JPS60145980A - 金属被膜を有するセラミツクス焼結体およびその製造方法 - Google Patents
金属被膜を有するセラミツクス焼結体およびその製造方法Info
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- JPS60145980A JPS60145980A JP24598083A JP24598083A JPS60145980A JP S60145980 A JPS60145980 A JP S60145980A JP 24598083 A JP24598083 A JP 24598083A JP 24598083 A JP24598083 A JP 24598083A JP S60145980 A JPS60145980 A JP S60145980A
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野Ｊ
本発明（，１、金属被膜を右づるセラミックス焼結体お
よびその製造方法に関する。
よびその製造方法に関する。
しＲ明の技術向背がとその問題点］
近時、耐熱性、高温下における機械的強度Ｊｊよび耐摩
耗性の良好なセラミックス焼結体が開発されたことによ
り、ボールベアリングや軸受【ノ等の（菖動部材につい
Ｃもセラミック化が行なわれるＪ、うになってきＣいる
。
耗性の良好なセラミックス焼結体が開発されたことによ
り、ボールベアリングや軸受【ノ等の（菖動部材につい
Ｃもセラミック化が行なわれるＪ、うになってきＣいる
。
しかして、このような摺動部祠では、給電（ｂるいは接
地等のために電気伝導性が必要とされることがあり、こ
の場合にはセラミックス焼結体表面に金属被膜を形成す
る必要が生じる。また耐摩耗性および摺動付を向上させ
るためにも、これらの特性の良好な金属被膜を形成づる
必要が生じる場合がある。
地等のために電気伝導性が必要とされることがあり、こ
の場合にはセラミックス焼結体表面に金属被膜を形成す
る必要が生じる。また耐摩耗性および摺動付を向上させ
るためにも、これらの特性の良好な金属被膜を形成づる
必要が生じる場合がある。
さらにセラミックス焼結体どうＥ〕、あるいはセラミッ
クス焼結体と金属部材とを、例えば銀ろうを用いて接合
する場合にも、セラミックス焼結体表面に金属被膜を形
成する必要が生じる場合が多い。
クス焼結体と金属部材とを、例えば銀ろうを用いて接合
する場合にも、セラミックス焼結体表面に金属被膜を形
成する必要が生じる場合が多い。
このようなセラミックス焼結体表面への金属被膜の形成
プＪ７にとしては、従来からセラミックス焼結体表面に
、モリブデン粉末とマンガン粉末とを主成分と覆るモリ
ゾデンーマンガンメタライズペーストを伶布し、還元雰
囲気中で焼成する方法が一般に行われでいる。
プＪ７にとしては、従来からセラミックス焼結体表面に
、モリブデン粉末とマンガン粉末とを主成分と覆るモリ
ゾデンーマンガンメタライズペーストを伶布し、還元雰
囲気中で焼成する方法が一般に行われでいる。
これらの方法は、いずれもアルミナ等の酸化物系ヒラミ
ックス焼結体に適用されて成功を収めＣき（いるが、耐
摩耗性や高温特性の良好なことで脚光を浴びている窒化
゛物系しラミックス、ｙｌ化物系セラミックスあるいは
炭窒化物系セラミックスのような非酸化物系レラミック
スからなるセラミックス焼結体には適用が困難ひあると
いう欠点があつｌζ。
ックス焼結体に適用されて成功を収めＣき（いるが、耐
摩耗性や高温特性の良好なことで脚光を浴びている窒化
゛物系しラミックス、ｙｌ化物系セラミックスあるいは
炭窒化物系セラミックスのような非酸化物系レラミック
スからなるセラミックス焼結体には適用が困難ひあると
いう欠点があつｌζ。
近年、非酸化物系セラミックス焼結体、特に、３ｉ３Ｎ
＋焼結体【よ、耐摩耗性やｌＯｉ淘特性に優れ（いるど
ころから、自動車部品やガスタービン部品どして用途が
拡大してきており、そのためにも非酸化物系セラミック
スに適用可能で、しかもより密着性のよい金属被膜を有
するセラミックス焼結体が望まれでいる。このためセラ
ミックス焼結体に直接クロムをめっきしたり、溶射りる
こと（、−より金属することが行われＣいるが、セラミ
ックス焼結体と金属層との密着が悪いという大魚かあっ
た。
＋焼結体【よ、耐摩耗性やｌＯｉ淘特性に優れ（いるど
