KR950018642A - 팔라듐용 화학 부식제 - Google Patents

팔라듐용 화학 부식제 Download PDF

Info

Publication number
KR950018642A
KR950018642A KR1019940036158A KR19940036158A KR950018642A KR 950018642 A KR950018642 A KR 950018642A KR 1019940036158 A KR1019940036158 A KR 1019940036158A KR 19940036158 A KR19940036158 A KR 19940036158A KR 950018642 A KR950018642 A KR 950018642A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solution
acid
thallium
nitrobenzonic
salt
Prior art date
Application number
KR1019940036158A
Other languages
English (en)
Inventor
안토니 아비스 죠셉
존 마이사노 죠셉
칼 스트라쉴 헤미리치
Original Assignee
오. 이. 엘버
에이티 앤드 티 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오. 이. 엘버, 에이티 앤드 티 코포레이션 filed Critical 오. 이. 엘버
Publication of KR950018642A publication Critical patent/KR950018642A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
    • C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
    • C23F11/10—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
    • C23F11/16—Sulfur-containing compounds
    • C23F11/161—Mercaptans

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)

Abstract

본 발명은 구리 함유 기질로부터 팔라듐을 박리하기 위한 시아나이드계 수용액에 관한 것이다. 당해 용액은 시아나이드 라디칼 공급원 화합물 Na2CO3, 니트로벤조산, NaOH, 탈륨 화합물, 유기 머캅토 화합물 및 물을 포함한다. 탈륨 함유 시아나이드 욕에 유기 머캅토 화합물이 존재하면 기질에 대한 부식 손상을 최소화하면서 구리 함유 기질로부터 팔라듐이 효율적으로 박리될 수 있다.

Description

팔라듐용 화학 부식제
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (37)

