JPH07172866A - 艶消仕上面の形成方法 - Google Patents
艶消仕上面の形成方法Info
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- JPH07172866A JPH07172866A JP3042347A JP4234791A JPH07172866A JP H07172866 A JPH07172866 A JP H07172866A JP 3042347 A JP3042347 A JP 3042347A JP 4234791 A JP4234791 A JP 4234791A JP H07172866 A JPH07172866 A JP H07172866A
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/245—Removing protective coverings of light guides before coupling
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/104—Coating to obtain optical fibres
- C03C25/106—Single coatings
- C03C25/1061—Inorganic coatings
- C03C25/1063—Metals
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス製品に密着性の高い艶消仕上面を形成
する。 【構成】 緩衝化フッ化水素酸（例えば、ＨＦおよびＮ
Ｈ4 Ｆ）および処理剤（例えば、酢酸、燐酸、塩酸、硫
酸または蟻酸）の混合物を用いて、光ファイバ１６の純
シリカクラッド層、ボロシリケートガラス管およびナト
リウム石灰ガラス板に艶消仕上面２４を形成する。艶消
仕上面は、ガラスに対する他の材料（例えば、シリカフ
ァイバに対する金属被膜２６）の密着性を高めたり、あ
るいは、グレアを減少させるのに使用できる。
する。 【構成】 緩衝化フッ化水素酸（例えば、ＨＦおよびＮ
Ｈ4 Ｆ）および処理剤（例えば、酢酸、燐酸、塩酸、硫
酸または蟻酸）の混合物を用いて、光ファイバ１６の純
シリカクラッド層、ボロシリケートガラス管およびナト
リウム石灰ガラス板に艶消仕上面２４を形成する。艶消
仕上面は、ガラスに対する他の材料（例えば、シリカフ
ァイバに対する金属被膜２６）の密着性を高めたり、あ
るいは、グレアを減少させるのに使用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバまたはガラス
板のようなガラス製品に艶消仕上面を形成する技術に関
する。
板のようなガラス製品に艶消仕上面を形成する技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】厚板ガラスのようなガラス製品を製造す
る場合、製品に織目付表面（“艶消仕上面”と呼ばれて
いる）を形成し、光を散乱させて正反射を減少すること
によりグレアを軽減することが一般的に望ましい。
る場合、製品に織目付表面（“艶消仕上面”と呼ばれて
いる）を形成し、光を散乱させて正反射を減少すること
によりグレアを軽減することが一般的に望ましい。
【０００３】米国特許第４０５５３４８号明細書には、
例えば、パーフルオロアルカンスルホン酸４級アンモニ
ウム塩、パーフルオロアルカンカルボン酸塩、パーフル
オロアルカンスルホンアミドのアルコキシル化生成物な
どのようなフッ素含有湿潤剤とフッ化水素酸を含有する
液体によりガラス（例えば、厚板ガラス）を艶消エッチ
ングすることが開示されている。
例えば、パーフルオロアルカンスルホン酸４級アンモニ
ウム塩、パーフルオロアルカンカルボン酸塩、パーフル
