JPH07211670A - 半導体装置のダイシング方法 - Google Patents
半導体装置のダイシング方法Info
- Publication number
- JPH07211670A JPH07211670A JP196194A JP196194A JPH07211670A JP H07211670 A JPH07211670 A JP H07211670A JP 196194 A JP196194 A JP 196194A JP 196194 A JP196194 A JP 196194A JP H07211670 A JPH07211670 A JP H07211670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- water
- dicing
- cutting
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、アルミパッドにピンホールが生
じることのない半導体装置のダイシング方法を提供す
る。 【構成】 アルミパッド４を有する複数の半導体チップ
２が形成されてなるウエハを、切削刃に切削水をかけな
がら個々の半導体チップにダイシングする半導体装置の
ダイシング方法であって、前記切削水として純水にオゾ
ンを溶存させたオゾン溶存水を用いる。
じることのない半導体装置のダイシング方法を提供す
る。 【構成】 アルミパッド４を有する複数の半導体チップ
２が形成されてなるウエハを、切削刃に切削水をかけな
がら個々の半導体チップにダイシングする半導体装置の
ダイシング方法であって、前記切削水として純水にオゾ
ンを溶存させたオゾン溶存水を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、アルミパッドを有す
る複数の半導体チップが形成されてなるウエハを個々の
半導体チップにダイシングする半導体装置のダイシング
方法に関するものである。
る複数の半導体チップが形成されてなるウエハを個々の
半導体チップにダイシングする半導体装置のダイシング
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体装置のダイシング方
法を示す図、図３は半導体装置の側断面図であり、１は
複数の半導体チップ２が構成されたウエハ、３はウエハ
１を複数の半導体チップ２にダイシングするための切削
刃、４は半導体チップ２のアルミパッド、５はアルミパ
ッド４の表面に形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜、６
はアルミナ膜５上に接合されたボンディングワイヤ、７
は半導体チップ２の半導体基板、８は半導体基板７上に
形成された絶縁膜である。
法を示す図、図３は半導体装置の側断面図であり、１は
複数の半導体チップ２が構成されたウエハ、３はウエハ
１を複数の半導体チップ２にダイシングするための切削
刃、４は半導体チップ２のアルミパッド、５はアルミパ
ッド４の表面に形成されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）膜、６
はアルミナ膜５上に接合されたボンディングワイヤ、７
は半導体チップ２の半導体基板、８は半導体基板７上に
形成された絶縁膜である。
【０００３】上記半導体チップ２は、ウエハ１上に形成
されたダイシングラインに沿って切削刃３を高速回転す
ることにより個々にダイシングされる。このダイシング
の際には、ウエハ１と切断刃３との間には摩擦熱が発生
するが、この摩擦熱を除去するために、ダイシング中、
切削水としての純水が切削刃３にかけられる。
されたダイシングラインに沿って切削刃３を高速回転す
ることにより個々にダイシングされる。このダイシング
の際には、ウエハ１と切断刃３との間には摩擦熱が発生
するが、この摩擦熱を除去するために、ダイシング中、
切削水としての純水が切削刃３にかけられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置のダ
イシング方法は以上のようにして行われているが、アル
ミナ膜５は、自然酸化膜であり組織が緻密ではなく、ま
たアルミパッド４の材料には、エレクトロマイグレーシ
ョンの耐量を上げるために例えば銅を含有したアルミニ
ウム合金が用いられており、そのためアルミパッド４の
表面に銅が露出しているものもある。このような状態で
ダイシング中にアルミパッド４が純水に浸されると、銅
が陽極、アルミニウムが陰極となり、銅とアルミニウム
との間には電流が流れ、銅の周りのアルミニウムが溶け
出す現象（局部電池現象）が生じる。この現象によりア
ルミパッド４が浸蝕する速度は、アルミパッド４の表面
に自然に形成されるアルミナ膜５の形成速度よりも大き
く、このためウエハ１のダイシング中にはアルミパッド
４の表面にピンホール９が形成され、アルミパッド４が