  1. 수 중에서 수산화물, 니트로벤조산 및 탈륨 화합물로 이루어진 산화제 용액을 제조하는 단계, 용매중에서 유기 머캅도 화합물로 이루어진 Cu 부식 억제제 용액을 제조하는 단계, 수 중에서 시아나이드 라디칼 공급원 화합물 및 Na2Co3로 이루어진 염 용액을 제조하는 단계 및 염 용액에, 소량씩의 산화제 용액과 이어서 억제제 용액을 혼합하면서 가하여 당해 3가지 용액을 혼합하는 단계에 의해 팔라듐 박리 용액을 제조하고, 팔라듐의 박리될 부분을 당해 용액에 침지시킴을 특징으로 하여, 팔라듐 및 이의 합금을 구리 함유 기질로부터 박리하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 제조된 박리 용액이 KCN 50 내지 200g/ℓ또는 NaCN 40 내지 100g/ℓ, Na2CO325 내지 100g/ℓ, 2-,3- 또는 4-니트로벤조산 10 내지 50g/ℓ, NaOH 4 내지 10g/ℓ, TINO30.075 내지 0.15g/ℓ및 2-머캅토벤조티아졸 0.1 내지 0.5g/ℓ를 포함하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, (a) 산화제 용액이, 고형 수산화나트륨 30g을 D.I. 수 850ml에 용해시키는 단계, 2-, 3- 및 4-니트로벤조산 중에서 선택된 고형 니트로 벤조산 120g을 수산화나트륨 용액에 조금씩 가하면서 용해시키는 단계, 탈로스 니트레이트(TINO3) 32.6g/ℓ를 용해시킨 다음 당해 용액 16ml를 NaOH 및 니트로벤조산 용액에 가하여 TI25g/ℓ를 함유하는 수용액을 제조하는 단계 및 산화제 용액 1ℓ를 제조하기에 충분한 양의 D.I.수를 가하는 단계에 의해 제조되고, (b) 억제제 용액이, 메틸, 에틸 케톤 7용적 단위와 이소프로판을 3용적 단위를 합하는 단계, 2-머캅토벤조티아졸 30g을 혼합 용매 950ml에 용해시키는 단계 및 당해 용액을 여과한 후, 여액을 억제제 용액 1ℓ를 제조하기 위해 혼합 용매와 함께 가하는 단계에 의해 제조되며, (c) 염 용액이, KCN 167g 및 Na2CO383g을 물 1ℓ에 용해시켜 제조되고, (d) 박리 용매 1ℓ가, 산화제 용액 250ml를 소량씩 염용액 600ml에 가하는 단계, 억제제 용액 10ml를 가하는 단계, 혼합물을 완전히 혼합하는 단계 및 박리 용액 1ℓ를 제조하기에 충분한 양의 D.I. 수를 가하는 단계에 의해 제조되는 방법.
  4. 제3항 있어서, 제조된 박리 용액이 시안화칼륨(KCN) 100g/ℓ, 탄산나트륨(Na2CO3) 50g/ℓ, 2-,3- 또는 4-니트로벤조산(O2N·C6H4·CO2H) 30g/ℓ, 수산화나트륨(NaOH) 7.5g/ℓ, 탈로스 니트레이트(TINO30.13g/ℓ)로서의 탈륨 0.1g/ℓ, 2-머캅토벤조티아졸(C7H5NS2) 0.3g/ℓ및 당해 용액 ℓ를 제조하기에 충분한 양의 D.I. 수를 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 제조된 박리 용액을 40 내지 45℃의 온도로 가열하고 적절히 교반하면서 박리를 수행하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 산화제 용액, 억제제 용액 및 염혼합물 용액물, 박리 용액을 사용하기 직전에 혼합하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 산화제 용액을 소량씩 염 혼합물 용액에 가한 다음 억제제 용액을 가하고, D.I. 수를 가하며 당해 성분들을 혼합하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 유기 머캅토 화합물이 2-머캅토벤조티아졸, 2-머캅토벤조옥사졸, 2-벤조이미다졸티올, 2-머캅토-5-메틸벤조이미다졸, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 유기 머캅도 화합물이 2-머캅토벤조티아졸을 포함하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 시아나이드 라디칼 화합물이 하나 이상의 KCN 및 NaCN을 포함하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 니트로벤존산 유도체가 2-니트로벤존산, 3-니트로벤존산, 4-니트로벤존산, 2-니트로벤젠설폰산, 3-니트로벤젠설폰산, 4-니트로벤젠설폰산, 클로로니트로벤존산 이성질체, 클로로니트로벤젠설폰산 이성질체, 이들 산의 혼합물 및 이들의 유도체로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 니트로벤조산 유도체가 하나 이상의 2-니트로벤존산, 3-니트로벤존산 및 4-니트로벤존산을 포함하는 방법.
