JPS594236B2 - 担持材上に施こされた防蝕性のろう接可能な層系 - Google Patents
担持材上に施こされた防蝕性のろう接可能な層系Info
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、はんだ層とこれを被覆していて、酸化に対し
て保護作用をする防蝕層よりなる担持材上に施こされた
防蝕性のろう接可能な層系に関する。
て保護作用をする防蝕層よりなる担持材上に施こされた
防蝕性のろう接可能な層系に関する。
この種の層系では、担持材上に、はんだ層を有する接着
助剤層を施こすことは公知である。
助剤層を施こすことは公知である。
この接着助剤層は、担持材上にはんだ層を良好に接着・
させるのに役立つ。有利に銅又は鉄よりなるはんだ層を
腐蝕させないために、これを金製の防蝕層で被覆してい
る。この金層は、酸素がはんだ層に達することを阻止す
る。しかしながら、金層をはんだ層に直接施こす際に、
これら2層の少なくとも部分的な混合が行なわれるはず
であるから、金層とはんだ層との間に、な}例えばパラ
ジウム、ニツケル又は白金製の拡散阻止層が施こされる
。この種の層系は、必要な4層を得るために4回の連続
せる処理工程を必要とする経費のかかる製造法に基づき
、かつ防蝕層として使用される金に基づき、非常に高価
である。従つて、本発明の課題は、この上位概念による
簡単、かつ経費上好適に製造可能な層系を得ることであ
る。
させるのに役立つ。有利に銅又は鉄よりなるはんだ層を
腐蝕させないために、これを金製の防蝕層で被覆してい
る。この金層は、酸素がはんだ層に達することを阻止す
る。しかしながら、金層をはんだ層に直接施こす際に、
これら2層の少なくとも部分的な混合が行なわれるはず
であるから、金層とはんだ層との間に、な}例えばパラ
ジウム、ニツケル又は白金製の拡散阻止層が施こされる
。この種の層系は、必要な4層を得るために4回の連続
せる処理工程を必要とする経費のかかる製造法に基づき
、かつ防蝕層として使用される金に基づき、非常に高価
である。従つて、本発明の課題は、この上位概念による
簡単、かつ経費上好適に製造可能な層系を得ることであ
る。
この課題は、本発明により、防蝕層が容易に腐蝕する金
属よりなることにより解決される。
属よりなることにより解決される。
この場合、薄い防蝕層は、有利に、従来使用されていた
金に比べて著るしく低い経費の利点を有する部分酸化さ
れたかもしくは完全酸化された金属化合物より成つてい
てよく、この際、珪素、錫及びインジウムの化合物が有
利である。これら物質は、特に銅又は鉄よりなるはんだ
層と混合しないから、従来慣用の拡散防止層が問題にな
らなくなり、これに伴なう材料費及び製造費が節約され
る。
金に比べて著るしく低い経費の利点を有する部分酸化さ
れたかもしくは完全酸化された金属化合物より成つてい
てよく、この際、珪素、錫及びインジウムの化合物が有
利である。これら物質は、特に銅又は鉄よりなるはんだ
層と混合しないから、従来慣用の拡散防止層が問題にな
らなくなり、これに伴なう材料費及び製造費が節約され
る。
本発明による防蝕層は、部分酸化された材料よりなるか
ぎりにあ一いて、侵入酸素に対する捕促層として、かつ
同・時にはんだ層材料に関する還元剤として作用する。
ぎりにあ一いて、侵入酸素に対する捕促層として、かつ
同・時にはんだ層材料に関する還元剤として作用する。
防蝕層が例えば珪素、錫又はインジウムの酸化された化
合物から成る場合に、この層は充分な層厚の際に対する
不透過性遮断層としての作用をする。
合物から成る場合に、この層は充分な層厚の際に対する
不透過性遮断層としての作用をする。
この防蝕層は、はんだ層に対する酸素の拡散を少なくと
も充分に阻止する程度の厚さを有していてよい。
も充分に阻止する程度の厚さを有していてよい。
この場合、その厚さは、酸素の小部分のみが防蝕層を通
つて拡散でき、はんだ層の表面は僅かに酸化されるだけ
である程度に薄くすることができる。防蝕層の厚さを薄
くするこの場合に、ろう接のために、防蝕層を特別な1
操作工程で除く必要はない。
つて拡散でき、はんだ層の表面は僅かに酸化されるだけ
である程度に薄くすることができる。防蝕層の厚さを薄
くするこの場合に、ろう接のために、防蝕層を特別な1
操作工程で除く必要はない。
それというのも、こめ防蝕層はいくらか多孔性であり、
ろう接工程で、防蝕層の多孔性個所によつて、はんだは
はんだ層材料の可能な酸化物によりはんだ層材料まで達
して接触が得られるからである。防蝕層の厚さを、はん
だ層材料が絶対に酸化から保護される程度の厚さに選択
すると、腐蝕防止材料又は高温法で生じるこの材料の酸
化物を、この材料に対して好適な腐蝕剤によつてろう接
工程の前に除去しなければならない。
ろう接工程で、防蝕層の多孔性個所によつて、はんだは
はんだ層材料の可能な酸化物によりはんだ層材料まで達
して接触が得られるからである。防蝕層の厚さを、はん
だ層材料が絶対に酸化から保護される程度の厚さに選択
すると、腐蝕防止材料又は高温法で生じるこの材料の酸
化物を、この材料に対して好適な腐蝕剤によつてろう接
工程の前に除去しなければならない。
本発明によれば、はんだ層の少なくとも部分的な酸化除
去は阻止されるので、はんだ層を従来のはんだ層のメツ
キ施与に比べて経費の少ない真空法で施こすことを可能
とする最小厚さで施こすことができる。
去は阻止されるので、はんだ層を従来のはんだ層のメツ
キ施与に比べて経費の少ない真空法で施こすことを可能
とする最小厚さで施こすことができる。