オロアルカンスルホンアミドのアルコキシル化生成物な
どのようなフッ素含有湿潤剤とフッ化水素酸を含有する
液体によりガラス（例えば、厚板ガラス）を艶消エッチ
ングすることが開示されている。
【０００４】米国特許第３６１６０９８号明細書には、
酸性フッ化アンモニウムまたはその他の塩で飽和された
フッ化水素酸浴中に、不溶性無機塩（例えば、酸性フッ
化カリウム、酸性フッ化ナトリウムまたは燐酸カルシウ
ムを配合することにより製造された低グレアガラスが開
示されている。
酸性フッ化アンモニウムまたはその他の塩で飽和された
フッ化水素酸浴中に、不溶性無機塩（例えば、酸性フッ
化カリウム、酸性フッ化ナトリウムまたは燐酸カルシウ
ムを配合することにより製造された低グレアガラスが開
示されている。
【０００５】一方、光ファイバ技術の分野、特に、オプ
トエレクトロニクスデバイスの気密パッケージに関連す
る技術のシリカファイバセグメントでは、ファイバをパ
ッケージに半田付けするために、ファイバの外部シリカ
表面（クラッド層）に金属被膜を形成することが周知で
ある。金属被膜を堆積させるために、従来から使用され
ている一般的な方法はスパッタリング法である。
トエレクトロニクスデバイスの気密パッケージに関連す
る技術のシリカファイバセグメントでは、ファイバをパ
ッケージに半田付けするために、ファイバの外部シリカ
表面（クラッド層）に金属被膜を形成することが周知で
ある。金属被膜を堆積させるために、従来から使用され
ている一般的な方法はスパッタリング法である。
【０００６】しかし、このスパッタリング法にはつぎの
ような制限がある。(1) スパッタリング装置は扱難く、
しかも、高価である。(2) 殆どのスパッタリング装置は
平坦な表面（例えば、半導体ウエハ）に金属を堆積する
ように設計されている。従来の技術者がファイバの円筒
面に金属被膜を堆積させるために考えた実際的なやり方
は、別々の２段階からなるスパッタリング工程を実施す
ることであった。例えば、第１段階で円筒面のほぼ半分
に金属を堆積させ、第２段階で残り半分の円筒面に金属
を堆積させる。しかし、この“半分同士”が接する箇所
に不都合なシームが形成される。このシームは信頼性を
低下させる。更に、(3) スパッタリング法はバックグラ
ウンドの汚染を避けるために真空状態にする必要があ
る。このため、真空チャンバ内に汚染物を持ち込む恐れ
のある付属物を有するファイバは必然的に排除されてし
まう。従って、当業者はファイバを被覆するプラスチッ
クジャケットを除去し、更に、例えば、シリコンブロッ
クマウントまたはピグテールコネクタなどの取付を避け
てきた。
ような制限がある。(1) スパッタリング装置は扱難く、
しかも、高価である。(2) 殆どのスパッタリング装置は
平坦な表面（例えば、半導体ウエハ）に金属を堆積する
ように設計されている。従来の技術者がファイバの円筒
面に金属被膜を堆積させるために考えた実際的なやり方
は、別々の２段階からなるスパッタリング工程を実施す
ることであった。例えば、第１段階で円筒面のほぼ半分
に金属を堆積させ、第２段階で残り半分の円筒面に金属
を堆積させる。しかし、この“半分同士”が接する箇所
に不都合なシームが形成される。このシームは信頼性を
低下させる。更に、(3) スパッタリング法はバックグラ
ウンドの汚染を避けるために真空状態にする必要があ
る。このため、真空チャンバ内に汚染物を持ち込む恐れ
のある付属物を有するファイバは必然的に排除されてし
まう。従って、当業者はファイバを被覆するプラスチッ
クジャケットを除去し、更に、例えば、シリコンブロッ
クマウントまたはピグテールコネクタなどの取付を避け
てきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、曲面に均一に