  13. 제1항에 있어서, 탈륨 화합물이 질산, 황산, 인산 및 아세트산의 제1탈륨염Ti+ 및 제2탈륨염(TI3+) 및 다른 가용성 탈륨염으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 방법.
  14. 제11항에 있어서, 탈륨 화합물이 니트레이트를 포함하는 방법.
  15. 수 중에서 수산화물, 니트로벤존산 및 탈륨 화합물로 이루어진 산화제 용액을 제조하는 단계, 용매 중에서 유기 머캅토 화합물로 이루어진 Cu 부식 억제제 용액을 제조하는 단계, 수 중에서 시아나이드 라디칼 공급원 화합물 및 Na2CO3로 이루어진 염 용액을 제조하는 단계 및 염 용액에, 소량씩의 산화제 용액과 이어서 억제제용액을 혼합하면서 가하여 당해 3가지 용액을 혼합하는 단계를 포함하여, 구리 함유 기질로부터 팔라듐을 박리하기 위한 박리 수용액을 제조하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 제조된 박리 용액이 KCN 50 내지 200g/ℓ 또는 NaCN 40 내지 100g/ℓ, Na2CO325 내지 100g/ℓ, 2-,3- 또는 4-니트로벤조산 10 내지 50g/ℓ, NaOH 4 내지 10g/ℓ, TINO30.075 내지 0.15g/ℓ 및 2-머캅토벤조티아졸 0.1 내지 0.5g/ℓ를 포함하는 방법.
  17. 제1항에 있어서, (a) 산화제 용액이, 고형 수산화나트륨 30g을 D.I. 수 850ml에 용해시키는 단계, 2-, 3- 및 4-니트로벤조산 중에서 선택된 고형 니트로 벤조산 120g을 수산화나트륨 용액에 조금씩 가하면서 용해시키는 단계, 탈로스 니트레이트(TINO3) 32.6g/ℓ를 용해시킨 다음 당해 용액 16ml를 NaOH 및 니트로벤조산 용액에 가하여 TI25g/ℓ를 함유하는 수용액을 제조하는 단계 및 산화제 용액 1ℓ를 제조하기에 충분한 양의 D.I.수를 가하는 단계에 의해 제조되고, (b) 억제제 용액이, 메틸, 에틸 케톤 7용적 단위와 이소프로판을 3용적 단위를 합하는 단계, 2-머캅토벤조티아졸 30g을 혼합 용매 950ml에 용해시키는 단계 및 당해 용액을 여과한 후, 여액을 억제제 용액 1ℓ를 제조하기 위해 혼합 용매와 함께 가하는 단계에 의해 제조되며, (c) 염 용액이, KCN 167g 및 Na2CO383g을 물 1ℓ에 용해시켜 제조되고, (d) 박리 용매 1ℓ가, 산화제 용액 250ml를 소량씩 염용액 600ml에 가하는 단계, 억제제 용액 10ml를 가하는 단계, 혼합물을 완전히 혼합하는 단계 및 박리 용액 1ℓ를 제조하기에 충분한 양의 D.I. 수를 가하는 단계에 의해 제조되는 방법.
  18. 제15항에 있어서, 탈륨 화합물이 니트레이트를 포함하는 방법.
  19. 제15항에 있어서, 산화제 용액, 억제제 용액 및 염혼합물 용액을, 박리 용액을 사용하기 직전에 혼합하는 방법.
  20. 제15항에 있어서, 산화제 용액을 소량씩 염 혼합물 용액에 가한 다음 억제제 용액을 가하고, D.I. 수를 가하며, 당해 성분들을 혼합하는 방법.
  21. 제15항에 있어서, 유기 머캅토 화합물이 2-머캅토벤조티아졸, 2-머캅토벤조옥사졸, 2-벤조이미다졸티올, 2-머캅토-5-메틸벤조이미다졸, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 방법.
  22. 제15항에 있어서, 유기 머캅도 화합물이 2-머캅도벤조티아졸을 포함하는 방법.
  23. 제15항에 있어서, 시아나이드 라디칼 화합물이 하나 이상의 KCN 및 NaCN을 포함하는 방법.
