JPH07181909A - ダブルスキャン回路 - Google Patents
ダブルスキャン回路Info
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Abstract
提供する。 【構成】 ダブルスキャン回路はnビットの実際ライン
データとnビットの補間ラインデートをそれぞれ2nビ
ットのデータに変換する第1および第2データ変換器
と、実際ラインのデータと補間ラインデータをそれぞれ
貯蔵する第1および第2RAM、第1および第2RAM
のライト/リード制御信号と、ライトアドレスおよびラ
イト速度の2n倍のリードアドレスを発生して第1およ
び第2RAMに提供し、ダブルスキャンのために第1お
よび第2RAMに貯蔵された元のラインデータと補間ラ
インデータをミックシングするためのミックシング制御
信号を発生するメモリ制御回路と、ミックシング制御信
号と実際/補間ライン制御信号に応答して第1および第
2RAMから読み出される2nビットの実際又は補間ラ
インデータを選択してnビットのダブルスキャンデータ
として出力するマルチプレクサとを含む。
Description
し、特にテレビジョン受像機において隣接飛び越し走査
ラインを補間して得られた新しい走査線を原信号ライン
の間に挿入して2倍速でラインをスキャニングするダブ
ルスキャン回路に関するものである。
型化されていく趨勢に合わせて、画面の解像度を高める
ためにダブルスキャン方式が用いられてきている。この
従来のテレビジョン受像機のダブルスキャン方式は、ス
クリーン上の各ドット点(走査線上の各点)に同一の映
像情報を反復走査することにより画面を鮮やかにするも
のである。
一例を図5を参照して以下に説明する。図5は従来の一
般的なダブルスキャン回路の構成を示すブロック図であ
る。ダブルスキャンを行うためには、ライト動作速度の
2倍に当たるリード動作速度が要求される。通常、この
ために用いられる構成要素としてFIFO(First-in F
irst-out)型ラインメモリが使用される。
キャニング時リード速度はライト速度の2倍になるべき
であるが、このためにライト制御回路101とリード制
御回路105の制御により第1および第2FIFOライ
ンメモリ102,103が制御されている。ライト制御
回路101は、ライトクロックのパルスをカウントして
第1および第2FIFOラインメモリ102,103の
ライトアドレス信号を発生する。
端に入力されるクロックをカウントして第1および第2
FIFOメモリ102,103のリードアドレス信号を
発生する。ライト制御回路101から発生するライト開
始パルスおよびライトクロックにより元の実際ラインデ
ータは、第1FIFOラインメモリ102に書き込まれ
る。又、補間ラインデータは第2FIFOラインメモリ
103に書き込まれる。第1および第2FIFOライン
メモリ102,103に書き込まれたデータは、リード
制御回路105の制御により読み出されるようになって
いる。
メモリ102,103に書き込まれたデータをリードす
る際には、ライト制御回路101によるライト制御時と
は異なりリード制御回路105により制御される。リー
ド制御回路105は、ライト制御に比べ2倍速のリード
開始パルスおよびリードクロックを発生して第1および
第2FIFO102,103に提供し、第1FIFO1
02の原ラインデータと第2FIFO103の補間ライ
ンデータを入力された順序通り順次に読み出してマルチ
プレクサ104に出力する。
に入力される選択制御信号CON により第1FIFOライ
ンメモリ102の出力と第2FIFOラインメモリ10
3の出力を交互に選択して選択されたデータをダブルス
キャンデータとして出力する。一方、映像機器に適用す
る際は容易な適用とコスト節減のためにダブルスキャン
回路を一つのチップに集積化するための努力が講じられ
ている。このためにはダブルスキャン回路がVLSI回
路のように集積化しやすい構成でなければならない。
