JPH0722450A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0722450A JPH0722450A JP16494093A JP16494093A JPH0722450A JP H0722450 A JPH0722450 A JP H0722450A JP 16494093 A JP16494093 A JP 16494093A JP 16494093 A JP16494093 A JP 16494093A JP H0722450 A JPH0722450 A JP H0722450A
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- potting resin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップに悪影響を与えることなく、ポ
ッティング樹脂の厚さを均一にできるＣＯＢの半導体製
造装置を提供する。 【構成】 ＣＯＢの半導体製造装置であって、メタルマ
スク５を装着するマスク装着部と、半導体チップ３にポ
ッティング樹脂８を滴下する樹脂滴下部と、ポッティン
グ樹脂８の表面を平滑化する平滑化部と、メタルマスク
５を剥離するマスク剥離部とを有し、前記平滑化部に設
けられたローラ（平滑化部材）１３が、球面状のポッテ
ィング樹脂８の表面を平滑化して均一な厚さとする。
ッティング樹脂の厚さを均一にできるＣＯＢの半導体製
造装置を提供する。 【構成】 ＣＯＢの半導体製造装置であって、メタルマ
スク５を装着するマスク装着部と、半導体チップ３にポ
ッティング樹脂８を滴下する樹脂滴下部と、ポッティン
グ樹脂８の表面を平滑化する平滑化部と、メタルマスク
５を剥離するマスク剥離部とを有し、前記平滑化部に設
けられたローラ（平滑化部材）１３が、球面状のポッテ
ィング樹脂８の表面を平滑化して均一な厚さとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特に、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）にお
けるポッティング樹脂の厚さを均一にする半導体製造装
置ついて有効な技術に関する。
し、特に、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）にお
けるポッティング樹脂の厚さを均一にする半導体製造装
置ついて有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを裸のままプリント基板に
搭載してワイヤボンディングする、いわゆるＣＯＢの半
導体製造装置においては、ディスペンサによりポッティ
ング樹脂を滴下して半導体チップを封止し、加熱硬化す
るものが一般的であった。
搭載してワイヤボンディングする、いわゆるＣＯＢの半
導体製造装置においては、ディスペンサによりポッティ
ング樹脂を滴下して半導体チップを封止し、加熱硬化す
るものが一般的であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の半導体製造装置では、ポッティング樹脂４８の粘度
が高いために、図９に示すように、ポッティング樹脂４
８が球面状になって厚さが不均一になり、ポッティング
樹脂４８を加熱硬化する工程において基板４２にそりが
発生してしまっていた。
来の半導体製造装置では、ポッティング樹脂４８の粘度
が高いために、図９に示すように、ポッティング樹脂４
８が球面状になって厚さが不均一になり、ポッティング
樹脂４８を加熱硬化する工程において基板４２にそりが
発生してしまっていた。
【０００４】さらに、ポッティング樹脂４８が球面状に
なると、ＣＯＢ自体が厚くなってしまい、装置の薄型化
という市場の要求に沿うことができなくなる。
なると、ＣＯＢ自体が厚くなってしまい、装置の薄型化
という市場の要求に沿うことができなくなる。
【０００５】そして、このような樹脂厚の厚いＣＯＢ
は、ポッティング樹脂４８の硬化後に研削して薄型にす
ることも行われているが、研削中に静電気が発生して半
導体チップ４３に形成された素子などに悪影響を及ぼす
おそれがある。
は、ポッティング樹脂４８の硬化後に研削して薄型にす
ることも行われているが、研削中に静電気が発生して半
導体チップ４３に形成された素子などに悪影響を及ぼす
おそれがある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、半導体チップに
悪影響を与えることなく、ポッティング樹脂の厚さを均
一にできるＣＯＢの半導体製造装置に関する技術を提供
することにある。
悪影響を与えることなく、ポッティング樹脂の厚さを均
一にできるＣＯＢの半導体製造装置に関する技術を提供
することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【０００９】すなわち、本発明の半導体製造装置は、所
定の配線が形成された基板の上面に半導体チップが搭載
され、半導体チップのボンディングパッドがボンディン
グワイヤによって基板の電極と電気的に接続されるＣＯ
Ｂの半導体製造装置であって、メタルマスクを装着する
マスク装着部と、前記半導体チップにポッティング樹脂
を滴下する樹脂滴下部と、前記ポッティング樹脂の表面
を平滑化する平滑化部と、前記メタルマスクを剥離する
マスク剥離部とを有し、前記平滑化部に設けられた平滑
化部材が、球面状の前記ポッティング樹脂の表面を平滑
化して均一な厚さとするものである。
定の配線が形成された基板の上面に半導体チップが搭載
され、半導体チップのボンディングパッドがボンディン
