JPH07182060A - バイアス回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】電源回路のバイアス源の温度依存性をなくし低
消費電流化を達成する。 【構成】スタ−タ回路１２は、電源電圧ＶCCの立ち上り
時にスタ−タ電流ＩS を発生する。スタ−タ電流ＩS
は、カレントミラ−回路１３によって折り返されてバン
ドギャップ回路１１に供給される。バンドギャップ回路
１１の出力電圧ＶOUT 及び抵抗Ｒ３の抵抗値で決まる電
流ＩB は、カレントミラ−回路１４によって折り返され
てカレントミラ−回路１３に供給されると共に、スタ−
タ回路１２にも供給されスタ−タ電流ＩS が遮断され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電源回路に用いるバイ
アス回路の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】図７は、従来のバイアス回路の一例を示
している。この例では、電源回路（基準電圧発生回路）
にバンドギャップ回路１１を用いている。バンドギャッ
プ回路１１のバイアス回路は、以下の要素から構成され
ている。

【０００３】１２は、スタ−タ電流Ｉs を決定するスタ
−タ回路である。スタ−タ回路１２は、ｎｐｎ型バイポ
−ラトランジスタＱ１，Ｑ２及び抵抗Ｒ１，Ｒ２から構
成されている。トランジスタＱ１のエミッタは、接地点
ＧＮＤに接続され、ベ−スは、トランジスタＱ２のエミ
ッタに接続され、コレクタは、トランジスタＱ２のベ−
スに接続されている。抵抗Ｒ１は、電源Ｖccとトランジ
スタＱ１のコレクタの間に接続されている。抵抗Ｒ２
は、トランジスタＱ２のエミッタと接地点ＧＮＤの間に
接続されている。

【０００４】１３は、カレントミラ−回路である。カレ
ントミラ−回路１３は、ｐｎｐ型バイポ−ラトランジス
タＱ３，Ｑ４から構成されている。トランジスタＱ４
は、ｎｐｎ型バイポ−ラトランジスタＱ５とダ−リント
ン接続されている。トランジスタＱ５は、バンドギャッ
プ回路１１へバイアス電流を供給する。

【０００５】上記構成のバイアス回路において、スタ−
タ回路１２のスタ−タ電流Ｉs は、（１）式により決定
される。 Ｉs ＝ ＶBE(Q1) ／ Ｒ２ …（１） （但し、ＶBE(Q1)は、トランジスタＱ１のベ−ス・エミ
ッタ間電圧、Ｒ２は、抵抗Ｒ２の抵抗値とする。） しかし、抵抗Ｒ２は、一般に拡散抵抗であり、プラスの
温度特性を有している。即ち、温度が上昇すると、抵抗
Ｒ２の抵抗値も大きくなる。一方、トランジスタＱ１の
ベ−ス・エミッタ間電圧ＶBE(Q1)は、マイナスの温度特
性を有している。即ち、温度が上昇すると、ベ−ス・エ
ミッタ間電圧ＶBE(Q1)は小さくなる。

【０００６】従って、上記（１）式によれば、スタ−タ
電流Ｉs は、高温になる程、小さくなり、低温になる
程、大きくなる傾向にあることがわかる。このスタ−タ
電流Ｉs は、カレントミラ−回路１３によってトランジ
スタＱ４に流れ、トランジスタＱ５のベ−スに供給され
る。つまり、バイアス回路１２の消費電流は、低温にお
いて増大し、高温において減少するという温度特性を有
することになる。このように、従来は、バイアス回路が
温度依存性を有するという欠点がある。

【０００７】また、バンドギャップ回路１１において消
費される電流のバラツキを考慮し、当該バンドギャップ
回路１１において十分な電流を確保するために、トラン
ジスタＱ５のベ−スに大きな電流を流さなければなら
ず、バイアス回路１２の消費電流がさらに増大する欠点
がある。