こa場合、1μm以下の厚さのはんだ層が可能である。
防蝕層の最小必要厚さは、使用材料及びこの材料の酸化
度合により決まるから、これら双方のパララメータの変
動により防蝕層の厚さも変えることができる。
防蝕層の最小必要厚さは、使用材料及びこの材料の酸化
度合により決まるから、これら双方のパララメータの変
動により防蝕層の厚さも変えることができる。
はんだ層を例えばガラス、珪素、エポキシド又はセラミ
ツクよりなる担持材上に良好に接着するために、担持材
とはんだ層との間に、例えばクロム、チタン又はアルミ
ニウムよりなる接着助剤層を配置することができる。
ツクよりなる担持材上に良好に接着するために、担持材
とはんだ層との間に、例えばクロム、チタン又はアルミ
ニウムよりなる接着助剤層を配置することができる。
本発明の有利な使用に訃いて、この層系は・液晶表示の
導体層のろう接可能な接続個所であつてよく、この際導
体層は充分に酸化された金属より成つていてよい。
導体層のろう接可能な接続個所であつてよく、この際導
体層は充分に酸化された金属より成つていてよい。
この種の導体層は、通例は、まず、部分酸化されて、ガ
ラスよりなる担持材上に施こされ、ろう接可能な層系の
他の層系も施こされた後に高温工程で充分酸化される。
この完全酸化は、これにより抵抗を低下させ、かつ導体
層の必要な透明性を得るために必要である。ろう接可能
な層系もこの高温処理工程を通るので、この防蝕層は、
特に重要である。さもないとはんだ層は高温処理工程の
間に少なくとも部分的に酸化除去される。導体層とろう
接可能な層系との間の電気的接触を得るために、導体層
を、担持材とはんだ層との間の領域内に与えることがで
きる。
ラスよりなる担持材上に施こされ、ろう接可能な層系の
他の層系も施こされた後に高温工程で充分酸化される。
この完全酸化は、これにより抵抗を低下させ、かつ導体
層の必要な透明性を得るために必要である。ろう接可能
な層系もこの高温処理工程を通るので、この防蝕層は、
特に重要である。さもないとはんだ層は高温処理工程の
間に少なくとも部分的に酸化除去される。導体層とろう
接可能な層系との間の電気的接触を得るために、導体層
を、担持材とはんだ層との間の領域内に与えることがで
きる。
この場合、同時に担持材とはんだ層との間の接着助剤層
を成していてもよい。はんだ層と担持材との間の特に良
好な接着を得るために、導体層とはんだ層との間にな於
接着助剤を施こすこともできる。
を成していてもよい。はんだ層と担持材との間の特に良
好な接着を得るために、導体層とはんだ層との間にな於
接着助剤を施こすこともできる。
導体層を得るために、防蝕層を得るためと同様に、イン
ジウム錫酸化物を使用することができるので、防蝕層及
び導体層が同じ加工材料から成つていてよ四このことは
、防蝕層及び導体層を、はんだ層と場合により他の層よ
り成る層系並びに、これで被覆されていない担持材の面
を被覆するようにl工程で施こす際に特に有利である。
ジウム錫酸化物を使用することができるので、防蝕層及
び導体層が同じ加工材料から成つていてよ四このことは
、防蝕層及び導体層を、はんだ層と場合により他の層よ
り成る層系並びに、これで被覆されていない担持材の面
を被覆するようにl工程で施こす際に特に有利である。
この場合、導体層、接着助剤層、はんだ層、拡散防止層
及び防蝕層を施こすための従来の5操作工程の代りに、
接着助剤層、はんだ層及び1操作工程で同時に施こされ
る防蝕層と導体層とを担持材料上に施こすために、な訃
3操作工程が必要であるだけである。液晶表示の際に必
要であるように、防蝕層上になふ一大抵は石英よりなる
配向層を施こせば、防蝕層の厚みはな訃減少させること
ができる。
及び防蝕層を施こすための従来の5操作工程の代りに、
接着助剤層、はんだ層及び1操作工程で同時に施こされ
る防蝕層と導体層とを担持材料上に施こすために、な訃
3操作工程が必要であるだけである。液晶表示の際に必
要であるように、防蝕層上になふ一大抵は石英よりなる
配向層を施こせば、防蝕層の厚みはな訃減少させること
ができる。
それというのも、この配向層もはんだ層に対する酸素の
拡散を阻止するために共に作用するからである。次に本
発明の実施例を添付図面につき説明する。第1図は本発
明による層系の第1の実施例を示す図であり、第2図は
、本発明による層系の第2の実施例を示す図であり、第
3図は本発明による層系の第3の実施例を示す図である
。図中に示したろう接可能な層系3131,3″は、ガ
ラス製の担持材1(これは液晶セルの1壁としての作用
をする)上に施こされている。
拡散を阻止するために共に作用するからである。次に本
発明の実施例を添付図面につき説明する。第1図は本発
明による層系の第1の実施例を示す図であり、第2図は
、本発明による層系の第2の実施例を示す図であり、第
3図は本発明による層系の第3の実施例を示す図である
。図中に示したろう接可能な層系3131,3″は、ガ
ラス製の担持材1(これは液晶セルの1壁としての作用
をする)上に施こされている。
担持材1上に、インジウム錫酸化物より成つていてよい
導体層2が有利に250〜1500Aの厚さで施こされ
ている。
導体層2が有利に250〜1500Aの厚さで施こされ
ている。
ろう接不能な導体層2に関して層系3,3′,3″(ム
ろう接可能な接続個所を形成し、これを介して、例えば
チツプとして構成され、集積された開閉路の導体層2へ
の接続が可能である。第1図に記載の層系3では、銅又
は鉄よりなるはんだ層4が導体層2上に直接施こされて
}り、第2図及び第3図でははんだ層4と導体層2との