サンプリングにより処理するシステムは米国特許5,1
77,609号に開示されている。また、TVダブルス
キャニング回路においてラインメモリを使用して順次に
ダブル速度で補間信号のカラー又は輝度信号と元のカラ
ー又は輝度信号をスキャニングする回路は米国特許5,
115,312号に開示されている。
示したような従来技術の構成は、FIFO型ラインメモ
リを制御する回路が複雑であり、FIFO型ラインメモ
リをIC化するためには多くの分量のメモリセルが要求
され、VLSI化するに困難であった。本発明の目的
は、前記の課題を解決することのできる回路を提供する
ことである。
を防止するために飛び越し走査信号を補間により得られ
た新しい走査線を原信号ラインの間に挿入して1走査線
ずつ順次にスキャニングするダブルスキャン回路を提供
することである。本発明の又他の目的は、一般RAMを
使用してダブルスキャンを遂行することのできる回路を
提供することである。
段として例えば以下の構成を備える。即ち、実際ライン
データを発生する第1データ発生部と、飛び越し走査信
号からライン補間により補間ラインデータを発生する第
2データ発生部と、1水平ライン周期に前記実際/補間
ラインを区別する制御信号、所定周波数のライトクロッ
クとライトクロック速度の2m倍のリードクロックを発
生する制御部と、前記nビットの実際ラインデータを2
nビットのデータに変換する第1データ変換部と、前記
nビットの補間ラインデータを2n倍のデータに変換す
る第2データ変換部と、前記変換された実際ラインのデ
ータを貯蔵し前記読み出しクロックに応じて貯蔵された
データを読み出す第1メモリと、前記変換された補間デ
ータを貯蔵し、前記読み出しクロックに応じて貯蔵され
たデータを読み出す第2メモリと、前記実際/補間ライ
ン制御信号およびライトクロックに応答して前記第1お
よび第2メモリのライト/リード制御信号と、ライトア
ドレスおよびライト速度の2m倍のリードアドレスを発
生して前記第1および第2メモリに提供し、ダブルスキ
ャンのために第1および第2メモリに貯蔵された元のラ
インデータと補間ラインデータをミックシングするため
のミックシング制御信号を発生するメモリ制御回路と、
前記ミックシング制御信号と前記実際/補間ライン制御
信号により前記2nビットの実際又は補間ラインデータ
を選択して選択された信号をnビットのダブルスキャン
データとして出力するダブルスキャンデータ発生部とを
備えることを特徴とする。
に対して独立的にライト/リード動作を制御せず実際1
補間ラインデータを共通的に制御することにより、回路
を単純化させる。即ち、既存のFIFO型メモリを利用
したダブルスキャン制御回路よりもVLSI化が容易な
ダブルスキャン制御回路が提供できる。また、リードラ
イトメモリを制御する方式においても実際/補間ライン
データに対して独立的にライト/リード動作を制御せず
実際1補間ラインデータを共通的に制御することにより
回路を単純化させることができる。
施例を詳細に説明する。図1は本発明に係る一実施例の
ダブルスキャン回路の構成を示すブロック図である。図
1に示すように、本実施例においては、システムコント
ローラ200の実際/補間ライン制御信号出力端R/I
とライトクロック端WCはメモリ制御回路201に連結
され、メモリ制御回路201の第1アドレス出力端およ
び第1制御信号出力端は第1RAM204に接続され、
メモリ制御回路201の第2アドレス出力端および第2
制御信号出力端は第2RAM205に接続されている。
データ発生器209の出力端に接続され、出力端RDは
第1RAM204に接続される。第2データ変換器20
3の入力端は補間データ発生器210の出力端に接続さ
れ、出力端IDは第2RAM205に接続される。シス
テムコントローラ200のリードクロック端RCは第1
および第2RAM204,205に連結される。
ンデータ発生部206の第1および第2データ入力端I
