JPH07254764A - 配線基板のマイグレーション防止構造及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】配線の洗浄後等にフラックスが残ったとして
も、実装部品の特性が変動したり、マイグレーションが
発生したりするのを未然に防止する。 【構成】基板本体２上には２つのランド３が配設され、
その上にはハンダ４を介してコンデンサ５が接合されて
いる。基板本体２上のランド３間には、一対の導体６が
配設されているとともに、両導体６間を跨ぐようにして
発熱体により構成された抵抗体７が設けられる。製造時
に使用されたフラックスの大部分が温水シャワーにより
除去されるが、ランド３間には若干のフラックスが残っ
ている場合がある。しかし、抵抗体７が電気的導通によ
り所定の温度以上にまで発熱するため、フラックスに吸
収された水分の蒸発が促進されうる。従って、フラック
スはほぼ常時乾燥された状態が維持されることとなり、
フラックスが、水分を吸収することにより一種の抵抗と
なって作用するのが抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は配線基板に係り、詳しく
は、製造時に少なくともフラックスが使用された配線基
板のマイグレーション防止構造及び装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】通常、プリント基板等の配線基板を製造
する場合においては、電子部品を実装するためにハンダ
付けが行われる。このハンダ付け工程と同時に或いはそ
の前工程において、ハンダが金属表面に接合するのを助
長する目的から、一般にフラックスとよばれる有機物を
基板上に塗布することが行われている。例えば、特開平
１−１１８８６１号公報においては、そのフラックスを
塗布するための装置が提案されている。

【０００３】また、前記ハンダ付けが終了した後におい
ては、基板は、その基板上のフラックス残渣を除去する
ための洗浄工程に供される。従来、この洗浄工程におい
ては、洗浄液としてフロンが使用されてきた。このフロ
ンは、フラックスの溶解力が高く、これを使用すること
により、フラックスの洗浄除去を行うことができる。し
かし、昨今では環境汚染等の問題から、当該フロンの使
用が制限されるようになってきており、その代替手段と
して、冷却溶剤（特開昭２−２８０８８１号公報等参
照）や温水シャワーが用いられるようになってきてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来技
術における、冷却溶剤や温水シャワーを用いた洗浄で
は、フロンほどの洗浄力が得られない。また、フラック
ス残渣の洗浄は電子部品等の基板本体へのハンダ付け後
に行われるため、洗浄後においても電子部品と基板本体
との間、すなわち、一対のランド間にフラックスが残渣
として残ってしまうおそれがあった。特に、電子部品と
基板本体との間の隙間が狭い場合には、上記の不具合が
より一層発生しやすいものとなっていた。

【０００５】ここで、フラックス残渣は、その種類にも
よるが、一般には水洗浄用フラックス（水溶性フラック
ス）を用いるため、一定の吸湿性、吸水性を有してい
る。このため、配線基板が使用されてランド（電極）間
に電流が流れた場合には、吸水したフラックス残渣が一
種の電導体となって作用してしまい、結果として電子部
品の特性が変動してしまうおそれがあった。

【０００６】また、ランド間で電流リークが発生した場
合には、ランド間でランドを形成する陽極の成分がイオ
ンとなり、電解質中をイオン移動によって陰極へ移動
し、単体として析出する、いわゆるマイグレーションが
発生してしまうという問題があった。特に、前記ランド
が銀等により形成されている場合には、マイグレーショ
ンにより回路の短絡が発生してしまうおそれがあった。

【０００７】本発明は前述した事情に鑑みてなされたも
のであって、その目的は、製造時には少なくともフラッ
クスが使用された配線基板において、当該基板の洗浄後
等にフラックスが残渣として残ったとしても、実装部品
の特性が変動したり、マイグレーションが発生したりす
るのを未然に防止することのできる配線基板のマイグレ
ーション防止構造を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明においては、基板本体と、前記基板本体
上に設けられた少なくとも２つのランドと、前記少なく
とも２つのランド間にハンダを介して接合された実装部
品とを備えた配線基板であって、当該配線基板の製造時
には少なくともフラックスが使用された配線基板におい
て、前記基板本体上の前記ランド間には、電気的導通に
より発熱する抵抗体を設けたことをその要旨としてい
る。

【０００９】また、第２の発明においては、基板本体
と、前記基板本体上に設けられた少なくとも２つのラン
ドと、前記少なくとも２つのランド間にハンダを介して
接合された実装部品とを備えた配線基板であって、当該
配線基板の製造時には少なくともフラックスが使用され
た配線基板において、前記基板本体上の前記ランド間に
設けられ、電気的導通により発熱する抵抗体と、前記ラ
ンド間の前記フラックスの存在に基づく抵抗を検出する
とともに、当該抵抗が予め定められた所定値以下となっ
たとき、前記抵抗体の発熱を許容するとともに、前記抵
抗が所定値よりも大きくなったとき、前記抵抗体の発熱
を停止させる自己制御手段とを設けた配線基板のマイグ
レーション防止装置をその要旨としている。

【００１０】さらに、第３の発明においては、基板本体
と、前記基板本体上に設けられた少なくとも２つのラン
ドと、前記少なくとも２つのランド間にハンダを介して
接合された実装部品とを備えた配線基板であって、当該
配線基板の製造時には少なくともフラックスが使用され
た配線基板において、前記基板本体上の前記ランド間に
設けられ、電気的導通により発熱する抵抗体と、前記ラ
ンド間の前記フラックスの存在に基づく抵抗を検出する
とともに、当該抵抗が予め定められた所定値以下となっ
たとき、前記抵抗体の発熱を許容する発熱許容制御手段
と、前記抵抗体の発熱時間を計測する計時手段と、前記
計時手段による計測時間が予め定められた所定時間を経
過したとき、前記抵抗体の発熱を停止させる発熱停止制
御手段とを設けた配線基板のマイグレーション防止装置
をその要旨としている。

【００１１】

【作用】上記第１の発明の構成によれば、基板本体上に
設けられた少なくとも２つのランドと、前記少なくとも
２つのランド間にハンダを介して接合された実装部品と
を備えた配線基板が製造されるに際し、少なくともフラ
ックスが使用される。このフラックスが配線基板の使用
時において残渣として残った場合、当該フラックスによ
り大気中等の水分が吸収されうる。

【００１２】しかし、本発明によれば、基板本体上のラ
ンド間に設けられた抵抗体が電気的導通により発熱す
る。このため、抵抗体の発熱によりフラックスに吸収さ
れた水分の蒸発が促進されうる。従って、ランド間に残
存したフラックスが、水分を吸収することにより導通可
能となり、ランド電極の陽極物質がイオン化し、陰極へ
イオン移動により析出するのが抑制される。また、ラン
ド間での電流リークが抑制される。

