JPH07207466A - パラジウム用化学エッチャント - Google Patents

パラジウム用化学エッチャント

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JPH07207466A
JPH07207466A JP6317409A JP31740994A JPH07207466A JP H07207466 A JPH07207466 A JP H07207466A JP 6317409 A JP6317409 A JP 6317409A JP 31740994 A JP31740994 A JP 31740994A JP H07207466 A JPH07207466 A JP H07207466A
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acid
nitrobenzoic acid
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thallium
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JP6317409A
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Joseph A Abys
アンソニー アバイズ ジョセフ
Joseph J Maisano
ジョン マイサノ ジョセフ
Heinrich K Straschil
カール ストラチル ヘインリッヒ
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Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
AT&T Corp
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    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、パラジウムの化学エッチャントに
関する。 【構成】 銅を含む基板から、パラジウムを除去するた
めの、シアン化物を基礎とした水溶液、溶液はシアン化
物ラジカル源化合物、Ｎａ2 ＣＯ3 、ニトロベンゼン
酸、ＮａＯＨ、タリウム化合物、有機メルカプト化合物
及び水を含む。タリウムを含むシアン化物槽中に、有機
メルカプト化合物が存在することにより、基板への侵食
損傷は最小で、銅を含む基板からパラジウムを効率よく
除去することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパラジウムを含む薄膜が
化学エッチングプロセスにより、パターン形成又は除去
されるデバイスの作製プロセスに係る。
【０００２】
【従来の技術】多くの電子デバイスの作製において、パ
ラジウム（及びその合金）はしばしば金に代わるものと
して、たとえば銅又はニッケルの最上部にメッキされた
層として用いられ、硬金のようなフラッシュ金とともに
供給してもよい。それはその上に、金、銅、ニッケル及
び各種の他の金属をメッキするため、又は、たとえばニ
ッケルが金中に拡散するように、ある金属が他の金属中
に拡散するのを防止するための表面として用いられる。
貴金属の価格のため、不完全に形成された堆積物を除去
したり、捨てられる部分や使い古した部分から金属を回
収するために、それらを下の金属から完全に、かつ最小
の汚染と腐食で取り去る手段を提供することが、きわめ
て重要になってきた。
【０００３】基板から貴金属を除去するのに効果的な多
くの手段が、従来技術に見い出される。不幸にも、従来
技術のプロセスは、金を除去するのには効果的である
が、パラジウムに対しては全く効果的でない。
【０００４】この一般的な傾向の例外として、アウグス
ツス・フレッチャー（Augustus Fletcher）らは、米国
特許第４，５４８，７９１号において、タリウムを含む
組成がパラジウムを除去するのに効果的であることを明
らかにしている。溶液はニトロ安息香酸誘導体、可溶性
シアン化物及び鉛化合物を含むある種の任意に加える成
分に加え、タリウム化合物を含む。しかし、この溶液は
効果的に金及び白金を除去するが、それは銅及び銅を含
む基板を著しく侵食し、パラジウムが銅又は銅を含有す
る基板を含む合成物の薄膜又は層の１つを形成するよう
な場合には、この溶液は使用が不適切である。後者の例
は、銅を基礎としたリードフレーム又は銅を基礎とした