ころから、自動車部品やガスタービン部品どして用途が
拡大してきており、そのためにも非酸化物系セラミック
スに適用可能で、しかもより密着性のよい金属被膜を有
するセラミックス焼結体が望まれでいる。このためセラ
ミックス焼結体に直接クロムをめっきしたり、溶射りる
こと（、−より金属することが行われＣいるが、セラミ
ックス焼結体と金属層との密着が悪いという大魚かあっ
た。
［発明の目的コ
本発明はこのような点に対処しＣなされたしので、非酸
化物系セラミックスを含むほとんどりｌ＼てのセラミッ
クス焼結体に適用可能Ｃ１しかｂ１８合強度の大きい金
属被膜を有するセラミックス焼結体およびその製造方法
を提供りることを１−［的と１６゜ ［発明の概鼓］ すなわら本発明の金属被膜を有するセラミックス焼結体
は、セラミックス焼結体基材の表面に、口のセラミック
ス焼結体基材ど異組成でかつ導電性を有ηるセラミック
ス被膜が形成され、さらにその上に金属被ｎｑが形成さ
れ（いることを４：＋徴としている。
化物系セラミックスを含むほとんどりｌ＼てのセラミッ
クス焼結体に適用可能Ｃ１しかｂ１８合強度の大きい金
属被膜を有するセラミックス焼結体およびその製造方法
を提供りることを１−［的と１６゜ ［発明の概鼓］ すなわら本発明の金属被膜を有するセラミックス焼結体
は、セラミックス焼結体基材の表面に、口のセラミック
ス焼結体基材ど異組成でかつ導電性を有ηるセラミック
ス被膜が形成され、さらにその上に金属被ｎｑが形成さ
れ（いることを４：＋徴としている。
また、本発明の金属被膜を右りるセラミックス焼結体の
製造方法は、セラミックス焼結体の表面に、このヒラミ
ックス焼結体と異組成のセラミックス焼結体被膜を形成
り−ることを特徴としている。
製造方法は、セラミックス焼結体の表面に、このヒラミ
ックス焼結体と異組成のセラミックス焼結体被膜を形成
り−ることを特徴としている。
本発明に使用されるＵラミックス焼結体基＋１としく（
よ、窒化ケイ素、窒化アルミニウムのような窒化物系セ
フミックス、４ノイア【−」ンのような酸窒化物系セラ
ミックス、炭化ケイ素のような炭化物系セラミックス焼
結体およびこれらの複合体のような非酸化物系セラミッ
クス焼結体が適しているが、酸化物系セラミックス焼結
体にも適用可能である。
よ、窒化ケイ素、窒化アルミニウムのような窒化物系セ
フミックス、４ノイア【−」ンのような酸窒化物系セラ
ミックス、炭化ケイ素のような炭化物系セラミックス焼
結体およびこれらの複合体のような非酸化物系セラミッ
クス焼結体が適しているが、酸化物系セラミックス焼結
体にも適用可能である。
また、本発明に使用される導電性を有するセラミックス
被膜としては、セラミックス焼結体Ｍ材と異なる組成の
、窒化チタン、窒化ジルコニウム等の窒化物系セラミッ
クス、酸室化チタン等の酸窒化物系セラミックス、炭窒
化チタン等の炭窒化物系セラミックスあるいは炭化チタ
ン、炭化ジル二」ニウム等の炭化物系セラミックスが適
している。
被膜としては、セラミックス焼結体Ｍ材と異なる組成の
、窒化チタン、窒化ジルコニウム等の窒化物系セラミッ
クス、酸室化チタン等の酸窒化物系セラミックス、炭窒
化チタン等の炭窒化物系セラミックスあるいは炭化チタ
ン、炭化ジル二」ニウム等の炭化物系セラミックスが適
している。
さらに、これらのセラミックス焼結体被膜の上に形成さ
れる金属被膜を構成する金属としては、゛電解メッキが
可能な金属が適しＣおり、またｔＮ動部署イとしＣ用い
る場合は、耐摩耗性、ｌｌ’７ ｆ！ＩＩＭの優れｌこ
金属が適しており、例えばニッケル、銀、クロム、コバ
ルト等があげられ、これらの６ン属は被膜としく形成さ
れた後、耐酸電信を増すために結晶化するのに充分な温
度と時間Ｃ熱処理りることが好ましい。
れる金属被膜を構成する金属としては、゛電解メッキが
可能な金属が適しＣおり、またｔＮ動部署イとしＣ用い
る場合は、耐摩耗性、ｌｌ’７ ｆ！ＩＩＭの優れｌこ
金属が適しており、例えばニッケル、銀、クロム、コバ
ルト等があげられ、これらの６ン属は被膜としく形成さ
れた後、耐酸電信を増すために結晶化するのに充分な温
度と時間Ｃ熱処理りることが好ましい。
本発明の金属被膜を右するセラミックス焼結イホ（ま、
セラミックス焼結体基材上に、このしラミックス焼結体
と異組成の導電性を右するセラミックス被膜を形成した
後、この−１−に金属被膜を形成・ｊることにより１１
