JPH0717775A - セラミックスとシリコン板との接合方法 - Google Patents
セラミックスとシリコン板との接合方法Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミックスと、ＩＣやＬＳＩなどのシリコ
ン板とを簡便に、しかも高強度に接合すること。 【構成】 炭化珪素セラミックス表面に、先ずスパッタ
リング法により膜厚５００〜３０００Åのシリコン被膜
を形成し、その面上に１μｍ以上の厚みを有する金箔を
介してシリコン板を重ね、非酸化性雰囲気中において５
３０〜７００℃で加熱処理することにより、両者を接合
する方法とした。
ン板とを簡便に、しかも高強度に接合すること。 【構成】 炭化珪素セラミックス表面に、先ずスパッタ
リング法により膜厚５００〜３０００Åのシリコン被膜
を形成し、その面上に１μｍ以上の厚みを有する金箔を
介してシリコン板を重ね、非酸化性雰囲気中において５
３０〜７００℃で加熱処理することにより、両者を接合
する方法とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックスとシリコ
ン板との接合方法に関し、特に熱伝導性の良好な炭化珪
素セラミックスと、シリコン板との接合方法に関する。
ン板との接合方法に関し、特に熱伝導性の良好な炭化珪
素セラミックスと、シリコン板との接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】炭化珪素セラミックスは、
熱伝導性、及び電気絶縁性が良好で、しかも熱膨張係数
がシリコン単結晶のそれに近い特性を有し、また機械的
強度をも兼ね備えていることから、ＩＣやＬＳＩなどの
半導体素子の搭載基板としての適用が進められている。
熱伝導性、及び電気絶縁性が良好で、しかも熱膨張係数
がシリコン単結晶のそれに近い特性を有し、また機械的
強度をも兼ね備えていることから、ＩＣやＬＳＩなどの
半導体素子の搭載基板としての適用が進められている。
【０００３】ここで、従来の炭化珪素セラミックスと、
ＩＣやＬＳＩなどのシリコン板との接合は、有機樹脂に
よる接着、或いは炭化珪素セラミックスにメタライズを
施し、該メタライズ面とシリコン板とをロウで接合する
方法等が採られていた。
ＩＣやＬＳＩなどのシリコン板との接合は、有機樹脂に
よる接着、或いは炭化珪素セラミックスにメタライズを
施し、該メタライズ面とシリコン板とをロウで接合する
方法等が採られていた。
【０００４】しかしながら、先ず前者として記載した有
機樹脂を用いる方法にあっては、簡便に両者を接合し得
る方法ではあるものの、その得られた接合体は耐熱性に
乏しく、例えば耐熱性に優れていると言われるイミド系
樹脂を用いた場合においても、その実用上の耐熱温度は
精々３００℃が限度であり、例えば５００℃以上の高温
環境下においても耐え得る接合を期待できる方法ではな
かった。
機樹脂を用いる方法にあっては、簡便に両者を接合し得
る方法ではあるものの、その得られた接合体は耐熱性に
乏しく、例えば耐熱性に優れていると言われるイミド系
樹脂を用いた場合においても、その実用上の耐熱温度は
精々３００℃が限度であり、例えば５００℃以上の高温
環境下においても耐え得る接合を期待できる方法ではな
かった。
【０００５】また、後者のセラミックス表面にメタライ
ズを施す方法にあっては、耐熱性を有する接合が期待で
きるものの、セラミックス表面にクロムやタングステン
等でメタライズを施す工程自体が長く、また煩雑である
ことから広くは実用化されていなかった。
ズを施す方法にあっては、耐熱性を有する接合が期待で
きるものの、セラミックス表面にクロムやタングステン
等でメタライズを施す工程自体が長く、また煩雑である
ことから広くは実用化されていなかった。
【０００６】本発明は、上述した従来のセラミックスと
シリコン板との接合方法が有する課題に鑑みなされたも
のであって、その目的は、例えば炭化珪素のようなセラ
ミックスと、ＩＣやＬＳＩなどのシリコン板とを簡便
に、しかも高温環境下においても耐え得る高強度な接合
が可能なセラミックスとシリコン板との接合方法を提供
することにある。
シリコン板との接合方法が有する課題に鑑みなされたも
のであって、その目的は、例えば炭化珪素のようなセラ
ミックスと、ＩＣやＬＳＩなどのシリコン板とを簡便
に、しかも高温環境下においても耐え得る高強度な接合