接続等の上のパラジウム薄膜であろう。
【０００５】このように、銅のような下の金属に過度の
損傷を与えることなく、金フラッシュ被覆されたパラジ
ウム層のような、パラジウム及び他の貴金属を含む堆積
物をはがすことのできる必要性が残っている。
【０００６】
【本発明の要約】銅を含む基板から、パラジウムをはが
すためのシアン化物を基礎とした水溶液である。溶液は
シアン化物ラジカル源化合物、Ｎａ2 ＣＯ3 、ニトロ安
息香酸、ＮａＯＨ、タリウム化合物、有機メルカプト化
合物及び水を含む。タリウムを含むシアン化物槽中に、
有機メルカプト化合物が存在することにより、基板への
侵食損傷が最小で、銅を含む基板から効率よくパラジウ
ムをはがすことが可能となる。
【０００７】
【詳細な記述】本発明を実施するエッチング溶液は、オ
キシダント、抑制剤及び塩混合物を含む３つの成分であ
る。３つの部分は別々に準備され、使用の直前に混合さ
れる。
【０００８】オキシダントはリットル当り１５−４０グ
ラムの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、６０−１２０ｇ
／ｌの３−ニトロ安息香酸（Ｏ2 Ｎ・Ｃ6 Ｈ4 ・ＣＯ2
Ｈ）、０．３−０．６ｇ／ｌの硝酸タリウム（ＴｌＮＯ
3 ）及び濃縮物Ｉを１リットル生成するのに十分な水を
組合わせ、濃縮物Ｉとして調製する。
【０００９】抑制剤はメチルエチルケトン（ＭＥＫ）及
びイソプロパノール（ＩＰＡ）を７：３の比で、１リッ
トルの濃縮物ＩＩを生成するのに十分な量に混合した物
の中に、１０−４０ｇの２−メルカプトベンゾチアゾー
ルを溶解させることにより、濃縮物ＩＩとして調製す
る。
【００１０】塩混合物は、シアン化カリウム（ＫＣ
Ｎ）、炭酸ナトリウム（Ｎａ2 ＣＯ3 ）及び水を、５０
−２００ｇ／ｌのＫＣＮ及び２５−１００ｇ／ｌのＮａ
2 ＣＯ3を含む塩混合物１リットルが生成するよう混合
することにより調製する。ＫＣＮの代わりに、４０−１
６０ｇ／ｌのシアン化ナトリウム（ＮａＣＮ）を、塩混
合物中で用いてもよい。
【００１１】除去溶液は、少量の濃縮物Ｉ及び濃縮物Ｉ
Ｉを順に、塩混合溶液中に加え、それぞれを加えた後完
全に混合し、次に以下のような溶液１リットルを生成す
るのに十分な量の脱イオン（Ｄ．Ｉ．）水を加えること
により準備される。溶液は以下のものを含む。 ５０−２００ｇ／ｌＫＣＮ又は４０−１６０ｇ／ｌＮａ
ＣＮ ２５−１００ｇ／ｌＮａ2 ＣＯ3 １００−４００ｍｌ／ｌ濃縮物Ｉ及び ４−２０ｍｌ／ｌ濃縮物ＩＩ
【００１２】そのように生成した除去剤は、以下の成分
を含むであろう。 ５０−２００ｇ／ｌＫＣＮ又は４０−１６０ｇ／ｌＮａ
ＣＮ ２５−１００ｇ／ｌＮａ2 ＣＯ3 １０−５０ｇ／ｌ ３−ニトロ安息香酸 ４−１０ｇ／ｌＮａＯＨ ０．０７５−０．１５ｇ／ｌＴｌＮＯ3 ０．１−０．５ｇ／ｌ ２−メルカプトベンゾチアゾー
ル 除去剤のｐＨは１０−１４の範囲でよく、１０．５ない
し１２．５が好ましい。
【００１３】３つの成分から成る除去剤を作成する際、
用いられる好ましい化合物の代わり又はそれと組合わせ
て、他の化合物を用いてもよい。たとえば、３−ニトロ
安息香酸の代わり又はそれに加えて、２−ニトロ安息香
酸、４−ニトロ安息香酸、クロロニトロ安息香酸異性
体、クロロニトロベンゼンスルホン酸異性体及びそれら
の酸の混合物から選択されたそれらの誘導体を、そのま
ま又はそれらのアルカリ塩の形で用いてもよい。タリウ
ム塩は硝酸、硫酸、リン酸、酢酸の一価（Ｔｌ+）又は
三価（Ｔｌ3+）の塩及び他の可溶性タリウム塩から成る
類から選択してよい。抑制剤は２−メルカプトベンゾチ
アゾールの代わり又はそれに加えて、２−メルカプトベ
ンゾオキサゾール、２−ベンズイミダゾールチオール、
２−メルカプト−５−メチルベンズイミダゾール及びそ
れらの誘導体を用いて作製してもよい。これらの抑制剤
については、１９８４年１１月２０日に承認された米国
特許第４，４８３，７３９号中で、イー・エイチ・トウ
（E. H. Too）により、金除去溶液中の侵食抑制剤とし
て述べられている。しかし、２−メルカプトベンゾチア
ゾールのみが、タリウムを含む溶液中で相乗作用的効果
を示した。
【００１４】除去溶液の例は、以下の例１−４で述べる
ように作成した。
【００１５】
【実施例１】１リットルの濃縮物Ｉを作成するために、
８５０ｍｌの脱イオン水中に、３０ｇの固体水酸化ナト
リウム（ＮａＯＨ）を溶解させ、ＮａＯＨ溶液に１２０
ｇの固体３−ニトロ安息香酸（Ｏ2 Ｎ・Ｃ6 Ｈ4 ・ＣＯ
2 Ｈ）を分割して溶解させ、１リットル当り３２．６ｇ