【０００８】また、図８に示すように、スタ−タ電流Ｉ
s から別の電流源Ｉ0 を作る場合がある。かかる場合
に、電流源Ｉ0 は、温度特性を有することになるため、
電流源Ｉ0 を一定に保つことが困難となる欠点がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
スタ−タ電流から作る電流源が温度特性を有するという
欠点がある。また、スタ−タ電流が温度特性を有するた
め、バイアス電流が温度依存性を有するという欠点があ
る。さらに、トランジスタＱ５に大きなベ−ス電流を供
給する必要があり、バイアス回路の消費電流が増大する
欠点がある。

【００１０】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、電源回路（基準電圧発生回路）に
用いるバイアス回路の温度依存性を小さくし又はなくす
ことにより、低消費電流のバイアス回路を提供すること
である。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のバイアス回路は、電源電圧の立ち上り時に
第１の電流を発生するスタ−タ回路と、前記第１の電流
又は基準電圧発生回路で作られる第２の電流を用いて前
記基準電圧発生回路に電流を供給する第１の手段と、前
記基準電圧発生回路で作られる第２の電流を折り返して
前記第１の手段に供給すると共に前記第２の電流を折り
返してスタ−タ回路に供給し前記第１の電流を遮断する
第２の手段と、前記第２の電流の電流値を制御する第３
の手段とを備えている。

【００１２】本発明のバイアス回路は、電源電圧の立ち
上り時に第１の電流を発生するスタ−タ回路と、前記第
１の電流又は基準電圧発生回路で作られる第２の電流を
用いて前記基準電圧発生回路に電流を供給する第１の手
段と、前記基準電圧発生回路で作られる第２の電流を折
り返して前記第１の手段に供給する第２の手段と、前記
第２の電流の電流値を制御する第３の手段と、前記基準
電圧発生回路で作られる第２の電流を折り返してスタ−
タ回路に供給し前記第１の電流を遮断する第４の手段と
を備えている。

【００１３】本発明のバイアス回路は、さらに前記スタ
−タ回路の出力と前記第２の手段との間に接続され、前
記スタ−タ回路から前記第２の手段へ電流が逆流するの
を防止する逆流防止手段を有している。

【００１４】また、ベ−スに前記第１の手段の出力電流
が入力されるバイポ−ラトランジスタを備え、前記バイ
ポ−ラトランジスタは、前記基準電圧発生回路の電流源
を構成している。前記第１、第２及び第４の手段の少な
くとも１つは、温度依存性のない又は小さい定電流を発
生する複数個の電流源を有している。

【００１５】

【作用】上記構成によれば、第１の手段は、第２の電流
を用いて基準電圧発生回路に電流を供給している。この
第２の電流は、スタ−タ回路が発生する第１の電流と異
なり、温度依存性がない又は小さいものであるため、低
消費電流のバイアス回路を提供できる。

【００１６】この時、第２の手段は、第２の電流を折り
返してスタ−タ回路に供給することにより第１の電流を
遮断すると共に、基準電圧発生回路で作られる第２の電
流を折り返して前記第１の手段に供給している。また、
スタ−タ回路の出力と第２の手段との間に逆流防止用の
ダイオ−ドを接続している。従って、低消費電流のバイ
アス回路を実効あらしめることができる。

【００１７】また、第１の手段の出力電流をバイポ−ラ
トランジスタのベ−スに入力し、当該バイポ−ラトラン
ジスタにより基準電圧発生回路の電流源を構成すれば、
さらにバイアス回路の低消費電流化に貢献できる。ま
た、第１、第２及び第４の手段の少なくとも１つに複数
個の電流源を設ければ、温度依存性のない又は小さい複
数の定電流を発生させることが可能である。

【００１８】

【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明のバイア
ス回路について詳細に説明する。図１は、本発明の第１
の実施例に係わるバイアス回路を示している。なお、図
１において、従来のバイアス回路と同じ部分には同じ符
号が付してある。

【００１９】この実施例では、電源回路（基準電圧発生
回路）にバンドギャップ回路１１を用いている。バンド
ギャップ回路１１のバイアス源となる本実施例のバイア
ス回路は、以下の要素から構成されている。