【００１３】また、第２の発明によれば、第１の発明の
作用に加えて、フラックスが配線基板の使用時において
残渣として残った場合、その残渣が水分を吸収すると、
自己制御手段により、フラックスの存在に基づきランド
間の抵抗の変動が検出される。また、その自己制御手段
により、抵抗が予め定められた所定値以下となったと
き、抵抗体の発熱が許容されるとともに、抵抗が所定値
よりも大きくなったとき、抵抗体の発熱が停止される。
ここで、ランド間のフラックスが水分を吸収した場合、
そのフラックスの存在に基づき、ランド間の電気的導通
が可能となることから、抵抗値が低下することがわかっ
ている。このため、残存したフラックスが所定量水分を
吸収して抵抗が下がった場合にのみ、抵抗体の発熱が許
容されることとなり、それ以外の場合には、抵抗体の発
熱が停止される。従って、不必要な電力の浪費が回避さ
れることとなる。また、発熱の継続に起因する過熱が防
止され、電子部品等に当該過熱による負荷がかかるのが
抑制される。

【００１４】さらに、第３の発明によれば、第１の発明
の作用に加えて、フラックスが配線基板の使用時におい
て残渣として残った場合、その残渣が水分を吸収する
と、発熱許容制御手段により、フラックスの存在に基づ
きランド間に抵抗の変動が検出される。また、その発熱
許容制御手段により、抵抗が予め定められた所定値以下
となったとき、抵抗体の発熱が許容される。さらに、計
時手段により、抵抗体の発熱時間が計測される。そし
て、計時手段による計測時間が予め定められた所定時間
を経過したとき、発熱停止制御手段により抵抗体の発熱
が停止される。このため、抵抗体の発熱が許容されてか
ら、再度抵抗が所定値よりも大きくなったとしても、所
定時間が経過するまでは抵抗体の発熱が許容されること
となる。このため、抵抗が所定値よりも大きくなったら
抵抗体の発熱が停止される場合に比べて、フラックスに
吸収された水分の蒸発促進がより一層確実なものとな
る。

【００１５】

【実施例】

（第１実施例）以下、本発明を具体化した第１実施例を
図１〜５に基づいて説明する。

【００１６】図１は本実施例における配線基板１を示す
部分斜視図（但しハンダ４は省略してある）であり、図
２は配線基板１の部分断面図である。これらの図に示す
ように、アルミナ製の基板本体２上には２つのランド３
が配設されている。これらランド３は、銀よりなり、平
板状をなしているとともに、図示しない配線を介してバ
ッテリ８（図３参照）に電気的に接続されている。両ラ
ンド３上には、銀の混入された共晶よりなるハンダ４を
介して実装部品としてのコンデンサ（電子部品）５が接
合されている。コンデンサ５はコンデンサ本体５ａとそ
の両端に取付けられた電極５ｂとを備えている。

【００１７】さて、図２，３に示すように、基板本体２
上の前記ランド３間には、銀／白金製の一対の導体６が
配設されているとともに、両導体６間を跨ぐようにして
抵抗体７が設けられている。前記導体６は、定電圧回路
９を介してバッテリ８に接続されており、抵抗体７への
電気的導通を許容するようになっている。また、バッテ
リ８の電圧は、その他の内部回路へと供給されるように
なっている。

【００１８】次に、前記抵抗体７についてより詳しく説
明する。上記抵抗体７は、例えばＲｕＯ₂ 系の発熱体に
より構成されている。ＲｕＯ₂ 系の発熱体としては、例
えばデュポン社製 商品名：１３００シリーズ、１６０
０シリーズ、ＱＳ８７シリーズ、ＱＳ９０シリーズ、シ
リーズ１７、１９００シリーズ、ＱＰ６０シリーズ、７
９００シリーズ、６８００シリーズ、１８００シリー
ズ、４７００シリーズ、９５００シリーズ、９４００シ
リーズ、７６９０シリーズ、或いは、住友金属鉱山社製
商品名：Ｒ−ＧＸシリーズ、Ｒ−ＶＴシリーズ、Ｒ−
Ｋシリーズ、或いは、エンゲルハード社製 商品名：Ａ
−３６００シリーズ、Ａ−３０００シリーズ、Ｒ−４４
００シリーズ、或いは、田中貴金属インターナショナル
社製 商品名：ＲＦシリーズ、ＲＺシリーズ、ＲＸ−Ｂ
シリーズ、ＲＳシリーズ、ＧＺシリーズ、ＧＺＸシリー
ズ、ＧＺＫシリーズ、或いは、昭栄化学社製 商品名：
ＲＣ−４００５等が挙げられる。この抵抗体７は、後述
する水溶性フラックス（以下「フラックス」と記す）中
の水分を蒸発除去するために設けられたものである。従
って、抵抗体７は、目的とする発熱量に応じてその種
類、大きさ、形状等が自由に選択されうるものである。
例えば、発熱量Ｐに関しては、以下の関係式が成り立
つ。

【００１９】Ｐ＝ＩＥ …（１） Ｅ＝ＩＲ …（２） Ｒ＝ραβＬ／Ｗ …（３） （１）〜（３）より、 Ｐ＝Ｅ² Ｗ／ραβＬ …（４） 但し、Ｅは電力、Ｉは電流値、Ｒは抵抗値、Ｐは発熱
量、ρは比抵抗、α及びβは係数、Ｗは抵抗体７の幅、
Ｌは抵抗体７の長さをそれぞれ示す。

【００２０】ここで、抵抗体７上に水を１滴（抵抗体７
のほぼ全面を覆う量）落とした場合であって、例えば１
００秒以内で（マイグレーションが起こる可能性のある
時間以内で）その水を蒸発させようとした場合には、図
４に示すように、「６０℃」の表面温度が必要であるこ
とがわかる。従って、表面温度を「６０℃」とするため
には、図５に示すように、印加電力Ｅが「約１Ｗ」必要
であることがわかる。このため、比抵抗ρ、抵抗体７の
幅Ｗ及び抵抗体７の長さＬをその印加電圧Ｅに合わせて
それぞれ適宜に設定することにより、例えば「６０℃」
という所望の表面温度が得られることとなる。但し、実
際上は、上記の各数値に何ら限定されるものではない。
また、最高表面温度は、電子部品等の構成材料の耐熱温
度を考慮して決定されるべきものである。