の硝酸タリウム（ＴｌＮＯ3 ）を溶解させることにより
２５ｇ／ｌのＴｌを含む水溶液を作成し、この溶液１６
ｍｌをＮａＯＨ及びニトロ安息香酸溶液に加え、１リッ
トルの溶液が出来るよう十分な脱イオン水を加え完全に
混合する。
【００１６】
【実施例２】１リットルの濃縮物ＩＩを作成するため
に、体積で７単位のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）と体
積で３単位のイソプロパノール（ＩＰＡ）を組合わせる
ことにより、混合溶液を作成し、３０ｇの２−メルカプ
トベンゾチアゾールを９５０ｍｌの混合溶液中に溶解さ
せ、溶液を濾過した後、１リットルの濃縮物ＩＩを作る
ために、混合溶液で濾過水を満たした。
【００１７】
【実施例３】１リットルの塩混合物溶液を作るため、１
リットルの脱イオン水中に、１６７ｇのＫＣＮ及び８３
ｇのＮａ2 ＣＯ3 を溶解させる。
【００１８】
【実施例４】除去溶液の例１リットルを作成するため、
実施例３の塩混合溶液６００ｍｌに小分割して、実施例
１の濃縮物Ｉ２５０ｍｌを添加し、実施例２の濃縮物Ｉ
Ｉ１０ｍｌを加え、完全に混合し、１リットルの除去溶
液を作るため十分な量の脱イオン水で満たす。得られる
除去溶液の例は、以下の組成をもつであろう。 １００ｇ／ｌ シアン化ナトリウム（ＫＣＮ） ５０ｇ／ｌ 炭酸ナトリウム（Ｎａ2 ＣＯ3 ） ３０ｇ／ｌ ３−ニトロ安息香酸（Ｏ2 Ｎ・Ｃ6 Ｈ4 ・
ＣＯ2 Ｈ） ７．５ｇ／ｌ 水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ） ０．１ｇ／ｌ 硝酸タリウム（０．１３ｇ／ｌＴｌＮＯ
3 ）としてタリウム ０．３ｇ／ｌ ２−メルカプトベンゾチアゾール（Ｃ7
Ｈ5 ＮＳ2 ）
【００１９】塩混合物溶液及び濃縮物Ｉ及びＩＩは組合
わせるのが好ましく、使用直前に、４０ないし４５℃の
範囲の温度に加熱することが好ましい。除去はこの温度
において、適度あるいは著しく攪拌して行う。
【００２０】実験は両側をＰｄメッキしたＣｕ箔と、メ
ッキしていないＣｕ箔を、各実験において、同じ溶液を
含む別々の容器中に浸すことによって行った。溶液は４
０ないし４５℃の範囲の温度に保たれ、適度ないし著し
く攪拌した。実験は、シアン化物エッチング溶液中に、
タリウムと２−メルカプトベンゾチアゾールの両方が存
在すること（実施例５、８、１１及び１３）により、タ
リウムも２−メルカプトベンゾチアゾールのいずれも含
まない（実施例６及び９）か、タリウムのみ（実施例１
０）又は２−メルカプトベンゾチアゾールのみ（実施例
７及び１２）を含むエッチング溶液で行った実験に比
べ、Ｐｄのエッチング速度は増し、Ｃｕのエッチング速
度は減少することを示している。
【００２１】実験はタリウム（実施例１０）をシアン化
物エッチング溶液（実施例６及び９）に加えることによ
り、Ｃｕのエッチングを高く保ったまま、Ｐｄの除去速
度が増すことを示しているが、シアン化物エッチング溶
液に２−メルカプトベンゾチアゾールを加える（実施例
７及び１２）ことによって、Ｐｄのエッチング速度は減
少し、同じ溶液中でのＣｕのエッチング速度にはほとん
ど影響を及ぼさない。予期できない相乗作用効果が起こ
る、すなわちＣｕの除去が急激に減少する一方、Ｐｄの
除去が増すのは、シアン化物エッチング溶液中に、タリ
ウム及び２−メルカプトベンゾチアゾールの両方を含む
ときのみである。銅の侵食は両方の添加物が存在すると
きにのみ抑制される。すなわち、２−メルカプトベンゾ
チアゾールは溶液中にタリウムが存在するときのみ効果
的である。これは、Ｔｌ+ イオンが２−メルカプトベン
ゾチアゾールとともに析出物を形成するという事実にも
かかわらず起こり、それによって水溶液中の両方の物質
の濃度は減少する。
【００２２】以下はＣｕ基板からのＰｄの除去及びＣｕ
侵食に対するタリウムイオン及び２−メルカプトベンゾ
チアゾールの効果を示す実験である。
【００２３】
【実施例５】実施例４のＰｄ除去溶液、すなわちＴｌ及
び２−メルカプトベンゾチアゾールの両方を含む溶液
を、Ｃｕ基板からＰｄを除去するのに用いた。Ｃｕ箔は
両側にＰｄで電解メッキし、４２℃においてこの溶液に
浸し、１分間適度に攪拌した。この間に、毎分１．０ミ
クロン（μｍ／ｍｉｎ）のＰｄ厚が表面から除去され
た。メッキされていないＣｕ箔を同じ条件下で、この溶
液中に浸したところ、０．３２μｍ／分で失われた。
【００２４】
【実施例６】実施例４と同様のＰｄ除去溶液であるが、
Ｔｌも２−メルカプトベンゾチアゾールも含まないもの