【００２０】１２は、スタ−タ電流Ｉs を決定するスタ
−タ回路であり、従来と同じ構成を有している。即ち、
スタ−タ回路１２は、ｎｐｎ型バイポ−ラトランジスタ
Ｑ１，Ｑ２及び抵抗Ｒ１，Ｒ２から構成されている。ト
ランジスタＱ１のエミッタは、接地点ＧＮＤに接続さ
れ、ベ−スは、トランジスタＱ２のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、トランジスタＱ２のベ−スに接続され
ている。抵抗Ｒ１は、電源ＶccとトランジスタＱ１のコ
レクタの間に接続されている。抵抗Ｒ２は、トランジス
タＱ２のエミッタと接地点ＧＮＤの間に接続されてい
る。

【００２１】１３，１４は、カレントミラ−回路であ
る。カレントミラ−回路１３は、ｐｎｐ型バイポ−ラト
ランジスタＱ３，Ｑ４から構成されている。カレントミ
ラ−回路１４は、ｎｐｎ型バイポ−ラトランジスタＱ６
〜Ｑ８から構成されている。

【００２２】出力端子１５とトランジスタＱ６のコレク
タとの間には、電流値を制御する素子として、例えば抵
抗Ｒ３が接続されている。また、トランジスタＱ２のコ
レクタとトランジスタＱ７のコレクタとの間には、ダイ
オ−ドＤ１が接続されている。このダイオ−ドＤ１は、
トランジスタＱ２のベ−スからコレクタへ電流が流れる
を防止するためのものである。

【００２３】トランジスタＱ７のコレクタは、トランジ
スタＱ３のコレクタに接続されている。また、トランジ
スタＱ８のコレクタは、トランジスタＱ２のベ−スに接
続されている。なお、バンドギャップ回路１１の出力端
子１５からは、出力電圧（基準電圧）ＶOUT が出力され
る。

【００２４】上記構成のバイアス回路の動作及びその作
用について説明する。まず、電源電圧Ｖccがバイアス回
路に供給されると、当該バイアス回路のスタ−タ回路１
２にはスタ−タ電流Ｉs が流れる。このスタ−タ電流Ｉ
s は、カレントミラ−回路１３によってトランジスタＱ
４に流れ、バンドギャップ回路１１のバイアス源とな
る。

【００２５】この時点では、バンドギャップ回路１１の
バイアス源にスタ−タ電流Ｉs を用いているため、バイ
アス回路の消費電流は温度依存性を有することになる。
しかし、バンドギャップ回路１１の出力電圧ＶOUT が上
昇し一定になると、トランジスタＱ６には電流ＩB が流
れる。この電流ＩB は、（２）式により決定される。 ＩB ＝ （ＶOUT −ＶBE(Q6)） ／ Ｒ３ …（２） （但し、ＶBE(Q6)は、トランジスタＱ６のベ−ス・エミ
ッタ間電圧、Ｒ３は、 抵抗Ｒ３の抵抗値とする。） ここに、出力電圧ＶOUT は、温度特性を有していない。
抵抗Ｒ３は、一般に拡散抵抗であり、プラスの温度特性
を有している。即ち、温度が上昇すると、抵抗Ｒ３の抵
抗値も大きくなる。一方、トランジスタＱ６のベ−ス・
エミッタ間電圧ＶBE(Q6)は、マイナスの温度特性を有し
ている。即ち、温度が上昇すると、ベ−ス・エミッタ間
電圧ＶBE(Q6)は小さくなる。

【００２６】従って、上記（２）式によれば、温度変化
に対し、分母（Ｒ３）と分子（ＶOUT −ＶBE(Q5)）が同
方向の温度特性を有することになる。つまり、トランジ
スタＱ６に流れる電流ＩB は、温度特性がない又は小さ
いものとなる。