0,I1は第2RAM205に、第3および第4データ
入力端I2,I3は第1RAM204に、第1選択制御
端S0はメモリ制御回路201のMSB/LSB信号の
出力端に、第2選択制御端S1は遅延器207およびイ
ンバータ208を通じてシステムコントローラ200の
実際/補間ライン制御信号出力端R/Iにそれぞれ接続
され、出力端に2倍速の順次データDout が出力され
る。
に説明する。図1に示すように本実施例のメモリ制御回
路201は、ダブルスキャン用のメモリである第1およ
び第2RAM204,205を制御するためのメモリ制
御信号IRW,RRWおよびアドレス信号IADDR,
RADDRと、マルチプレクサ206の選択を制御する
選択制御信号を発生させるブロックである。このメモリ
制御回路201の詳細構成を図2に示す。尚、メモリ制
御回路201の詳細説明は後述する。
3では、現在入力される元の実際ラインデータ(以下
「実際データ」と略称する。)と補間ラインデータ(以
下「補間データ」という。)に対してそれぞれタイミン
グマージン(メモリ動作タイミングマージン)確保のた
めに既存の8ビットデータを16ビットに変換する。第
1データ変換器202で変換されたデータがメモリ制御
回路201から発生する制御信号RRWおよびアドレス
信号RADDRにより第1RAM204にライトされ、
第1RAM204にライトされたデータが読み出され
る。
タがメモリ制御回路201から発生する制御信号IRW
およびアドレス信号IADDRにより第2RAM205
に書き込まれ、また第2RAM205に書き込まれたさ
れたデータが読み出される。この際、本実施例において
はライト周波数を 7.16MHz(2fsc)としている。しかし
ながら、これはメモリの処理を許容する速度であり、第
1および第2RAM204,205のタイミング上に問
題がない。そしてメモリ制御回路201の制御に従い第
1および第2RAM204,205のリード速度はライ
ト速度の2倍速で進み、ライト周波数の2倍速の 14.3M
Hz(4fsc)で第1および第2RAM204,205から
16ビットデータをリードする。
ングは、ほぼ30nsec以上であり、第1および第2デー
タ変換器202,203でデータ変換を行わずそのまま
入力される8ビットのデータで処理する場合、第1およ
び第2RAM204,205の読み出し速度は8fscとな
る。該8fscに当たるタイミングは30nsecより短いため
RAMが正常的に動作できなくなる。したがって、第1
および第2データ変換器202,203では8ビットの
実際および補間データを16ビットの実際および補間デ
ータに変換して最小限のRAM204,205の動作タ
イミングマージンを確保する。
に入力される実際/補間ライン制御信号は、実際ビデオ
信号1ライン(又は1H)周期に発生し、実際又は補間
データ処理区間を区分する信号である。実際/補間ライ
ン制御信号は、遅延器207およびインバータ208を
通じてマルチプレクサ206の第2選択制御信号に入力
される。 飛び越し走査タイプから元の1H期間のビデ
オ信号を順次走査タイプに変換するためにはマルチプレ
クサ206から1Hの間2ラインのデータを出力してス
キャンすべきである。
選択制御信号とメモリ制御回路201のMSB/LSB
端から出力される信号を第1選択制御信号として受け取
り、第1および第2RAM204,205から読み出さ
れる16ビットデータを8ビットデータに変換した後望
むダブルスキャン用のデータを出力する。次に、メモリ
制御回路201の具体回路図である図2を参照して本実
施例の図1に示すメモリ制御回路201の詳細を説明す
る。
プ211の入力端Dは、実際/補間ライン制御信号入力
端R/Iに接続され、出力端Qは第2Dフリップフロッ
プ212の入力端D、エクスクルーシブノアゲート21
3とナンドゲート216の第1入力端にそれぞれ接続さ
れる。ライトクロック端WCは、第1および第2Dフリ
ップフロップ211,212のクロック端、インバータ