グワイヤによって基板の電極と電気的に接続されるＣＯ
Ｂの半導体製造装置であって、メタルマスクを装着する
マスク装着部と、前記半導体チップにポッティング樹脂
を滴下する樹脂滴下部と、前記ポッティング樹脂の表面
を平滑化する平滑化部と、前記メタルマスクを剥離する
マスク剥離部とを有し、前記平滑化部に設けられた平滑
化部材が、球面状の前記ポッティング樹脂の表面を平滑
化して均一な厚さとするものである。
【００１０】
【作用】上記のような構成の半導体製造装置によれば、
ポッティング樹脂の樹脂厚が均一とされたＣＯＢを製造
することができるので、加熱硬化工程において基板にそ
りが発生することがなく、良質のＣＯＢを製造すること
ができる。
ポッティング樹脂の樹脂厚が均一とされたＣＯＢを製造
することができるので、加熱硬化工程において基板にそ
りが発生することがなく、良質のＣＯＢを製造すること
ができる。
【００１１】また、硬化後にポッティング樹脂を研削す
る必要がなく、したがって、静電気により半導体チップ
に形成された素子などに悪影響を与えるおそれもない。
る必要がなく、したがって、静電気により半導体チップ
に形成された素子などに悪影響を与えるおそれもない。
【００１２】さらに、ＣＯＢ自体の厚さも薄くできるの
で、薄型のＣＯＢという市場の要求に合った製品を投入
することが可能になる。
で、薄型のＣＯＢという市場の要求に合った製品を投入
することが可能になる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいてさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
【００１４】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る半導体製造装置を示す工程図、図２〜図６はその半導
体製造装置によるＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒ
ｄ）の製造過程を示す説明図である。
る半導体製造装置を示す工程図、図２〜図６はその半導
体製造装置によるＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒ
ｄ）の製造過程を示す説明図である。
【００１５】本実施例の半導体製造装置１によって製造
される半導体集積回路装置は、所定の配線が形成された
基板２（図２〜図６）の上面に半導体チップ３（図２〜
図６）が搭載された、いわゆるＣＯＢであり、半導体チ
ップ３のボンディングパッドがボンディングワイヤ４
（図２〜図６）によって基板３の電極と電気的に接続さ
れているものである。
される半導体集積回路装置は、所定の配線が形成された
基板２（図２〜図６）の上面に半導体チップ３（図２〜
図６）が搭載された、いわゆるＣＯＢであり、半導体チ
ップ３のボンディングパッドがボンディングワイヤ４
（図２〜図６）によって基板３の電極と電気的に接続さ
れているものである。
【００１６】そして、本実施例の半導体製造装置１は、
この基板３に搭載された半導体チップ４以外の部分を被
うメタルマスク５（図２〜図５）を装着するマスク装着
部６と、ディスペンサ７（図２）でポッティング樹脂８
（図２〜図６）を滴下して半導体チップ３を封止する樹
脂滴下部９と、滴下されたポッティング樹脂８の表面を
平滑化する平滑化部１０と、前記メタルマスク５を剥離
するマスク剥離部１１とからなるものである。
この基板３に搭載された半導体チップ４以外の部分を被
うメタルマスク５（図２〜図５）を装着するマスク装着
部６と、ディスペンサ７（図２）でポッティング樹脂８
（図２〜図６）を滴下して半導体チップ３を封止する樹
脂滴下部９と、滴下されたポッティング樹脂８の表面を
平滑化する平滑化部１０と、前記メタルマスク５を剥離
するマスク剥離部１１とからなるものである。
【００１７】ここで、本実施例の半導体製造装置１によ
るＣＯＢの製造過程は次のようなものである。
るＣＯＢの製造過程は次のようなものである。
【００１８】まず、図２に示すように、マスク装着部６
において、滴下されたポッティング樹脂８が拡散するこ
とを防止するために半導体チップ３の外周に設けられた
枠体１２を包囲するようにしてメタルマスク５が配置さ
れる。
において、滴下されたポッティング樹脂８が拡散するこ
とを防止するために半導体チップ３の外周に設けられた
枠体１２を包囲するようにしてメタルマスク５が配置さ
れる。
【００１９】次に、図３に示すように、樹脂滴下部９に
おいて、ディスペンサ７からポッティング樹脂８が滴下
されて半導体チップ３を封止する。このとき、ポッティ
ング樹脂８は、その粘度のために表面が球面状になって
いる。
おいて、ディスペンサ７からポッティング樹脂８が滴下
されて半導体チップ３を封止する。このとき、ポッティ
ング樹脂８は、その粘度のために表面が球面状になって
いる。
【００２０】そして、図４に示すように、平滑化部１０
において、円筒形のローラ（平滑化部材）１３がメタル
マスク５上を転がることによって球面状の表面が平滑化
される。なお、ローラ１３が転がった後においては、図
５に示すように、余剰のポッティング樹脂８はメタルマ
スク５上に移動されることとなる。
において、円筒形のローラ（平滑化部材）１３がメタル
マスク５上を転がることによって球面状の表面が平滑化
される。なお、ローラ１３が転がった後においては、図
５に示すように、余剰のポッティング樹脂８はメタルマ
スク５上に移動されることとなる。
【００２１】最後に、図６に示すように、マスク剥離部
１１において、メタルマスク５が剥離されて余剰のポッ
ティング樹脂８が除去され、ポッティング樹脂８が均一
な厚さのＣＯＢが完成する。