【００２１】上記の配線基板１は、例えば次に示す工程
により製造される。すなわち、基板本体２に各種回路を
形成する工程、抵抗体７をスクリーン印刷成形する工
程、８５０℃位で熱硬化する工程、オーバーコートガラ
ス（ガラスの皮膜）を抵抗体７上に形成する工程（本実
施例ではこの工程はなくてもよい）、フラックスを塗布
する工程、コンデンサ５等の電子部品を搭載する工程、
ハンダ付けする工程、フラックスを洗浄する工程等を経
ることにより製造される。

【００２２】さて、本実施例では、ハンダ４がランド３
及びコンデンサ５の電極５ｂの表面に接合するのを助長
する目的から、上記の如くフラックス塗布が行われる。
そして、ハンダ付けが完了した段階でそのフラックスの
洗浄が行われる。このフラックスの洗浄は、温水シャワ
ーにより行われる。より詳しくは、配線基板１に対し、
当該配線基板１を挟みつけるようにして温水が吹き付け
られる。そして、その吹き付けられた温水によりフラッ
クスの大部分が除去されるのである。

【００２３】なお、導体６とランド３との極性に関する
配線位置関係として、本実施例においては、ランド３の
陽極側に配置された導体６が陽極とされ、陰極側に配置
された導体６が陰極とされている。これは、ランド３が
イオン化傾向の小さな銀に比してイオン化傾向の大きい
銅等で形成される場合にあっては、ランド３の陰極付近
に導体６の陽極を配置したのでは、導体６の銅等がイオ
ン化し、ランド３の陰極にマイグレーション現象によっ
て析出することが考えられるためである。また、水溶性
フラックスが導通可能であることから、ランド３の陰極
付近に導体６の陽極を配置し、また、ランド３の陽極付
近に導体６の陰極を配置したのでは、実質ショートを起
こしてしまうおそれがあるからである。

【００２４】次に、本実施例における配線基板１の作用
及び効果について説明する。上述したように、温水シャ
ワーにより、フラックスの大部分が除去されるのである
が、基板本体２とコンデンサ５等との間のランド３間に
は、若干のフラックスが残渣として残っている場合があ
る。この場合には、フラックスは吸水性を有するため、
配線基板１の使用時においても吸湿或いは吸水するおそ
れがある。しかし、本実施例によれば、ランド３間に
は、一対の導体６が配設されているとともに、両導体６
間を跨ぐようにして抵抗体７が設けられている。このた
め、抵抗体７が電気的導通により所定の温度以上にまで
発熱する。そのため、抵抗体７の発熱によりフラックス
に吸収された水分の蒸発が促進されうる。従って、フラ
ックスはほぼ常時乾燥された状態が維持されることとな
り、ランド３間に残存したフラックスが、水分を吸収す
ることにより一種の抵抗となって作用するのが抑制され
る。その結果、コンデンサ５等の電子部品の特性が変動
するのを抑制することができる。

【００２５】また、ランド３間での電流リークが抑制さ
れることから、マイグレーションの発生を未然に防止す
ることができる。 （第２実施例）次に、本発明を具体化した第２実施例を
図６〜１１に基づいて説明する。但し、本実施例におい
て前述した第１実施例と重複する部分については説明を
簡略化するものとする。

【００２６】図６は本実施例における配線基板１１を示
す部分斜視図であり、図７は配線基板１１の部分断面図
である。これらの図に示すように、基板本体２上にはバ
ッテリ８（図８参照）に対し電気的に接続されている２
つのランド３が配設されている。両ランド３上には、ハ
ンダ４を介して実装部品としてのコンデンサ５が接合さ
れている。

【００２７】さて、本実施例において基板本体２上の前
記ランド３間には、一対の導体６が配設されているとと
もに、両導体６間を跨ぐようにして抵抗体７が設けられ
ている。また、この抵抗体７を覆うようにしてオーバー
コートガラスよりなる絶縁体１２が設けられ、絶縁体１
２の上部のほぼ両端には、銀／白金よりなる一対の導線
１３が設けられている。そして、これら導線１３間に上
述したフラックスが残存していた場合には、導線１３及
びフラックスによりいわゆるセンサが構成される。すな
わち、フラックスが残存していた場合には導線１３及び
フラックスにより一種の可変抵抗体１４（図８参照）が
形成されることとなる。そして、フラックスが水分を吸
収した場合には、図１０に示すように、その吸湿量の増
大に伴って抵抗値が下がることが分かっている。このた
め、これら導線１３及びフラックスは一種のセンサとし
ての機能を発揮するといえる。

【００２８】本実施例において、前記抵抗体７は、フラ
ックスが吸水してその抵抗値が下がった場合に駆動（発
熱）するようになっている。このように駆動するための
駆動回路の電気的構成について図８に従って説明する。
すなわち、駆動回路としてＰＮＰトランジスタよりなる
スイッチング素子ＴＲ１が設けられ、該スイッチング素
子ＴＲ１により抵抗体７の通電が許容されるようになっ
ている。そして、スイッチング素子ＴＲ１には抵抗１５
及び前記可変抵抗体１４によってバイアスがかけられる
ようになっている。このため、可変抵抗体１４の抵抗値
が大きくなった場合には、スイッチング素子ＴＲ１のベ
ース電圧が大きくなり、スイッチング素子ＴＲ１はオフ
される。一方、可変抵抗体１４の抵抗値が小さくなった
場合には、スイッチング素子ＴＲ１のベース電圧が小さ
くなり、スイッチング素子ＴＲ１はオンされ（コレクタ
−エミッタ間が通電され）、その結果、バッテリ８から
の通電が導体６を介して抵抗体７になされ、抵抗体７が
発熱する（勿論、上記とは逆に設定してもよい。すなわ
ち、スイッチング素子ＴＲ１のベース電圧が高くなった
ときにオンとなり、コレクタ−エミッタ間の通電が許容
されるＮＰＮトランジスタをスイッチング素子として用
いることもできる。その場合は、ベース側の抵抗１５及
び可変抵抗体１４を入れ換えることで同様の効果を得る
ことができる）。また、本実施例では、上記回路すなわ
ちスイッチング素子ＴＲ１、抵抗１５及び可変抵抗体１
４等により自己制御手段が構成されている。

