JPH07209853A - 位相反転マスクの製造方法 - Google Patents
位相反転マスクの製造方法Info
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- JPH07209853A JPH07209853A JP32798394A JP32798394A JPH07209853A JP H07209853 A JPH07209853 A JP H07209853A JP 32798394 A JP32798394 A JP 32798394A JP 32798394 A JP32798394 A JP 32798394A JP H07209853 A JPH07209853 A JP H07209853A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相反転マスクの製造方法に関し、一般的な
クロムマスクの上部に位相反転層とネガティブ型感光膜
を塗布し、容易に位相反転マスクを製造することを目的
とする。 【構成】 クムロパタ−ンの間にのみ位相反転層パタ−
ンを形成した後、位相反転層パタ−ンと隣接したクロム
パタ−ンの一定幅をエッチングして石英基板が露出する
よう位相反転効果を最大にする技術である。このよう
に、位相反転マスクを製造すれば別途の装備や設計なく
位相反転マスクを容易に形成して製造コストを節減する
ことができる。
クロムマスクの上部に位相反転層とネガティブ型感光膜
を塗布し、容易に位相反転マスクを製造することを目的
とする。 【構成】 クムロパタ−ンの間にのみ位相反転層パタ−
ンを形成した後、位相反転層パタ−ンと隣接したクロム
パタ−ンの一定幅をエッチングして石英基板が露出する
よう位相反転効果を最大にする技術である。このよう
に、位相反転マスクを製造すれば別途の装備や設計なく
位相反転マスクを容易に形成して製造コストを節減する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の光リソグ
ラフィー工程に用いられるマスク製造に関し、特に石英
基板上にクロムパタ−ンと位相反転層パタ−ンが形成さ
れる位相反転（phase shift ）マスク製造方法に関す
る。
ラフィー工程に用いられるマスク製造に関し、特に石英
基板上にクロムパタ−ンと位相反転層パタ−ンが形成さ
れる位相反転（phase shift ）マスク製造方法に関す
る。
【０００２】光リソグラフィー工程で伝統的なクロムマ
スクを用いて露光する際、露光装置により形成すること
ができるパタ−ンの大きさ以下では、クロムパタ−ンと
クロムパタ−ンの間で発生する干渉によりプロファイル
が良好な感光膜パタ−ンを形成することが困難である。
スクを用いて露光する際、露光装置により形成すること
ができるパタ−ンの大きさ以下では、クロムパタ−ンと
クロムパタ−ンの間で発生する干渉によりプロファイル
が良好な感光膜パタ−ンを形成することが困難である。
【０００３】このような問題点を克服するため、石英基
板上にクロムパタ−ンを形成し、前記クロムパタ−ンと
クロムパタ−ンの間に位相反転層パタ−ンを形成した位
相反転マクスが提案されている。
板上にクロムパタ−ンを形成し、前記クロムパタ−ンと
クロムパタ−ンの間に位相反転層パタ−ンを形成した位
相反転マクスが提案されている。
【０００４】位相反転マスクは、位相反転層が石英基板
上部に備えられるが、石英基板を透過した光と位相反転
層を透過した光の間では光の位相が１８０°反転するこ
とにより、石英基板と位相反転層の境界面を透過した光
の強度は０となって現れ、感光膜パタ−ンのプロファイ
ルを向上させる。
上部に備えられるが、石英基板を透過した光と位相反転
層を透過した光の間では光の位相が１８０°反転するこ
とにより、石英基板と位相反転層の境界面を透過した光
の強度は０となって現れ、感光膜パタ−ンのプロファイ
ルを向上させる。
【０００５】然して、位相反転マスクを用いて光リソグ
ラフィー工程を行うことになれば、既存のクロムマスク
により工程能力が５０％以上向上し、露光装置の限界以
下の大きさまで感光膜パタ−ンの形成が可能である。
ラフィー工程を行うことになれば、既存のクロムマスク
により工程能力が５０％以上向上し、露光装置の限界以
下の大きさまで感光膜パタ−ンの形成が可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような位
相反転マスクの設計と製作は困難であり、かつ、新しい
装備の使用により製作が可能になるので、位相反転マク
スの製作費用と製作時間が多く費やされる問題点が発生
する。
相反転マスクの設計と製作は困難であり、かつ、新しい
装備の使用により製作が可能になるので、位相反転マク
スの製作費用と製作時間が多く費やされる問題点が発生
する。
【０００７】したがって、本発明は既存のクロムマスク
の上部に位相反転物質を塗布した後、ネガティブ型感光
膜を用いて容易に位相反転マスクを製造する方法を提供