を用いて、実施例５のエッチング速度と、この溶液のそ
れを比較した。同じ条件下で溶液に浸したところ、Ｐｄ
メッキＣｕ箔からは０．３７μｍ／分の速度でＰｄが除
去され、メッキされていないＣｕ箔からは、４．３μｍ
／分の速度でＣｕが除去された。
【００２５】
【実施例７】実施例６の除去溶液に、１ｇ／ｌの２−メ
ルカプトベンゾチアゾールを加えた後、Ｐｄ除去速度は
０．０８μｍ／分に減少したが、Ｃｕ除去速度は４．４
μｍ／分であった。
【００２６】
【実施例８】すでに１ｇ／ｌの２−メルカプトベンゾチ
アゾールを含む実施例７の除去溶液に、３００ｐｐｍの
タリウムを加えた後に、Ｐｄの除去速度は１．０μｍ／
分に増加したが、同じ条件下で浸した銅箔は、厚さが
０．３２μｍ／分失われただけであった。好ましい０．
１−０．５ｇ／ｌの範囲に比べ、２−メルカプトベンゾ
チアゾールの濃度が高いため、添加したタリウムの多く
が析出し、タリウムを添加することの潜在的な効果は十
分には実現されなかった。
【００２７】
【実施例９】タリウム又は２−メルカプトベンゾチアゾ
ールを用いずに、１００ｇ／ｌのシアン化カリウム（Ｋ
ＣＮ）、５０ｇ／ｌの炭酸ナトリウム、（Ｎａ2 ＣＯ
3 ）、７．５ｇ／ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）及
び３０ｇ／ｌの４−ニトロ安息香酸（Ｏ2 Ｎ・Ｃ6 Ｈ4
・ＣＯ2 Ｈ）を含むＰｄ除去溶液を作成した。両側をパ
ラジウムで電解メッキした銅箔と、メッキをしていない
Ｃｕ箔を、４２℃において別の容器中のこの溶液に浸し
１分間適度に攪拌した。この間、０．３０μｍ（平均）
のパラジウム厚が表面から溶解した。同じ条件下で浸し
た銅箔は、５．１μｍ（平均）厚の銅金属を失った。
【００２８】
【実施例１０】実施例９の溶液に、１００ｐｐｍのタリ
ウムを（ＴｌＮＯ3 として）添加した。パラジウムをメ
ッキした銅箔を、実施例９と同じ条件下で浸した。今度
は、０．９７μｍ（平均）のパラジウムが除去された。
同じ条件下で浸されたメッキされていない銅箔からは、
５．３μｍ（平均）の厚さが失われた。タリウムの添加
により、パラジウムへの侵食は加速され、一方銅に対す
る侵食速度は高く保たれることがわかる。
【００２９】
【実施例１１】すでに１００ｐｐｍのタリウムを含む実
施例１０の溶液に、３００ｐｐｍの２−メルカプトベン
ゾチアゾールを添加した。少量の析出物が形成された
が、それは除去されなかった。実施例９と同じ条件下で
浸されたパラジウムメッキ銅箔は、０．８８μｍ／分
（平均）のＰｄ厚を失ったが、実施例９及び１０と異な
り、メッキされない銅箔は同じ条件下で０．１８μｍ／
分（平均）失っただけであった。
【００３０】
【実施例１２】実施例９に従い、新しい溶液に３００ｐ
ｐｍの２−メルカプトベンゾチアゾールを添加した。実
施例９と同じ条件下で浸したパラジウムメッキ銅箔上の
パラジウムに対する侵食速度は、０．１８μｍ／分（平
均）に減少し、銅に対する侵食速度は高く保たれ、４．
８μｍ／分（平均）に減少しただけであった。このこと
は、タリウムが存在せず２−メルカプトベンゾチアゾー
ルを従来の除去溶液に添加することは、銅侵食の速度を
著しく損なうことではないことを示している。
【００３１】
【実施例１３】実施例１２の溶液に、１００ｐｐｍのタ
リウムを添加した。少量の析出物が形成されたが除去し
なかった。実施例９と同じ条件下で、０．７７μｍ／分
（平均）のパラジウムがパラジウムメッキ銅箔から除去
されたが、メッキされていない銅箔からは０．０４７μ
ｍ／分（平均）のみが失われた。この結果及び実施例
５、８及び１１の結果は、この型の除去溶液におけるタ
リウムと２−メルカプトベンゾチアゾールの提案した組
合わせの、銅侵食に対する相乗作用的抑制効果を証明し
ている。
【００３２】タリウムを含む除去溶液に、２−メルカプ
トベンゾチアゾールを添加する量を増す効果を、別の実
験が示している。
【００３３】
【実施例１４】１００ｇ／ｌのシアン化カリウム（ＫＣ
Ｎ）、５０ｇ／ｌの炭酸ナトリウム（Ｎａ2 ＣＯ3 ）、
７．５ｇ／ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、３０ｇ
／ｌの３−ニトロ安息香酸（Ｏ2 Ｎ・Ｃ6 Ｈ4 ・ＣＯ2
Ｈ）及び１００ｐｐｍのタリウムを含む除去溶液に、量
を増して、２−メルカプトベンゾチアゾール（２−ＭＢ
Ｔ）を加えた。以下の除去速度は、４５℃における除去
溶液中に浸し、適度に攪拌したとき、Ｐｄ−メッキＣｕ