【００２９】上記の構成を有する配線基板１１は、例え
ば次のようにして製造される。すなわち、図９に示すよ
うに、まず所定の回路が形成された基板本体２にランド
３が印刷され、約８５０℃にて焼成される。次いで、導
体６及び抵抗体７が印刷され、約８５０℃にて焼成され
る。続いて、オーバーコートガラスにより絶縁体１２が
形成され、約８５０℃にて焼成される。その後、可変抵
抗体１４を構成する導線１３が印刷され、約８５０℃に
て焼成される。さらに、クリームハンダ印刷が施され、
約８５０℃にて焼成される。但し、本実施例において、
このクリームハンダにはフラックスが混入されている。
そして、コンデンサ５等の電子部品が搭載され、２３０
℃でリフローハンダ付けが施される。このとき、フラッ
クスにより、コンデンサ５等とランド３との間の接合が
より助長される。そして、配線基板１１は洗浄工程に供
せられ、余剰の大部分のフラックスが洗浄除去され、そ
の後、乾燥され、製造品への、さらには実車両等への組
み付け工程に供せられる。

【００３０】次に、本実施例における配線基板１１の作
用及び効果について、上記自己制御手段に基づく流れを
概略的に示す図１１のフローチャートに従って説明す
る。まず、導線１３間のフラックスが吸湿（又は吸水）
したとする（Ｓ１０１）。すると、これに伴い、図１０
に示すように、可変抵抗体１４の抵抗値が低下する（Ｓ
１０２）。

【００３１】次に、上記回路（スイッチング素子ＴＲ
１）により、可変抵抗体１４の抵抗値が、水分をほとん
ど含んでいない状態における予め定められた値（規定
値）以下であるか否かが判定される（Ｓ１０３）。そし
て、抵抗値が規定値よりも大きい場合には、スイッチン
グ素子ＴＲ１のベース電圧が高くなり、コレクタ−エミ
ッタ間の通電が遮断される（Ｓ１０９）。このため、抵
抗体７の発熱が停止される（Ｓ１１０）。

【００３２】一方、可変抵抗体１４の抵抗値が規定値以
下である場合には、スイッチング素子ＴＲ１のベース電
圧が低下してコレクタ−エミッタ間の通電が許容される
（Ｓ１０４）。このため、抵抗体７には電流が流れるこ
ととなり（Ｓ１０５）、抵抗体７は発熱する（Ｓ１０
６）。

【００３３】続いて、スイッチング素子ＴＲ１は、抵抗
値が規定値よりも大きくなったか否か、すなわちフラッ
クスが所定の程度乾燥したか否かを判定する（Ｓ１０
７）。そして、抵抗値が規定値よりも大きくなった場合
には、可変抵抗体１４の抵抗値が増大する（Ｓ１０
８）。そして、この場合には、スイッチング素子ＴＲ１
のベース電圧が高くなり、コレクタ−エミッタ間の通電
が遮断され（Ｓ１０９）、抵抗体７の発熱が停止される
（Ｓ１１０）。一方、抵抗値が規定値よりも大きくなっ
ていない場合には、未だ水分が所定量以上残存している
ものとして、抵抗体７には電流が流れ、抵抗体７は発熱
する（Ｓ１０４〜Ｓ１０６）。

【００３４】このように、温水シャワーの洗浄工程を経
ることにより、フラックスの大部分が除去されるのであ
るが、基板本体２とコンデンサ５等との間のランド３間
には、若干のフラックスが残渣として残っている場合が
ある。この場合には、フラックスは吸水性を有するた
め、配線基板１１の使用時（例えば実車両搭載時の気候
条件や一時的な浸水等の場合）においても吸湿或いは吸
水するおそれがある。しかし、本実施例によれば、上記
自己制御手段により、ランド３間のフラックスの存在に
基づく可変抵抗体１４の抵抗値が検出される。また、そ
の自己制御手段により、抵抗値が予め定められた規定値
以下となったとき、抵抗体７の発熱が許容されるととも
に、抵抗値が規定値よりも大きくなったとき、抵抗体７
の発熱が停止される。

【００３５】ここで、ランド３間のフラックスが水分を
吸収した場合、可変抵抗体１４の抵抗値が低下すること
がわかっている。このため、残存したフラックスが所定
量水分を吸収した場合にのみ、抵抗体７の発熱が許容さ
れることとなり、それ以外の場合には、抵抗体７の発熱
が停止される。従って、前記第１実施例で説明した作用
効果を奏するのに加えて、本実施例では、不必要な電力
の浪費を回避することができる。また、発熱の継続に起
因する過熱が防止され、コンデンサ５等の電子部品に当
該過熱による負荷がかかるのを防止することができる。
その結果、全体としてコストの低減を図ることができる
とともに、配線基板１１の製品寿命の延命化を図ること
ができる。

【００３６】（第３実施例）次に、本発明を具体化した
第３実施例を図１２，１３に基づいて説明する。但し、
本実施例において前述した第１及び第２実施例と重複す
る部分については説明を簡略化するものとする。

【００３７】図１２は本実施例における配線基板２１の
電気的構成を示す回路図である。本実施例において、前
記抵抗体７は、フラックスが吸水してその抵抗値が下が
った場合に駆動（発熱）するとともに、フラックスが乾
燥してから所定時間経過後には停止（発熱停止）するよ
うになっている。この点で前記第２実施例とは異なって
いる。さて、上記のように抵抗体７を駆動させるための
電気的構成について図１２に従って説明する。すなわ
ち、駆動回路としてはＰＮＰトランジスタよりなる第１
のスイッチング素子ＴＲ１１及び第２のスイッチング素
子ＴＲ１２並びにタイマ回路２２が設けられている。そ
して、第２のスイッチング素子ＴＲ１２の切換により抵
抗体７の通電が許容されるようになっている。この第２
のスイッチング素子ＴＲ１２はタイマ回路２２によって
駆動されるようになっている。また、タイマ回路２２は
第１のスイッチング素子ＴＲ１１によって駆動されるよ
うになっている。そして、第１のスイッチング素子ＴＲ
１１には前記第２実施例で説明した抵抗１５及び可変抵
抗体１４によってバイアスがかけられるようになってい
る。このため、可変抵抗体１４の抵抗値が大きくなった
場合には、第１のスイッチング素子ＴＲ１１のベース電
圧が大きくなり、第１のスイッチング素子ＴＲ１１はオ
フされ、タイマ回路２２は駆動されない。一方、可変抵
抗体１４の抵抗値が小さくなった場合には、第１のスイ
ッチング素子ＴＲ１１のベース電圧が小さくなり、第１
のスイッチング素子ＴＲ１１がオンされる。そして、タ
イマ回路２２がリセットされるとともに、第２のスイッ
チング素子ＴＲ１２がオンされ、第２実施例と同様な作
用により抵抗体７が発熱する。その後、タイマ回路２２
がリセットされた状態で、再び第１のスイッチング素子
ＴＲ１１がオフされたときに、タイマ回路２２によりカ
ウントダウンが開始される。本実施例では、上記回路、
すなわち第１のスイッチング素子ＴＲ１１，ＴＲ１２、
抵抗１５及び可変抵抗体１４等により発熱許容制御手段
及び発熱停止制御手段が構成され、特にタイマ回路２２
により計時手段が構成されている。

