像である
ＳＥＭ像として得られる。取得部２２からのＳＥＭ像２
４は、ＳＥＭ像配線エッジ抽出部２６に供給され、ＳＥ
Ｍ像に微分操作が加えられ、エッジ部分の画像に変換さ
れる。
装置の作用を説明する。電子ビーム１０では、電子ビー
ム１２が被検査ＬＳＩ１４に照射され、該被検査ＬＳＩ
１４からの２次電子１６は、検出器１８で検出される。
検出器１８からの検出信号２０は、ＳＥＭ像取得部２２
に供給され、被検査ＬＳＩ１４の画像が濃淡画像である
ＳＥＭ像として得られる。取得部２２からのＳＥＭ像２
４は、ＳＥＭ像配線エッジ抽出部２６に供給され、ＳＥ
Ｍ像に微分操作が加えられ、エッジ部分の画像に変換さ
れる。
【００１４】この段階のエッジ画像を投影して得られる
一次元データには、配線の長さそのものと電圧コントラ
ストとの影響が合わさったものが見かけのエッジの長さ
として表れる。すなわち、電圧コントラストの影響は輝
度の大小として表れるため、投影データに表れる正レベ
ルの配線のエッジの長さは、それ自身と同程度の長さで
あるが、電圧が印加されていない他の配線のエッジに比
べて短く表れる。この短く表れたエッジは、マスク図デ
ータから抽出されたエッジデータとのパターン・マッチ
ングに与える寄与は少なく、このため、パターン・マッ
チングが失敗する可能性がある。
一次元データには、配線の長さそのものと電圧コントラ
ストとの影響が合わさったものが見かけのエッジの長さ
として表れる。すなわち、電圧コントラストの影響は輝
度の大小として表れるため、投影データに表れる正レベ
ルの配線のエッジの長さは、それ自身と同程度の長さで
あるが、電圧が印加されていない他の配線のエッジに比
べて短く表れる。この短く表れたエッジは、マスク図デ
ータから抽出されたエッジデータとのパターン・マッチ
ングに与える寄与は少なく、このため、パターン・マッ
チングが失敗する可能性がある。
【００１５】そこで、抽出部２６からのエッジ部分の画
像２８を２値化処理部３０に供給し、エッジ画像を二値
化することにより、電圧コントラストの影響である輝度
の大小を無効にすることを図る。
像２８を２値化処理部３０に供給し、エッジ画像を二値
化することにより、電圧コントラストの影響である輝度
の大小を無効にすることを図る。
【００１６】ここで、エッジ画像において、有意な輝度
を持つのはほとんどエッジ部分であり、これにノイズが
加わっている。もしエッジ部分の画素数がわかれば、次
のようにして、エッジ部分のみを二値化により抽出する
ための最適な閾値を求めることができる。それは、図２
に示したようにエッジ画像の輝度ヒストグラムを作成
し、輝度の高い部分から画素数を累積していき、累積和
がエッジの画素数に等しくなる輝度を閾値とするという
ものである。
を持つのはほとんどエッジ部分であり、これにノイズが
加わっている。もしエッジ部分の画素数がわかれば、次
のようにして、エッジ部分のみを二値化により抽出する
ための最適な閾値を求めることができる。それは、図２
に示したようにエッジ画像の輝度ヒストグラムを作成
し、輝度の高い部分から画素数を累積していき、累積和
がエッジの画素数に等しくなる輝度を閾値とするという
ものである。
【００１７】なお、実際には、エッジ部分の画素数はわ
からないので、ほぼ同じ領域を表すマスク図データにお
けるエッジ部分の画素数で代用する。すなわち、マスク
図データでの配線は図形データとして表されているの
で、容易に配線のエッジ部分を抽出することができ、従
って、エッジの長さや画素数を容易に算出することが可
能である。詳述すると、マスク図データ格納部３２から
の被検査ＬＳＩのマスク図データのパターン３４が、マ
スク図パターン画素計数部３６に読みこまれ、この画素
計数部３６で、配線のエッジ部分の画素数が算出され
る。
からないので、ほぼ同じ領域を表すマスク図データにお
けるエッジ部分の画素数で代用する。すなわち、マスク
図データでの配線は図形データとして表されているの
で、容易に配線のエッジ部分を抽出することができ、従
って、エッジの長さや画素数を容易に算出することが可
能である。詳述すると、マスク図データ格納部３２から
の被検査ＬＳＩのマスク図データのパターン３４が、マ
スク図パターン画素計数部３６に読みこまれ、この画素
計数部３６で、配線のエッジ部分の画素数が算出され
る。
【００１８】二値化処理部３０では、抽出部２６からの
エッジ部分の画像２８に基づいて、エッジ画像の輝度ヒ
ストグラムを作成し（図２参照）、このヒストグラムと
上記画素計数部３６で算出された画素数３８とから二値
化の閾値を決定する（図２参照）。そして、この閾値を
用いて、エッジ部分の画像２８が二値化され、エッジ部
分のみの抽出が行われる。
エッジ部分の画像２８に基づいて、エッジ画像の輝度ヒ
ストグラムを作成し（図２参照）、このヒストグラムと
上記画素計数部３６で算出された画素数３８とから二値
化の閾値を決定する（図２参照）。そして、この閾値を
用いて、エッジ部分の画像２８が二値化され、エッジ部
分のみの抽出が行われる。
【００１９】このようにして得られた二値化エッジ画像
４０と前記マスク図データ格納部３２からのマスク図デ