箔及びメッキされていないＣｕ箔上で観測された。
【００３４】
【表１】 2−MBT 含有量、g／l Pd 除去速度、μm／分 Cu 除去速度、μm／分 ０．０ １．５１ ２．６７ ０．１ ０．８２ ０．２１ ０．２５ ０．５８ ０．０２４ ０．５ ０．４８ ０．０１２ １．０ ０．３４ ０．００６
【００３５】これらのデータは、銅侵食は２−メルカプ
トベンゾチアゾールの追加量を増すことにより、パラジ
ウムの侵食により、はるかに抑制されることを示してい
る。図１に示されているプロットは、上のデータをＰｄ
除去速度を表わす曲線１（□）及びＣｕ除去速度を表わ
す曲線２（◇）で示している。ともに単位はμｍ／分で
ある。曲線３（●）は導かれたＣｕ除去速度に対するｐ
ｄ除去速度の比（Ｐｄ速度／Ｃｕ速度）を表わす。
【００３６】Ｔｌを含む除去溶液中の２−メルカプトベ
ンゾチアゾールで、高レベルの銅不活性化が得られたこ
とは驚きである。ニッケル除去において、銅の保護のた
めに商業的に用いられている典型的な他の添加物は、こ
のパラジウム溶液においては、実際には効果のないこと
がわかった。たとえば、ベンゾトリアゾールは銅の侵食
速度を半分だけ遅くした（抑制剤がない場合の３．８μ
ｍ／分に対し、１．８μｍ／分）が、チオ尿素は銅の侵
食を全く抑制せず、ニッケルへの侵食は１０倍加速し
た。それに対し、２−メルカプトベンゾチアゾールは、
銅への侵食速度を５０−２５０分の１に減少させた。
【００３７】つけ加わる利点及び修正点は、当業者には
容易にわかるであろう。このように、本発明は広義には
上で示し述べた具体的な詳細、デバイスの例及び実施例
には限定されない。従って、添付された特許請求の範囲
及びそれらの等価なものにより規定される一般的な本発
明の概念の精神及び視野を離れることなく、各種の修正
ができうる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｐｄ及びＣｕのエッチング速度に対する２−メ
ルカプトベンゾチアゾールのリットル当りのグラム（ｇ
／ｌ）の量を変化させた場合の効果を表わすプロット及
びＰｄ／Ｃｕエッチング速度比をプロットした図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョセフ ジョン マイサノ アメリカ合衆国 07866 ニュージャーシ ィ，ロックウェイ，ウッドストーン ロー ド 88 (72)発明者 ヘインリッヒ カール ストラチル アメリカ合衆国 07901 ニュージャーシ ィ，サミット，アパートメント テー− ５，ニューイングランド アヴェニュー 105

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パラジウム除去溶液を作り、前記溶液中
    に除去すべきＰｄの部分を浸すことよりなる銅含有基板
    から、パラジウム及びその合金を除去する方法であって
    前記除去溶液は、 水中に水酸化物、ニトロ安息香酸及びタリウム化合物を
    含むオキシダント溶液を作り、 溶媒中に有機メルカプト化合物を含むＣｕ侵食抑制溶液
    を作り、 水中にシアン化物ラジカル源化合物及びＮａ2 ＣＯ3 を
    含む塩溶液を作り、 オキシダント溶液の量を多く、次に混合しながら塩溶液
    に抑制剤を加えることによって、３つの溶液を混合する
    ことにより調製される、 銅含有基板から、パラジウム及びその合金を除去する方
    法。
  2. 【請求項２】 該調製された除去溶液は、 ５０−２００ｇ／ｌのＫＣＮ又は４０−１００ｇ／ｌの
    ＮａＣＮ、 ２５−１００ｇ／ｌのＮａ2 ＣＯ3 、 １０−５０ｇ／ｌの２−、３−又は４−ニトロ安息香
    酸、 ４−１０ｇ／ｌのＮａＯＨ、 ０．０７５−０．１５ｇ／ｌのＴｌＮＯ3 、 ０．１−０．５ｇ／ｌの２−メルカプトベンゾチアゾー
    ルを含む請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 ａ） 前記酸化溶液は、 ８５０ｍｌの脱イオン水中に、３０ｇの固体水酸化ナト
    リウムを溶解させ、 水酸化ナトリウム溶液へ分割して２−、３−及び４−ニ
    トロ安息香酸から選択された１２０ｇの固体ニトロ安息
    香酸を加えながら溶解させ、 ＮａＯＨ及びニトロ安息香酸溶液に、１リットル当り３
    ２．６ｇの硝酸タリウム（ＴｌＮＯ3 ）を溶解させ、１
    ６ｍｌのこの溶液を加えることにより、２５ｇ／ｌのＴ
    ｌを含む水溶液を作り、 １リットルのオキシダント溶液を作るのに十分な脱イオ