が可能なセラミックスとシリコン板との接合方法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、セラミックス表面に先ずシリコン被膜を形
成し、その面上に金箔を介してシリコン板を高温度で接
合するセラミックスとシリコン板との接合方法とした。
成するため、セラミックス表面に先ずシリコン被膜を形
成し、その面上に金箔を介してシリコン板を高温度で接
合するセラミックスとシリコン板との接合方法とした。
【０００８】ここで、上記したセラミックスとしては、
炭化珪素セラミックスであることが望ましい。これは、
炭化珪素セラミックスは熱伝導性、及び電気絶縁性が良
好で、しかも熱膨張係数がシリコン単結晶のそれに近い
特性を有し、また機械的強度をも兼ね備えているため、
ＩＣやＬＳＩ等のシリコン板の搭載に最適な材料である
ためである。
炭化珪素セラミックスであることが望ましい。これは、
炭化珪素セラミックスは熱伝導性、及び電気絶縁性が良
好で、しかも熱膨張係数がシリコン単結晶のそれに近い
特性を有し、また機械的強度をも兼ね備えているため、
ＩＣやＬＳＩ等のシリコン板の搭載に最適な材料である
ためである。
【０００９】また、上記セラミックス表面に形成された
シリコン被膜は、スパッタリング法により形成された膜
厚５００〜３０００Åのシリコン被膜とすることが望ま
しい。これは、シリコンを、上記スパッタリング法以外
の例えば真空蒸着法でセラミックス表面に付着させたも
のは、その付着強度が弱く後工程で剥離する憂いがある
ためである。また形成したシリコン被膜の膜厚が、５０
０Åに満たないものである場合には、やはりセラミック
ス表面への付着強度が弱く後工程で剥がれてしまい、逆
に３０００Åを越える膜厚のシリコン被膜を形成する
と、その成膜工程中に該シリコン被膜が剥がれてしまう
ことがあるためである。
シリコン被膜は、スパッタリング法により形成された膜
厚５００〜３０００Åのシリコン被膜とすることが望ま
しい。これは、シリコンを、上記スパッタリング法以外
の例えば真空蒸着法でセラミックス表面に付着させたも
のは、その付着強度が弱く後工程で剥離する憂いがある
ためである。また形成したシリコン被膜の膜厚が、５０
０Åに満たないものである場合には、やはりセラミック
ス表面への付着強度が弱く後工程で剥がれてしまい、逆
に３０００Åを越える膜厚のシリコン被膜を形成する
と、その成膜工程中に該シリコン被膜が剥がれてしまう
ことがあるためである。
【００１０】さらに、上記接合に使用される金箔の厚み
としては、１μｍ以上の厚みを有していることが望まし
い。これは、熱膨張係数がシリコン単結晶のそれに近い
炭化珪素セラミックスであっても、その熱膨張係数には
差異（炭化珪素：４．６×１０-6／℃、シリコン：４．
０×１０-6／℃）があり、１μｍに満たない金箔の厚み
では、上記熱膨張係数の差異に基づく炭化珪素とシリコ
ン板との熱膨張差を緩衝しきれず、接合強度が低下する
ためである。
としては、１μｍ以上の厚みを有していることが望まし
い。これは、熱膨張係数がシリコン単結晶のそれに近い
炭化珪素セラミックスであっても、その熱膨張係数には
差異（炭化珪素：４．６×１０-6／℃、シリコン：４．
０×１０-6／℃）があり、１μｍに満たない金箔の厚み
では、上記熱膨張係数の差異に基づく炭化珪素とシリコ
ン板との熱膨張差を緩衝しきれず、接合強度が低下する
ためである。
【００１１】さらにまた、上記セラミックスとシリコン
板との接合は、シリコンが酸化しない条件、即ち真空
中、窒素，アルゴン等の不活性ガス中、或いは水素等の
還元ガス中のように非酸化性雰囲気において、５３０〜
７００℃で行われることが望ましい。これは、５３０℃
に満たない接合温度では、セラミックスとシリコン板と
の間に高温環境下においても耐え得る十分な接合強度が
得られないためであり、また７００℃を越えて加熱する
と、シリコンが熱分解してしまい、電子部品としての役
に立たなくなるためである。
板との接合は、シリコンが酸化しない条件、即ち真空
中、窒素，アルゴン等の不活性ガス中、或いは水素等の
還元ガス中のように非酸化性雰囲気において、５３０〜
７００℃で行われることが望ましい。これは、５３０℃
に満たない接合温度では、セラミックスとシリコン板と
の間に高温環境下においても耐え得る十分な接合強度が