１１において、メタルマスク５が剥離されて余剰のポッ
ティング樹脂８が除去され、ポッティング樹脂８が均一
な厚さのＣＯＢが完成する。
【００２２】このように、本実施例の半導体製造装置１
によれば、ポッティング樹脂８の樹脂厚が均一とされた
ＣＯＢを製造することができるので、加熱硬化工程にお
いて基板２にそりが発生することがない。
によれば、ポッティング樹脂８の樹脂厚が均一とされた
ＣＯＢを製造することができるので、加熱硬化工程にお
いて基板２にそりが発生することがない。
【００２３】また、硬化後にポッティング樹脂８を研削
する必要がないので、静電気により半導体チップ３に形
成された素子などに悪影響を与えるおそれもない。
する必要がないので、静電気により半導体チップ３に形
成された素子などに悪影響を与えるおそれもない。
【００２４】さらに、ＣＯＢ自体の厚さも薄くできるの
で、薄型のＣＯＢという市場の要求に合った製品を投入
することが可能になる。
で、薄型のＣＯＢという市場の要求に合った製品を投入
することが可能になる。
【００２５】（実施例２）図７は本発明の他の実施例で
ある半導体製造装置によるＣＯＢの製造過程を示す説明
図である。
ある半導体製造装置によるＣＯＢの製造過程を示す説明
図である。
【００２６】本実施例における半導体製造装置１は、平
滑化部１０において、へら（平滑化部材）２３を用い
て、表面が球面状になったポッティング樹脂８と枠体１
２とが同一平面上となるようにポッティング樹脂８の表
面を平滑化するものである。
滑化部１０において、へら（平滑化部材）２３を用い
て、表面が球面状になったポッティング樹脂８と枠体１
２とが同一平面上となるようにポッティング樹脂８の表
面を平滑化するものである。
【００２７】本実施例の半導体製造装置１によっても、
ポッティング樹脂８の樹脂厚が均一とされるので、加熱
硬化時において基板２にそりが発生することがなく、ま
た、硬化後にポッティング樹脂８を研削する必要もない
ので、静電気による半導体チップ２に形成された素子な
どへの悪影響のおそれもない。
ポッティング樹脂８の樹脂厚が均一とされるので、加熱
硬化時において基板２にそりが発生することがなく、ま
た、硬化後にポッティング樹脂８を研削する必要もない
ので、静電気による半導体チップ２に形成された素子な
どへの悪影響のおそれもない。
【００２８】さらに、薄型のＣＯＢという市場の要求に
合った製品を投入することも可能になる。
合った製品を投入することも可能になる。
【００２９】（実施例３）図８は本発明の、さらに他の
実施例である半導体製造装置によるＣＯＢの製造過程を
示す説明図である。
実施例である半導体製造装置によるＣＯＢの製造過程を
示す説明図である。
【００３０】本実施例における半導体製造装置１は、平
滑化部１０において、球面状のポッティング樹脂８を、
上方から平面板（平滑化部材）３３で押さえて表面を平
滑化するものである。
滑化部１０において、球面状のポッティング樹脂８を、
上方から平面板（平滑化部材）３３で押さえて表面を平
滑化するものである。
【００３１】本実施例の半導体製造装置１によっても、
ポッティング樹脂８の樹脂厚が均一とされるので、加熱
硬化時において基板２にそりが発生することがなく、ま
た、研削時に発生する静電気による半導体チップ３に形
成された素子などへの悪影響のおそれもない。さらに、
薄型の半導体集積回路装置という市場の要求に合った製
品を投入することも可能になる。
ポッティング樹脂８の樹脂厚が均一とされるので、加熱
硬化時において基板２にそりが発生することがなく、ま
た、研削時に発生する静電気による半導体チップ３に形
成された素子などへの悪影響のおそれもない。さらに、
薄型の半導体集積回路装置という市場の要求に合った製
品を投入することも可能になる。
【００３２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３３】たとえば、本発明の半導体製造装置は、本
実施例で記載されたＣＯＢの製造にとどまらず、ポッテ
ィング樹脂を使用する種々の半導体集積回路装置の製造
に適用することが可能である。
実施例で記載されたＣＯＢの製造にとどまらず、ポッテ
ィング樹脂を使用する種々の半導体集積回路装置の製造
に適用することが可能である。
【００３４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【００３５】(1).すなわち、本発明の半導体製造装置に
よれば、ポッティング樹脂の樹脂厚が均一とされたＣＯ
Ｂを製造することができるので、加熱硬化工程において
基板にそりが発生することがない。したがって、高品質
のＣＯＢを製造することができ、歩留りも向上する。
よれば、ポッティング樹脂の樹脂厚が均一とされたＣＯ
Ｂを製造することができるので、加熱硬化工程において
基板にそりが発生することがない。したがって、高品質
のＣＯＢを製造することができ、歩留りも向上する。
【００３６】(2).また、硬化後にポッティング樹脂を研
削する必要がないので、研削中に発生する静電気により
半導体チップに形成された素子などに悪影響を与えるお
それもない。
削する必要がないので、研削中に発生する静電気により
半導体チップに形成された素子などに悪影響を与えるお
それもない。
【００３７】(3).さらに、ＣＯＢ自体の厚さも薄くでき
るので、薄型のＣＯＢという市場の要求に合った製品を
安価に製造することが可能になる。
るので、薄型のＣＯＢという市場の要求に合った製品を
安価に製造することが可能になる。
【００３８】(4).そして、ポッティング樹脂による半導
体チップの封止によれば、トランスファーモールドのよ
うに金型を必要としないので、低コストで半導体集積回