    ン水を加え； ｂ） 前記抑制剤は、 体積にして７単位のメチルエチルケトン及び３単位のイ
    ソプロパノールを組合わせ、 ９５０ｍｌの混合された溶媒中に、３０ｇの２−メルカ
    プトベンゾチアゾールを溶解させ、 この溶液を濾過した後、濾過液を１リットルの抑制剤溶
    液を作るための混合溶媒で満たし、 ｃ） 前記塩溶液は１リットルの水に、１６７ｇのＫＣ
    Ｎと８３ｇのＮａ2 ＣＯ3 を溶解させることにより作
    り、 ｄ） ６００ｍｌの塩溶液に、量を増して２５０ｍｌの
    オキシダント溶液を加え、 １０ｍｌの抑制剤溶液を加え、 組合わせたものを完全に混合し、 １リットルの除去溶液を作るのに十分な脱イオン水で満
    たすことにより、１リットルの除去溶液を作る請求項１
    記載の方法。
  4. 【請求項４】 該調製された除去溶液は、 １００ｇ／ｌのシアン化カリウム（ＫＣＮ）、 ５０ｇ／ｌの炭酸ナトリウム（Ｎ2 ＣＯ3 ）、 ３０ｇ／ｌの２、３、又は４−ニトロ安息香酸（Ｏ2 Ｎ
    ・Ｃ6 Ｈ4 ・ＣＯ2 Ｈ）、 ７．５ｇ／ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、 ０．１ｇ／ｌの硝酸タリウム（０．１３ｇ／ｌＴｌＮＯ
    3 ）としてのタリウム、 ０．３ｇ／ｌの２−メルカプトベンゾチアゾール（Ｃ7
    Ｈ5 ＮＳ2 ）、 及び１リットルの溶液を作るのに十分な量の脱イオン水
    を含む請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】 作成された除去溶液は４０ないし４５℃
    の温度に加熱され、前記除去は適度な攪拌の下で行われ
    る請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記オキシダント溶液、前記抑制剤及び
    前記塩混合溶液は、除去溶液の使用前にのみ混合される
    請求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記オキシダント剤は前記塩混合溶液
    に、量を増して添加され、続いて抑制剤溶液及び脱イオ
    ン水を加え、成分を混合する請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記有機メルカプト化合物は、２−メル
    カプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサ
    ゾール、２−ベンズイミダゾールチオール、２−メルカ
    プト−５メチルベンズイミダゾール及びそれらの誘導体
    及びそれらの混合物から成る類から選択される請求項１
    記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記有機メルカプト化合物は２−メルカ
    プトベンゾチアゾールを含む請求項１記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記シアン化物ラジカル化合物は、Ｋ
    ＣＮ及びＮａＣＮの少なくとも１つを含む請求項１記載
    の方法。
  11. 【請求項１１】 前記ニトロ安息香酸誘導体は、２−ニ
    トロ安息香酸、３−ニトロ安息香酸、４−ニトロ安息香
    酸、２−ニトロベンゼンスルホン酸、３−ニトロベンゼ
    ンスルホン酸、４−ニトロベンゼンスルホン酸、クロロ
    ニトロ安息香酸異性体、クロロニトロベンゼンスルホン
    酸異性体、及びこれらの酸の混合物、それらの誘導体か
    ら成る類から選択される請求項１記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記ニトロ安息香酸誘導体は、２−ニ
    トロ安息香酸、３−ニトロ安息香酸及び４−ニトロ安息
    香酸の少なくとも１つを含む請求項１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記タリウム化合物は硝酸、硫酸、リ
    ン酸及び酢酸の一価（Ｔｌ+ ）及び三価（Ｔｌ3+）の塩
    及び他の可溶性タリウム塩から成る類から選択される請
    求項１記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記タリウム化合物は硝酸塩を含む請
    求項１１記載の方法。
  15. 【請求項１５】 水酸化物、水中のニトロ安息香酸タリ