間に担持材1上の接着を強化するクロム、チタン又はア
ルミニウムからなる接着助剤層5が配置されている。
ろう接可能な接続個所を形成し、これを介して、例えば
チツプとして構成され、集積された開閉路の導体層2へ
の接続が可能である。第1図に記載の層系3では、銅又
は鉄よりなるはんだ層4が導体層2上に直接施こされて
}り、第2図及び第3図でははんだ層4と導体層2との
間に担持材1上の接着を強化するクロム、チタン又はア
ルミニウムからなる接着助剤層5が配置されている。
酸化に対してはんだ層4を保護するために、これは、防
蝕層6,6′ もしくは6Hで被覆されていて、これは
、導体層2と同以容易に腐蝕性の材料より成つているの
が有利である。
蝕層6,6′ もしくは6Hで被覆されていて、これは
、導体層2と同以容易に腐蝕性の材料より成つているの
が有利である。
第1図及び第2図に訃ける防蝕層6及び61は、男1賑
の1操作工程で施こされているが、第3図の実施例では
防蝕層611及び導体層2の施与は、同時に1操作工程
で行なわれている。
の1操作工程で施こされているが、第3図の実施例では
防蝕層611及び導体層2の施与は、同時に1操作工程
で行なわれている。
導体層2及び防蝕層6,6ノ もしくは61VC訃いて
部分酸化された材料を゛用いて行なつた個々の層の施与
の後に、全構成単位に高温処理工程を施こし、この際、
防蝕層6,61,6″及び導体層2を充分に酸化する。
部分酸化された材料を゛用いて行なつた個々の層の施与
の後に、全構成単位に高温処理工程を施こし、この際、
防蝕層6,61,6″及び導体層2を充分に酸化する。
このことは・一方で・導体層の電気抵抗を低下させ、他
方で、導体層2を透明にするために、必要である。導体
層のこの透明性は、液晶セル中での使用の際に必要であ
る。防蝕層6,61もしくは61による保護に基づき、
高温処理工程ではんだ層4の1部の酸化除去一が行なわ
れないので、これは、最小に施こすことができる。即ち
、はんだ層は約1μmの厚さを有するだけで充分である
。本発明の図示されていない1構成に於いては、直接、
接着助剤層を有する担持材上に、はんだ層と防蝕層を有
する導体層の材料よりなる層を施こすことができる。
方で、導体層2を透明にするために、必要である。導体
層のこの透明性は、液晶セル中での使用の際に必要であ
る。防蝕層6,61もしくは61による保護に基づき、
高温処理工程ではんだ層4の1部の酸化除去一が行なわ
れないので、これは、最小に施こすことができる。即ち
、はんだ層は約1μmの厚さを有するだけで充分である
。本発明の図示されていない1構成に於いては、直接、
接着助剤層を有する担持材上に、はんだ層と防蝕層を有
する導体層の材料よりなる層を施こすことができる。
導体層は即ちインジウム錫酸化物より成つているから、
これは部分的にはんだ層中に入り、合金化している。
これは部分的にはんだ層中に入り、合金化している。
このことにより全体の層系の相互のかつ担持材上の良好
な接着が得られる。
な接着が得られる。
第1図は本発明による層系の第1の実施例を示す図であ
り、第2図は、第2の実施例を示す図であり、第3図は
第3の実施例を示す図である。 1・・・・・・担持材、2・・・・・・導体層、3,3
1,31・・・・・・ろう接可能な層系、4・・・・・
・はんだ層、5・・・・・・接着助剤層、6,6″,6
11・・・・・・防蝕層。
り、第2図は、第2の実施例を示す図であり、第3図は
第3の実施例を示す図である。 1・・・・・・担持材、2・・・・・・導体層、3,3
1,31・・・・・・ろう接可能な層系、4・・・・・
・はんだ層、5・・・・・・接着助剤層、6,6″,6
11・・・・・・防蝕層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 はんだ層、この上を被覆している酸化に対し、て保
護作用をする防蝕層よりなる、担持材上に施こされた防
蝕性のろう接可能な層系において、層系3、3′、3″
は、液晶表示の導体層2のろう接可能な接続個所であり
、防蝕層6、6′、6”は部分酸化されたかもしくは完
全酸化された金属化合物よりなることを特徴とする、担
持材上に施こされた防蝕性のろう接可能な層系。 2 防蝕層6、6′、6″は、はんだ層4に対する酸素
の拡散をできるだけ充分に阻止する程度の厚みを有する
、特許請求の範囲第1項記載の層系。 3 担持材1とはんだ層4との間に、接着助剤層5が配
置されている、特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
層系。 4 導体層2は充分に酸化された金属より成る、特許請
求の範囲第1項〜第3項のいずれか1項記載の層系。 5 導体層2は、担持材1とはんだ層4との間の領域内
に存在している、特許請求の範囲第4項記載の層系。 6 導体層2は、担持材1とはんだ層4との間の接着助
剤層を形成している、特許請求の範囲第5項記載の層系
。 7 導体層2とはんだ層4との間に接着助剤層5が配置
されている、特許請求の範囲第1項〜第6項のいずれか
1項に記載の層系。 8 防蝕層6、6′、6″及び導体層2は、同じ材料よ
り成つている、特許請求の範囲第1項〜第7項のいずれ
か1項に記載の層系。 9 防蝕層6″及び導体層2は、はんだ層4と場合によ
り別の層とよりなる層系3″並びにこれまで被覆されて
いない担持材1の面を被覆するように1工程で施こされ
ている、特許請求の範囲第8項に記載の層系。 10 防蝕層6、6′、6″上に配向層が施こされてい
る、特許請求の範囲第1項〜第9項のいずれか1項に記
