JPS58176189A - 珪素の窒化物および炭化物焼結体表面の金属化法 - Google Patents
珪素の窒化物および炭化物焼結体表面の金属化法Info
- Publication number
- JPS58176189A JPS58176189A JP6012882A JP6012882A JPS58176189A JP S58176189 A JPS58176189 A JP S58176189A JP 6012882 A JP6012882 A JP 6012882A JP 6012882 A JP6012882 A JP 6012882A JP S58176189 A JPS58176189 A JP S58176189A
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- silicon
- silicon nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
珪素の窒化物、窒化珪素および同じく珪素の炭化物、炭
化珪素(以下、窒化珪素および炭化珪素という)O焼結
体は共に熱衝撃強度、高温時の機械的強度等の耐熱諸轡
性に優れ、化学的にも高い安定性を示し、しかも優れた
耐摩耗性を具えている処から高温用の機械部材、特に最
近においては格段と高い熱衝撃強[Kよって内燃機−O
各部材として高アル建す質セラミックスに代って注目さ
れるようになつ九が、例えば−ツカーアームの一動部の
チップとして用いる場合のように金属O如111Ik種
材料と強固に接合する金属化面の生成Kallあった。
化珪素(以下、窒化珪素および炭化珪素という)O焼結
体は共に熱衝撃強度、高温時の機械的強度等の耐熱諸轡
性に優れ、化学的にも高い安定性を示し、しかも優れた
耐摩耗性を具えている処から高温用の機械部材、特に最
近においては格段と高い熱衝撃強[Kよって内燃機−O
各部材として高アル建す質セラミックスに代って注目さ
れるようになつ九が、例えば−ツカーアームの一動部の
チップとして用いる場合のように金属O如111Ik種
材料と強固に接合する金属化面の生成Kallあった。
ζOIl由は、窒化珪素焼結体および炭化珪素焼結体い
ずれもが有する約偽1x104/C以下の熱膨張係数が
、異種材料の1膨張係数、例えば鋼材0 / I x
/ 0−@/Cと大龜く間隔し、同じセラミックスであ
る高アル々す質−器の約1jtlF”/CIC’jll
て%Wkk’4を呈し、こO低い熱膨張係数が上記O耐
熱ll4I性に大きく寄与する反面、これが接合される
異種材料との間に大きな熱膨張差をもたらして接合強度
を著しく低下させていた。
ずれもが有する約偽1x104/C以下の熱膨張係数が
、異種材料の1膨張係数、例えば鋼材0 / I x
/ 0−@/Cと大龜く間隔し、同じセラミックスであ
る高アル々す質−器の約1jtlF”/CIC’jll
て%Wkk’4を呈し、こO低い熱膨張係数が上記O耐
熱ll4I性に大きく寄与する反面、これが接合される
異種材料との間に大きな熱膨張差をもたらして接合強度
を著しく低下させていた。
すなわち、従来の金属化法として般用されていたメタ2
イズペーストを基盤の表面にスクリーン印刷した後、非
酸化性雰囲気中において加熱するメタライズ(厚膜)法
において基盤上に生成される金属化面線、^い剛性を有
するM・あるいはWを主体とする耐火性金属に限定され
るOで基盤上の金属化面によって上記の熱膨張差を1釈
することができないだけでなく、そO金属化面は1j−
Japo厚膜に生成されるOでζO金属化INが、むし
ろ基盤と金属化面との間の―廖猥差も接合強度を低下1
せる一因とさえなってい丸。
イズペーストを基盤の表面にスクリーン印刷した後、非
酸化性雰囲気中において加熱するメタライズ(厚膜)法
において基盤上に生成される金属化面線、^い剛性を有
するM・あるいはWを主体とする耐火性金属に限定され
るOで基盤上の金属化面によって上記の熱膨張差を1釈
することができないだけでなく、そO金属化面は1j−
Japo厚膜に生成されるOでζO金属化INが、むし
ろ基盤と金属化面との間の―廖猥差も接合強度を低下1
せる一因とさえなってい丸。
本実−は、轡に異種材料と011に大龜な後金強度を呈
する窒化珪素および炭化珪素の焼結体**0金属化法の