    ウム化合物を含むオキシダント剤溶液を作成し、 溶媒中に有機メルカプト化合物を含むＣｕ−侵食抑制剤
    溶液を作成し、 水中にシアン化物ラジカル源化合物及びＮａ2 ＣＯ3 を
    含む塩溶液を作成し、かつ小分割してオキシダント溶液
    を加え、次に混合しながら塩溶液に抑制剤溶液を加える
    ことにより、３つの溶液を混合することを含む銅含有基
    板からパラジウムを除去するための水溶性除去溶液の作
    成方法。
  16. 【請求項１６】 該調製した除去溶液は、 ５０−２００ｇ／ｌのＫＣＮ又は４０−１００ｇ／ｌの
    ＮａＣＮ、 ２５−１００ｇ／ｌのＮａ2 ＣＯ3 、 １０−５０ｇ／ｌの２−、３−又は４−ニトロ安息香
    酸、 ４−１０ｇ／ｌのＮａＯＨ、 ０．０７５−０．１５ｇ／ｌのＴｌＮＯ3 及び０．１−
    ０．５ｇ／ｌの２−メルカプトベンゾチアゾールを含む
    請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 ａ） 前記オキシダント溶液は、 ８５０ｍｌの脱イオン水に３０ｇの固体水酸化ナトリウ
    ムを溶解させ、 ２−、３−及び４−ニトロ安息香酸から選択された１２
    ０ｇの固体ニトロ安息香酸を、水酸化ナトリウム溶液へ
    分割して添加しながら溶解させ、 １リットル当り３２．６ｇの硝酸タリウム（ＴｌＮＯ
    3 ）を溶解させ、この溶液１６ｍｌをＮａＯＨ及びニト
    ロ安息香酸溶液に加えることにより、２５ｇ／ｌのＴｌ
    を含む水溶液を作成し、かつ１リットルのオキシダント
    溶液を作るのに十分な脱イオン水を加えることにより作
    成し、 ｂ） 前記抑制剤溶液は、 体積にして７単位のメチルエチルケトン及び体積にして
    ３単位のイソプロパノールを組合わせ、 混合された溶媒９５０ｍｌ中に３０ｇの２−メルカプト
    ベンゾチアゾールを溶解させ、 この溶液を濾過した後、濾過液を１リットルの抑制剤溶
    液を作るための混合された溶媒で満たすことにより作成
    し、 ｃ） 前記塩溶液は１リットルの水中に、１６７ｇのＫ
    ＣＮと８３ｇのＮａ2ＣＯ3 を溶解させることにより作
    成し、 ｄ） １リットルの除去溶液は、 ６００ｍｌの塩溶液に小分割して、２５０ｍｌのオキシ
    ダント溶液を加え、 １０ｍｌの抑制剤溶液を加え、 組合わせたものを完全に混合し、 １リットルの除去溶液を作るために十分な脱イオン水で
    満たすことにより作成される請求項１５記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記タリウム化合物は硝酸塩を含む請
    求項１５記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記オキシダント溶液、前記抑制剤溶
    液及び前記塩混合溶液は、除去溶液の使用前にのみ組合
    わされる請求項１５記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記オキシダント剤溶液は前記塩混合
    溶液に、量を増して添加し、続いて抑制剤溶液及び脱イ
    オン水を添加し、成分を混合する請求項１５記載の方
    法。
  21. 【請求項２１】 前記有機メルカプト化合物は、２−メ
    ルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキ
    サゾール、２−ベンズイミダゾールチオール、２−メル
    カプト−５メチルベンズイミダゾール、それらの誘導体
    及びそれらの混合物から成る類から選択される請求項１
    ５記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記有機メルカプト化合物は、２−メ
    ルカプトベンゾチアゾールを含む請求項１５記載の方
    法。
  23. 【請求項２３】 前記シアン化物ラジカル化合物は、Ｋ
    ＣＮ及びＮａＣＮの少なくとも１つを含む請求項１５記
    載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記ニトロ安息香酸誘導体は、２−ニ
    トロ安息香酸、３−ニトロ安息香酸、４−ニトロ安息香
    酸、２−ニトロベンゼンスルホン酸、３−ニトロベンゼ
    ンスルホン酸、４−ニトロベンゼンスルホン酸、クロロ
    ニトロ安息香酸異性体、クロロニトロベンゼンスルホン