造される。
セラミックス焼結体基材上に、このしラミックス焼結体
と異組成の導電性を右するセラミックス被膜を形成した
後、この−１−に金属被膜を形成・ｊることにより１１
造される。
セラミックス焼結体基板上に、これど５“？組成Ｃ′導
電性を有するセラミックス焼結体被膜を形成り−るには
、」二記した導電性セラミックスをＰＶＤｒ人、ＣＶＤ
法、溶用法あるいは上記導電ｉｊ［セラミックス被膜を
構成する金属元素を含むセラミックス粉末または金属の
粉末をセラミックス焼結体に波谷さゼ非酸化性雰囲気、
例えば窒素を含む還元？ダ囲気中で焼成りればＪ：い。
電性を有するセラミックス焼結体被膜を形成り−るには
、」二記した導電性セラミックスをＰＶＤｒ人、ＣＶＤ
法、溶用法あるいは上記導電ｉｊ［セラミックス被膜を
構成する金属元素を含むセラミックス粉末または金属の
粉末をセラミックス焼結体に波谷さゼ非酸化性雰囲気、
例えば窒素を含む還元？ダ囲気中で焼成りればＪ：い。
例えば窒素を含む還元雰囲気中で焼成することにより導
電性を有り−るセラミックスを形成する金Ｉｉ１酸化物
、例えばＴｉ ０２をセラミックス焼結体基板上に被盾
さヒ、次いで窒素を含む還元雰囲気中で焼成することに
より導電性を有するごラミックス焼結体被膜を形成させ
ることができる。これらのセラミックス焼結体の〃ざは
、１０μｍ以［ζが適しＣいる。
電性を有り−るセラミックスを形成する金Ｉｉ１酸化物
、例えばＴｉ ０２をセラミックス焼結体基板上に被盾
さヒ、次いで窒素を含む還元雰囲気中で焼成することに
より導電性を有するごラミックス焼結体被膜を形成させ
ることができる。これらのセラミックス焼結体の〃ざは
、１０μｍ以［ζが適しＣいる。
次にこの上に金属、特に耐摩耗性および摺動性が良好な
金属、例えばニッケル、銀、クロム、コバルト等を電解
めつぎ等の方法にＪ、り形成する。
金属、例えばニッケル、銀、クロム、コバルト等を電解
めつぎ等の方法にＪ、り形成する。
電解めっきにＪ、る場合は特に平滑な表面を有する金属
被膜が形成されるので好適しＣいる。
被膜が形成されるので好適しＣいる。
上記のような各ノフ法で導電性セラミックス被膜を石ツ
るセラミックス焼結体上に例えばニッケル市解めっきを
施し、銀ろうを用いて金属部拐と接合した場合には、極
め０人きい接合強度を発揮する。
るセラミックス焼結体上に例えばニッケル市解めっきを
施し、銀ろうを用いて金属部拐と接合した場合には、極
め０人きい接合強度を発揮する。
［発明の実施例］
次に本発明の実施例についで説明゛する。
実施例１
直方体状の３ｉ ３Ｎ＜焼結体試お１の１面に、イＡン
グレーディング法によりＴｉＮ層を約１μｍの厚さに形
成し、この上にニッケル電解めっき加（０，５ＡＸ１２
分）を施して、３〜／ｌ１ｍの厚さのニッケル層を形成
した。
グレーディング法によりＴｉＮ層を約１μｍの厚さに形
成し、この上にニッケル電解めっき加（０，５ＡＸ１２
分）を施して、３〜／ｌ１ｍの厚さのニッケル層を形成
した。
実施例２
実施例１で使用したと同一組成、同一形状の８１３Ｎ４
焼結体試利表面に、“１１０２粉末を分散ざぜたスラリ
ーを塗イＩＪシ、ホーミンクガメ（Ｎ？ニド１２＝１：
１）中ぐ１３５０℃ひ１助間焼成し、３ｉ ３Ｎ４焼結
体表面に厚さ１〜３μｍのｌｉＮの層を形成させた。次
にＴｉＮの層上に実施例１と同−条ｆ’Ｌ ｔ’電解め
っきにより厚さ２〜３ｔｉ ｍのニッケル層を形成さ、
せた。
焼結体試利表面に、“１１０２粉末を分散ざぜたスラリ
ーを塗イＩＪシ、ホーミンクガメ（Ｎ？ニド１２＝１：
１）中ぐ１３５０℃ひ１助間焼成し、３ｉ ３Ｎ４焼結
体表面に厚さ１〜３μｍのｌｉＮの層を形成させた。次
にＴｉＮの層上に実施例１と同−条ｆ’Ｌ ｔ’電解め
っきにより厚さ２〜３ｔｉ ｍのニッケル層を形成さ、
せた。
以上の実施例１および実施例２で得られＩζ金属被膜を
有するセラミックス焼結体に、−ツケル電解めつぎを施
し、常法により銀ろうを介しく鋼材と接合させ、その接
合強度を測定した。各実施例の金属被膜を有するセラミ
ックス焼結体の接合強度は次表の通りであった。
有するセラミックス焼結体に、−ツケル電解めつぎを施
し、常法により銀ろうを介しく鋼材と接合させ、その接
合強度を測定した。各実施例の金属被膜を有するセラミ
ックス焼結体の接合強度は次表の通りであった。
［発明の効果］