腐食する場合がある。この状態で、ボンディングワイヤ
６を接合すると、ボンディングワイヤ６とアルミパッド
４との間ではピンホール９の箇所で空隙部１０が生じる
ことになり、アルミパッド４とボンディングワイヤ６と
の間の接合面積が小さくなり、接合強度が低下し、アル
ミパッド４の腐食が進行するとアルミパッド４とボンデ
ィングワイヤ６との接続が外れるという課題があった。
イシング方法は以上のようにして行われているが、アル
ミナ膜５は、自然酸化膜であり組織が緻密ではなく、ま
たアルミパッド４の材料には、エレクトロマイグレーシ
ョンの耐量を上げるために例えば銅を含有したアルミニ
ウム合金が用いられており、そのためアルミパッド４の
表面に銅が露出しているものもある。このような状態で
ダイシング中にアルミパッド４が純水に浸されると、銅
が陽極、アルミニウムが陰極となり、銅とアルミニウム
との間には電流が流れ、銅の周りのアルミニウムが溶け
出す現象（局部電池現象）が生じる。この現象によりア
ルミパッド４が浸蝕する速度は、アルミパッド４の表面
に自然に形成されるアルミナ膜５の形成速度よりも大き
く、このためウエハ１のダイシング中にはアルミパッド
４の表面にピンホール９が形成され、アルミパッド４が
腐食する場合がある。この状態で、ボンディングワイヤ
６を接合すると、ボンディングワイヤ６とアルミパッド
４との間ではピンホール９の箇所で空隙部１０が生じる
ことになり、アルミパッド４とボンディングワイヤ６と
の間の接合面積が小さくなり、接合強度が低下し、アル
ミパッド４の腐食が進行するとアルミパッド４とボンデ
ィングワイヤ６との接続が外れるという課題があった。
【０００５】この発明は、かかる課題を解決するために
なされたもので、アルミパッド上のピンホールの発生が
抑制される半導体装置のダイシング方法を提供すること
を目的とする。
なされたもので、アルミパッド上のピンホールの発生が
抑制される半導体装置のダイシング方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体装置のダイシング方法は、切削水として純水に
オゾンを溶存させたオゾン溶存水を用いたものである。
る半導体装置のダイシング方法は、切削水として純水に
オゾンを溶存させたオゾン溶存水を用いたものである。
【０００７】この発明の請求項２に係る半導体装置のダ
イシング方法は、切削水として純水に酸素を溶存させた
酸素溶存水を用いたものである。
イシング方法は、切削水として純水に酸素を溶存させた
酸素溶存水を用いたものである。
【０００８】
【作用】この発明の請求項１に係る半導体装置のダイシ
ング方法においては、切削水としてオゾン溶存水を用い
ており、ダイシング中に、アルミニウムとオゾンとの化
学反応でアルミナ膜が形成される反応速度は局部電池現
象によりアルミパッドが浸蝕する速度よりも大きくな
り、このためウエハのダイシング中にアルミパッドの表
面にピンホールが形成されにくくなる。
ング方法においては、切削水としてオゾン溶存水を用い
ており、ダイシング中に、アルミニウムとオゾンとの化
学反応でアルミナ膜が形成される反応速度は局部電池現
象によりアルミパッドが浸蝕する速度よりも大きくな
り、このためウエハのダイシング中にアルミパッドの表
面にピンホールが形成されにくくなる。
【０００９】この発明の請求項２に係る半導体装置のダ
イシング方法においては、切削水として酸素溶存水を用
いており、ダイシング中に、アルミパッドの表面にアル
ミニウムと酸素との化学反応によりアルミナ膜が形成さ
れる反応速度は局部電池現象によりアルミパッドが浸蝕
する速度よりも大きくなり、このためウエハのダイシン
グ中にアルミパッドの表面にピンホールが形成されにく
くなる。
イシング方法においては、切削水として酸素溶存水を用
いており、ダイシング中に、アルミパッドの表面にアル
ミニウムと酸素との化学反応によりアルミナ膜が形成さ
れる反応速度は局部電池現象によりアルミパッドが浸蝕
する速度よりも大きくなり、このためウエハのダイシン
グ中にアルミパッドの表面にピンホールが形成されにく
くなる。
【００１０】
実施例１．以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１は請求項第１項に記載の発明の一実施例を示す
側断面図であり、半導体チップ２は、切削刃３を高速回
転することにより個々にダイシングされ、このダイシン
グの際には、ウエハ１と切削刃３との間には摩擦熱が発
生する。その発熱を除去するために、オゾンを１〜４ｍ
ｇ／ｌ含有した切削水であるオゾン溶存水を切削刃３に
かけながらウエハ１のダイシングを行う。このオゾンの
添加は、純水が流れる配管の途中にオゾン液槽からのオ
ゾン液を注入して行われる。
る。図１は請求項第１項に記載の発明の一実施例を示す
側断面図であり、半導体チップ２は、切削刃３を高速回