塗布することができ、しかも、汚染に対して然程気を使
う必要のない、電気メッキのような金属堆積方法が極め
て望ましいのかもしれないが、残念ながら、金属をガラ
スファイバに電気メッキすると、低密着性のメッキ膜し
か得られない。
塗布することができ、しかも、汚染に対して然程気を使
う必要のない、電気メッキのような金属堆積方法が極め
て望ましいのかもしれないが、残念ながら、金属をガラ
スファイバに電気メッキすると、低密着性のメッキ膜し
か得られない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ガラス
の少なくとも一部分を、フッ素系エッチング剤およびそ
れ自体ではガラス製品を然程蝕刻しない酸からなる処理
剤からなる混合物で処理することにより、ガラス製品の
少なくとも一部分に艶消仕上を施すことができる。例え
ば、処理剤は、酢酸、燐酸、塩酸、硫酸および蟻酸から
なる群から選択される。選択された特定の処理剤に応じ
て、艶消仕上面は様々なガラス材料（例えば、ボロシリ
ケートガラス、純シリカおよびナトリウム石灰ガラスな
ど）に、また、様々な製品（例えば、ガラス管、シリカ
光ファイバおよびガラス板など）に形成することができ
る。
の少なくとも一部分を、フッ素系エッチング剤およびそ
れ自体ではガラス製品を然程蝕刻しない酸からなる処理
剤からなる混合物で処理することにより、ガラス製品の
少なくとも一部分に艶消仕上を施すことができる。例え
ば、処理剤は、酢酸、燐酸、塩酸、硫酸および蟻酸から
なる群から選択される。選択された特定の処理剤に応じ
て、艶消仕上面は様々なガラス材料（例えば、ボロシリ
ケートガラス、純シリカおよびナトリウム石灰ガラスな
ど）に、また、様々な製品（例えば、ガラス管、シリカ
光ファイバおよびガラス板など）に形成することができ
る。
【０００９】本発明の応用範囲は、オプトエレクトロニ
クス部品のパッケージからガラス板などのグレアの減少
まで広範囲にわたる。オプトエレクトロニクス部品のパ
ッケージの場合、本発明の代表的な実施例では、パッケ
ージの壁面に半田付けするか、または気密シールすべき
ファイバの該当部分に艶消仕上面を形成することを含
む。ファイバをパッケージに実際にシールする前に、艶
消仕上部分に金属被膜を、好ましくは電気メッキによ
り、堆積させる。艶消仕上は被膜の密着性を高め、その
結果、従来の高価で、取り扱い難くく、しかも、均一性
に劣るスパッタリング法に頼る必要性がなくなる。
クス部品のパッケージからガラス板などのグレアの減少
まで広範囲にわたる。オプトエレクトロニクス部品のパ
ッケージの場合、本発明の代表的な実施例では、パッケ
ージの壁面に半田付けするか、または気密シールすべき
ファイバの該当部分に艶消仕上面を形成することを含
む。ファイバをパッケージに実際にシールする前に、艶
消仕上部分に金属被膜を、好ましくは電気メッキによ
り、堆積させる。艶消仕上は被膜の密着性を高め、その
結果、従来の高価で、取り扱い難くく、しかも、均一性
に劣るスパッタリング法に頼る必要性がなくなる。
【００１０】本発明の別の実施例は、ファイバのシリカ
外面の少なくとも一部分に艶消仕上を有するシリカ光フ
ァイバに関する。更に別の実施例は艶消仕上部分に金属
被膜を有する前記のようなファイバに関する。他の実施
例はこのようなファイバを有するオプトエレクトロニク
スパッケージに関する。
外面の少なくとも一部分に艶消仕上を有するシリカ光フ
ァイバに関する。更に別の実施例は艶消仕上部分に金属
被膜を有する前記のようなファイバに関する。他の実施
例はこのようなファイバを有するオプトエレクトロニク
スパッケージに関する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細
に説明する。図１を参照する。ここには、ブロックまた
