JPH0264081A - 窒化アルミニュームのメタライズ法 - Google Patents

窒化アルミニュームのメタライズ法

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JPH0264081A
JPH0264081A JP21314788A JP21314788A JPH0264081A JP H0264081 A JPH0264081 A JP H0264081A JP 21314788 A JP21314788 A JP 21314788A JP 21314788 A JP21314788 A JP 21314788A JP H0264081 A JPH0264081 A JP H0264081A
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JP
Japan
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metal
aluminum nitride
aln
aluminum
treated
Prior art date
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Pending
Application number
JP21314788A
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English (en)
Inventor
Osamu Ishikura
石倉 修
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 の1 本発明は、高熱伝導性を活かした電子デバイスのパッケ
ージ基板として利用される窒化アルミニューム焼結体と
金属材との接合のための表面のメタライズ法に係わる技
術である。
従沫1u眉1 窒化アルミニュームのメタライズ法としては、電子材料
工業゛会編機能回路用セラミック基板+985゜8.1
OFIJP69〜72に示されているような導電ペース
トを塗布、焼成する方法や窒化アルミニューム表面を酸
化処理してM2O3の薄層を形成した上に銅板を配置し
、酸素分圧、温度を精密に制御して加熱接合する方法等
がある。
ところで、導電ペーストによりメタライズする方法では
、結合剤としてガラス成分を利用するため接合強度も低
く、それにも増して高温での接合強度が低下し、400
℃以上の耐熱性を持つものは得られない。
一方、M2O3の薄層を形成して銅板と、直接接合する
方法では耐熱性は向上するものの、M!203層を介在
させるた、め、窒化アルミニュームの特性である熱伝導
性が劣化すること又、接合処理条件が非常に狭い範囲に
限定されるため、接合処理設備にも高度な制御システム
が必要となり高価なものとなっている。
、の 本発明は上記問題点を同時に解決するために提案するも
のである。
すなわち、窒化アルミニュームの表面に高濃度のアルミ
ニュームを拡散し、表面に残存する金属アルミニューム
をエツチング除去した後、アルミニューム拡散層に銅又
はNi等の金属をメッキにより附着させ、メタライズし
たため、金属との接合は、例えば銀ロウ等のロウ材でロ
ウ付けすることにより、容易に実現出来る。
1且 上述のように、窒化アルミニュームの表面にアルミニュ
ーム拡散層を形成し、その拡散層上に銅又はNi等の金
属をメッキしてメタライズしたため、窒化アルミニュー
ム−金属メッキ間には、熱伝導性の良好なアルミニュー
ム拡散層しかなく、M!203等の熱伝導性劣化層等の
生成がないため、耐熱性が高く、又熱伝導性も良好な窒
化アルミニューム−金属の接合体が実現出来る。
実11に 本発明の一実施例について図面を用いて説明する。第1
図は、本発明の一実施例を示す窒化アルミニューム−金
属接合体の断面図であり、第2図は本発明のメタライズ
工程を説明するための工程図である。
先ず、第2図(a)に示すように窒化アルミニュームの
焼結体1のメタライズ施工面に金属アルミ2を真空蒸着
にて1〜10μm厚堆積する。次いでこれを真空中で6
00°C1時間保持熱処理すると第2図(b)に示すよ
うに、窒化アルミニューム焼結体表層部に高濃度のアル
ミ拡散層(3)が形成される。
次に表面に残った金属アルミニュームを熱リン酸でエツ
チングすると、第2図(C)に示すように高濃度アルミ
拡散層が露出する。
その後、電気鋼メッキ(4)を20μm厚程度はどこし
、第2図(d)に示すような本発明による窒化アルミニ
ュームメタライズ品を得る。
よう 更に、第1図に示す体にこのメタライズ面に銀ロウ箔(
5)を介在し例えば窒化アルミと熱膨張係数の異なる鉄
6等の金属板を載置して不活性ガス中で1000°C3
0分間、熱処理して、ロウ付を実施すると窒化アルミと
鉄の熱膨張係数差による熱応力が銅層で瞑和され耐熱性
のすぐれたしかも熱導電性も良好で機械的にも強固な窒
化アルミニューム鉄の接合体(1)が得られる。
以上の説明では、メッキ材を鋼で説明したが、窒化アル
ミと熱膨張係数の近似した金属材とのロー付ではNi等
の他の金属体を使用しても良い。
光J廊と仇果− 以上説明した如く、本発明では窒化アルミのメタライズ
層形成面に高濃度のアルミ拡散層を形成しその上に銅+
Ni等の金属をメッキにより被着形成したため窒化アル
ミの熱伝導性を劣化させずに銀ロウ等の高温ロウ材に耐
え、しかも窒化アルミと熱膨張係数の大きく異る金属と
の接合可能な窒化アルミのメタライゼーションが実現出
来る。
第1図は、本発明の一実施例を示す窒化アルミニューム
−金属接合体の断面図、 第2図は本発明のメタライズ工程を説明するための工程
図である。
1・・・窒化アルミニューム焼結体、 2・・・金属アルミ蒸着膜、 3・・・高濃度アルミ拡散層、 4・・・銅メッキ膜、 5・・・銀ロウ箔、 6・・・鉄板、 7−・・・窒化アルミニューム−鉄接合体。
【図面の簡単な説明】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 窒化アルミニューム焼結体の表面をメタライズする方法
    において、窒化アルミニュームの表面に高濃度のアルミ
    ニュームを拡散する工程、表面に残存する金属アルミニ
    ュームをエッチングで除去する工程、その後アルミニュ
    ーム拡散層に銅、又はNi等の金属をメッキにより附着
    する工程を含む窒化アルミニュームのメタライズ法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19511836A1 (de) * 1994-03-30 1995-10-05 Lion Office Products Corp Öffnungs-/Schließvorrichtung für einen Röhrenschnellhefter
US5634732A (en) * 1994-09-07 1997-06-03 Lion Office Products Corporation Binding assembly for binders

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