転することにより個々にダイシングされ、このダイシン
グの際には、ウエハ１と切削刃３との間には摩擦熱が発
生する。その発熱を除去するために、オゾンを１〜４ｍ
ｇ／ｌ含有した切削水であるオゾン溶存水を切削刃３に
かけながらウエハ１のダイシングを行う。このオゾンの
添加は、純水が流れる配管の途中にオゾン液槽からのオ
ゾン液を注入して行われる。
【００１１】ウエハ１のダイシング中においては、切削
水としてオゾン溶存水を用いており、アルミパッド４の
表面にはアルミニウムとオゾンとの化学反応（Ａｌ2＋
Ｏ3＝Ａｌ2Ｏ3）により緻密なアルミナ膜１１が積極的
に形成される。この反応速度は局部電池現象によりアル
ミパッド４が浸蝕する速度よりも大きいため、アルミパ
ッド４の表面にはピンホールが形成されにくくなる。個
々の半導体チップ２のアルミパッド４の表面には緻密な
アルミナ膜１１が形成されており、その後、この状態
で、アルミパッド４にボンディングワイヤ６が接合され
る。その接合は、熱圧着と、ボンディングワイヤ６先端
への超音波の併用とに行われるので、ボンディングワイ
ヤ６の接合時に、アルミナ膜１１は突き破られ、アルミ
パッド４の表面に直接ボンディングワイヤ６が接合され
る。このとき、アルミパッド４の表面にはピンホールが
なく、アルミパッド４とボンディングワイヤ６との間の
接合面積が大きくとれ、接合強度が増大する。
水としてオゾン溶存水を用いており、アルミパッド４の
表面にはアルミニウムとオゾンとの化学反応（Ａｌ2＋
Ｏ3＝Ａｌ2Ｏ3）により緻密なアルミナ膜１１が積極的
に形成される。この反応速度は局部電池現象によりアル
ミパッド４が浸蝕する速度よりも大きいため、アルミパ
ッド４の表面にはピンホールが形成されにくくなる。個
々の半導体チップ２のアルミパッド４の表面には緻密な
アルミナ膜１１が形成されており、その後、この状態
で、アルミパッド４にボンディングワイヤ６が接合され
る。その接合は、熱圧着と、ボンディングワイヤ６先端
への超音波の併用とに行われるので、ボンディングワイ
ヤ６の接合時に、アルミナ膜１１は突き破られ、アルミ
パッド４の表面に直接ボンディングワイヤ６が接合され
る。このとき、アルミパッド４の表面にはピンホールが
なく、アルミパッド４とボンディングワイヤ６との間の
接合面積が大きくとれ、接合強度が増大する。
【００１２】また、外気中の水分が半導体装置の内部に
侵入してピンホールを起点として局部電池現象によりア
ルミパッド４の腐食が進行するといった不都合も生じな
い。さらに、切削水は純水と比較して比抵抗値が低下し
ているので、ウエハ１と切削刃３との摩擦により生じる
静電気で半導体チップ２が静電破壊されるようなことは
なく、またダイシング時に生じた切削屑が静電気の影響
で半導体チップ２の表面に付着するようなこともない。
侵入してピンホールを起点として局部電池現象によりア
ルミパッド４の腐食が進行するといった不都合も生じな
い。さらに、切削水は純水と比較して比抵抗値が低下し
ているので、ウエハ１と切削刃３との摩擦により生じる
静電気で半導体チップ２が静電破壊されるようなことは
なく、またダイシング時に生じた切削屑が静電気の影響
で半導体チップ２の表面に付着するようなこともない。
【００１３】実施例２．なお、上記実施例では切削水と
して純水中にオゾンを溶存させたオゾン溶存水を用いた
場合について説明したが、純水中に酸素を１〜４ｍｇ／
ｌ溶存させた酸素溶存水を用いてアルミニウムと酸素と
の化学反応（２Ａｌ2＋３Ｏ2＝２Ａｌ2Ｏ3）により緻密
なアルミナ膜１１をアルミパッド４の表面に積極的に形
成してもよい。
して純水中にオゾンを溶存させたオゾン溶存水を用いた
場合について説明したが、純水中に酸素を１〜４ｍｇ／
ｌ溶存させた酸素溶存水を用いてアルミニウムと酸素と
の化学反応（２Ａｌ2＋３Ｏ2＝２Ａｌ2Ｏ3）により緻密
なアルミナ膜１１をアルミパッド４の表面に積極的に形
成してもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の請求項
１に係る半導体装置のダイシング方法によれば、切削水
としてオゾン溶存水を用いたことにより、ダイシング中
に、アルミニウムとオゾンとの化学反応によりアルミナ
膜がアルミパッドの表面に形成される反応速度は局部電
池現象によりアルミパッドが浸蝕する速度よりも大きく
なり、このためウエハのダイシング中にアルミパッドの
表面にはピンホールが形成されにくくなり、平滑なアル
ミパッドの表面にはボンディングワイヤが強固に接合さ
れるという効果がある。また、外気中の水分が半導体装
置の内部に侵入し、ピンホールを起点として局部電池現
象によりアルミパッドの腐食が進行するといった不都合
も生じない。さらに、オゾン溶存水は比抵抗値が小さい
ので、ウエハと切削刃との摩擦により生じる静電気で半
導体チップが静電破壊されるようなことはなく、またダ
イシング時に生じた切削屑が半導体チップの表面に付着