はキャリア１４にマウントされたオプトエレクトロニク
ス部品（例えば、半導体レーザまたはホトダイオード）
１２用の密閉パッケージ１０が図示されている。光をパ
ッケージの内部と外部の間を連絡させるために、光ファ
イバ１６が側壁１８の孔を通して挿入されている。ファ
イバ１６は図示されていない周知の手段により部品１２
と心合わせされており、また、カップリング効率を高め
るために、部品１２に隣接するファイバの端部にはレン
ズが配設されている。レンズは例えば、エッチング法に
より形成される。気密封止２０は側壁とファイバの間
に、例えば、半田付けなどの方法により形成される。高
度な密閉性を得るために、側壁中に延ばされるファイバ
部分２２はメタライゼーションされている。
に説明する。図１を参照する。ここには、ブロックまた
はキャリア１４にマウントされたオプトエレクトロニク
ス部品（例えば、半導体レーザまたはホトダイオード）
１２用の密閉パッケージ１０が図示されている。光をパ
ッケージの内部と外部の間を連絡させるために、光ファ
イバ１６が側壁１８の孔を通して挿入されている。ファ
イバ１６は図示されていない周知の手段により部品１２
と心合わせされており、また、カップリング効率を高め
るために、部品１２に隣接するファイバの端部にはレン
ズが配設されている。レンズは例えば、エッチング法に
より形成される。気密封止２０は側壁とファイバの間
に、例えば、半田付けなどの方法により形成される。高
度な密閉性を得るために、側壁中に延ばされるファイバ
部分２２はメタライゼーションされている。
【００１２】本発明によれば、図２に示されているよう
に、ファイバのメタライゼーションの前に、エッチング
法が先に行われる。このエッチング法により織目付表面
または艶消仕上面２４が形成され、金属被膜２６の密着
性を高めることができる。この結果、スパッタリング法
によるよりも簡単で周知な電気メッキ法により、比較的
均一な膜厚の金属被膜（例えば、ＮｉおよびＡｕの被
膜）を堆積させることができる。
に、ファイバのメタライゼーションの前に、エッチング
法が先に行われる。このエッチング法により織目付表面
または艶消仕上面２４が形成され、金属被膜２６の密着
性を高めることができる。この結果、スパッタリング法
によるよりも簡単で周知な電気メッキ法により、比較的
均一な膜厚の金属被膜（例えば、ＮｉおよびＡｕの被
膜）を堆積させることができる。
【００１３】一般的に、それ自体はガラスを然程蝕刻し
ない酸からなる処理剤とフッ素系エッチング剤からなる
混合物でファイバの所望部分を処理することにより織目
付表面または艶消仕上面を形成する。シリカファイバを
使用する好ましい実施例では、エッチング剤は緩衝化フ
ッ化水素酸からなり、処理剤は酢酸、塩酸または硫酸か
らなる。
ない酸からなる処理剤とフッ素系エッチング剤からなる
混合物でファイバの所望部分を処理することにより織目
付表面または艶消仕上面を形成する。シリカファイバを
使用する好ましい実施例では、エッチング剤は緩衝化フ
ッ化水素酸からなり、処理剤は酢酸、塩酸または硫酸か
らなる。
【００１４】以下、具体例により本発明を例証する。実施例１ 純シリカクラッド層を有する外径が１２５μｍのシング
ルモードまたはマルチモード光ファイバを、２５vol.％
の３：１ＢＯＥと下記の電子用品級の市販の処理剤７５
vol.％からなる混合物で処理した。ＢＯＥ（緩衝化酸化
物エッチング剤）溶液は、４９vol.％ＨＦ１部に対して
４０vol.％ＮＨ4 Ｆ３部を含有していた。この溶液は
３：１ＢＯＥと呼ばれている。下記の何れの事例におい
ても、混合物は約２０℃の温度であり、また、ファイバ
はこの混合物に約５０分間暴露した。
ルモードまたはマルチモード光ファイバを、２５vol.％
の３：１ＢＯＥと下記の電子用品級の市販の処理剤７５