ータ４２から作成されたエッジ・データを用いて、マッ
チング処理部４４でパターン・マッチング処理が行われ
る。このマッチング処理部４４からの出力信号４６を用
いて、前記電子ビーム部１０では、被検査ＬＳＩ１４と
電子ビーム１２との相対位置が調整される。
４０と前記マスク図データ格納部３２からのマスク図デ
ータ４２から作成されたエッジ・データを用いて、マッ
チング処理部４４でパターン・マッチング処理が行われ
る。このマッチング処理部４４からの出力信号４６を用
いて、前記電子ビーム部１０では、被検査ＬＳＩ１４と
電子ビーム１２との相対位置が調整される。
【００２０】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。図１において、電子ビーム部１０は、電子ビーム
鏡筒４８及びケース５０から構成され、ケース５０内の
ステージ５２上には、被検査ＬＳＩ１４が載置されてい
る。電子ビーム鏡筒４８内の電子ビーム銃５４から電子
ビーム１２が照射され、この電子ビーム１２は、ビーム
偏向手段５６及びレンズ５８を介して、前記ステージ５
２上の被検査ＬＳＩ１４に照射される。この被検査ＬＳ
Ｉ１４からの２次電子１６は、検出器１８によって検出
され、該検出器１８からの検出信号２０は、ＳＥＭ像取
得部２２に供給され、被検査ＬＳＩ１４のＳＥＭ像が取
得される。
する。図１において、電子ビーム部１０は、電子ビーム
鏡筒４８及びケース５０から構成され、ケース５０内の
ステージ５２上には、被検査ＬＳＩ１４が載置されてい
る。電子ビーム鏡筒４８内の電子ビーム銃５４から電子
ビーム１２が照射され、この電子ビーム１２は、ビーム
偏向手段５６及びレンズ５８を介して、前記ステージ５
２上の被検査ＬＳＩ１４に照射される。この被検査ＬＳ
Ｉ１４からの２次電子１６は、検出器１８によって検出
され、該検出器１８からの検出信号２０は、ＳＥＭ像取
得部２２に供給され、被検査ＬＳＩ１４のＳＥＭ像が取
得される。
【００２１】前記取得部２２からのＳＥＭ像２４は、Ｓ
ＥＭ像配線エッジ抽出部２６に供給され、該抽出部２６
では、ＳＥＭ像が微分処理され、配線のエッジ部分の画
像が得られる。なお、エッジ抽出部２６では、横軸に垂
直なエッジと縦軸に垂直なエッジとを別々に抽出する。
これは、投影データのＳ／Ｎ比を保つためであり、それ
ぞれのエッジについて二値化処理を施して（２値化処理
部３０）、マッチング処理部４４で投影エッジ・データ
を作成する。
ＥＭ像配線エッジ抽出部２６に供給され、該抽出部２６
では、ＳＥＭ像が微分処理され、配線のエッジ部分の画
像が得られる。なお、エッジ抽出部２６では、横軸に垂
直なエッジと縦軸に垂直なエッジとを別々に抽出する。
これは、投影データのＳ／Ｎ比を保つためであり、それ
ぞれのエッジについて二値化処理を施して（２値化処理
部３０）、マッチング処理部４４で投影エッジ・データ
を作成する。
【００２２】一方、マスク図データ格納部３２からのマ
スク図データのパターン３４は、マスク図パターン画素
計数部３６に供給され、該計数部３６では、配線のエッ
ジ部分の画素数が計数される。この計数された画素数
は、次段の２値化処理部３０での閾値決定に使用され
る。なお、マスク図データ格納部３２は、外部記憶装置
で構成され、エッジ抽出部２６、マスク図パターン画素
計数部３６、二値化処理部３０、マッチング処理部４４
は、画像処理を行なう計算機により構成されている。
スク図データのパターン３４は、マスク図パターン画素
計数部３６に供給され、該計数部３６では、配線のエッ
ジ部分の画素数が計数される。この計数された画素数
は、次段の２値化処理部３０での閾値決定に使用され
る。なお、マスク図データ格納部３２は、外部記憶装置
で構成され、エッジ抽出部２６、マスク図パターン画素
計数部３６、二値化処理部３０、マッチング処理部４４
は、画像処理を行なう計算機により構成されている。
【００２３】次に、２値化処理部３０について説明す
る。２値化処理部３０では、抽出部２６からのエッジ部
分の画像２８に基づいて、エッジ画像の輝度ヒストグラ
ムが作成され（図２参照）、該ヒストグラムと計数部３
６からのエッジ部分の画素数３８に基づいて、２値化の
ための閾値が決定される（図２参照）。すなわち、図２
のヒストグラムにおいて、画素数の累積和（斜線が施さ
れた部分）が計数部３６からのエッジ部分の画素数に等
しくなったとき、このときの輝度が閾値とされる。そし
て、このようにして決定された閾値を用いて、抽出部２
６からのエッジ部分の画像２８が２値化される。
る。２値化処理部３０では、抽出部２６からのエッジ部
分の画像２８に基づいて、エッジ画像の輝度ヒストグラ
ムが作成され（図２参照）、該ヒストグラムと計数部３
６からのエッジ部分の画素数３８に基づいて、２値化の
ための閾値が決定される（図２参照）。すなわち、図２
のヒストグラムにおいて、画素数の累積和（斜線が施さ
れた部分）が計数部３６からのエッジ部分の画素数に等
しくなったとき、このときの輝度が閾値とされる。そし
て、このようにして決定された閾値を用いて、抽出部２
６からのエッジ部分の画像２８が２値化される。
【００２４】なお、２値化処理部３０では、対応してい