するようなこともない。
１に係る半導体装置のダイシング方法によれば、切削水
としてオゾン溶存水を用いたことにより、ダイシング中
に、アルミニウムとオゾンとの化学反応によりアルミナ
膜がアルミパッドの表面に形成される反応速度は局部電
池現象によりアルミパッドが浸蝕する速度よりも大きく
なり、このためウエハのダイシング中にアルミパッドの
表面にはピンホールが形成されにくくなり、平滑なアル
ミパッドの表面にはボンディングワイヤが強固に接合さ
れるという効果がある。また、外気中の水分が半導体装
置の内部に侵入し、ピンホールを起点として局部電池現
象によりアルミパッドの腐食が進行するといった不都合
も生じない。さらに、オゾン溶存水は比抵抗値が小さい
ので、ウエハと切削刃との摩擦により生じる静電気で半
導体チップが静電破壊されるようなことはなく、またダ
イシング時に生じた切削屑が半導体チップの表面に付着
するようなこともない。
【００１５】また、この発明の請求項２に係る半導体装
置のダイシング方法によれば、切削水として酸素溶存水
を用いたことにより、ダイシング中に、アルミニウムと
酸素との化学反応によりアルミナ膜がアルミパッドの表
面に形成される反応速度は局部電池現象によりアルミパ
ッドが浸蝕する速度よりも大きくなり、請求項１に係る
発明と同様の効果を得ることができる。
置のダイシング方法によれば、切削水として酸素溶存水
を用いたことにより、ダイシング中に、アルミニウムと
酸素との化学反応によりアルミナ膜がアルミパッドの表
面に形成される反応速度は局部電池現象によりアルミパ
ッドが浸蝕する速度よりも大きくなり、請求項１に係る
発明と同様の効果を得ることができる。
【図１】この発明の請求項１に係る発明の一実施例を示
す半導体装置の側断面図である。
す半導体装置の側断面図である。
【図２】従来の半導体装置のダイシング方法を示す図で
ある。
ある。
【図３】従来の半導体装置の一例を示す側断面図であ
る。
る。
１ ウエハ ２ 半導体チップ ３ 切削刃 ４ アルミパッド ６ ボンディングワイヤ １１ アルミナ膜
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミパッドを有する複数の半導体チッ
プが形成されてなるウエハを、切削刃に切削水をかけな
がら個々の半導体チップにダイシングする半導体装置の
ダイシング方法において、前記切削水は純水にオゾンを
溶存させたオゾン溶存水であることを特徴とする半導体
装置のダイシング方法。 - 【請求項２】 アルミパッドを有する複数の半導体チッ
プが形成されてなるウエハを、切削刃に切削水をかけな
がら個々の半導体チップにダイシングする半導体装置の
ダイシング方法において、前記切削水は純水に酸素を溶
存させた酸素溶存水であることを特徴とする半導体装置
のダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP196194A JPH07211670A (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 半導体装置のダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP196194A JPH07211670A (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 半導体装置のダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211670A true JPH07211670A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11516193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP196194A Pending JPH07211670A (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 半導体装置のダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211670A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264494A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-10-11 | Tdk Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP2008004598A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | ダイシング装置，ダイシング方法，半導体装置，及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009302371A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR20150108310A (ko) * | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 절삭 방법 |