以上の実施例からし明らか４丁ように本発明の金属被膜
を右するセラミックス焼結体は、特に非酸化物系しラミ
ックスについＣ侵れた接合強度を得ることかできる。
を右するセラミックス焼結体は、特に非酸化物系しラミ
ックスについＣ侵れた接合強度を得ることかできる。
代理人弁理士 須 山 佐 −
Claims (17)
- （１）セラミックス焼結体基材の表面に、この１２ラミ
ックス焼結体基材と異組成ぐかつ導電性をイ】するセラ
ミックス被膜が形成され、さらにその上に金属被膜が形
成されていることを４ｆｆｒ ｍとする金属被膜を有づ
るセラミックス焼結体。 - （２）セラミックス焼結体基材は、非酸化物系レラミッ
クスからなる特許請求の範囲第１１ｆｔ記載の金属被膜
を（Ｊするセラミックス焼結体。 - （３）セラミックス焼結体基材は、少なくとも窒素を有
するものである特許請求の範囲第１項よ／、＝は第２項
記載の金属被膜を有づるセラミックス焼結体。 - （４）セラミックス焼結体基材は、少なくともシリコン
と窒素の両者を有するものである特許請求の範囲第１項
ないし第３項のいずれか１１５１記載の金属被膜を有す
るセラミックス焼結体。 - （５）セラミックス被膜は、非酸化物系セラミックスか
らなる特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１
項記載の金属被膜を有するセラミックス焼結体。 - （６）セラミックス被膜は、少なくとも窒素を有する特
許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項記載の
金属被膜を有するセラミックス焼結体。 - （７）セラミックス被膜は、構成元素として少なくとも
チタンと窒素とを含有する特許請求の範囲第１項ないし
第６項のいずれか１項記載の金属被膜を有するセラミッ
クス焼結体。 - （８）セラミックス被膜は、厚さが１０μｍ以下である
特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれか１項記載
の金属被膜を有するセラミックス焼結体。 - （９）セラミックス被膜は、比抵抗が１Ω・Ｃ以下であ
る特許請求の範囲第１項ないし第８項のいり“れか１項
記載の金属被膜を有づ−るセラミックス焼結体。 - （１０）金属被膜は、電解めっきにより形成＋＋Ｊ ｆ
ｌｕな金属からなる待ｈ９請求の範囲第１項ないし第１
：１項のいずれか１項記載の金属被膜を右りるセラミッ
クス焼結体。 - （１１）金属被膜は、この金属被膜が結晶化覆るに充分
な温度と時間で熱処理されＣいる特ｈ７１請求の範囲第
１項ないし第１０項のいずれかＩ Ｊｊｆ記載の金属被
膜を有するセラミックス焼結体。 - （１２）金属被膜は、摺動性および耐産耗１’Ｉを石（
る金属からむる特許請求の範囲第１ ”ｆｌ ＜；いし
第１１項のいずれか１項記載の金属被膜を４ｉでるヒラ
ミックス焼結体。 - （１３）セラミックス焼結体の表面に、このレジミック
ス焼結体と異組成のセラミックス被膜を形成し、さらに
その上に、金属被膜を形成りることを特徴とする金属被
膜を有するセラミックス焼結体の製造り法。 - （１４）セラミックス被膜は、Ｐ Ｖ ｌ） 法、ＣＶ
ｌ）法、溶射法等のコーティングにより形成する特ｉ
’１請求の範囲第１３項記載の金属被膜を有するセラミ
ックス焼結体の製造方法。 - （１５）セラミックス被膜は、セラミックス被膜を構成
づる金属元素を含むセラミックス粉末または金属粉末を
セラミックス焼結体の表面に塗着し、これを非醇化性雰
囲気中Ｃ焼成することにより形成される特許請求の範囲
第１３項記載の金属被膜を右づるセラミックス焼結体の
製造方法。 - （１６）金属被膜は、電解めつぎににり形成される特晶
′Ｉ請求の範囲第１３項ないし第１５項のいずれか１項
記載の金属被膜を有するセラミックス焼結体の製造方法
。 - （１７）金属被膜は、この金属被膜が少なくとも結晶化
り−るのに充分な温度と時間で熱処理される特許請求の
範囲第１３項ないし第１５項のいずれか１項記載の金属