路装置の多品種少量生産が可能になる。
体チップの封止によれば、トランスファーモールドのよ
うに金型を必要としないので、低コストで半導体集積回
路装置の多品種少量生産が可能になる。
【図１】本発明の実施例１による半導体製造装置を示す
工程図である。
工程図である。
【図２】その半導体製造装置によるＣＯＢの製造過程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】その半導体製造装置によるＣＯＢの製造過程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】その半導体製造装置によるＣＯＢの製造過程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図５】その半導体製造装置によるＣＯＢの製造過程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図６】その半導体製造装置によるＣＯＢの製造過程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図７】本発明の実施例２による半導体製造装置による
ＣＯＢの製造過程を示す説明図である。
ＣＯＢの製造過程を示す説明図である。
【図８】本発明の実施例３による半導体製造装置による
ＣＯＢの製造過程を示す説明図である。
ＣＯＢの製造過程を示す説明図である。
【図９】従来の半導体製造装置により製造されたＣＯＢ
の断面図である。
の断面図である。
１ 半導体製造装置 ２ 基板 ３ 半導体チップ ４ ボンディングワイヤ ５ メタルマスク ６ マスク装着部 ７ ディスペンサ ８ ポッティング樹脂 ９ 樹脂滴下部 １０ 平滑化部 １１ マスク剥離部 １２ 枠体 １３ ローラ（平滑化部材） ２３ へら（平滑化部材） ３３ 平面板（平滑化部材） ４２ 基板 ４３ 半導体チップ ４８ ポッティング樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の配線が形成された基板の上面に半
導体チップが搭載され、半導体チップのボンディングパ
ッドがボンディングワイヤによって基板の電極と電気的
に接続されるＣＯＢの半導体製造装置であって、メタル
マスクを装着するマスク装着部と、前記半導体チップに
ポッティング樹脂を滴下する樹脂滴下部と、前記ポッテ
ィング樹脂の表面を平滑化する平滑化部と、前記メタル
マスクを剥離するマスク剥離部とを有し、前記平滑化部
に設けられた平滑化部材が、球面状の前記ポッティング
樹脂の表面を平滑化して均一な厚さとするよう構成した
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記平滑化部材は、ローラであることを
特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記平滑化部材は、へらであることを特
徴とする請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記平滑化部材は、ポッティング樹脂を
上方から押圧する平面板であることを特徴とする請求項
１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16494093A JPH0722450A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16494093A JPH0722450A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722450A true JPH0722450A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15802744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16494093A Pending JPH0722450A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722450A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006019599A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法およびその実装方法 |
| WO2016147284A1 (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | 富士機械製造株式会社 | 形成方法及び形成装置 |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP16494093A patent/JPH0722450A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006019599A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法およびその実装方法 |
| WO2016147284A1 (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | 富士機械製造株式会社 | 形成方法及び形成装置 |
| JPWO2016147284A1 (ja) * | 2015-03-16 | 2017-12-28 | 富士機械製造株式会社 | 形成方法及び形成装置 |
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