【００２７】この電流ＩB は、カレントミラ−回路１４
によってトランジスタＱ７，Ｑ８に流れる。よって、ト
ランジスタＱ８に流れる電流ＩB がトランジスタＱ２を
オフさせるように当該電流ＩB の電流値を設定するか、
若しくはカレントミラ−回路１４のミラ−比を変えてお
けば、スタ−タ電流Ｉs は遮断され、電流ＩB がトラン
ジスタＱ３に流れるようになる。

【００２８】トランジスタＱ３のコレクタに電流ＩB の
みが流れるということは、この電流ＩB がバンドギャッ
プ回路１１のバイアス源となることである。従って、こ
のバイアス回路の消費電流の温度依存性は、ないか又は
小さいものとなる。

【００２９】なお、トランジスタＱ２のコレクタとトラ
ンジスタＱ７のコレクタの間には、ダイオ−ドＤ１が挿
入されているため、トランジスタＱ２のベ−スからコレ
クタへ電流が流れることはない。このダイオ−ドＤ１
は、トランジスタＱ２のベ−スからコレクタへ電流が流
れる可能性がない場合には必要ないものである。

【００３０】図２は、本発明の第２の実施例に係わるバ
イアス回路を示している。なお、図２において、図１の
バイアス回路と同じ部分には同じ符号を付して、その詳
細な説明は省略する。

【００３１】この実施例は、第１の実施例と比較する
と、トランジスタＱ４がｎｐｎ型バイポ−ラトランジス
タＱ５とダ−リントン接続されている点において異なっ
ている。この場合、電流ＩB は、カレントミラ−回路１
３によりトランジスタＱ４に流れ、バンドギャップ回路
１１のバイアス源であるトランジスタＱ５のベ−スに供
給される。

【００３２】上記構成によれば、十分に小さな電流ＩB
により、大きなバイアス電流をバンドギャップ回路１１
へ供給することができる。従って、バイアス回路の低消
費電流化に貢献できる。

【００３３】なお、バンドギャップ回路１１の消費電流
及び出力端子１５に接続される回路の消費電流が一定で
あれば、トランジスタＱ３，Ｑ４及びトランジスタＱ
６，Ｑ７のミラ−比を変えることにより、トランジスタ
Ｑ５は削除できる。

【００３４】図３及び図４は、本発明の第３の実施例に
係わるバイアス回路を示している。なお、図３におい
て、図１のバイアス回路と同じ部分には同じ符号を付し
て、その詳細な説明は省略する。また、図４において、
図２のバイアス回路と同じ部分には同じ符号を付して、
その詳細な説明は省略する。

【００３５】この実施例は、第１又は第２の実施例と比
較すると、カレントミラ−回路１３，１４を３個以上の
トランジスタＱ３，Ｑ４，Ｑ１１〜Ｑ１ｎ、Ｑ６〜Ｑ
８，Ｑ２１〜Ｑ２ｍで構成し複数個の電流源を設けてい
る点において異なっている。この場合、温度特性の良好
な電流源が必要な数だけ得ることができ、定電流Ｉ11〜
Ｉ1n，Ｉ21〜Ｉ2mが他の回路へ供給される。上記構成に
よれば、温度特性の良好な複数個の電流源を容易に得る
ことができる。

【００３６】図５は、本発明の第４の実施例に係わるバ
イアス回路を示している。なお、図５において、従来の
バイアス回路と同じ部分には同じ符号が付してある。こ
の実施例では、電源回路（基準電圧発生回路）にバンド
ギャップ回路１１を用いている。バンドギャップ回路１
１のバイアス源となる本実施例のバイアス回路は、以下
の要素から構成されている。