することを目的とする。
の上部に位相反転物質を塗布した後、ネガティブ型感光
膜を用いて容易に位相反転マスクを製造する方法を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ため本発明は、石英基板上部にクロムパタ−ンを形成し
て全体構造上部に位相反転層とネガティブ型感光膜を塗
布する工程と、前記石英基板の後面で感光膜を露光させ
現象して感光膜パタ−ンを形成する工程と、前記感光膜
パタ−ンをマスクにして位相反転層をエッチングするこ
とにより位相反転層パタ−ンを形成する工程と、前記位
相反転層パタ−ンと隣接するクロムパタ−ンの両側面を
エッチングする工程と、前記感光膜パタ−ンを除去する
工程とをより成る位相反転マスクの製造方法にある。
ため本発明は、石英基板上部にクロムパタ−ンを形成し
て全体構造上部に位相反転層とネガティブ型感光膜を塗
布する工程と、前記石英基板の後面で感光膜を露光させ
現象して感光膜パタ−ンを形成する工程と、前記感光膜
パタ−ンをマスクにして位相反転層をエッチングするこ
とにより位相反転層パタ−ンを形成する工程と、前記位
相反転層パタ−ンと隣接するクロムパタ−ンの両側面を
エッチングする工程と、前記感光膜パタ−ンを除去する
工程とをより成る位相反転マスクの製造方法にある。
【０００９】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明を詳細に説
明する。図１乃至図５は、本発明の第１実施例による位
相反転マスクの製造方法を示す断面図である。図１は、
石英基板（１）の上部にクロムパタ−ン（２）を公知の
技術で形成したことを示す断面図である。
明する。図１乃至図５は、本発明の第１実施例による位
相反転マスクの製造方法を示す断面図である。図１は、
石英基板（１）の上部にクロムパタ−ン（２）を公知の
技術で形成したことを示す断面図である。
【００１０】図２は、前記クロムパタ−ン（２）と石英
基板（１）の上部に位相反転層（３）を塗布し、その上
部にネガティブ型感光膜（４）を塗布したことを示す断
面図である。ここで、前記位相反転層（３）はSOG (Spi
n on glass）やＣＶＤ酸化膜（chemical vapor deposit
ion oxide ）で形成する。
基板（１）の上部に位相反転層（３）を塗布し、その上
部にネガティブ型感光膜（４）を塗布したことを示す断
面図である。ここで、前記位相反転層（３）はSOG (Spi
n on glass）やＣＶＤ酸化膜（chemical vapor deposit
ion oxide ）で形成する。
【００１１】図３は、図２の工程後に石英基板（１）の
後面で前記感光膜（４）を露光し、現像工程で露光され
ない感光膜（４）を除去して感光膜パタ−ン（４′）を
形成し、該感光膜パタ−ン（４′）をマスクに用いて露
出した位相反転層（３）をエッチングし、位相反転層パ
タ−ン（３′）を形成したことを示す断面図であり、前
記クロムパタ−ン（２）の上部にある位相反転層（３）
は全てエッチングされ、石英基板（１）上のみに位相反
転層パタ−ン（３′）が形成されることを示す。
後面で前記感光膜（４）を露光し、現像工程で露光され
ない感光膜（４）を除去して感光膜パタ−ン（４′）を
形成し、該感光膜パタ−ン（４′）をマスクに用いて露
出した位相反転層（３）をエッチングし、位相反転層パ
タ−ン（３′）を形成したことを示す断面図であり、前
記クロムパタ−ン（２）の上部にある位相反転層（３）
は全てエッチングされ、石英基板（１）上のみに位相反
転層パタ−ン（３′）が形成されることを示す。
【００１２】図４は、図３の工程後にクロムをエッチン
グするエッチング溶液に前記クロムパタ−ン（２）を浸
漬することにより、クムロパタ−ンの上部面が一定厚さ
にエッチングされると共に、クロムパタ−ン（２）の両
端部でエッチングが速やかに起り幅が狭くなつたクロム
パタ−ン（２′）が形成されることを示す断面図であ
る。そのため、位相反転層パタ−ン（３′）の両端部に
位置する石英基板が露出する。参考に、前記クロムパタ
−ン（２）を湿式エッチングする際、エッチング時間を
適宜に調節することによりクロムパタ−ン（２）がエッ
チングされ、石英基板（１）が露出する幅を調節するこ
とができる。参考に、前記クロムパタ−ンの厚さは湿式
エッチングの工程後にも一定の厚さが残ることができる
厚さに形成しなければならない。
グするエッチング溶液に前記クロムパタ−ン（２）を浸
漬することにより、クムロパタ−ンの上部面が一定厚さ
にエッチングされると共に、クロムパタ−ン（２）の両
端部でエッチングが速やかに起り幅が狭くなつたクロム
パタ−ン（２′）が形成されることを示す断面図であ
る。そのため、位相反転層パタ−ン（３′）の両端部に
位置する石英基板が露出する。参考に、前記クロムパタ
−ン（２）を湿式エッチングする際、エッチング時間を
適宜に調節することによりクロムパタ−ン（２）がエッ