被膜を有するセラミックス焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24598083A JPS60145980A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 金属被膜を有するセラミツクス焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24598083A JPS60145980A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 金属被膜を有するセラミツクス焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145980A true JPS60145980A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=17141687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24598083A Pending JPS60145980A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 金属被膜を有するセラミツクス焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145980A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6291482A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 高温摺動部材およびその摺動方法 |
| JPS6296378A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-05-02 | 株式会社豊田中央研究所 | 高温摺動部材およびその摺動方法 |
| JPH02151017A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Fujitsu Ltd | 露光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106586A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-02 | Ngk Spark Plug Co | Silicon nitride ceramic with inorganic electroconductive material surface and manufacture |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24598083A patent/JPS60145980A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106586A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-02 | Ngk Spark Plug Co | Silicon nitride ceramic with inorganic electroconductive material surface and manufacture |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6291482A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 高温摺動部材およびその摺動方法 |
| JPH053435B2 (ja) * | 1985-10-17 | 1993-01-14 | Toyoda Chuo Kenkyusho Kk | |
| JPS6296378A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-05-02 | 株式会社豊田中央研究所 | 高温摺動部材およびその摺動方法 |
| JPH053436B2 (ja) * | 1985-10-18 | 1993-01-14 | Toyoda Chuo Kenkyusho Kk | |
| JPH02151017A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Fujitsu Ltd | 露光装置 |
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