載の層系。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3028044A DE3028044C1 (de) | 1980-07-24 | 1980-07-24 | Lötfähiges Schichtensystem |
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Publications (2)
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|---|---|
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| JPS594236B2 true JPS594236B2 (ja) | 1984-01-28 |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (20)
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|---|---|---|---|---|
| DE3110978C2 (de) * | 1981-03-20 | 1984-07-26 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Lötfähiges Schichtensystem |
| DE3227898C2 (de) * | 1982-07-26 | 1986-11-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schichtsystem für optoelektronische Anzeigen |
| US5225711A (en) * | 1988-12-23 | 1993-07-06 | International Business Machines Corporation | Palladium enhanced soldering and bonding of semiconductor device contacts |
| US5048744A (en) * | 1988-12-23 | 1991-09-17 | International Business Machines Corporation | Palladium enhanced fluxless soldering and bonding of semiconductor device contacts |
| US5645943A (en) * | 1989-08-18 | 1997-07-08 | Takasago Netsugaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Electrified object contact component |
| DE4224012C1 (de) * | 1992-07-21 | 1993-12-02 | Heraeus Gmbh W C | Lötfähiges elektrisches Kontaktelement |
| JP4179283B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2008-11-12 | 株式会社ニコン | 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置 |
| US8149381B2 (en) | 2003-08-26 | 2012-04-03 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
| TW200513805A (en) * | 2003-08-26 | 2005-04-16 | Nippon Kogaku Kk | Optical device and exposure apparatus |
| US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
| US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
| JP4556422B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
| US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
| US20080175748A1 (en) * | 2005-08-12 | 2008-07-24 | John Pereira | Solder Composition |
| US20070292708A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-12-20 | John Pereira | Solder composition |
| US20070036670A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | John Pereira | Solder composition |
| US20070037004A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Antaya Technologies Corporation | Multilayer solder article |