-
1994
- 1994-01-13 JP JP196194A patent/JPH07211670A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264494A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-10-11 | Tdk Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP2008004598A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | ダイシング装置，ダイシング方法，半導体装置，及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009302371A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR20150108310A (ko) * | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 절삭 방법 |
| JP2015177089A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106601628A (zh) | 一种芯片的封装方法及芯片封装结构 | |
| JP2009094249A (ja) | 半導体装置、半導体装置の実装方法、および半導体装置の実装構造 | |
| JPS594236B2 (ja) | 担持材上に施こされた防蝕性のろう接可能な層系 | |
| JP6976883B2 (ja) | 異方導電性部材、異方導電性部材の製造方法、接合体および電子デバイス | |
| JPH07211670A (ja) | 半導体装置のダイシング方法 | |
| JP2006114827A (ja) | 半導体装置 | |
| CN102931097B (zh) | 半导体封装结构的形成方法 | |
| TW200402258A (en) | Process of producing printed circuit boards and the circuit boards formed thereby | |
| US20070042568A1 (en) | Semiconductor device with a thinned semiconductor chip and method for producing the thinned semiconductor chip | |
| JP2003086675A5 (ja) | ||
| US6692633B2 (en) | Sacrificial anode for corrosion protection of semiconductor metallization during sawing | |
| CN211350634U (zh) | 一种晶圆级封装芯片 | |
| JP3310576B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6873311B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| JPS58197735A (ja) | 半導体装置 | |
| US20240102171A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| JPH03191527A (ja) | 半導体素子の電極構造 | |
| TWI227528B (en) | Method for forming bumps on a wafer and plating tool for performing the method | |
| JPS635903B2 (ja) | ||
| JP2002076046A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5980937A (ja) | 電子部品 | |
| JP2023172178A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61234556A (ja) | ボンデイング用ワイヤ | |
| JPH02260529A (ja) | メッキ電極の製造方法 | |
| JPH01244624A (ja) | 半導体装置 |