チングされ、石英基板（１）が露出する幅を調節するこ
とができる。参考に、前記クロムパタ−ンの厚さは湿式
エッチングの工程後にも一定の厚さが残ることができる
厚さに形成しなければならない。
【００１３】図５は、図４の工程後に、前記感光膜パタ
−ン（４′）を除去することにより、 石英基板（１）上
部にクロムパタ−ン（２′）と位相反転層パタ−ン
（３′）を形成する場合、一定間隔を離隔させて形成し
た状態を示す断面図である。
−ン（４′）を除去することにより、 石英基板（１）上
部にクロムパタ−ン（２′）と位相反転層パタ−ン
（３′）を形成する場合、一定間隔を離隔させて形成し
た状態を示す断面図である。
【００１４】図６乃至図９は、本発明の第２実施例によ
る位相反転マスクの製造工程を示す断面図である。図６
は、図１と同様に石英基板（１）の上部にクロムパタ−
ン（２）を公知の技術で形成したことを示す断面図であ
る。
る位相反転マスクの製造工程を示す断面図である。図６
は、図１と同様に石英基板（１）の上部にクロムパタ−
ン（２）を公知の技術で形成したことを示す断面図であ
る。
【００１５】図７は、前記クロムパタ−ン（２）と石英
基板（１）の上部に位相反転層（３）を塗布し、その上
部にネガティブ型感光膜（４）を塗布した後、石英基板
（１）の後面で前記感光膜（４）を短時間の間露光して
露光地域にある感光膜（４）の一定部分（７）だけを露
光したことを示す断面図である。
基板（１）の上部に位相反転層（３）を塗布し、その上
部にネガティブ型感光膜（４）を塗布した後、石英基板
（１）の後面で前記感光膜（４）を短時間の間露光して
露光地域にある感光膜（４）の一定部分（７）だけを露
光したことを示す断面図である。
【００１６】図８は、現像工程で露光されていない感光
膜（４）を除去して感光膜パタ−ン（４″）を形成し、
該感光膜（４″）をマスクに用いて露出した位相反転層
（３）をエッチングして位相反転層パタ−ン（３″）を
形成したことを示す断面図であり、前記感光膜パタ−ン
（４″）がクムロパタ−ン（２）とクロムパタ−ン
（２）の間の間隔より小さく形成され、クロムパタ−ン
（２）の側壁に一定幅で石英基板（１）が露出すること
を示す断面図である。
膜（４）を除去して感光膜パタ−ン（４″）を形成し、
該感光膜（４″）をマスクに用いて露出した位相反転層
（３）をエッチングして位相反転層パタ−ン（３″）を
形成したことを示す断面図であり、前記感光膜パタ−ン
（４″）がクムロパタ−ン（２）とクロムパタ−ン
（２）の間の間隔より小さく形成され、クロムパタ−ン
（２）の側壁に一定幅で石英基板（１）が露出すること
を示す断面図である。
【００１７】図９は、前記感光膜パタ−ン（４″）を除
去することにより、石英基板（１）上部にクロムパタ−
ン（２）と位相反転層パタ−ン（３″）を一定間隔を離
隔させて形成したことを示す断面図である。
去することにより、石英基板（１）上部にクロムパタ−
ン（２）と位相反転層パタ−ン（３″）を一定間隔を離
隔させて形成したことを示す断面図である。
【００１８】
【発明の効果】前記の本発明によれば、既存のクロムマ
スクを用いるので特別な装置が必要でなく別途の設計が
不必要のため費用節減を図ることができるとともに、既
存のクロムマスクより工程効果が優れた位相反転マクス
を製作することができ、半導体素子の収率を向上させる
ことができる。
スクを用いるので特別な装置が必要でなく別途の設計が
不必要のため費用節減を図ることができるとともに、既
存のクロムマスクより工程効果が優れた位相反転マクス
を製作することができ、半導体素子の収率を向上させる
ことができる。
【図１】図１は、本発明の実施例による位相反転マスク
の製造工程を示した断面図である。
の製造工程を示した断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施例による位相反転マスク
の製造工程を示した断面図である。
の製造工程を示した断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施例による位相反転マスク
の製造工程を示した断面図である。
の製造工程を示した断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施例による位相反転マスク
の製造工程を示した断面図である。
の製造工程を示した断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施例による位相反転マスク
の製造工程を示した断面図である。
の製造工程を示した断面図である。
【図６】図６は、本発明の別途の実施例による位相反転
マスクの製造工程を示した断面図である。
マスクの製造工程を示した断面図である。
【図７】図７は、本発明の別途の実施例による位相反転
マスクの製造工程を示した断面図である。
マスクの製造工程を示した断面図である。
【図８】図８は、本発明の別途の実施例による位相反転
マスクの製造工程を示した断面図である。