| US20070231594A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-10-04 | John Pereira | Multilayer solder article |
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| WO2018221256A1 (ja) * | 2017-05-29 | 2018-12-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (10)
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|---|---|---|---|---|
| US3367755A (en) * | 1965-02-26 | 1968-02-06 | Gen Dynamics Corp | Laminar conductive material having coats of gold and indium |
| CH511950A (de) * | 1969-01-15 | 1971-08-31 | Alois Dr Marek | Verfahren zum Überziehen oder Weichlöten von Materialien und Anwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Kontaktschicht auf einer Materialoberfläche |
| US3620692A (en) * | 1970-04-01 | 1971-11-16 | Rca Corp | Mounting structure for high-power semiconductor devices |
| NL163370C (nl) * | 1972-04-28 | 1980-08-15 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon. |
| CH557071A (de) * | 1973-09-07 | 1974-12-13 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur herstellung von fluessigkristallzellen, danach hergestellte fluessigkristallzellen und anwendung der fluessigkristallzellen als anzeigeelemente. |
| US4095876A (en) * | 1975-12-08 | 1978-06-20 | Rca Corporation | Liquid crystal device and method for preparing same |
| DE2807350C2 (de) * | 1977-03-02 | 1983-01-13 | Sharp K.K., Osaka | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung in Baueinheit mit einem integrierten Schaltkreis |
| DE2813166C3 (de) * | 1978-03-25 | 1981-04-09 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Verfahren zum Hartlöten von einem schnelloxydierenden Metall mit einem anderen Metall |
| US4255474A (en) * | 1980-01-04 | 1981-03-10 | Rockwell International Corporation | Composite having transparent conductor pattern |
| US4352716A (en) * | 1980-12-24 | 1982-10-05 | International Business Machines Corporation | Dry etching of copper patterns |
-
1980
- 1980-07-24 DE DE3028044A patent/DE3028044C1/de not_active Expired
-
1981
- 1981-04-02 EP EP81102478A patent/EP0044906B1/de not_active Expired
- 1981-06-25 BR BR8104002A patent/BR8104002A/pt unknown
- 1981-07-17 AU AU73109/81A patent/AU549316B2/en not_active Ceased
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- 1981-07-22 US US06/286,102 patent/US4500611A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632428U (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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