  24. 제15항에 있어서, 니트로벤존산 유도체가 2-니트로벤존산, 3-니트로벤존산, 4-니트로벤존산, 2-니트로벤젠설폰산, 3-니트로벤젠설폰산, 4-니트로벤젠설폰산, 클로로니트로벤존산 이성질체, 클로로니트로벤젠설폰산 이성질체, 이들 산의 혼합물 및 이들의 유도체로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 방법.
  25. 제15항에 있어서, 니트로벤조산 유도체가 하나 이상의 2-니트로벤존산, 3-니트로벤존산 및 4-니트로벤존산을 포함하는 방법.
  26. 제15항에 있어서, 탈륨 화합물이 질산, 황산, 인산 및 아세트산의 제1탈륨염(Ti+) 및 제2탈륨염(TI3+) 및 다른 가용성 탈륨염으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 방법.
  27. 제15항에 있어서, 탈륨 화합물이 니트레이트를 포함하는 방법.
  28. 시아나이드 라디칼 공급원 화합물 50 내지 200g/ℓ, Na2CO325 내지 100g/ℓ, 니트로벤조산 10 내지 50g/ℓ, NaOH 4 내지 10g/ℓ, 탈륨 화합물 0.075 내지 0.15g/ℓ, 유기 머캅토 화합물 0.1 내지 0.5g/ℓ 및 용액 1ℓ를 제조하기 위한 물로 이루어짐을 특징으로 하는, 구리 함유 기질로부터 팔라듐 및 이의 합금을 박리하기 위한 용액.
  29. 제28항에 있어서, KCN 50 내지 200g/ℓ 또는 NaCN 40 내지 100g/ℓ, Na2CO325 내지 100g/ℓ, 2-,3- 또는 4-니트로벤조산 10 내지 50g/ℓ, NaOH 4 내지 10g/ℓ, TINO30.075 내지 0.15g/ℓ 및 2-머캅토벤조티아졸 0.1 내지 0.5g/ℓ를 포함하는 박리 용액.
  30. 제28항 있어서, 시안화칼륨(KCN) 100g/ℓ, 탄산나트륨(Na2CO3) 50g/ℓ, 2-,3- 또는 4-니트로벤조산(O2N·C6H4·CO2H) 30g/ℓ, 수산화나트륨(NaOH) 7.5g/ℓ, 탈로스 니트레이트(TINO30.13g/ℓ)로서의 탈륨 0.1g/ℓ, 2-머캅토벤조티아졸(C7H5NS2) 0.3g/ℓ및 당해 용액 ℓ를 제조하기에 충분한 양의 D.I. 수를 포함하는 박리 용액.
  31. 제28항에 있어서, 유기 머캅토 화합물이 2-머캅토벤조티아졸, 2-머캅토벤조옥사졸, 2-벤조이미다졸티올, 2-머캅토-5-메틸벤조이미다졸, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 박리 용액.
  32. 제28항에 있어서, 유기 머캅도 화합물이 2-머캅토벤조티아졸을 포함하는 박리 용액.
  33. 제28항에 있어서, 시아나이드 라디칼 화합물이 하나 이상의 KCN 및 NaCN을 포함하는 박리 용액.
  34. 제15항에 있어서, 니트로벤존산 유도체가 2-니트로벤존산, 3-니트로벤존산, 4-니트로벤존산, 2-니트로벤젠설폰산, 3-니트로벤젠설폰산, 4-니트로벤젠설폰산, 클로로니트로벤존산 이성질체, 클로로니트로벤젠설폰산 이성질체, 이들 산의 혼합물 및 이들의 유도체로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 박리 용액.
  35. 제15항에 있어서, 니트로벤존산 유도체가 하나 이상의 2-니트로벤존산, 3-니트로벤존산 및 4-니트로벤존산을 포함하는 박리 용액.
  36. 제28항에 있어서, 탈륨 화합물이 질산, 황산, 인산 및 아세트산의 제1탈륨염(Ti+) 및 제2탈륨염(TI3+) 및 다른 가용성 탈륨염으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 박리 용액.
  37. 제28항에 있어서, 탈륨 화합물이 니트레이트를 포함하는 박리 용액.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940036158A 1993-12-29 1994-12-23 팔라듐용 화학 부식제 KR950018642A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/175,091 US5380400A (en) 1993-12-29 1993-12-29 Chemical etchant for palladium
US08/175091 1993-12-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950018642A true KR950018642A (ko) 1995-07-22