マスクの製造工程を示した断面図である。
【図９】図９は、本発明の別途の実施例による位相反転
マスクの製造工程を示した断面図である。
マスクの製造工程を示した断面図である。
１ 石英基板 ２、２′ クロムパタ−ン ３ 位相反転層 ３′，３″ 位相反転層パタ−ン ４ 感光膜 ４′、 ４″ 感光膜パタ−ン
Claims (3)
- 【請求項１】 石英基板上部にクロムパタ−ンを形成す
る工程と、 全体構造上部に位相反転層とネガティブ型感光膜を塗布
する工程と、 前記石英基板の後面で感光膜を露光させて現象し、感光
膜パタ−ンを形成する工程と、 前記感光膜パタ−ンをマスクとして位相反転層をエッチ
ングすることにより、位相反転層パタ−ンを形成する工
程と、 湿式エッチング工程でクロムパタ−ンの上部および両端
部の一定部分をエッチングし、前記位相反転層パタ−ン
より一定の幅だけ離隔するクロムパタ−ンを形成する工
程と、 前記感光膜パタ−ンを除去する工程とより成り、クロム
パタ−ンと位相反転層パタ−ンの間の石英基板が一定の
幅露出するようにしたことを特徴とする位相反転マスク
の製造方法。 - 【請求項２】 前記クロムパタ−ンは、前記湿式エッチ
ング工程の後でも一定の幅が残って光を遮断するような
厚さに形成することを特徴とする請求項１記載の位相反
転マスクの製造方法。 - 【請求項３】 石英基板の上部にクロムパタ−ンを形成
する工程と、全体構造の上部に位相反転層とネガティブ
型感光膜を塗布する工程と、 前記石英基板の後面で感光膜を短時間の間露光する工程
と、現像工程で露光した感光膜を除去してクロムパタ−
ンの間より幅の狭い感光膜パタ−ンを形成する工程と、 前記感光膜パタ−ンをマスクにして位相反転層をエッチ
ングして、前記クロムパタ−ンと一定の幅だけ離隔する
位相反転層パタ−ンを形成する工程と、 前記感光膜パタ−ンを除去する工程とより成り、それに
よりクロムパタ−ンと位相反転パタ−ンの間に石英基板
が露出するようにしたことを特徴とする位相反転マスク
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031845A KR0128827B1 (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 위상반전마스크 제조방법 |
| KR93-31845 | 1993-12-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07209853A true JPH07209853A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2723476B2 JP2723476B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=19374779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32798394A Expired - Fee Related JP2723476B2 (ja) | 1993-12-31 | 1994-12-28 | 位相反転マスクの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5556725A (ja) |
| JP (1) | JP2723476B2 (ja) |
| KR (1) | KR0128827B1 (ja) |
| CN (1) | CN1042873C (ja) |
| DE (1) | DE4447264B4 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7241539B2 (en) | 2002-10-07 | 2007-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomasks including shadowing elements therein and related methods and systems |
| CN1303468C (zh) * | 2003-06-30 | 2007-03-07 | 友达光电股份有限公司 | 光间隔壁的制造方法 |
| CN100362628C (zh) * | 2003-09-28 | 2008-01-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 外缘型态相移光罩的自对准方法 |
| CN1293419C (zh) * | 2004-07-07 | 2007-01-03 | 友达光电股份有限公司 | 具有间隙壁支撑结构的平面显示器 |
| KR100922800B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2009-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 하프톤 마스크와 그 제조방법 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