214の入力端、第1および第2カウンタ217,22
0のクロック端、第1および第2アンドゲート218,
219の第1入力端に接続される。
リップフロップ212の出力端Qに接続され、出力端は
第2カウンタ220のロード制御信号入力端LDに接続
される。ナンドゲート216の第2入力端は第2Dフリ
ップフロップ212の反転出力端/Qに接続され、出力
端は第1カウンタ217のロード制御信号入力端LDに
接続される。
力端Dは、第1Dフリップフロップ211の出力端Q
に、クロック端はインバータ214の出力端に、出力端
Qは第2アンドゲート219の第2入力端に、反転出力
端/Qは第1アンドゲート218の第2入力端にそれぞ
れ接続される。第1カウンタ217のデータ入力端Dは
接地され、出力端Qは第1および第2マルチプレクサ2
21,222の第1選択入力端I0に接続される。第2
カウンタ220のデータ入力端Dは接地され、出力端Q
は第1および第2マルチプレクサ221,222の第2
選択入力端I1に接続される。
は第1アンドゲート218の出力端に接続され、出力端
Yは第1RAM204のアドレス入力端Aに接続され
る。第2マルチプレクサ222の選択制御端Sは第2ア
ンドゲート219の出力端に接続され、出力端Yは第2
RAM205のアドレス入力端Aに接続される。オアゲ
ート223の第1および第2入力端は第1および第2ア
ンドゲート218,219の出力端にそれぞれ接続さ
れ、出力端MSB/LSBは図2に示したマルチプレク
サ206の第1選択制御端S0に接続される。
に示した第1データ変換器202の出力端RDに、アド
レス入力端Aは第2マルチプレクサ222の出力端Y
に、ライトイネーブル信号入力端WEは第1アンドゲー
ト218の出力端に、チップイネーブル信号入力端CE
はリードクロック端RCにそれぞれ接続される。第2R
AM205のデータ入力端Dは図1に示した第2データ
変換器203の出力端IDに、ライトイネーブル信号入
力端WEは第2アンドゲート219の出力端に、アドレ
ス入力端Aは第1マルチプレクサ221の出力端Yに、
チップイネーブル信号入力端CEはリードクロック端R
Cにそれぞれ接続される。
を図1及び図3、図4を参照して以下に説明する。図2
で実際/補間ライン制御信号入力端R/Iに入力される
実際/補間ライン制御信号は図3のAに示した通りであ
る。第1Dフリップフロップ211は、ライトクロック
端WCに入力される図3のBに示すクロック信号に応じ
て実際/補間ライン制御信号(図3のA)をラッチし、
ラッチされた信号をエクスクルーシブノアゲート21
3、ナンドゲート216、第2および第3Dフリップフ
ロップ212,215に夫々出力する。
第1Dフリップフロップ211の出力と共に第2Dフリ
ップフロップ212の出力(図3のC)が入力されてお
り、図3のDに示す信号LDRを第2カウンタ220の
ロード制御信号入力端LDに出力する。該LDR信号
(図3のD)はR/I端に入力される実際/補間ライン
制御信号(図3のA)の遷移期間(Rise/Fall)毎にリ
セットされる。すなわち、ビデオ区間の1/2水平ライ
ン 0.5H毎にリセットされる。
0は、図2に示したロード制御信号LDRに応じて図3
のBに示したライトクロック端WCのクロック信号をカ
ウントして図3のEに示したように最大512を示すこ
とのできる9ビットのリードアドレスカウンティングデ
ータRCNTを発生する。ナンドゲート216の入力端
には、第2Dフリップフロップ212の反転出力(図3
のF)と第1Dフリップフロップ211の出力が入力さ
れており、図3のGに示したような信号を出力する。該
信号(図3のG)は第1カウンタ217のロード制御信
号LDWとなり水平ライン1H毎にリセットされる。
イトアドレス発生用の第1カウンタ217は10ビット
のうち上位9ビットをライトアドレスとして活用する。
第1カウンタ217は図3のGに示したロード制御信号