vol.％からなる混合物で処理した。ＢＯＥ（緩衝化酸化
物エッチング剤）溶液は、４９vol.％ＨＦ１部に対して
４０vol.％ＮＨ4 Ｆ３部を含有していた。この溶液は
３：１ＢＯＥと呼ばれている。下記の何れの事例におい
ても、混合物は約２０℃の温度であり、また、ファイバ
はこの混合物に約５０分間暴露した。
【００１５】９９％酢酸を処理剤として使用した場合、
混合物はファイバの外面（シリカクラッド層）に微細な
“しぼ”（≦１μｍ）の艶消仕上面を形成した。この混
合物はファイバを選択的にではなく、全体を均質にエッ
チングした（すなわち、エッチング速度はファイバ端面
の全体にわたってドーピング濃度またはドーパント種に
左右されなかった）ので、極めて有望なものであった。
更に、酢酸対３：１ＢＯＥの割合が約５５％を超えたと
きに艶消仕上面が形成されることも発見された。
混合物はファイバの外面（シリカクラッド層）に微細な
“しぼ”（≦１μｍ）の艶消仕上面を形成した。この混
合物はファイバを選択的にではなく、全体を均質にエッ
チングした（すなわち、エッチング速度はファイバ端面
の全体にわたってドーピング濃度またはドーパント種に
左右されなかった）ので、極めて有望なものであった。
更に、酢酸対３：１ＢＯＥの割合が約５５％を超えたと
きに艶消仕上面が形成されることも発見された。
【００１６】３７％塩酸または９９％硫酸を処理剤とし
て使用した場合、両方の混合物ともファイバの外面（シ
リカクラッド層）に微細な“しぼ”（〜５μｍ）のオレ
ンジの果皮状の仕上面を形成した。特に注意すべき点と
して、ＢＯＥと硫酸の混合物は発熱性なので、この混合
物が約２０℃にまで冷えるまで、ファイバをこの混合物
と接触させなかった。更に、塩酸処理剤は沈殿（おそら
く、ＮＨ4 Ｆ塩）を生じた。
て使用した場合、両方の混合物ともファイバの外面（シ
リカクラッド層）に微細な“しぼ”（〜５μｍ）のオレ
ンジの果皮状の仕上面を形成した。特に注意すべき点と
して、ＢＯＥと硫酸の混合物は発熱性なので、この混合
物が約２０℃にまで冷えるまで、ファイバをこの混合物
と接触させなかった。更に、塩酸処理剤は沈殿（おそら
く、ＮＨ4 Ｆ塩）を生じた。
【００１７】しかし、７０％硝酸、８８％蟻酸または８
６％燐酸を処理剤中で使用した場合、ファイバは平滑な
ままであり、艶消仕上面も織目付表面も認められなかっ
た。
６％燐酸を処理剤中で使用した場合、ファイバは平滑な
ままであり、艶消仕上面も織目付表面も認められなかっ
た。
【００１８】前記のように、本発明は光ファイバ以外の
ガラス製品にも応用できる。下記の実施例２および３は
それぞれ、ガラス管およびガラス板に関する。
ガラス製品にも応用できる。下記の実施例２および３は
それぞれ、ガラス管およびガラス板に関する。
【００１９】実施例２ ボロシリケートガラス（例えば、パイレックス）管を、
実施例１に述べたような３：１ＢＯＥ２５vol.％と市販
の電子用品級の処理剤７５vol.％からなる混合物に暴露
した。暴露は約２０℃で約５０分間にわたって行った。
実施例１に述べたような３：１ＢＯＥ２５vol.％と市販
の電子用品級の処理剤７５vol.％からなる混合物に暴露
した。暴露は約２０℃で約５０分間にわたって行った。
【００２０】９９％酢酸を処理剤として使用した場合、
混合物は管の暴露面に微細な“しぼ”（≦１μｍ）の艶
消仕上面を形成した。
混合物は管の暴露面に微細な“しぼ”（≦１μｍ）の艶
消仕上面を形成した。
【００２１】８６％燐酸を処理剤として使用した場合、
〜５μｍの木目の拡散結晶状艶消仕上面が管の暴露面に
形成された。
〜５μｍの木目の拡散結晶状艶消仕上面が管の暴露面に
形成された。
【００２２】８８％蟻酸を処理剤として使用した場合、
液状混合物の液面以下の管部分には艶消仕上面または織