【００３７】１２は、スタ−タ電流Ｉs を決定するスタ
−タ回路であり、従来と同じ構成を有している。即ち、
スタ−タ回路１２は、ｎｐｎ型バイポ−ラトランジスタ
Ｑ１，Ｑ２及び抵抗Ｒ１，Ｒ２から構成されている。ト
ランジスタＱ１のエミッタは、接地点ＧＮＤに接続さ
れ、ベ−スは、トランジスタＱ２のエミッタに接続さ
れ、コレクタは、トランジスタＱ２のベ−スに接続され
ている。抵抗Ｒ１は、電源ＶccとトランジスタＱ１のコ
レクタの間に接続されている。抵抗Ｒ２は、トランジス
タＱ２のエミッタと接地点ＧＮＤの間に接続されてい
る。

【００３８】１３、１４ａ及び１４ｂは、カレントミラ
−回路である。カレントミラ−回路１３は、ｐｎｐ型バ
イポ−ラトランジスタＱ３，Ｑ４から構成されている。
トランジスタＱ３のコレクタは、トランジスタＱ２のコ
レクタに接続されている。トランジスタＱ４は、ｎｐｎ
型バイポ−ラトランジスタＱ５とダ−リントン接続され
ている。トランジスタＱ５は、バンドギャップ回路１１
のバイアス源となる。

【００３９】カレントミラ−回路１４ａは、ｎｐｎ型バ
イポ−ラトランジスタＱ３１及びＱ３２から構成されて
いる。トランジスタＱ３１のコレクタは、バンドギャッ
プ回路１１の出力端子に接続されている。トランジスタ
Ｑ３２のコレクタは、トランジスタＱ３のコレクタに接
続されている。

【００４０】カレントミラ−回路１４ｂは、ｎｐｎ型バ
イポ−ラトランジスタＱ３３及びＱ３４から構成されて
いる。トランジスタＱ３３のコレクタは、抵抗Ｒ３を介
してトランジスタＱ３１，Ｑ３２のエミッタに接続され
ている。トランジスタＱ３４のコレクタは、トランジス
タＱ２のベ−スに接続されている。

【００４１】なお、バンドギャップ回路１１の出力端子
からは、出力電圧（基準電圧）ＶOUT が出力される。上
記構成のバイアス回路の動作及びその作用について説明
する。まず、電源電圧Ｖccがバイアス回路に供給される
と、当該バイアス回路のスタ−タ回路１２にはスタ−タ
電流Ｉs が流れる。このスタ−タ電流Ｉs は、カレント
ミラ−回路１３によってトランジスタＱ４に流れ、バン
ドギャップ回路１１のバイアス源となるトランジスタＱ
５のベ−スに供給される。

【００４２】この時点では、バンドギャップ回路１１の
バイアス源としてスタ−タ電流Ｉsを利用しているた
め、バイアス回路の消費電流は温度依存性を有する。し
かし、バンドギャップ回路１１の出力電圧ＶOUT が上昇
し一定になると、抵抗Ｒ３には電流ＩB が流れる。この
電流ＩB は、（３）式により決定される。 ＩB ＝ （ＶOUT −２ＶBE） ／ Ｒ３ …（３） （但し、ＶBEは、トランジスタＱ３１，Ｑ３３のベ−ス
・エミッタ間電圧、Ｒ３は、抵抗Ｒ３の抵抗値とす
る。） ここに、出力電圧ＶOUT は、温度特性を有していない。
抵抗Ｒ３は、一般に拡散抵抗であり、プラスの温度特性
を有している。即ち、温度が上昇すると、抵抗Ｒ３の抵
抗値も大きくなる。一方、トランジスタＱ３１，Ｑ３３
のベ−ス・エミッタ間電圧ＶBEは、マイナスの温度特性
を有している。即ち、温度が上昇すると、ベ−ス・エミ
ッタ間電圧ＶBEは小さくなる。

【００４３】従って、上記（３）式によれば、温度変化
に対し、分母（Ｒ３）と分子（ＶOUT −２ＶBE）が同方
向の温度特性を有することになる。つまり、抵抗Ｒ３に
流れる電流ＩB は、温度特性がない又は小さいものとな
る。