LDWに応じてライトクロック端WCの図3のBに示し
たクロックをカウントして図3のHに示したようなライ
トアドレスカウンティングデータWCNTを発生する。
1Dフリップフロップ211でラッチされた実際/補間
ライン制御信号をインバータ214で反転した図3のI
に示すライトクロック信号の反転信号によりラッチす
る。第2アンドゲート219で第3Dフリップフロップ
215の出力(図3のJ)と図3のBに示したライトク
ロックを論理積して図3のKに示したような信号を第2
マルチプレクサ222の選択制御端Sおよび第2RAM
205のライトイネーブル信号入力端WEに出力する。
フリップフロップ215の反転出力(図4のM)と図3
のBに示したライトクロックを論理積して図4のNに示
したような信号を第1マルチプレクサ221の選択制御
端Sおよび第1RAM204のライトイネーブル信号入
力端WEに出力する。したがって、第2アンドゲート2
19は、実際/補間ライン制御信号(図3のA)の“ハ
イ”期間にのみパルス(図3のK)を発生して第2マル
チプレクサ222の選択端Sに供給し、第1アンドゲー
ト218は実際/補間ライン制御信号(図3のA)の
“ロー”期間にのみパルス(図4のN)を発生して第1
マルチプレクサ221の選択端Sに供給する。また、第
1および第2アンドゲート218,219の出力がライ
トイネーブル信号として第1および第2RAM204,
205にそれぞれ供給される。
22は、第1および第2アンドゲート218,219か
ら発生される選択制御信号RRW,IRWに応じて第1
および第2カウンタ217,220から派生するリード
およびライトアドレスを選択して第1および第2RAM
204,205に提供する。この際、第1および第2R
AM204,205にそれぞれ書き込まれるデータはそ
れぞれ図1に示した第1および第2データ変換器20
2,203で変換された実際データおよび補間データで
ある。
力される補間データを第2RAM205に書き込みおよ
び読み出しをする場合は、実際/補間ライン制御信号
(図3のA)の“ハイ”区間である。この際、“ハイ”
状態の第2アンドゲート219の出力(図3のK)が第
2マルチプレクサ222の選択制御端Sおよび第2RA
M205のライトイネーブル信号入力端WEBに入力さ
れれば、第2RAM205のライトイネーブル信号入力
端WEBはディスエーブルされ、第2マルチプレクサ2
22には第2選択入力端I1に入力される図3のLに示
したような第2カウンタ220のリードアドレスデータ
R0 〜R2n-1を選択して第2RAM205に提供され、
第2RAM205に記憶されている出力データが読み出
される。
出力(図3のK)が第2マルチプレクサ222の選択制
御端Sおよび第2RAM205のライトイネーブル信号
入力端WEBに入力されれば、図3のLに示したような
第1カウンタ217のライトアドレスデータW0 〜W2n
-1を選択して第2RAM205に提供すれば第2RAM
205はライト動作を遂行する。
選択入力端I0および第2選択入力端I1に入力される
ライトおよびリードアドレスを選択し第2RAM205
に提供すれば、第2RAM205では補間データが順に
ライト又はリードされる。第1データ変換器202から
出力される実際データを第1RAM204に書き込みお
よび読み出しをする場合実際/補間ライン制御信号(図
3のA)は“ロー”である。
ト217の出力(図4のN)が第1マルチプレクサ22
1の選択制御端Sおよび第1RAM204のライトイネ
ーブル信号入力端WEBに入力されれば、第1RAM2
04のライトイネーブル信号入力端WEBはディスエー
ブルされる。このため、第1マルチプレクサ221には
第2選択入力端I1に入力される図5のOに示したよう
な第2カウンタ220のリードアドレスデータR0 ,R
1 ,R2 ,…,R2n-1を選択して第1RAM204に提
供すれば、第1RAM204は読み出し動作を遂行す
る。
18の出力(図4のN)が第1マルチプレクサ221の