    酸異性体、及びこれらの酸及びそれらの誘導体の混合物
    から成る類から選択される請求項１５記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記ニトロ安息香酸誘導体は、２−ニ
    トロ安息香酸、３−ニトロ安息香酸及び４−ニトロ安息
    香酸の少なくとも１つを含む請求項１５記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記タリウム化合物は、硝酸、硫酸、
    リン酸及び酢酸の一価（Ｔｌ+ ）及び三価（Ｔｌ3+）の
    塩及び他の可溶性タリウム塩から成る類から選択される
    請求項１５記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記タリウム化合物は硝酸塩を含む請
    求項１５記載の方法。
  28. 【請求項２８】 ５０ないし２００部のシアン化物ラジ
    カル源化合物、２５−１００部のＮａ2 ＣＯ3 、１０−
    ５０部のニトロ安息香酸、４−１０部のＮａＯＨ、０．
    ０７５ないし０．１５部のタリウム化合物、０．１ない
    し０．５部の有機メルカプト化合物及び１リットルの溶
    液を作るための水から成り、前記比率は１リットル当り
    のグラム（ｇ／ｌ）で表わされる、銅を含む基板から、
    パラジウム及びその合金を除去するための溶液。
  29. 【請求項２９】 ５０−２００ｇ／ｌのＫＣＮ又は４０
    −１００ｇ／ｌのＮａＣＮ、 ２５−１００ｇ／ｌのＮａ2 ＣＯ3 、 １０−５０ｇ／ｌの２−、３−又は４−ニトロ安息香
    酸、 ４−１０ｇ／ｌのＮａＯＨ、 ０．０７５−０．１５ｇ／ｌのＴｌＮＯ3 及び０．１−
    ０．５ｇ／ｌの２−メルカプトベンゾチアゾールを含む
    請求項２８記載の除去溶液。
  30. 【請求項３０】 １００ｇ／ｌのシアン化カリウム（Ｋ
    ＣＮ）、 ５０ｇ／ｌの炭酸ナトリウム（Ｎａ2 ＣＯ3 ）、 ３０ｇ／ｌの２、３、又は４−ニトロ安息香酸（Ｏ2 Ｎ
    ・Ｃ6 Ｈ4 ・ＣＯ2 Ｈ）、 ７．５ｇ／ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、 ０．１ｇ／ｌの硝酸タリウムとしてのタリウム（０．１
    ３ｇ／ｌＴｌＮＯ3 ）、 ０．３ｇ／ｌの２−メルカプトベンゾチアゾール（Ｃ7
    Ｈ5 ＮＳ2 ）及び１リットルの溶液を作るのに十分な脱
    イオン水を含む請求項２８記載の除去溶液。
  31. 【請求項３１】 前記有機メルカプト化合物は、２−メ
    ルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキ
    サゾール、２−ベンズイミダゾールチオール、２−メル
    カプト−５メチルベンズイミダゾール、それらの誘導体
    及びそれらの混合物から成る類から選択される請求項２
    ８記載の除去溶液。
  32. 【請求項３２】 前記有機メルカプト化合物は、２−メ
    ルカプトベンゾチアゾールを含む請求項２８記載の除去
    溶液。
  33. 【請求項３３】 前記シアン化物ラジカル化合物は、Ｋ
    ＣＮ及びＮａＣＮの少なくとも１つを含む請求項２８記
    載の除去溶液。
  34. 【請求項３４】 前記ニトロ安息香酸誘導体は、２−ニ
    トロ安息香酸、３−ニトロ安息香酸、４−ニトロ安息香
    酸、２−ニトロベンゼンスルホン酸、３−ニトロベンゼ
    ンスルホン酸、４−ニトロベンゼンスルホン酸、クロロ
    ニトロ安息香酸異性体、クロロニトロベンゼンスルホン
    酸異性体及びこれらの酸の混合物及びそれらの誘導体か
    ら成る類から選択される請求項２８記載の除去溶液。
  35. 【請求項３５】 前記ニトロ安息香酸誘導体は、２−ニ
    トロ安息香酸、３−ニトロ安息香酸及び４−ニトロ安息
    香酸の少なくとも１つを含む請求項２８記載の除去溶
    液。
  36. 【請求項３６】 前記タリウム化合物は、硝酸、硫酸、
    リン酸及び酢酸の一価（Ｔｌ+ ）及び三価（Ｔｌ3+）の
    塩及び他の可溶性タリウム塩から成る類から選択される
    請求項２８記載の除去溶液。
  37. 【請求項３７】 前記タリウム化合物は硝酸塩を含む請
    求項２８記載の除去溶液。
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