目付表面は全く形成されなかったが、混合物の液面より
も上の部分には艶消仕上面が形成された。この結果は、
混合物の蒸気相が艶消仕上面を形成したことを示してい
る。
液状混合物の液面以下の管部分には艶消仕上面または織
目付表面は全く形成されなかったが、混合物の液面より
も上の部分には艶消仕上面が形成された。この結果は、
混合物の蒸気相が艶消仕上面を形成したことを示してい
る。
【００２３】しかし、９７％硫酸および７０％硝酸また
は３７％塩酸を処理剤として使用した場合、管は平滑な
ままであり、艶消仕上面または織目付表面は全く認めら
れなかった。
は３７％塩酸を処理剤として使用した場合、管は平滑な
ままであり、艶消仕上面または織目付表面は全く認めら
れなかった。
【００２４】実施例３ ナトリウム石灰ガラス板を、実施例１に述べたような
３：１ＢＯＥ２５vol.％と市販の電子用品級の９９％酢
酸７５vol.％からなる混合物に暴露した。暴露は約２０
℃で約５０分間にわたって行った。ガラス板の表面に微
細な“しぼ”（≦１μｍ）の艶消仕上面が形成された。
３：１ＢＯＥ２５vol.％と市販の電子用品級の９９％酢
酸７５vol.％からなる混合物に暴露した。暴露は約２０
℃で約５０分間にわたって行った。ガラス板の表面に微
細な“しぼ”（≦１μｍ）の艶消仕上面が形成された。
【００２５】以上の結果から、酢酸を含有する混合物が
３種類のガラス製品の全てについて微細な“しぼ”の艶
消仕上面を形成し、そして、製品の個々の箇所における
エッチングが殆ど均質（すなわち、ドーパントのような
個々の種に対して非選択的である）である限りは、酢酸
は処理剤として好ましいものと思われる。
３種類のガラス製品の全てについて微細な“しぼ”の艶
消仕上面を形成し、そして、製品の個々の箇所における
エッチングが殆ど均質（すなわち、ドーパントのような
個々の種に対して非選択的である）である限りは、酢酸
は処理剤として好ましいものと思われる。
【００２６】前記の構成は本発明の原理の代表的な用途
に対して工夫できる多くの使用可能な特定の実例を例証
する目的のためにだけ挙げられたものである。当業者な
らば、本発明にもとることなく、多数の変更されたその
他の構成を案出することができる。特に、処理剤に対す
るＢＯＥのその他の比率（例えば、数％のＢＯＥ〜約５
０％程度までのＢＯＥ）および水に対するＨＦおよびＮ
Ｈ4 Ｆのその他の比率（例えば、３：１〜７：１）も好
適であることが予想される。しかし、一般的に、酢酸の
場合のように、所望の織目付表面または艶消仕上面を形
成するには、比較的高い比率の処理剤が必要であると思
われる。同様に、比較的広い範囲のエッチング時間およ
び温度も効果的に使用できる。
に対して工夫できる多くの使用可能な特定の実例を例証
する目的のためにだけ挙げられたものである。当業者な
らば、本発明にもとることなく、多数の変更されたその
他の構成を案出することができる。特に、処理剤に対す
るＢＯＥのその他の比率（例えば、数％のＢＯＥ〜約５
０％程度までのＢＯＥ）および水に対するＨＦおよびＮ
Ｈ4 Ｆのその他の比率（例えば、３：１〜７：１）も好
適であることが予想される。しかし、一般的に、酢酸の
場合のように、所望の織目付表面または艶消仕上面を形
成するには、比較的高い比率の処理剤が必要であると思
われる。同様に、比較的広い範囲のエッチング時間およ
び温度も効果的に使用できる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
曲面を有する光ファイバのようなガラス製品に対して簡
単に艶消仕上面を形成することができる。この艶消仕上
面はガラス製品のグレアを減少させるだけでなく、オプ
トエレクトロニクス部品の所定箇所にメタライゼーショ
ンを形成する際、従来のような複雑で高価なスパッタリ
ング装置を用いることなく、極めて簡単な電気メッキ法