選択制御端Sおよび第1RAM204のライトイネーブ
ル信号入力端WEに入力された時に、第1マルチプレク
サ221より図4のOに示したような第1選択入力端I
0に入力される第1カウンタ217のライトアドレスデ
ータWn 〜W2n-1を選択して第1RAM204に提供す
れば、第1RAM204は書き込み動作を遂行する。よ
って、第1マルチプレクサ221から選択されたライト
/リードアドレスにより第1RAM204では実際デー
タが順にライト又リードされる。
ドレスは、図3のLに示した通りであり、第1RAM2
04に入力されるアドレスは、図4のOに示した通りで
あり、第2RAM205の場合実際/補間ライン制御信
号(図3のA)が“ハイ”区間の間にはリード/ライト
が混じって進むが、“ロー”区間ではライトのみを進
め、反対に第1RAM204の場合実際/補間ライン制
御信号(図3のA)が“ハイ”区間の間にはライトを遂
行し、“ロー”区間ではリード/ライトが混じって進
む。
1,222から選択され出力される補間データ用のリー
ド/ライトアドレスと実際データ用のリード/ライトア
ドレスを入力する第1および第2RAM204,205
でのリードアドレス入力によるリード動作は、第1およ
び第2RAM204,205のチップイネーブル信号入
力端CEに入力される図4のPに示したようなリードク
ロック端RCのクロックにより制御される。
05のチップイネーブル信号入力端CEに入力されるリ
ードクロック(図4のP)はライトクロック(図3の
B)より周期が速いものを使用してある。第1および第
2RAM204,205は、ライトイネーブル信号入力
端WEBに入力される図3のKおよび図4のNに示した
ライトイネーブル信号IRW,RRWが“ロー”状態を
1/2H期間保ちながら一番目の“ハイ”状態の時にメ
モリチップイネーブル信号入力端CEに入力されるリー
ドクロック(図4のP)の立ち下がりエッジと同期して
実際データ又補間データを読み出す。
4のQに示したタイミングとなり、第1RAM204の
出力は図4のRに示したタイミングとなり、これらの第
1および第2RAM204,205の出力が図1に示し
たマルチプレクサ206に入力される。オアゲート22
3は、第1および第2アンドゲート218,219の各
クロック出力を論理和して図4のSに示したような信号
を生成し、マルチプレクサ206の第1選択制御端S0
に入力させる。該オアゲート223の出力(図4のS)
は第1および第2RAM204,205から読み出され
るデータの上位8ビットと下位8ビットとを分割するに
用いられる。
は、図1に示した遅延器207で遅延させインバータ2
08でインバーティングした信号(図4のT)をマルチ
プレクサ206の第2選択制御端S1に入力させる。マ
ルチプレクサ206では第1および第2選択制御端S
0,S1に入力される選択制御信号の状態に応じて選択
する。更に詳細には、図4のTに示した第2選択制御信
号が“ロー”期間では補間データが選択され、選択され
た補間データは図4のSに示した第1選択制御信号によ
り第1および第2選択入力端I0,I1の入力を交代に
選択し、図4のTに示した第2選択制御信号が“ハイ”
区間では実際データが選択され、選択された実際データ
は図4のSに示した第1選択制御信号により第3および
第4選択入力端I2,I3の入力を交代に選択する。そ
の結果として図4のUに示したような8ビットダブルス
キャンデータを発生する。すなわち実際データRDT区
間と補間データIDT区間が区分されることが分かる。
Hzクロックで910個の画素が走査できるため、実際8
ビットのデータは910個ほどのアドレス領域が必要で
ある。メモリ(ここでは第1および第2RAM204,
205)のリード/ライトタイミングの制約上8ビット
を16ビットに変換するため、前述した第1および第2
RAMの必要なアドレス領域は455個であり、ライト
/リードアドレスは9ビットに設定する。第1および第