確立に成功し丸もので、それら鉤蒙体O真函にアルオニ
りムO薄膜からなる金属化面を物理蒸着法によって生成
することを特徴とした一〇である。
する窒化珪素および炭化珪素の焼結体**0金属化法の
確立に成功し丸もので、それら鉤蒙体O真函にアルオニ
りムO薄膜からなる金属化面を物理蒸着法によって生成
することを特徴とした一〇である。
本発明において、上記の金属化面を生成する金属として
ム1を特定した理由は、該ムlが基盤の窒化珪素および
炭化珪素と反応し島く、前者窒化珪素とは遊離の窒素お
よび酸素と反応し易く、後者炭化物とは同じく遊離の炭
素および酸素と反応し易く、基盤と強固に結合する金属
化面が得られることおよびムlが大暑な展延性を有する
からであp1′*丸金属化函の生成に物理蒸着法を採用
し九鳳由は咳金属化面の膜厚を自由に制御しうると共に
、旭理温度が比較的低温の丸め上記反一層を蒸着膜の基
盤との2界部付近に限定して蒸着層の大部分を上記の高
い展延性を有するム1層とし、この展延性によってロー
着をもって接合され本異種材料との間の熱11張差を1
収する九めである。
ム1を特定した理由は、該ムlが基盤の窒化珪素および
炭化珪素と反応し島く、前者窒化珪素とは遊離の窒素お
よび酸素と反応し易く、後者炭化物とは同じく遊離の炭
素および酸素と反応し易く、基盤と強固に結合する金属
化面が得られることおよびムlが大暑な展延性を有する
からであp1′*丸金属化函の生成に物理蒸着法を採用
し九鳳由は咳金属化面の膜厚を自由に制御しうると共に
、旭理温度が比較的低温の丸め上記反一層を蒸着膜の基
盤との2界部付近に限定して蒸着層の大部分を上記の高
い展延性を有するム1層とし、この展延性によってロー
着をもって接合され本異種材料との間の熱11張差を1
収する九めである。
実施例I
常法によって製作した純度りを一1理論書度比−t16
でJl)t10xj■から板状の炭化珪素焼結体と、同
じく純度り0−1通論密度比tデーで同寸法の窒化珪素
焼結体をそれぞれ基盤とし、JOX10■の一方の主表
面に対して表面粗さθ17〜cL参tsR*の研磨加工
を施した後、中性洗剤および流水による洗浄−アセトン
による水分置換−/、/、/)リクロルエタンおよびア
セトン洗浄−乾燥の各工程によって清浄し、真空蒸着機
(日本真空技術■EVB −4DH)の真空槽内におい
て1O−eThrr台に減圧すると共に300℃に加熱
し、上記の研磨加工を施した主表面に、ムlを抵抗加熱
によって溶融、蒸着して得た種々の厚さのAIの薄膜か
らなる金属化面の各基盤に対する接合強度を調べる丸め
、該金属化面をフォトエツチングによって中t4冒、長
さ10■の長方形パターンとし、これにl−一のCu線
長・さ約I0■を端部よシ4■の箇所で直角に折)自げ
、この折〉―げた長さ4■の部分を折シー、げ箇所がl
■前記パターンの外側端からはずれるように固定した後
、商品名アル′ノル1ljDと呼ばれる日本スベリアル
社のブルギ用ノ・ンダを用いてロー着した後、この銅線
を―直に引張〉、ムl膜をひきはがすようにしてビール
による付着強さ試験を行なった。その結果を第1il!
に示す。
でJl)t10xj■から板状の炭化珪素焼結体と、同
じく純度り0−1通論密度比tデーで同寸法の窒化珪素
焼結体をそれぞれ基盤とし、JOX10■の一方の主表
面に対して表面粗さθ17〜cL参tsR*の研磨加工
を施した後、中性洗剤および流水による洗浄−アセトン
による水分置換−/、/、/)リクロルエタンおよびア
セトン洗浄−乾燥の各工程によって清浄し、真空蒸着機
(日本真空技術■EVB −4DH)の真空槽内におい
て1O−eThrr台に減圧すると共に300℃に加熱
し、上記の研磨加工を施した主表面に、ムlを抵抗加熱
によって溶融、蒸着して得た種々の厚さのAIの薄膜か
らなる金属化面の各基盤に対する接合強度を調べる丸め
、該金属化面をフォトエツチングによって中t4冒、長
さ10■の長方形パターンとし、これにl−一のCu線
長・さ約I0■を端部よシ4■の箇所で直角に折)自げ
、この折〉―げた長さ4■の部分を折シー、げ箇所がl
■前記パターンの外側端からはずれるように固定した後
、商品名アル′ノル1ljDと呼ばれる日本スベリアル
社のブルギ用ノ・ンダを用いてロー着した後、この銅線
を―直に引張〉、ムl膜をひきはがすようにしてビール
による付着強さ試験を行なった。その結果を第1il!