るＳＥＭ像とマスク図データのパターンとは厳密には同
じ領域ではないため、片方にしか表示されていない配線
が存在する場合がある。これを考慮して、求めた画素数
にオフセットを加えてもよい。また、ＳＥＭ像を微分し
たエッジ画像に表れる配線のエッジは、数画素の幅を持
っていることを考慮にいれ、求めた画素数にエッジの幅
を乗じたものを用いてもよい。
るＳＥＭ像とマスク図データのパターンとは厳密には同
じ領域ではないため、片方にしか表示されていない配線
が存在する場合がある。これを考慮して、求めた画素数
にオフセットを加えてもよい。また、ＳＥＭ像を微分し
たエッジ画像に表れる配線のエッジは、数画素の幅を持
っていることを考慮にいれ、求めた画素数にエッジの幅
を乗じたものを用いてもよい。
【００２５】また、閾値の決定処理は、横軸に垂直なエ
ッジを求める処理として及び縦軸に垂直なエッジを求め
る処理として個別に行なわれる。それぞれから作成した
エッジ・データのパターン・マッチングを実行すること
で、二次元のマッチングを行うこととなる。
ッジを求める処理として及び縦軸に垂直なエッジを求め
る処理として個別に行なわれる。それぞれから作成した
エッジ・データのパターン・マッチングを実行すること
で、二次元のマッチングを行うこととなる。
【００２６】前記２値化処理部３０では、決定された閾
値に基づいて、抽出部２６からのエッジ部分の画像２８
が２値化され、この２値化されたエッジ部分の画像４０
は、マッチング処理部４４に供給され、投影データが求
められる。一方、マスク図データ格納部３２からのマス
ク図データ４２に基づいて、マッチング処理部４４で
は、投影エッジデータが求められる。そして、マッチン
グ処理部４４は、２値化エッジ画像から作成された実際
の投影データとマスク図データから作成された基準の投
影エッジデータとのパターンマッチングを行い、これに
より、前記電子ビーム部１０において被検査ＬＳＩ１４
と電子ビーム１２との相対位置のずれが求められる。こ
のマッチング処理部４４からの出力信号４６に基づい
て、被検査ＬＳＩ１４と電子ビーム１２との相対位置が
補正され、具体的には、出力信号４６に基づいて、電子
ビーム部１０内のビーム偏向手段５６が作動させられ、
被検査ＬＳＩ１４に対して電子ビーム１２を正しい位置
に調整する。
値に基づいて、抽出部２６からのエッジ部分の画像２８
が２値化され、この２値化されたエッジ部分の画像４０
は、マッチング処理部４４に供給され、投影データが求
められる。一方、マスク図データ格納部３２からのマス
ク図データ４２に基づいて、マッチング処理部４４で
は、投影エッジデータが求められる。そして、マッチン
グ処理部４４は、２値化エッジ画像から作成された実際
の投影データとマスク図データから作成された基準の投
影エッジデータとのパターンマッチングを行い、これに
より、前記電子ビーム部１０において被検査ＬＳＩ１４
と電子ビーム１２との相対位置のずれが求められる。こ
のマッチング処理部４４からの出力信号４６に基づい
て、被検査ＬＳＩ１４と電子ビーム１２との相対位置が
補正され、具体的には、出力信号４６に基づいて、電子
ビーム部１０内のビーム偏向手段５６が作動させられ、
被検査ＬＳＩ１４に対して電子ビーム１２を正しい位置
に調整する。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、マスク図データのパターンから配線のエッジ部分の
画素数を計数し、該計数されたエッジ部分の画素数を用
いて閾値を決定し、この閾値でエッジ画像の２値化を行
っている。従って、２値化のための閾値の決定が容易か
つ正確になされるという効果があり、これによって、正
確なパターンマッチングが可能である。
は、マスク図データのパターンから配線のエッジ部分の
画素数を計数し、該計数されたエッジ部分の画素数を用
いて閾値を決定し、この閾値でエッジ画像の２値化を行
っている。従って、２値化のための閾値の決定が容易か
つ正確になされるという効果があり、これによって、正
確なパターンマッチングが可能である。
【図１】本発明の原理による電子ビーム装置のブロック
回路図である。
回路図である。
【図２】エッジ部分の画像の輝度ヒストグラムを示す図
である。
である。
【図３】電圧コントラストの影響の説明図である。
【図４】電圧コントラストの影響を除去した場合の図で
ある。
ある。
１０…電子ビーム部 １２…電子ビーム １４…被検査ＬＳＩ ２２…ＳＥＭ像取得部 ２６…ＳＥＭ像配線エッジ抽出部 ３０…２値化処理部 ３２…マスク図データ格納部 ３６…マスク図パターン画素計数部 ４４…マッチング処理部
Claims (3)
- 【請求項１】 電子ビーム（１２）を被検査物（１４）
に照射してＳＥＭ像を取得し、該ＳＥＭ像に基づいて該
被検査物（１４）の検査を行う電子ビーム装置におい
て、 被検査物（１４）の設計データとしてマスク図データを
格納する手段（３２）と、 該格納されたマスク図データのパターンから配線のエッ
ジ部分の画素数を計数する手段（３６）と、 被検査物（１４）のＳＥＭ像を取得する手段（２２）
と、 該取得されたＳＥＭ像を微分処理して配線のエッジ部分