2RAM204,205の容量は455×16で具現で
きる。
く、大型TV、液晶ディスプレイ機器のためのモニター
などに応用可能である。
存のFIFO型メモリを利用したダブルスキャン制御回
路よりもVLSI化が容易なダブルスキャン制御回路が
提供できる。また、リードライトメモリを制御する方式
においても実際/補間ラインデータに対して独立的にラ
イト/リード動作を制御せず実際1補間ラインデータを
共通的に制御することにより回路を単純化させることが
できる。更に、本発明は要求されるメモリを普通の1/
2に縮小してパワーモードが減らせるように設計するこ
とによりASIC化時容易にワンチップ化できる。
よる回路図である。
る。
図である。
図である。
る。
Claims (10)
- 【請求項1】 実際ラインデータを発生する第1データ
発生手段と、 飛び越し走査信号からライン補間により補間ラインデー
タを発生する第2データ発生手段と、 1水平ライン周期に前記実際/補間ラインを区別する制
御信号及び所定周波数のライトクロックとライトクロッ
ク速度の2m(但しmは整数)倍のリードクロックを発
生する制御手段と、 前記nビットの実際ラインデータを2nビットのデータ
に変換する第1データ変換手段と、 前記nビットの補間ラインデータを2nビットのデータ
に変換する第2データ変換手段と、 前記変換された実際ラインのデータを貯蔵し前記リード
クロックにより貯蔵されたデータを読み出す第1メモリ
手段と、 前記変換された補間データを貯蔵し、前記読み出しクロ
ックにより貯蔵されたデータを読み出す第2メモリ手段
と、 前記実際/補間ライン制御信号およびライトクロックに
応答して前記第1および第2メモリ手段のライト/リー
ド制御信号と、ライトアドレスおよびライト速度の2m
倍のリードアドレスを発生して前記第1および第2メモ
リ手段に提供し、ダブルスキャンのために第1および第
2メモリ手段に貯蔵された元のラインデータと補間ライ
ンデータをミックシングするためのミックシング制御信
号を発生するメモリ制御手段と、 前記ミックシング制御信号と前記実際/補間ライン制御
信号により前記2nビットの実際又は補間ラインデータ
を選択して選択された信号をnビットのダブルスキャン
データとして出力するダブルスキャンデータ発生手段と
を含むことを特徴とするダブルスキャン回路。 - 【請求項2】前記第1および第2メモリはRAMで構成
されたことを特徴とする請求項1項記載のダブルスキャ
ン回路。 - 【請求項3】前記メモリ制御手段は、 前記実際/補間ライン制御信号を入力して実際/補間ラ
インデータ処理モード区間を示す第1制御信号と、1水
平ライン周期の第2制御信号および1/2水平ライン周
期の第3制御信号を発生する第1制御信号発生手段と、 前記第2制御信号によりライトアドレス信号を発生する
ライトアドレス信号発生手段と、 前記第3制御信号により前記ライトアドレスの速度より
2倍の速度を有するリードアドレス信号を発生するリー
ドアドレス発生手段と、 前記第1制御信号により実際ラインデータ処理区間を示
すパルス信号を第1選択制御信号と前記第1メモリ手段
のライト/リード制御信号として出力し、前記第3制御
信号に応答して補間ラインデータ処理区間を示すパルス
信号を第2選択制御信号と前記第2メモリ手段のライト
/リード制御信号として出力する第2制御信号発生手段
と、 前記第1および第2選択制御信号により前記ライトおよ
びリードアドレス発生手段から発生するライトおよびリ
ードアドレスデータを選択して前記第1および第2メモ
リ手段に提供する選択手段と、 前記第1および第2選択制御信号を利用して前記ダブル
スキャンデータ発生手段から2nビットのデータを上位
nビット、下位nビットのデータに分離してミックシン
グさせる前記ミックシング制御信号を発生するミックシ
ング制御信号発生手段とを含むことを特徴とする請求項
1項記載のダブルスキャン回路。 - 【請求項4】前記第1制御信号発生手段は、実際/補間