【００３８】次に、本実施例における配線基板２１の作
用及び効果について、上記発熱許容制御手段、計時手段
及び発熱停止制御手段に基づく流れを概略的に示す図１
３のフローチャート等に従って説明する。

【００３９】まず、導線１３間のフラックスが吸湿（又
は吸水）したとする（Ｓ２０１）。すると、これに伴
い、可変抵抗体１４の抵抗値が低下する。次に、上記第
１のスイッチング素子ＴＲ１１により、可変抵抗体１４
の抵抗値が、水分をほとんど含んでいない状態における
予め定められた値（規定値）以下であるか否かが判定さ
れる（Ｓ２０２）。そして、抵抗値が規定値よりも大き
い場合には、第１のスイッチング素子ＴＲ１１のベース
電圧が高くなり、コレクタ−エミッタ間の通電が遮断さ
れ、第１のスイッチング素子ＴＲ１１が停止（オフ）さ
れる。（Ｓ２０９）。

【００４０】一方、可変抵抗体１４の抵抗値が規定値以
下である場合には、第１のスイッチング素子ＴＲ１１の
ベース電圧が低下してコレクタ−エミッタ間の通電が許
容される（Ｓ２０３）。このため、タイマ回路２２の入
力側の電圧が増大し、タイマ回路２２がリセットされる
（Ｓ２０４）。

【００４１】そして、タイマ回路２２がリセットされる
とともに、第２のスイッチング素子ＴＲ１２が駆動（オ
ン）される（Ｓ２０５）。このため、抵抗体７には電流
が流れ（Ｓ２０６）、抵抗体７は発熱する（Ｓ２０
７）。

【００４２】続いて、第１のスイッチング素子ＴＲ１１
により、抵抗値が規定値よりも大きくなったか否かが判
定される（Ｓ２０８）。すなわち、フラックスが所定の
程度乾燥したか否かが判定される。そして、抵抗値が規
定値よりも大きくなった場合には、可変抵抗体１４の抵
抗値が増大し、第１のスイッチング素子ＴＲ１１が停止
（オフ）される（Ｓ２０９）。

【００４３】続いて、タイマ回路２２のタイマがカウン
トダウンされる（Ｓ２１０）。そして、カウント値に基
づき、駆動開始からの時間が予め定められた所定時間に
達したか否かが判定され（Ｓ２１１）、所定時間に達し
た場合には第２のスイッチング素子ＴＲ１２が停止（オ
フ）され（Ｓ２１２）、抵抗体７の発熱が停止される
（Ｓ２１３）。一方、所定時間に達しない場合には、タ
イマ回路２２によるカウントダウンが継続される（Ｓ２
１０〜Ｓ２１１）。従って、Ｓ２０９で第１のスイッチ
ング素子ＴＲ１１が再度停止（オフ）された場合（フラ
ックス残渣中の含水分量が一応の規定値以下を達成した
とみられる時点）であっても、タイマ回路２２によりカ
ウントダウンされている場合には、第２のスイッチング
素子ＴＲ１２が駆動され続け、抵抗体７の発熱は継続さ
れる。

【００４４】このように、温水シャワーにより、フラッ
クスの大部分が除去されるのであるが、基板本体２とコ
ンデンサ５等との間のランド３間には、若干のフラック
スが残渣として残っている場合がある。この場合には、
フラックスは吸水性を有するため、配線基板１１の使用
時においても吸湿或いは吸水するおそれがある。しか
し、本実施例によれば、上記発熱許容制御手段、発熱停
止制御手段により、ランド３間のフラックスの存在に基
づく可変抵抗体１４の抵抗値が検出される。また、抵抗
値が予め定められた所定値以下となったとき、第１のス
イッチング素子ＴＲ１１により抵抗体７の発熱が許容さ
れる。さらに、計時手段（タイマ回路２２）により、抵
抗値が予め定められた所定値以下となった後、再び所定
値以上となってからの時間が計測される。すなわち、フ
ラックス中の水分率が規定以上となって、スイッチング
素子ＴＲ１１がオンされ、タイマ回路２２がリセットさ
れた後（この間、タイマ回路２２は抵抗体７に通電す
る）スイッチング素子ＴＲ１１がオフとなり、タイマ回
路２２に電気信号が入らなくなったときから計時が開始
される。そして、計測時間が予め定められた所定時間を
経過したとき、第２のスイッチング素子ＴＲ１２により
抵抗体７の発熱が停止される。このため、抵抗体７の発
熱が許容されてから、再度抵抗値が所定値よりも大きく
なったとしても、所定時間が経過するまでは抵抗体７の
発熱が許容されることとなる。このため、抵抗値が所定
値よりも大きくなったら抵抗体７の発熱が停止される第
２実施例の場合に比べて、フラックスに吸収された水分
の蒸発促進をより一層確実なものとすることができる。

【００４５】（第４実施例）次に、本発明を具体化した
第４実施例を図１４に基づいて説明する。但し、本実施
例において前述した第１〜第３実施例と重複する部分に
ついては説明を簡略化するものとする。

【００４６】図１４は本実施例における配線基板３１を
示す部分斜視図である。同図に示すように、基板本体３
２の前記ランド３間において、抵抗体７の近傍には、複
数の透孔３３が形成されている。この点で、本実施例
は、前述した第１実施例と大きく異なっている。

【００４７】次に、本実施例の作用及び効果について説
明する。本実施例においては、上述した第１実施例で記
載した作用効果を奏するのは勿論のこと、抵抗体７の近
傍における配線基板３１には、複数の透孔３３が形成さ
れている。このため、残存したフラックス中の水分が、
当該透孔３３から蒸発されやすいものとなる。従って、
抵抗体７の発熱による水分の気化促進に加えて、透孔３
３からの水蒸気の蒸発がより一層促進されることとな
る。その結果、第１実施例で説明した作用効果をより一
層確実なものとすることができる。また、温水シャワー
により基板を洗浄する際、透孔３３の中を通り、直接温
水が行き届くことにより、電子部品（コンデンサ５）と
基板本体３２との間のフラックス残渣を除去しやすくな
るという効果もある。

【００４８】（第５実施例）次に、本発明を具体化した
第５実施例を図１５，１６に基づいて説明する。但し、
本実施例において前述した第１〜第４実施例と重複する
部分については説明を簡略化するものとする。