の画像を抽出する手段（２６）と、 前記配線のエッジ部分の画像及び前記計数されたエッジ
部分の画素数に基づいて２値化のための閾値を決定し、
該閾値に基づいて、前記配線のエッジ部分の画像を２値
化する手段（３０）と、 前記２値化したエッジ部分の画像を配線方向に投影し、
この投影データを前記マスク図データから作成された投
影エッジデータにパターンマッチングさせ、前記被検査
物（１４）と前記電子ビーム（１２）との相対位置を調
整する手段（４４）と、 を含むことを特徴とする電子ビーム装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子ビーム装置におい
て、 前記ＳＥＭ像を微分処理して配線のエッジ部分の画像を
抽出する手段（２６）は、２次元のＳＥＭ像に対して１
次元の微分処理を行うことにより、配線の直交する２次
元のエッジ部分のうち１方向のエッジ部分を抽出する手
段であることを特徴とする電子ビーム装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２のうちいずれか１項に記
載の電子ビーム装置において、 前記ＳＥＭ像から得られた配線のエッジ部分の画像を２
値化するための閾値を決定し、該閾値に基づいて配線の
エッジ部分の画像を２値化する手段（３０）は、前記設
計データであるマスク図データのパターンから配線のエ
ッジ部分の画素数を計数する手段（３６）で計数された
エッジ部分の画素数を用い、該画素数にオフセットを加
えあるいはエッジ部分の幅を乗じたものを閾値とするこ
とを特徴とする電子ビーム装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191031A JPH0637161A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 電子ビーム装置 |
| US08/357,983 US5600734A (en) | 1991-10-04 | 1994-12-19 | Electron beam tester |
| US08/783,304 US5825912A (en) | 1901-12-16 | 1997-01-10 | Electron beam tester |
| US08/810,736 US5872862A (en) | 1991-10-04 | 1997-02-06 | Electron beam tester |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191031A JPH0637161A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 電子ビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637161A true JPH0637161A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16267750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4191031A Withdrawn JPH0637161A (ja) | 1901-12-16 | 1992-07-17 | 電子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637161A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011048758A1 (ja) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターンマッチング方法、及びパターンマッチング装置 |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP4191031A patent/JPH0637161A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011048758A1 (ja) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターンマッチング方法、及びパターンマッチング装置 |
| JP2011090470A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンマッチング方法、及びパターンマッチング装置 |
| US8885950B2 (en) | 2009-10-22 | 2014-11-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern matching method and pattern matching apparatus |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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