を用いて実施できる。本発明により艶消仕上された部材
表面にメタライゼーション形成すると、メタライゼーシ
ョン膜の密着性が飛躍的に向上する。
曲面を有する光ファイバのようなガラス製品に対して簡
単に艶消仕上面を形成することができる。この艶消仕上
面はガラス製品のグレアを減少させるだけでなく、オプ
トエレクトロニクス部品の所定箇所にメタライゼーショ
ンを形成する際、従来のような複雑で高価なスパッタリ
ング装置を用いることなく、極めて簡単な電気メッキ法
を用いて実施できる。本発明により艶消仕上された部材
表面にメタライゼーション形成すると、メタライゼーシ
ョン膜の密着性が飛躍的に向上する。
【図１】パッケージの側壁に気密シールされた光ファイ
バを有するオプトエレクトロニクスパッケージの模式的
断面図である。
バを有するオプトエレクトロニクスパッケージの模式的
断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるメタライゼーションさ
れた光ファイバの模式的断面図である。
れた光ファイバの模式的断面図である。
１０ 密閉パッケージ １２ オプトエレクトロニクス部品 １４ キャリア １６ 光ファイバ １８ 側壁 ２０ 気密封止 ２２ ファイバ側壁延伸部分 ２４ 艶消仕上 ２６ 金属被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 バートランド ハロルド ジョンソン アメリカ合衆国 07974 ニュージャージ ィ、マレイ ヒル、ポサム ウェイ 60
Claims (11)
- 【請求項１】 フッ素系エッチング剤と処理剤からなる
混合物にガラス製品の少なくとも一部分を暴露すること
からなり、前記処理剤は、それ自体は前記ガラス製品を
然程蝕刻しない酸からなることを特徴とする、ガラス製
品の少なくとも一部分に織目付表面または艶消仕上面を
形成する方法。 - 【請求項２】 前記エッチング剤は緩衝化フッ化水素酸
からなり、前記処理剤は酢酸、燐酸、塩酸、硫酸および
蟻酸からなる群から選択される酸であることを特徴とす
る請求項１の方法。 - 【請求項３】 前記製品は、前記艶消仕上面が形成され
るシリカクラッド層を有する光ファイバであり、前記処
理剤は酢酸、塩酸および硫酸からなる群から選択される
酸であることを特徴とする請求項２の方法。 - 【請求項４】 前記製品はボロシリケートガラスからな
り、前記処理剤は酢酸、燐酸および蟻酸からなる群から
選択される酸であることを特徴とする請求項２の方法。 - 【請求項５】 前記製品はナトリウム石灰ガラスからな
り、前記処理剤は酢酸からなることを特徴とする請求項
２の方法。 - 【請求項６】 前記混合物は約２５vol.％の３：１ＢＯ
Ｅと７５vol.％の前記処理剤からなることを特徴とする
請求項１〜５の何れかの方法。 - 【請求項７】 織目付表面または艶消仕上面を有する前
記部分に金属層を堆積する工程を更に含むことを特徴と
する請求項３の方法。 - 【請求項８】 前記金属層は電気メッキ法により堆積さ
れることを特徴とする請求項７の方法。 - 【請求項９】 外表面の少なくとも一部分に織目付表面
または艶消仕上面を有するシリカ光ファイバ。 - 【請求項１０】 前記部分に堆積された金属層を有する
請求項９のファイバ。 - 【請求項１１】 オプトエレクトロニクスデバイス；前
記デバイスと光通信するように心合わせされた請求項１
０の光ファイバ；からなるパッケージであり、前記ファ
イバは前記パッケージ中の開口を通して延びており、前
記金属層は前記パッケージに対して前記開口中に気密封
止されていることを特徴とするオプトエレクトロニクス
パッケージ。
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