【００４９】図１５は本実施例における配線基板４１を
示す部分斜視図であり、図１６は配線基板４１の断面図
である。これらの図に示すように、基板本体４２の前記
ランド３間においては、凹部４３が形成されている。そ
して、当該凹部４３内に前記導体６、抵抗体７、絶縁体
１２及び導線１３等が配設されている。このため、導線
１３の上面とコンデンサ５との間の隙間は、前記第２実
施例等の場合に比べて大きいものとなっている。

【００５０】次に、本実施例の作用及び効果について説
明する。本実施例においては、上述した第２実施例で記
載した作用効果を奏するのは勿論のこと、抵抗体７の近
傍における基板本体４２には凹部４３が形成され、導線
１３の上面とコンデンサ５との間の隙間が比較的大き
い。このため、残存したフラックス中の水分が、当該大
きな隙間から蒸発されやすいものとなる。従って、抵抗
体７の発熱による水分の気化促進に加えて、隙間からの
水蒸気の蒸発がより一層促進されることとなる。その結
果、前記第２実施例で説明した作用効果をより一層確実
なものとすることができる。また、このように凹部４３
を形成することによって、コンデンサ５（電子部品）と
基板本体４２との間隔がその分だけ広くとれることか
ら、温水シャワーにより配線基板４１を洗浄する際、凹
部４３の中を通り、直接温水が行き届くことにより、コ
ンデンサ５（電子部品）と基板本体４２との間のフラッ
クス残渣を除去しやすくなるという効果もある。

【００５１】なお、本発明は前記各実施例に限定される
ものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で構成の一
部を適宜に変更して次のように実施することもできる。 （１）前記第１実施例では、ランド３間に設けられた抵
抗体７は、コンデンサ５の外周縁よりもはみ出すことは
なかったが、図１７に示すように、ランド３間に設けら
れた抵抗体５１は、コンデンサ５の外周縁、端縁部より
もはみ出して設けられていてもよい。かかる場合、抵抗
体５１のはみ出した部分では、温水シャワーによってほ
ぼ確実にフラックスの除去が達成される。このため、ラ
ンド３の両極の分断が抵抗体５１によってなされること
となる。従って、ランド３両極間中央部に一部抵抗体を
設けた場合に懸念される、コンデンサ５の外装部の抵抗
体の存在しない部分からのイオンの周り込みによるマイ
グレーションを、確実に防止することができる。

【００５２】（２）また、図１８に示すように、少なく
とも一方のランド３に、その外周を取り巻くようにして
抵抗体５２を配置形成するようにしてもよい。かかる場
合にもマイグレーションを防止できる上、抵抗体がコン
デンサの外装部からはみ出して不都合な場合に、このよ
うにランド３の外周を取り巻くように抵抗体５２を形成
する構造とすることで、イオンの周り込みよるマイグレ
ーションをも確実に防止することができる。

【００５３】また、上記構成においては少なくとも一方
のランド３が陽極であることが望ましい。かかる場合に
は、陽極の銀がイオン化し、陰極へ析出するため、陽極
のイオン化による体積の減少を集中的に防御すること
で、マイグレーションの発生が防止される。

【００５４】（３）前記第４実施例で説明した透孔３３
は、第１、第２、第３及び第５実施例で説明した基板本
体１，１１，２１，４１に形成されていてもよい。かか
る場合には、各実施例の効果をより一層促進させること
ができる。

【００５５】（４）前記第５実施例で説明した凹部４３
は、第１、第２、第３及び第４実施例で説明した基板本
体１，１１，２１，３１に形成されていてもよい。かか
る場合にも、各実施例の効果をより一層促進させること
ができる。

【００５６】（５）前記第２及び第３実施例では、スイ
ッチング素子ＴＲ１，ＴＲ１１，ＴＲ１２としていずれ
もＰＮＰトランジスタを使用したが、ＮＰＮトランジス
タを使用して配線状態を適宜変更してもよい。

【００５７】（６）前記各実施例では、実装部品として
コンデンサ５を採用したが、その外にも各種抵抗体、ト
ランジスタ、ダイオード等が実装部品として採用されて
もよい。

【００５８】（７）前記各実施例では、導体６及び導線
１３は銀／白金により構成されていたが、その外にも、
例えば共晶ハンダ、銀の混入されたハンダ、亜共晶ハン
ダ、過共晶ハンダ、インジウムの混入されたハンダ、イ
ンジウム、アンチモンの混入されたハンダ、ＲｕＯ
₂ （二酸化ルテニウム）、Ｍ₂ ＲｕＯ_7-X 、カーボン、
ＭｏＯ₃ 、ＬａＢ₆ 、銀、銀／パラジウム、金、銅、
鉄、アルミニウム、ニッケル、クロム等のいずれかによ
り構成されていてもよい。

【００５９】（８）前記各実施例では、ハンダ４は、銀
の混入された共晶により構成されていたが、その外に
も、例えば共晶、亜共晶、過共晶、インジウムの混合
物、インジウム、アンチモンの混合物、低融点ハンダ等
のいずれかにより構成されていてもよい。

【００６０】（９）前記各実施例では、ランド３は、銀
により構成されていたが、その外にも、例えば銀／白
金、銀／パラジウム、金、銅、鉄、アルミニウム、ニッ
ケル、クロム等のいずれかにより構成されていてもよ
い。

【００６１】（１０）前記第３実施例では、抵抗値が規
定値よりも再度大きくなったときに第１のスイッチング
素子ＴＲ１１がオフされ、タイマ回路２２によるカウン
トダウンが開始されるようになっていた。しかし、単に
抵抗値が予め定められた所定値以下となってからタイマ
カウントが開始されるような構成となっていてもよい。

【００６２】上記の場合について図１９のフローチャー
トに従って、その一例を簡単に説明する。まず、導線１
３間のフラックスが吸湿（又は吸水）したとする（Ｓ３
０１）。すると、これに伴い、可変抵抗体１４の抵抗値
が低下する。

【００６３】次に、上記第１のスイッチング素子ＴＲ１
１により、可変抵抗体１４の抵抗値が、水分をほとんど
含んでいない状態における予め定められた値（規定値）
以下であるか否かが判定される（Ｓ３０２）。そして、
抵抗値が規定値よりも大きい場合には、規定値よりも小
さくなるまで、この処理が繰り返される。

【００６４】一方、可変抵抗体１４の抵抗値が規定値以
下である場合には、第１のスイッチング素子ＴＲ１１の
ベース電圧が低下してコレクタ−エミッタ間の通電が許
容される（Ｓ３０３）。このため、タイマ回路２２の入
力側の電圧が増大し、タイマ回路２２によるカウントが
開始される。（Ｓ３０４）。