得られないためであり、また７００℃を越えて加熱する
と、シリコンが熱分解してしまい、電子部品としての役
に立たなくなるためである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに挙
げ、本発明をより詳細に説明する。
げ、本発明をより詳細に説明する。
【００１３】−実施例１〜１４− １０ｍｍ角で、厚さ３ｍｍの炭化珪素セラミックス
〔（株）日本セラテック社製〕の表面に、５×１０-3To
rrのアルゴン雰囲気中において、スパッタリング法によ
り膜厚５００、１０００、或いは３０００Åのシリコン
被膜を形成した。
〔（株）日本セラテック社製〕の表面に、５×１０-3To
rrのアルゴン雰囲気中において、スパッタリング法によ
り膜厚５００、１０００、或いは３０００Åのシリコン
被膜を形成した。
【００１４】次に、上記シリコン被膜が形成された炭化
珪素セラミックスの面上に、膜厚が１、２、５、１０、
或いは２０μｍの金箔を介して、５ｍｍ角の接合面と、
引っ張り治具の取付け部とを有するシリコン板を、その
５ｍｍ角の接合面において重ね合わせ、水素の還元ガス
中、窒素，アルゴンの不活性ガス中、或いは真空中とい
った非酸化性雰囲気中において、５３０、６００、６５
０、或いは７００℃で加熱することにより、上記炭化珪
素セラミックスとシリコン板とを接合した。
珪素セラミックスの面上に、膜厚が１、２、５、１０、
或いは２０μｍの金箔を介して、５ｍｍ角の接合面と、
引っ張り治具の取付け部とを有するシリコン板を、その
５ｍｍ角の接合面において重ね合わせ、水素の還元ガス
中、窒素，アルゴンの不活性ガス中、或いは真空中とい
った非酸化性雰囲気中において、５３０、６００、６５
０、或いは７００℃で加熱することにより、上記炭化珪
素セラミックスとシリコン板とを接合した。
【００１５】得られた接合体を、５００℃に加熱した状
態で接合面に対して垂直方向に引っ張り、炭化珪素セラ
ミックスとシリコン板との付着強度を測定した。その測
定結果を表１に示す。
態で接合面に対して垂直方向に引っ張り、炭化珪素セラ
ミックスとシリコン板との付着強度を測定した。その測
定結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】−比較例１〜９− 比較のため、上記シリコン被膜の形成を、５×１０-6To
rrの真空雰囲気中において、電子ビーム蒸着により１０
００Åのシリコン被膜としたもの（比較例１）、またス
パッタリング法により形成するシリコン被膜の膜厚を、
５００〜３０００Å以外の３００、或いは３５００Åの
被膜としたもの（比較例２，３）、さらには、上記接合
に使用される金箔の厚みを、１μｍに満たない０．８μ
ｍの金箔としたもの（比較例４）、また接合温度を、５
３０〜７００℃以外の３８０、４３０、４８０、或いは
７５０℃にして行ったもの（比較例５〜８）、さらに、
接合雰囲気が、酸化性雰囲気である大気中で成されたも
の（比較例９）について、各々他の接合条件を表２に示
す条件で炭化珪素セラミックスとシリコン板とを接合し
た。
rrの真空雰囲気中において、電子ビーム蒸着により１０
００Åのシリコン被膜としたもの（比較例１）、またス
パッタリング法により形成するシリコン被膜の膜厚を、
５００〜３０００Å以外の３００、或いは３５００Åの
被膜としたもの（比較例２，３）、さらには、上記接合
に使用される金箔の厚みを、１μｍに満たない０．８μ
ｍの金箔としたもの（比較例４）、また接合温度を、５
３０〜７００℃以外の３８０、４３０、４８０、或いは
７５０℃にして行ったもの（比較例５〜８）、さらに、
接合雰囲気が、酸化性雰囲気である大気中で成されたも
の（比較例９）について、各々他の接合条件を表２に示
す条件で炭化珪素セラミックスとシリコン板とを接合し
た。
【００１８】得られた接合体を、上記実施例と同様に５
００℃に加熱した状態で接合面に対して垂直方向に引っ
張り、炭化珪素セラミックスとシリコン板との付着強度
を測定した。その測定結果を表２に示す。
００℃に加熱した状態で接合面に対して垂直方向に引っ
張り、炭化珪素セラミックスとシリコン板との付着強度
を測定した。その測定結果を表２に示す。
【００１９】
【表２】
【００２０】表１及び表２より、本発明に規定する条件
で接合された炭化珪素セラミックスとシリコン板とは、
高温環境下においても３０ＭＰａ以上の実用強度を示す