に示す。
第 7 表
第1表から、基盤が炭化珪素焼結体、窒化珪素焼結体い
ずれの場合においても基盤の材質としての大差はなく、
両者共それらの表面Km[着によって生成されたAIの
金属化面の膜厚が1oooλでは付着強さKよって表わ
される基盤との接合強度が不充分で実用性に乏しく、J
000λから急上昇して実用性を生じ、10000λ(
i、oμ)に達するとロー着部から剥離する根の強度を
示しそれ以上は飽和する傾向のあることが確められたの
で量産性の面からその膜厚はtoooo i〜コooo
oλの範囲内、特に10000λ程鼓が好壜しい。
ずれの場合においても基盤の材質としての大差はなく、
両者共それらの表面Km[着によって生成されたAIの
金属化面の膜厚が1oooλでは付着強さKよって表わ
される基盤との接合強度が不充分で実用性に乏しく、J
000λから急上昇して実用性を生じ、10000λ(
i、oμ)に達するとロー着部から剥離する根の強度を
示しそれ以上は飽和する傾向のあることが確められたの
で量産性の面からその膜厚はtoooo i〜コooo
oλの範囲内、特に10000λ程鼓が好壜しい。
実施例コ
前に述べた通シ、炭化珪素と窒化珪素の数置な焼結体は
高温用の機械部材として共に優れ九特性を示し、熱膨張
係数も10 の単位で前者炭化珪素が約4A41c、窒
化珪素が約1Jと極めて近似し、これら炭化珪素と窒化
珪素の複合焼結体を作成することかで龜るので、前と同
様でJOx 10 x j■の複合焼結体が板を製作し
、前と同様の試験を行なった結果を第2表に示す。但し
、基盤の表面に生成し丸Alの蒸着による金属化面11
tooooλKii!定し九。
高温用の機械部材として共に優れ九特性を示し、熱膨張
係数も10 の単位で前者炭化珪素が約4A41c、窒
化珪素が約1Jと極めて近似し、これら炭化珪素と窒化
珪素の複合焼結体を作成することかで龜るので、前と同
様でJOx 10 x j■の複合焼結体が板を製作し
、前と同様の試験を行なった結果を第2表に示す。但し
、基盤の表面に生成し丸Alの蒸着による金属化面11
tooooλKii!定し九。
第 コ 表第J表か
ら、炭化珪素と窒化珪素の焼結体を基盤とし九場合も、
炭化珪素および窒化珪素のそれぞれ焼結体と略々間等の
成果が得られることが明らかにされた。
ら、炭化珪素と窒化珪素の焼結体を基盤とし九場合も、
炭化珪素および窒化珪素のそれぞれ焼結体と略々間等の
成果が得られることが明らかにされた。
夷−例J
前の各実施例は、いずれもAIC)m1着による金属化
面に直接ロー着を施して基盤との接合強度について試験
し九関係からアル1=りム用のロー剤を用いる他なかっ
たが、上記ムlからなる金属化面にCu * Ni =
jkj等を真空槽の真空を破ることなくムlの上へ蒸
着することによって半田ロー涜を行なうことができる。
面に直接ロー着を施して基盤との接合強度について試験
し九関係からアル1=りム用のロー剤を用いる他なかっ
たが、上記ムlからなる金属化面にCu * Ni =
jkj等を真空槽の真空を破ることなくムlの上へ蒸
着することによって半田ロー涜を行なうことができる。
この方法によってム10蒸着による金属化面の膜厚を、
藺の各実施例において実用性の面から好ましいとされ九
1ooooλよりも薄くすることができ、例えばAI金
属化向の膜厚がjooo kの第1表のム!の試料にC
u t−コooooλ蒸着した場合、その接合強度はノ
・ンダロー着の強度限界以上の付着強さをもつ、すなわ
ちjO−//、4m中以上の付着強さを示した。
藺の各実施例において実用性の面から好ましいとされ九
1ooooλよりも薄くすることができ、例えばAI金
属化向の膜厚がjooo kの第1表のム!の試料にC
u t−コooooλ蒸着した場合、その接合強度はノ
・ンダロー着の強度限界以上の付着強さをもつ、すなわ
ちjO−//、4m中以上の付着強さを示した。
以上の通シ、珪素の窒化物および炭化物焼結って生成す
ることを特徴とした本発明の金属化法は、異種材料との
a膨張差を展観性の^いアルixクムの薄膜によって吸
収するので^い接合強度を呈するだけでなく、生成され
た金属化面は基盤との境界部のみにおいて反応し、表面
紘−−着可能の金属状態を示す等の優れえ効果がある。
ることを特徴とした本発明の金属化法は、異種材料との
a膨張差を展観性の^いアルixクムの薄膜によって吸
収するので^い接合強度を呈するだけでなく、生成され
た金属化面は基盤との境界部のみにおいて反応し、表面
紘−−着可能の金属状態を示す等の優れえ効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 焼結体表面にアル建ニウムの薄膜からなる金
属化面を、物1llI着法によって生成することを特徴
とする珪素の窒化物および炭化物焼結体*iiiの金属
化法。 に)珪素の窒化物が窒化珪素であ)、珪素の炭化物が炭
化珪素であることを特徴とする特許請求の範囲第I項記
載の焼結体表IIO金属化法。 ψ) 焼結体表iIOアル電エクム0@属からなる金属
化面O膜厚がJ000^以上で番ることを特徴とする特
許請求O範囲第/fiえは第一項記載の珪素Oi1化物
および炭化物鉤紬体**O金属化法。 に)焼結体表面にアル電二りムの薄膜からなる金属化面
を、物1IjIIi着法によって生成することを螢黴と
する珪素O窒化物と珪素の縦化物からなる複合焼結体表
面の金属化法。 け) 珪素の窒化物が窒化珪素であシ、珪素の縦化物が
炭化珪素である仁とを特徴とする特許請求aSS籐参項
記載の焼結体表面の金属化法。 (4) 焼結体表面のアル7ニウムの薄膜からなる金
属化面の膜厚がコooo1以上であることを特徴とする
特許請求の範囲第!または第1項記載の珪素の窒化物お