【００６５】また、これとともに、第２のスイッチング
素子ＴＲ１２の駆動信号がオンされる（Ｓ３０５）。こ
のため、抵抗体７には電流が流れ（Ｓ３０６）、抵抗体
７は発熱する（Ｓ３０７）。続いて、タイマ回路２２
が、前記タイマカウントを終了したが否かが判断される
（Ｓ３０８）。尚、このカウント時間は、予め実験等に
より検討された、フラックス中の水分が蒸発するのに充
分な時間である。そして、タイマカウントが終了した場
合には第２のスイッチング素子ＴＲ１２が停止（オフ）
され（Ｓ３０９）、抵抗体７の発熱が停止される（Ｓ３
１０）。一方、カウントが終了していなう場合には、タ
イマ回路２２によるカウントが継続され、抵抗体７は発
熱され続ける（Ｓ３０５〜Ｓ３０８）。

【００６６】このように、単に抵抗値が予め定められた
所定値以下となってからタイマカウントが開始されるよ
うな構成であっても、そのカウント時間が充分なもので
あれば、上記実施例とほぼ同等の効果を奏する。

【００６７】なお、この場合には、第２のスイッチング
素子ＴＲ１２を省略する構成としてもよい。 （１１）前記各実施例では、抵抗体７は、ＲｕＯ₂ 系の
発熱体により構成されていたが、その外にも、例えばカ
ーボン系の発熱体により構成されていてもよい。また、
樹脂又はセラミックよりなるＰＴＣ（Positive Tempera
ture Coefficient）サーミスタを発熱体としてもよい。
これは、一種の自己制御特性を有し、異状な温度上昇を
防止できる特性がある。すなわち、温度が上昇すると、
抵抗値が大きくなり、流れる電流を小さくする特性があ
る。

【００６８】ここで、上記ＰＣＴサーミスタを発熱体と
した場合の効果について説明する。図２０に示すよう
に、ＰＣＴサーミスタは温度による抵抗変化が著しい。
すなわち、ＰＣＴサーミスタを構成する素材の種類によ
って程度及び所定温度（キュリー温度）は異なるもの
の、その抵抗値は、キュリー温度を境に急激に（指数関
数的に）変化する。一方、図２１に示すように、一般の
抵抗体（例えばカンタル合金製のもの）の場合は、温度
が上昇しても、抵抗値の変化は小さい。このため、異常
な発熱を抑制するには、電流又は電圧の制御が必要とな
る。

【００６９】このように、ＰＣＴサーミスタを発熱体と
した場合には、連続して通電を行って、温度が上昇した
としても、ある温度で急激に抵抗値が大きくなるため、
電流が流れにくくなる。このため、発熱量を小さくする
ことができる。従って、第２実施例等で説明したような
自己制御回路を設けなくとも、過剰な発熱を防止するこ
とができる。

【００７０】（１２）前記第２、第３及び第５実施例で
は、絶縁体１２としてオーバーコートガラスを採用した
が、その外のガラスとしてはクロスオーバーガラス、低
融点ガラス等のいずれかを採用してもよい。また、ガラ
ス以外にも、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化
性樹脂を採用してもよい。

【００７１】（１３）前記各実施例では、基板本体１，
１１，２１，３１，４１を構成する素材としていずれも
アルミナを用いたが、その外にも例えばガラス繊維−エ
ポキシ樹脂のコンポジット、紙フェノール、その他のコ
ンポジット、ＡＩＮ、メタルコア、金属ベースを採用し
てもよい。

【００７２】（１４）前記各実施例では、フラックスと
して水溶性のフラックスを採用したが、水溶性のもので
なくともよい。また、無洗浄タイプのフラックスを使用
した場合には、当該フラックスを洗浄する工程を省略し
てもよい。

【００７３】（１５）前記第２及び第３実施例におけ
る、可変抵抗体１４と各スイッチング素子ＴＲ１，ＴＲ
１１，ＴＲ１２のバイアスは、必ずしも全てのランド３
間に設ける必要はない。

【００７４】特許請求の範囲の各請求項に記載されない
ものであって、上記実施例から把握できる技術的思想に
ついて以下にその効果とともに記載する。 （ａ）請求項１〜３に記載された配線基板のマイグレー
ション防止構造及び装置において、前記基板本体におけ
る前記ランド間には、透孔及び凹部のうち少なくとも一
方が形成されていることを特徴とする。

【００７５】このような構成とすることにより、水分の
蒸発がより一層促進され、請求項１〜３に記載の効果を
より確実に発揮できるという効果を奏する。 （ｂ）請求項１に記載された配線基板のマイグレーショ
ン防止構造及び装置において、前記ランド間の前記フラ
ックスの存在に基づく抵抗値を検出するとともに、当該
抵抗値が予め定められた所定値以下となったとき、前記
抵抗体の発熱を許容する手段を設けたことを特徴とす
る。

【００７６】このような構成とすることにより、抵抗値
が予め定められた所定値以下となったときに抵抗体が発
熱することから、加えて、不必要な電力の浪費を回避
し、発熱の継続に起因する過熱を防止することができ、
もってコストの低減及び製品寿命の延命化を図ることが
できるという効果を奏する。

【００７７】（ｃ）請求項１〜３に記載された配線基板
のマイグレーション防止構造及び装置において、ランド
間に設けられた抵抗体は、実装部品の外周縁よりもはみ
出して設けられていることを特徴とする。

【００７８】このような構成とすることにより、抵抗体
のはみ出した部分では、温水シャワーによってほぼ確実
にフラックスの除去が達成される。このため、ランド３
の両極の分断が抵抗体によってなされることとなり、抵
抗体の存在しない部分からのイオンの周り込みによるマ
イグレーションを確実に防止することができる。

【００７９】（ｄ）請求項１〜３に記載された配線基板
のマイグレーション防止構造及び装置において、少なく
とも一方のランドに、その外周を取り巻くようにして抵
抗体を配置形成したことを特徴とする。

【００８０】このような構成とすることにより、マイグ
レーションを防止できる上、抵抗体がコンデンサの外装
部からはみ出して不都合な場合に、イオンの周り込みよ
るマイグレーションをも確実に防止することができる。

【００８１】（ｅ）上記付記（ｄ）に記載された配線基
板のマイグレーション防止構造及び装置において、少な
くとも一方のランドが陽極であることを特徴とする。こ
のような構成とすることにより、陽極のイオン化による
体積の減少を集中的に防御することで、マイグレーショ
ンの発生を防止することができる。