【００４４】この電流ＩB の半分（ＩB ／２）は、カレ
ントミラ−回路１４ａによってトランジスタＱ３２に流
れる。また、電流ＩB は、カレントミラ−回路１４ｂに
よってトランジスタＱ３４に流れる。よって、トランジ
スタＱ３４に流れる電流ＩBがトランジスタＱ２をオフ
させるように当該電流ＩB の電流値を設定するか、若し
くはカレントミラ−回路１４ｂのミラ−比を変えておけ
ば、スタ−タ電流Ｉsは遮断される。また、トランジス
タＱ２がオフすることにより、電流（ＩB ／２）がトラ
ンジスタＱ３に流れるようになる。

【００４５】トランジスタＱ３のコレクタに電流（ＩB
／２）のみが流れるということは、この電流（ＩB ／
２）がバンドギャップ回路１１のバイアス源となるトラ
ンジスタＱ５のベ−スに供給されるということである。
従って、このバイアス回路の消費電流の温度依存性は、
ないか又は小さいものとなる。

【００４６】なお、トランジスタＱ３４がトランジスタ
Ｑ２のオフさせるためには、当該トランジスタＱ３４の
コレクタ電位が、２ＶBE（ＶBEは、トランジスタＱ１，
Ｑ２のベ−ス・エミッタ間電圧）よりも小さいことが必
要である。従って、カレントミラ−回路１４ａと１４ｂ
の位置を逆にすることは好ましくない。

【００４７】また、トランジスタＱ２のコレクタとトラ
ンジスタＱ３２のコレクタの間には、第１の実施例のよ
うにダイオ−ドＤ１を挿入する必要がない。なぜなら、
トランジスタＱ３２のコレクタ電位がトランジスタＱ２
のベ−ス電位よりも高いため、トランジスタＱ２のベ−
スからコレクタへ電流が流れる可能性がないからであ
る。

【００４８】図６は、本発明の第５の実施例に係わるバ
イアス回路を示している。なお、図６において、図５の
バイアス回路と同じ部分には同じ符号を付して、その詳
細な説明は省略する。

【００４９】この実施例は、第４の実施例と比較する
と、カレントミラ−回路１３を４個のトランジスタＱ
３，Ｑ４，Ｑ４１，Ｑ４２で構成し、トランジスタＱ４
１，Ｑ４２から温度特性の良好な定電流ＩO1，ＩO2を出
力したものである。また、カレントミラ−回路１４ａを
４個のトランジスタＱ３１，Ｑ３２，Ｑ４３，Ｑ４４で
構成し、トランジスタＱ４３，Ｑ４４から温度特性の良
好な定電流ＩO3，ＩO4を出力したものである。また、カ
レントミラ−回路１４ｂを４個のトランジスタＱ３３，
Ｑ３４，Ｑ４５，Ｑ４６で構成し、トランジスタＱ４
５，Ｑ４６から温度特性の良好な定電流ＩO5，ＩO6を出
力したものである。

【００５０】上記構成によれば、温度特性の良好な電流
源を必要な数だけ容易に設けることができ、定電流ＩO1
〜ＩO6を他の回路へ供給することができる。また、トラ
ンジスタＱ４１〜Ｑ４４からは、比較的小さな定電流Ｉ
O1〜ＩO4（＝ＩB ／４）が出力され、トランジスタＱ４
５及びＱ４６からは、比較的大きな定電流ＩO5，ＩO6
（＝ＩB ）が出力される。

【００５１】なお、本実施例では、カレントミラ−回路
１３，１４ａ，１４ｂは、それぞれ４個のトランジスタ
で構成したが、３個又は５個以上のトランジスタで構成
し、任意の数の電流源を設けることができる。この場
合、カレントミラ−回路１４ａの電流源の電流値は、Ｉ
B ／ｎとなる。但し、ｎは、カレントミラ−回路１４ａ
を構成するトランジスタの数であり、電流源の数は、
（ｎ−２）個である。