| US7829471B2 (en) * | 2005-07-29 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask |
| CN102566313A (zh) * | 2012-01-16 | 2012-07-11 | 华中科技大学 | 一种光刻胶背面曝光工艺 |
| CN105867065A (zh) * | 2016-06-22 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法、接触孔的制备方法 |
| CN108345171B (zh) * | 2018-02-11 | 2020-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板 |
| CN113380607A (zh) * | 2021-05-11 | 2021-09-10 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶圆曝光方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130263A (en) * | 1990-04-17 | 1992-07-14 | General Electric Company | Method for photolithographically forming a selfaligned mask using back-side exposure and a non-specular reflecting layer |
| JPH0450943A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | マスクパターンとその製造方法 |
| KR950000091B1 (ko) * | 1990-06-20 | 1995-01-09 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 위상 천이기가 있는 레티클과 그 제조방법 및 수정방법 |
| US5254418A (en) * | 1990-10-22 | 1993-10-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photomask |
| JPH04276752A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-01 | Fujitsu Ltd | 光学マスクの製造方法及びその欠陥修正方法 |
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| JP3204798B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2001-09-04 | 株式会社東芝 | 露光用マスク |
| US5380609A (en) * | 1992-07-30 | 1995-01-10 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for fabricating photomasks having a phase shift layer comprising the use of a positive to negative resist, substrate imaging and heating |
-
1993
- 1993-12-31 KR KR1019930031845A patent/KR0128827B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-12-28 JP JP32798394A patent/JP2723476B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-29 US US08/365,909 patent/US5556725A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-30 CN CN94113347A patent/CN1042873C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-30 DE DE4447264A patent/DE4447264B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0473758A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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