よび炭化物焼結体表面アルミ、Jaりムの薄膜上に、半
田は2驚と濶れIkO高い金140薄膜を岡−真空内に
て続いて蒸着すゐことによりて被着し九ことを特徴とす
る窒化珪素および炭化珪素を九はそれら両者O複合した
焼結体表面の金属化法。 (イ)焼結体表面に物品着法によって生成するアルla
=りムO薄膜の膜厚がaoooλ以上であることを特徴
とする特許請求01111jllI7項記、職Oil化
珪素および炭化珪素またはそれら両者の1iIIllシ
九焼結体表面の金属化法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6012882A JPS58176189A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 珪素の窒化物および炭化物焼結体表面の金属化法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6012882A JPS58176189A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 珪素の窒化物および炭化物焼結体表面の金属化法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58176189A true JPS58176189A (ja) | 1983-10-15 |
JPS6261558B2 JPS6261558B2 (ja) | 1987-12-22 |
Family
ID=13133181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6012882A Granted JPS58176189A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 珪素の窒化物および炭化物焼結体表面の金属化法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58176189A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0282285A2 (en) * | 1987-03-13 | 1988-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A method of metallization for a nitride ceramic member |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6464453A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Canon Kk | Telephone set |
US5095503A (en) * | 1989-12-20 | 1992-03-10 | Motorola, Inc. | Cellular telephone controller with synthesized voice feedback for directory number confirmation and call status |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55116686A (en) * | 1979-02-22 | 1980-09-08 | Degussa | Method of forming solderable metal layer on ceramic |
JPS58125673A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-26 | 新明和工業株式会社 | 拡散接合方法 |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP6012882A patent/JPS58176189A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55116686A (en) * | 1979-02-22 | 1980-09-08 | Degussa | Method of forming solderable metal layer on ceramic |
JPS58125673A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-26 | 新明和工業株式会社 | 拡散接合方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0282285A2 (en) * | 1987-03-13 | 1988-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A method of metallization for a nitride ceramic member |
US4876119A (en) * | 1987-03-13 | 1989-10-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of coating a nitride ceramic member |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6261558B2 (ja) | 1987-12-22 |
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