【００５２】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明のバイア
ス回路によれば、次のような効果を奏する。電源回路
（基準電圧発生回路）に使われる抵抗と、バイアス回路
の抵抗Ｒ３を同じ種類のもので構成すれば、当該抵抗の
バラツキや温度特性による電源回路内での消費電流の増
減と抵抗Ｒ３で作るバイアス電流ＩB の増減が比例する
ことになる。

【００５３】従って、従来のように、電源回路で消費す
る電流よりも大きな電流を、温度特性を考慮してオ−バ
−マ−ジンぎみに設定しなくてもよくなる。即ち、必要
最低限のバイアス電流を確保しておけば足りるため、回
路全体の消費電流を小さくでき、消費電流の温度依存性
も小さくできる。また、電源回路を利用して作った温度
依存性の小さい電流源を複数個設けてやれば、別回路で
独自に電流源を作るよりも素子数を削減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係わるバイアス回路を
示す回路図。

【図２】本発明の第２の実施例に係わるバイアス回路を
示す回路図。

【図３】本発明の第３の実施例に係わるバイアス回路を
示す回路図。

【図４】本発明の第３の実施例に係わるバイアス回路を
示す回路図。

【図５】本発明の第４の実施例に係わるバイアス回路を
示す回路図。

【図６】本発明の第５の実施例に係わるバイアス回路を
示す回路図。

【図７】従来のバイアス回路を示す回路図。

【図８】従来のバイアス回路を示す回路図。

【符号の説明】

１１ …バンドギャップ回路、 １２ …スタ−タ回路、 １３，１４，１４ａ，１４ｂ…カレントミラ−回路、 １５ …出力端子、 Ｑ１〜Ｑ８，Ｑ３１〜Ｑ３４…バイポ−ラトランジス
タ、 Ｑ１１〜Ｑ１ｎ，Ｑ２１〜Ｑ２ｍ，Ｑ４１〜Ｑ４４…電
流源（バイポ−ラトランジスタ）、 Ｒ１〜Ｒ３ …抵抗、 Ｄ１ …ダイオ−ド。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電源電圧の立ち上り時に第１の電流を発
   生するスタ−タ回路と、前記第１の電流又は基準電圧発
   生回路で作られる第２の電流を用いて前記基準電圧発生
   回路に電流を供給する第１の手段と、前記基準電圧発生
   回路で作られる第２の電流を折り返して前記第１の手段
   に供給すると共に前記第２の電流を折り返してスタ−タ
   回路に供給し前記第１の電流を遮断する第２の手段と、
   前記第２の電流の電流値を制御する第３の手段とを具備
   することを特徴とするバイアス回路。
2. 【請求項２】 電源電圧の立ち上り時に第１の電流を発
   生するスタ−タ回路と、前記第１の電流又は基準電圧発
   生回路で作られる第２の電流を用いて前記基準電圧発生
   回路に電流を供給する第１の手段と、前記基準電圧発生
   回路で作られる第２の電流を折り返して前記第１の手段
   に供給する第２の手段と、前記第２の電流の電流値を制
   御する第３の手段と、前記基準電圧発生回路で作られる
   第２の電流を折り返してスタ−タ回路に供給し前記第１
   の電流を遮断する第４の手段とを具備することを特徴と
   するバイアス回路。
3. 【請求項３】 前記スタ−タ回路の出力と前記第２の手
   段との間に接続され、前記スタ−タ回路から前記第２の
   手段へ電流が逆流するのを防止する逆流防止手段をさら
   に有していることを特徴とする請求項１に記載のバイア
   ス回路。
4. 【請求項４】 ベ−スに前記第１の手段の出力電流が入
   力されるバイポ−ラトランジスタをさらに具備し、前記
   バイポ−ラトランジスタは、前記基準電圧発生回路の電
   流源を構成していることを特徴とする請求項１又は２に
   記載のバイアス回路。
5. 【請求項５】 前記第１、第２及び第４の手段の少なく
   とも１つは、温度依存性のない又は小さい定電流を発生
   する複数個の電流源をさらに有していることを特徴とす
   る請求項１又は２に記載のバイアス回路。