ライン制御信号をライトクロックに同期されるようにラ
ッチして実際/補間ラインデータ処理区間を示す前記第
1制御信号を出力する第1ラッチ手段と、 前記第1ラッチ手段の出力を利用して1水平ライン周期
の制御信号を前記ライトアドレス発生手段に供給する第
1ロード制御信号発生手段と、 前記第1ラッチ手段の出力を利用して1/2水平ライン
周期の第3制御信号を前記リードアドレス発生手段に供
給する第2ロード制御信号発生手段とを含むことを特徴
とする請求項3項記載のダブルスキャン回路。 - 【請求項5】前記第2制御信号発生手段は、 前記ライトクロックをインバーティングするインバータ
と、 前記インバータの出力により前記第3制御信号をラッチ
し前記第2制御信号発生手段に提供する第2ラッチ手段
と、 前記リードクロックと前記第2ラッチ手段の出力を論理
積して前記第1選択手段の第1選択制御信号と第1メモ
リ手段のライト/リード制御信号として出力する第1論
理素子と、 前記リードクロックと前記第2ラッチ手段の反転出力を
論理積して前記第2選択手段の第2選択制御信号と第2
メモリ手段のライト/リード制御信号として出力する第
2論理素子とを含むことを特徴とする請求項4項記載の
ダブルスキャン回路。 - 【請求項6】前記ライトおよびリードアドレス発生手段
は、実際/補間ラインデータ処理モードにかかわらず前
記第1および第2メモリ手段のリードおよびライトアド
レスを発生することを特徴とする請求項3項記載のダブ
ルスキャン回路。 - 【請求項7】実際/補間ライン制御信号が第1論理状態
にある時は前記第2メモリ手段がライトクロックに応じ
てリード/ライトを交代に進めるが、第2論理状態では
ライトのみを遂行し、反対に第1メモリ手段は実際/補
間ライン制御信号が第1論理状態にある時はライトクロ
ックに応じてライトを遂行し、第2論理状態ではリード
/ライトを交代に進めることを特徴とする請求項3項記
載のダブルスキャン回路。 - 【請求項8】nビットの実際ラインデータを2nビット
の実際ラインデータに変換する第1データ変換器と、 ライン補間により得られたnビットの補間ラインデータ
を2nビットの補間ラインデータに変換する第2データ
変換器と、 補間ラインデータを貯蔵する実際ラインデータを貯蔵す
る第2RAMと、 ライトアドレスを発生する第1カウンタと、 ライト速度の所定倍速のリードアドレスを発生する第2
カウンタと、 前記第1および第2カウンタからそれぞれ発生するライ
トおよびリードアドレスを1H期間中、1/2H期間の
間実際データ処理区間を示し、残りの1/2H期間の間
補間データ処理区間を示す制御信号に応答し前記第1お
よび第2RAMに提供するアドレス供給制御手段と、 前記第1および第2RAMから読み出される2nビット
の補間又は現在ラインデータを選択してnビットのダブ
ルスキャンデータとして出力する出力手段とを含むこと
を特徴とするダブルスキャン回路。 - 【請求項9】前記第1および第2カウンタは、実際/補
間ラインデータ処理モードにかまわず前記第1および第
2RAMのリードおよびライトアドレスを発生すること
を特徴とする請求項8項記載のダブルスキャン回路。 - 【請求項10】前記アドレス供給制御手段では、前記制
御信号が第1論理状態で前記第2RAMはライトクロッ
クによりリード/ライトが交代に進み、第2論理状態で
はライトのみを遂行するように前記ライト/リードアド
レスを供給制御し、反対に第1RAMは前記制御信号が
第1論理状態では前記第1RAMがライトクロックに応
じてライトを遂行し、前記制御信号が第2論理状態では
前記第1RAMがライトクロックに応じてライトを遂行
し、前記制御信号が第2論理状態では前記第1RAMが
リード/ライトを交代に進むように前記ライト/リード
アドレスを供給制御することを特徴とする請求項8項記
載のダブルスキャン回路。
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