【００８２】（ｆ）請求項３に記載された配線基板のマ
イグレーション防止装置において、前記計時手段は、前
記抵抗が予め定められた所定値以下となってから再び所
定値以上となってからの時間を計測することを特徴とす
る。

【００８３】このような構成とすることにより、単にマ
イグレーションの発生を防止でき、しかも抵抗体の過熱
を防止することができる。また、それだけでなく、抵抗
体による発熱の必要性がなくなったとしても、それから
さらに暫く発熱が計測されることで、ほぼ完全にフラッ
クス中の水分を蒸発させることができる。従って、マイ
グレーションの発生を防止する効果をさらに高めること
ができる。

【００８４】（ｇ）請求項３に記載された配線基板のマ
イグレーション防止装置において、前記計時手段は、前
記抵抗が予め定められた所定値以下となってからの時間
を計測することを特徴とする。

【００８５】このような構成とすることにより、マイグ
レーションの発生を防止でき、しかも抵抗体の過熱を防
止することができる。

【００８６】

【発明の効果】以上詳述したように、第１〜第３の発明
によれば、製造時には少なくともフラックスが使用され
た配線基板において、当該基板の洗浄後等にフラックス
が残渣として残ったとしても、実装部品の特性が変動し
たり、マイグレーションが発生したりするのを未然に防
止することができるという優れた効果を奏する。

【００８７】また、特に、第２の発明によれば、上記効
果に加えて、不必要な電力の浪費を回避し、発熱の継続
に起因する過熱を防止することができ、もってコストの
低減及び製品寿命の延命化を図ることができるという優
れた効果を奏する。

【００８８】さらに、特に第３の発明によれば、上記効
果に加えて、フラックスに吸収された水分の蒸発促進を
より一層確実なものとすることができるという優れた効
果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した第１実施例における配線基
板の部分斜視図である。

【図２】第１実施例における配線基板の部分断面図であ
る。

【図３】第１実施例において、抵抗体を駆動させるため
の電気的構成を示す回路図である。

【図４】第１実施例において、表面温度に対する水分蒸
発までにかかる時間の関係を示すグラフである。

【図５】第１実施例において、印加電力に対する表面温
度の関係を示すグラフである。

【図６】本発明を具体化した第２実施例における配線基
板の部分斜視図である。

【図７】第２実施例における配線基板の部分断面図であ
る。

【図８】第２実施例において、抵抗体を駆動制御させる
ための電気的構成を示す回路図である。

【図９】第２実施例において、配線基板を製造するため
の一連の工程を示す工程図である。

【図１０】第２実施例において、フラックスの吸湿量に
対する可変抵抗体の抵抗値の関係を一例を示すグラフで
ある。

【図１１】第２実施例において、自己制御手段の作用を
概略的に説明する「自己制御ルーチン」のフローチャー
トである。

【図１２】本発明を具体化した第３実施例における配線
基板の抵抗体を駆動制御させるための電気的構成を示す
回路図である。

【図１３】第３実施例において、発熱許容制御手段、計
時手段及び発熱停止制御手段の作用を概略的に説明する
「タイマ制御ルーチン」のフローチャートである。

【図１４】本発明を具体化した第４実施例における配線
基板の部分斜視図である。

【図１５】本発明を具体化した第５実施例における配線
基板の部分斜視図である。

【図１６】第５実施例における配線基板の部分断面図で
ある。

【図１７】本発明を具体化した別の実施例における配線
基板の部分斜視図である。

【図１８】本発明を具体化した別の実施例における配線
基板の部分斜視図である。

【図１９】本発明を具体化した別の実施例における「タ
イマ制御ルーチン」のフローチャートである。

【図２０】本発明を具体化した別の実施例においてＰＴ
Ｃサーミスタを抵抗体として使用したときの温度に対す
る抵抗値の関係を示すグラフである。

【図２１】本発明を具体化した別の実施例において一般
素材を抵抗体として使用したときの温度に対する抵抗値
の関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１，１１，２１，３１，４１…配線基板、２，３２，４
２…基板本体、３…ランド、４…ハンダ、５…実装部品
としてのコンデンサ、７…抵抗体、１３…自己制御手段
を構成する導線、１４…自己制御手段を構成する可変抵
抗体、１５…自己制御手段を構成する抵抗、ＴＲ１…自
己制御手段を構成するスイッチング素子、ＴＲ１１…発
熱許容制御手段を構成する第１のスイッチング素子、Ｔ
Ｒ１２…発熱停止制御手段を構成する第２のスイッチン
グ素子、２２…計時手段を構成するタイマ回路。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板本体と、 前記基板本体上に設けられた少なくとも２つのランド
   と、 前記少なくとも２つのランド間にハンダを介して接合さ
   れた実装部品とを備えた配線基板であって、当該配線基
   板の製造時には少なくともフラックスが使用された配線
   基板において、 前記基板本体上の前記ランド間には、電気的導通により
   発熱する抵抗体を設けたことを特徴とする配線基板のマ
   イグレーション防止構造。
2. 【請求項２】 基板本体と、 前記基板本体上に設けられた少なくとも２つのランド
   と、 前記少なくとも２つのランド間にハンダを介して接合さ
   れた実装部品とを備えた配線基板であって、当該配線基
   板の製造時には少なくともフラックスが使用された配線
   基板において、 前記基板本体上の前記ランド間に設けられ、電気的導通
   により発熱する抵抗体と、 前記ランド間の前記フラックスの存在に基づく抵抗を検
   出するとともに、当該抵抗が予め定められた所定値以下
   となったとき、前記抵抗体の発熱を許容するとともに、
   前記抵抗が所定値よりも大きくなったとき、前記抵抗体
   の発熱を停止させる自己制御手段とを設けたことを特徴
   とする配線基板のマイグレーション防止装置。
3. 【請求項３】 基板本体と、 前記基板本体上に設けられた少なくとも２つのランド
   と、 前記少なくとも２つのランド間にハンダを介して接合さ
   れた実装部品とを備えた配線基板であって、当該配線基
   板の製造時には少なくともフラックスが使用された配線
   基板において、 前記基板本体上の前記ランド間に設けられ、電気的導通
   により発熱する抵抗体と、 前記ランド間の前記フラックスの存在に基づく抵抗を検
   出するとともに、当該抵抗が予め定められた所定値以下
   となったとき、前記抵抗体の発熱を許容する発熱許容制
   御手段と、 前記抵抗体の発熱時間を計測する計時手段と、 前記計時手段による計測時間が予め定められた所定時間
   を経過したとき、前記抵抗体の発熱を停止させる発熱停
   止制御手段とを設けたことを特徴とする配線基板のマイ
   グレーション防止装置。