が、シリコン被膜の形成方法、形成されたシリコン被膜
の膜厚、接合に使用される金箔の厚み、或いは接合温
度、接合雰囲気が規定する条件から外れて成された接合
体は、高温環境下における付着強度が弱いことがわか
る。
で接合された炭化珪素セラミックスとシリコン板とは、
高温環境下においても３０ＭＰａ以上の実用強度を示す
が、シリコン被膜の形成方法、形成されたシリコン被膜
の膜厚、接合に使用される金箔の厚み、或いは接合温
度、接合雰囲気が規定する条件から外れて成された接合
体は、高温環境下における付着強度が弱いことがわか
る。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明した本発明にかかるセラミッ
クスとシリコン板との接合方法によれば、例えば炭化珪
素のようなセラミックスと、ＩＣやＬＳＩなどのシリコ
ン板とを簡便に、しかも高温環境下においても十分耐え
得る高強度な接合が可能となる。
クスとシリコン板との接合方法によれば、例えば炭化珪
素のようなセラミックスと、ＩＣやＬＳＩなどのシリコ
ン板とを簡便に、しかも高温環境下においても十分耐え
得る高強度な接合が可能となる。
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミックス表面に先ずシリコン被膜を
形成し、その面上に金箔を介してシリコン板を高温度で
接合することを特徴とする、セラミックスとシリコン板
との接合方法。 - 【請求項２】 上記セラミックスが、炭化珪素セラミッ
クスであることを特徴とする、請求項１記載のセラミッ
クスとシリコン板との接合方法。 - 【請求項３】 上記セラミックス表面に形成されたシリ
コン被膜が、スパッタリング法により形成された膜厚５
００〜３０００Åのシリコン被膜であることを特徴とす
る、請求項１又は２記載のセラミックスとシリコン板と
の接合方法。 - 【請求項４】 上記接合に使用される金箔の厚みが、１
μｍ以上であることを特徴とする、請求項１、２又は３
記載のセラミックスとシリコン板との接合方法。 - 【請求項５】 上記セラミックスとシリコン板との接合
が、非酸化性雰囲気において５３０〜７００℃で行われ
ることを特徴とする、請求項１、２、３又は４記載のセ
ラミックスとシリコン板との接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18722393A JP3293964B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | セラミックスとシリコン板との接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18722393A JP3293964B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | セラミックスとシリコン板との接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0717775A true JPH0717775A (ja) | 1995-01-20 |
| JP3293964B2 JP3293964B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=16202226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18722393A Expired - Fee Related JP3293964B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | セラミックスとシリコン板との接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3293964B2 (ja) |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18722393A patent/JP3293964B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3293964B2 (ja) | 2002-06-17 |
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