Family

ID=22638843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940036158A KR950018642A (ko) 1993-12-29 1994-12-23 팔라듐용 화학 부식제

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5380400A (ko)
EP (1) EP0661388B1 (ko)
JP (1) JPH07207466A (ko)
KR (1) KR950018642A (ko)
CA (1) CA2133134C (ko)
DE (1) DE69427680T2 (ko)
HK (1) HK1004716A1 (ko)
SG (1) SG43776A1 (ko)
TW (1) TW270943B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7150820B2 (en) * 2003-09-22 2006-12-19 Semitool, Inc. Thiourea- and cyanide-free bath and process for electrolytic etching of gold
TW200831710A (en) * 2006-09-25 2008-08-01 Mec Co Ltd Metal removing solution and metal removing method using the same
JP5573429B2 (ja) * 2009-08-10 2014-08-20 住友ベークライト株式会社 無電解ニッケル−パラジウム−金めっき方法、めっき処理物、プリント配線板、インターポーザ、および半導体装置
TWI471457B (zh) * 2013-02-22 2015-02-01 Uwin Nanotech Co Ltd 金屬剝除添加劑、含其之組合物、及使用該組合物以剝除金屬的方法
CN105219967A (zh) * 2015-10-14 2016-01-06 云龙县铂翠贵金属科技有限公司 一种铜基镀钯电子废料退钯及提铜的方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2185858A (en) * 1936-06-27 1940-01-02 Western Electric Co Method of removing gold, silver, palladium, or the like
US2649361A (en) * 1949-05-13 1953-08-18 Enthone Method of dissolving metals and compostion therefor
US3102808A (en) * 1959-01-29 1963-09-03 Eltex Res Corp Composition for selectively stripping electroplated metals from surfaces
US3242090A (en) * 1964-03-10 1966-03-22 Macdermid Inc Compositions for and methods of removing gold deposits by chemical action
DE1226551B (de) * 1964-12-28 1966-10-13 Basf Ag Verfahren zur Gewinnung von Palladium-verbindungen durch Extraktion
US3655363A (en) * 1970-10-23 1972-04-11 Kuraray Co Method of recovering palladium
US3839110A (en) * 1973-02-20 1974-10-01 Bell Telephone Labor Inc Chemical etchant for palladium
US3819494A (en) * 1973-03-29 1974-06-25 Fountain Plating Co Inc Method of removing braze
US3935005A (en) * 1974-09-19 1976-01-27 American Chemical & Refining Company, Incorporated Composition and method for stripping gold and silver
US4548791A (en) * 1983-09-30 1985-10-22 American Chemical & Refining Company, Inc. Thallium-containing composition for stripping palladium
US4483739A (en) * 1984-02-16 1984-11-20 Omi International Corporation Compositions and method for stripping gold from copper substrates
JPH08988B2 (ja) * 1987-04-18 1996-01-10 新光電気工業株式会社 金めつき剥離液

Also Published As

Publication number Publication date
US5380400A (en) 1995-01-10
DE69427680D1 (de) 2001-08-16
EP0661388A1 (en) 1995-07-05
EP0661388B1 (en) 2001-07-11
TW270943B (ko) 1996-02-21
CA2133134C (en) 1998-12-15
HK1004716A1 (en) 1998-12-04
CA2133134A1 (en) 1995-06-30
JPH07207466A (ja) 1995-08-08
DE69427680T2 (de) 2002-04-25
SG43776A1 (en) 1997-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2536404C2 (de) Verfahren zur Entplattierung von Zinn oder Zinn-Blei-Legierungen von Kupfersubstraten und wässerige saure Lösung zur Durchführung des Verfahrens
DE69218892T2 (de) Komplexierungsmittel für das Zinnplattieren nach der Austauschmethode
JP2571375B2 (ja) 水溶性レジストフイルム用剥離剤
JP2001140084A (ja) ニッケルまたはニッケル合金のエッチング液
KR920018241A (ko) 주석, 납 또는 주석-납 합금을 무전해 도금하는 방법
CN105714298A (zh) 一种基于硫酸-铁盐体系的退锡剂及其制备方法
US4306933A (en) Tin/tin-lead stripping solutions
KR950018642A (ko) 팔라듐용 화학 부식제
EP0283771A1 (de) Verfahren zur haftfesten Metallisierung von Kunststoffen
US3935005A (en) Composition and method for stripping gold and silver
JP2002180259A (ja) めっき液における金属析出促進化合物および該化合物を含むめっき液
CN1039775A (zh) 含有取代的氨基苯甲醛的过氧化氢组合物
JP3124735B2 (ja) 金めっき剥離液
JPH0247273A (ja) 亜鉛又は亜鉛系めっき材料の黒色化処理方法
GB1448356A (en) Method of removing a brazing alloy from stainless steel
JPS6214034B2 (ko)
JPH01129491A (ja) 錫または錫一鉛合金の剥離方法
US4483739A (en) Compositions and method for stripping gold from copper substrates
JPH02250986A (ja) すず及びすず‐鉛合金層の剥離液
DE2635296A1 (de) Verfahren und zusammensetzung zur entfernung von nickel/eisen-ueberzuegen von metallsubstraten
KR910002318A (ko) 인쇄 배선회로 제조를 위한 감소된 사이클 방법과 이것을 실행하기 위한 조성물
SU1477783A1 (ru) Раствор дл химического меднени
JPS6345463B2 (ko)
JP3398116B2 (ja) ニッケルあるいは鉄ニッケル合金上のスズまたはスズ合金剥離用の剥離液
JPH06280056A (ja) スズ又はスズ合金皮膜用剥離剤

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee