JPH04185693A

JPH04185693A - 抵抗膜のエッチング液組成物及びそれを使用したエッチング方法

Info

Publication number: JPH04185693A
Application number: JP2314055A
Authority: JP
Inventors: Takayoshi Watabe; 渡部　隆好; Takashi Inoue; 隆史井上; Hitoshi Oka; 岡　齊; Minoru Tanaka; 稔田中
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-11-21
Filing date: 1990-11-21
Publication date: 1992-07-02
Also published as: US5256247A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、すくなくとも、Ｃｒ、Ｓｉ、○、を含む材料
（以後、Ｃｒ−５ｉ○２と略記する）のエツチング液組
成物に係り、特に、Ａ　ｎ　／　Ｃｒ・ＳｉＯ２等の積
層金属薄膜をウエットニツチングにより加工するに当り
、Ｃｒ−５ｉｎ２のエツチング際にＣｒ−５ｉ○２のア
ンダーカットの発生が無くかつ上層金属であるＡＱの端
部を順テーパ形状にエツチング加工できるとともに、エ
ツチング時間を容易に管理出来るエツチングプロセスを
提供するものであり、しかも上記積層薄膜が、ポリイミ
ドの様な有機膜の上に形成された場合においても、Ｃｒ
−５ｉｓ２のエツチング残りが発生すること無く、加工
を達成できるエツチング液に関する。

〔従来の技術〕

計算機等に使用される電子回路においては、高速デジタ
ル信号の伝送に伴う反射ノイズを抑えるため、集積回路
素子と伝送線路とのインピーダンス整合を取る目的で、
伝送線路インピーダンスと同一の抵抗値を持つ抵抗器で
終端する。いわゆる整合終端方式が採用されている。そ
のため、集積回路を基板に搭載する際には、該集積回路
素子のパッケージまたは、その周辺に、終端用抵抗器も
同時に配置して、伝送線路等の終端処理を行なう。

ところで、このインピーダンス整合のための抵抗素子は
、従来、個別の部品としてプリント基板やマルチチップ
モジュール基板に外付けしていた。

しかし１個別部品では、小型化に限度があり、実装密度
向上に適さない。

そこで、抵抗素子を実装基板に内蔵できれば、集積回路
素子の実装密度を大幅に向上し得る。その方法としては
、多層配線構造からなる実装基板の成る層の表面に抵抗
体薄膜を形成し、次いで、ホトエツチング工程により所
望の抵抗値を持つ素子形状に加工する方法が有利である
。この方法によれば、実装密度向上だけでなく、パター
ン精度即ち抵抗値精度の高い終端抵抗素子が形成できる
上に、配線長の短縮による信号伝播速度向上に太きな効
果がある。さて、この終端抵抗素子と上部配線とのオー
ミックコンタクトを十分に確保するためには、抵抗材料
と配線材料を連続で成膜する方法が有効である。しかし
、配線材料の膜厚が厚いと、十分なパターン形成精度が
確保しにくいという問題がある。そこで、この連続成膜
により形成する配線材料の膜厚を薄くしておき、次いで
抵抗膜及び薄い配線材料からなる２層膜のパターンをホ
トエツチング工程により形成し、その後、必要な膜厚だ
け配線材料を成膜して電極パターンを形成し終端抵抗素
子を形成するというプロセスを用いれば、さらに高精度
の抵抗素子パターン形成が可能となる。

さて、本願においては、抵抗膜としてＣｒ・Ｓ　ｉ　０
２合金、電極及び配線材料としては、ＡＱを用いること
を前提とする。

ここで、抵抗膜及び薄い配線材料からなる積層膜を、独
立パターンとなる様にホトリソ工程によるエツチング加
工を施す必要がある。この時、工程簡略化の＃Ｒ魚から
、−回だけのホトリソ工程により本積層膜を一挙に加工
出来ることが望ましい。

また、特にＣｒ−５ユ０２エツチング液によりＡＱ／Ｃ
ｒ−８ｊＯ，！積層膜のパターン端部が順テーパ形状に
加工出来るようにしなければならない。

これは、その後工程のＡＱ電極成膜時に、ＡＱ／Ｃｒ−
５ｉ○２積層膜のパターン端部におけるＡＱ電極膜のカ
バレジを確保し、ＡＱ膜のクランクを防止するためであ
る。

さらに、特に大型計算機やスーパーコンピュータにおい
ては、実装遅延時間短縮の目的でマイクロチップキャリ
ヤやマルチモジュール基板等の実装基板にポリイミドの
様な誘電率の低い有機絶縁材料を用いた薄膜多層配線が
用いられる傾向にある。そこで、上記の終端抵抗素子な
ポリイミドの様な有機膜上に形成する必要も出てきた。

従って、抵抗膜のエツチング液としては、有機膜上に形
成された抵抗膜でも十分にエツチング除去出来ると同時
に、下地有機膜にダメージを与えるものであってはなら
ない。

さて、従来のＣｒ−５ｉ○２膜のエツチング液としでは
、特開昭６０−８３３０１号公報に記載のように、硝酸
とフッ化水素の混合液が挙げられる。

しかし、このエツチング液により、Ａ　Ｒ／　Ｃｒ・Ｓ
ｉ○２積層膜をエツチング加工したところ次の２つの問
題が発生した。第一に抵抗膜のアンダーカットが発生し
Ａ、　ｆｌがひさし状になってしまうことである（第１
Ｄ参照）。このため、後続のＡ　Ｒ電極形成工程におい
てそのＡＱ電極膜にＣｒ−５ｉ○２膜端部よりマイクロ
クラックが発生する問題が生じた。これは、抵抗膜のア
ンダーカットが、ＡＱ膜の着き回りを阻害するためであ
る。このクラックは、ＡＱ断線の原因となる可能性があ
り信頼性の重大問題である。また、上記へ〇のひさしが
大きい場合は、これが脱落して形状不良となる。

第二の問題として、従来のエツチング液を使用すると、
Ｃｒ−５ｉ○２のエツチング残りが発生し易く、特にポ
リイミドの様な有機膜上に成膜されたＣｒ−３ｉ○２に
対しては、この現象が著しい。

このため、例えば、抵抗膜を除去した領域での下地の加
工に悪影響をおよぼしたり、さらに上層に薄膜を重ねる
際の密着性を阻害する等の問題が発生し易かった。

以上の様に従来のＣｒ−８ｉ○２エツチング液では、ｉ
ＡＱ／Ｃｒ−８ｉ○２積層膜の加工において、Ｃｒ−５
ｉ○２膜のアンダーカットのために上層のＡΩがひさし
になり、後工程のＡＱ電極形成時にＡＱ膜にマイクロク
ラックの発生が起り、信頼性に劣る問題があった。さら
に、Ｑエッチング力が不十分なためにエツチング残りが
発生し易く、特に下地がポリイミド等の有機膜である場
合に、その傾向が著しいという問題があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、上記従来技術の問題を解決するため、
Ｃｒ−５ｉ○２膜のエツチングの際中にＣｒ−５ｉ○２
膜の上層の金属であるへΩ膜を順テープ形状に加工する
ことができ、その結果、後続するＡρ電極形成工程にお
いて抵抗膜パターン端部でのへΩ膜のマイクロクラック
の発生を防止すると共に下地表面にエツチング残りを発
生させることのない、Ｃｒ−５ｉ○２工ツチング液組成
物およびそれを使用したエツチング方法を提供すること
にある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、新規なＣｒ−５ｉＯ２のエ
ツチング液を開発したにのエツチング液は、■ＣｒおよびＳｉＯ２の両者に対し
、十分なエツチング力を持つこと、■へρに対しても適
切なエツチング力を持ち、結果としてＣｒ−８ｉＯ２の
アンダーカットが発生せず、また、上層のＡＱのパター
ン端部が順テーパ形状となること、■適当なエツチング
速度を持つこと、などの指針をもとに新規抵抗膜エツチ
ング液組成物を開発することとした。

先ず、ＡＱ、Ｃｒ、Ｓｉｎ、の３種類の材料のそれぞれ
を単独にエツチングできる試薬の混合物を基本組成とし
た。そらに、エツチングの際中のホトレジスト密着力の
増強に有効なことが経験的に知られているフッ化アンモ
ニウムを添加し、また、Ｃｒ−５ｉ○２膜のエツチング
を促進する効果のある、リン酸を添加し目的を達成した
。

〔作用〕

以上の様な方針に基づく、本発明のエツチング液の作用
について、さらに詳しく説明する。

Ｃｒ−５ｉ○２膜のエツチングは、従来の液でエツチン
グすると、２段階で進行する。エツチング初期は、エツ
チング速度が速く、ここで大部分の膜厚が失われる。引
き続いてエツチングの遅い層があり、ここが全エツチン
グ時間の大部分を占めている。即ち、Ｃｒ−８ｉ○２膜
は、性質の異なる２種類の層が重なった状態になってお
り、エツチングの遅い層の存在が、エツチング時間のバ
ラツキ、エツチング残りの原因ともなっている。

特に、下地がポリイミドの様な有機膜からなる場合には
、その傾向が著しい。このような、頑固なエツチング残
りを完全に除去しようとするあまり、オーバーエツチン
グ時間が長くなり、必然的にＣｒ−３ｉ○２膜のアンダ
ーカット量が増えるという事になる。

本発明のエツチング液組成物は、Ｃｒ−８ｉ○２膜の上
層の金属であるＡＱに対して、Ｃｒ・Ｓｉｎ、膜端部か
ら順テーパ形状に加工出来て、上記のようなエツチング
残りの発生しやすい、例えば、ポリイミドの様な有機膜
上に成膜された、Ｃｒ−８ｉ○２薄膜に対しても十分な
エツチング力を持つものである。即ち、本発明のエツチ
ング液組成物は、Ｃｒのエツチングには、塩酸、Ｓｉｏ
２のエツチングには、フッ酸、フッ化アンモニウム、エ
ツチング液の強化には、リン酸、レジスト密着性の向上
には、フッ化アンモニウムを含有することを特徴とした
とする。

なお、本発明のＣｒ−５ｉ○２工ツチング液組成物は、
ポリイミドの様な有機膜の上に形成された、特にエツチ
ング残りを発生し易いＣｒ−５ｉ○２薄膜を考慮して開
発されたものであるが、その以外の基板、例えば、ガラ
ス、セラミックス、Ｓｉ半導体等の無機材料からなる基
板の上に形成されたＣｒ−８ｉＯ２薄膜のエツチングに
対しても有効であるのは、言うまでもない。

〔実施例〕

本発明の実施例について以下に説明する。まず本発明の
実験に用いた試躾について述べる。基板としては、アル
ミナ系セラミック基板（１０１ＸＩＯ］）または、青板
ガラス（１０ｃｚ　Ｘ　ｌ０ｃｚ　）を用いた。

これらの基板上にポリイミドをスピン塗布し、所定温度
で段階的にベークおよび硬化させた。ポリイミドの最終
膜厚は、１４μｍとした。これをスパッタ装置に入れ、
所定条件で真空加熱乾燥を行い、ポリイミド表面に、Ｃ
ｒ−５ｉ　Ｏ２（［成Ｃｒ：Ｓｉ○２＝６６ｗｔ％：３
４ｗｔ％）、ＡＱの順に連続スパッタ成膜を行った。ス
パッタ条件は、以下の通りである。

１）Ｃｒ−３ｉ○２スパツタ投入電力（ＲＦ）−１，０ｋｗ　（２分）０．５部ｗ（
２分）０．２５部ｗ（２分）Ａｒ圧力、、＝０．２Ｐａ２）ＡＩ２スパッタ投入電力（ＤＣ）　＝４．０　ｋ、ｗ　（８分４０秒）
Ａｒ圧力＝０．２Ｐａ３）Ｃｒ−８ｉＯ２膜厚：　２０００人４）ＡＱ膜厚：
　４０００Å 以上のように成膜した。　Ａ　Ｑ　／　Ｃｒ−５ｘ　Ｏ
ｚ薄膜上にポジ形レジストを用いて所定の条件によりレ
ジストパターンを形成した。次いで、このレジストパタ
ーンをマスクとして、ＡＱのエツチングを行なった。Ａ
Ｕのエツチング条件は、以下の通りである。

ＡＱのエツチング条件：１）エツチング液組成ニリン酸７８部（体積分率）硝　
酸２部（体積分率）酢　酸１５部（体積分率）水　５部（体積分率）２）液　温：４０℃ ３）エツチング時間：ジャストエツチング時間＋３０秒上記、ＡＱエツチング液を調整し、これを、ウォータバ
ス中、所定温度に加温し、上記基板をエツチング液中に
浸漬静置し、Ａｆｌをエツチングした。なお、ここまで
は、すべてのサンプルについて同一条件でプロセスを進
めた。

この後、第１表に示す、種々のＣｒ−８ｉＯ２工ツチン
グ液組成物を調整し、これを、上記条件によりＡρエツ
チングの完了したサンプル基板を浸漬揺動しエツチング
を行なった。次に、サンプル基板を洗浄、乾燥後、レジ
スト剥離液を用いてレジストを剥離した。

以上のエツチング工程をサンプルの断面図で模式的に示
したのが第１図である。ここで、Ｃｒ・５ｊＯ２エツチ
ング後のＡ　Ｑ　／　Ｃｒ−５ｘ　Ｏｚ膜端部形状は、
従来のエツチング液でエツチングした場合、Ｃの様にな
る。一方、Ｃ′は、本発明の目標となる、ＡＱ／Ｃｒ−
５ｉｓ２膜端部形状を示したものである。レジスト剥離
後の状態を示すＤにおいて、Ω１と表示した長さは、Ｃ
ｒ−５ｉ○２の端面のＡＱ端面からの後退量であり、Ｃ
ｒ−８ｉＯ２のアンダーカット量と定義する。ここで、
Ｑ□　＝０となるような新規抵抗膜エツチング液組成を
探索の結果、本発明を見出すことに至った。

なお、Ｃｒ−８ｉＯ２エツチング残りの有無は、エツチ
ング終了後のポリイミド表面をＸ線マイクロアナライザ
により分析し判定した。レジスト密着性については、Ｃ
ｒ−５ｉ○２エツチング後、または、エツチング終了後
の水洗時に５目視により観察し判断した。また、パター
ン形状の善し悪しは、ＳＥＭにより観察し判断した。

以上のように行なった実施例の結果を、従来のエツチン
グ液を同様の試料に対して用いた結果（比較例）ととも
に表１に示し、以下に詳しく説明する。

１、比較例表１のＮａ　１〜３に、比較例として従来のＣｒ・Ｓ　
ｉ　Ｏ２エツチング液を用いた結果を示す。比較例１の
フッ酸と硝酸の混合液では、すべての特性について、満
足すべきものが得られなかった。比較例２のフッ酸とフ
ッ化アンモニウムの混合液については、Ｃｒ−５ｉ○２
のエツチングが進行しナカった。比較例３のフッ酸に増
粘剤としてポリエチレングリコール（ＰＥＧ）を添加し
た溶液では、Ｃｒ−５ｉＯ２のエツチングが出来るもの
のＣｒ−８ｉＯ２に７μｍのアンダーカットが発生しＡ
ｆｌのひさしが出来た。また、エツチング端部周辺のポ
リイミド上に、Ｃｒ−８ｉ○２のエツチング残りが発生
した。このエツチング残りを完全に除去するあまり、オ
ーバエツチング時間が長くなり、必然的にＣｒ−８ｉＯ
２のサイドエツチング量も増えることになる。レジスト
の密着性も悪く、水洗時に、レジストが脱落した。

以上のように、従来の代表的なエツチング液では、いず
れにおいても満足すべきエツチング特性−を得ることが
出来なかった。

２、実施例そこで、新規なＣｒ−５ｉ○２工ツチング液組成を探索
し５表１のＮａ４〜１７に示す新しいエツチング液組成
を見出すことが出来た。

表１中、実施例１は、Ｃｒのエツチング強化とＡｆｌひ
さし除去を目的としてフッ酸に、塩酸と塩化カリウムを
加えた液組成である。ＡＱのひさしは、出来なかったが
、レジスト密着性が悪＜、ＡＱのひさしが行き過ぎＣｒ
−５ｉｓ、膜端部がダメージを受けた。エツチング残り
も皆無に出来なかった。そこで、レジストの密着性増強
に有効なことが経験的に知られている、フッ化アンモニ
ウムの添加によりレジスト密着を改善した液組成が実施
例２である。Ｃｒ−５ｉ○２のアンダーカット量は、ゼ
ロに出来、レジスト密着も満足するものが得られた。特
に、Ａｆｆ／Ｃｒ−５ｉ○２膜端部は、順テーパ形状で
あり、目標としたものが得られた。しかし、Ｃｒ−５ｉ
○２のエツチング残りが著しかった。次に、液の粘度を
上げ、Ｃｒ・ＳｉＣ２のアンダーカットを抑える目的で
リン酸を加えた液組成が、実施例３である。予想に反し
て５μｍに及ぶＣｒ−５ｉ○２のアンダーカット量が発
生した。しかし、Ｃｒ−５ｉ○２のエツチング残りが完
全に消失した。リン酸添加により、Ｃｒ−５ｉｓ２のエ
ツチング残りを皆無にすることが出来たが、この作用機
構の詳細については不明である。

そこで、実施例２．３の相乗効果を狙った。液組成が実
施例４〜６である。ここでは、特にフッ酸の濃度を変化
させた。いずれにおいても、Ｃｒ・Ｓ　ｉ　Ｏ，のエツ
チング残りは、皆無に出来た。パターン形状については
、フッ酸含有量の減少と共に悪くなる傾向であった。一
方、Ｃｒ−８ｉ○２のアンダーカット量も減少する傾向
であるが、ゼロにすることは出来なかった。次に、アン
ダーカット量をゼロに出来ると共にエツチング残りをな
くす目的で、塩酸、リン酸の濃度の最適かを図った結果
が実施例７〜９である。その結果、表１に示すように、
実施例９のエツチング液組成で全てのエツチング特性を
満足するものが得られ、特に、Ａｐ／Ｃｒ−８ｉＯ２膜
端部においては、順テーバ形状が実現出来た。

なお、本発明のエツチング液組成物は、上記実施例９の
液組成のみに限定されるものではない。

すなわち、液組成の最適範囲をさらに詳細に調べた結果
以下に示す濃度範囲が好適であることを見出した。塩酸
の濃度が１　、９２ｍｏΩ／ｐより大きく、２．６４ｍ
ｏρ／Ｑより小さい範囲で用いることが望ましい。これ
よりも低い濃度領域（例えば、実施例８）では、Ｃｒ−
５ｉ○２のアンダーカット量が大きくなり膜端部を順テ
ーパ形状に出来なかった。

また、高い濃度領域（例えば、実施例１０）も低濃度領
域同様の結果となる。リン酸の濃度については、０．２
６ｍｏ　Ｑ　／　ｎより大きく、０，７７ｍｏ　Ｑ　／
　Ｑより小さい範囲で用いることが望ましい。これより
も低い濃度領域（例えば、実施例１１）では、Ｃｒ・Ｓ
ｉＯ２のエツチング残りを発生する問題がある。

また、高い濃度領域（例えば、実施例１２）では。

エツチング残りは皆無に出来るがアンダーカット量が大
きくなる。フッ酸の濃度については、５ＢｏＱ／ｎより
大きく、１０ｍｏ　Ｑ　／　１２より小さい範囲で用い
ることが望ましい。これよりも低い濃度領域（例えば、
実施例６）では、ＡＱ／Ｃｒ−３ｉ○２のパターン形状
が悪くなる問題がある。また、高い濃度領域（例えば、
実施例４）では、Ｃｒ・ＳｉＯ２のアンダーカット量が
大きくなる。フッ化アンモニウムの濃度については、３
．２ｉｏＱ／Ｑより大きく、５．４ｍｏ　Ｑ　／　ｎよ
り小さい範囲で用いることが望ましい。これよりも低い
濃度領域（例えば、実施例１３）では、レジストの密着
が劣り、また、Ｃｒ−５ｉ０２　のアンダーカット量も
小さいながらゼロではない。また、高い濃度領域（例え
ば、実施例１４）では、パターン端部を順テーパ形状に
できるものの、エツチング残りが激しｕ’ｅ以上述べてきたように、本発明により、Ｃｒ・ＳｉＯ２
の最適エツチング液組成物が見出され、エムを用いてエ
ツチング残りなく、かつ、Ａｐ／Ｃｒ−５ｉ○２膜端部
を順テーパ形状に加工できることが示された。また、本
発明のエツチング液組成物を用いて、ポリイミド薄膜上
のＡ　Ｑ　／　Ｃｒ・Ｓ　ｉ　Ｏ２の２層膜をエツチン
グし、次いで、ＡＱ電極に成膜した所、そのへρ膜にマ
イクロクラックの発生がなく、信頼性の高い終端抵抗素
子が形成出来た。

なお、本発明のエツチング液を適用するにあたり、Ａｕ
／Ｃｒ−５ｉ○２膜が形成される下地基板は、上記実施
例に限定されるものではなく、種々ガラス板、Ｓｉウェ
ハ、種々セラミックス基板にも適用できる。

〔発明の効果〕

本発明は、高性能のＣｒ−３ｉ○２工ツチング液組成物
を与えるものであり、特に、Ａ　Ｑ　／　Ｃｒ・ＳｉＯ
２の多層金属薄膜をウェットエツチング加工するにあた
り、Ｃｒ−５ｉｓ２のエツチングの際にＣｒ−３ｉｓ２
膜のアンダーカットが発生せず、かつ、上層金属である
Ａｐを順テーパ形状に加工するエツチングプロセスを提
供するものである。しかも上記多層金属薄膜が、ポリイ
ミドの様な有機薄膜上に形成された場合においても、Ｃ
ｒ・ＳｉＯ２のエツチング残りが発生することなく。

かつ、再現性よくＣｒ−８ｉｏ２のエツチング加工を実
施することが出来る。本発明のエツチング液を用いおば
、単に、Ｃｒ−８ｉｓ２膜の加工が出来るばかりでなく
、ＡＱ／Ｃｒ−８ｉ○２膜端部を順テーパ形状に出来る
ため、その拶、ＡＱ電極を成膜する際に、抵抗膜のパタ
ーン端部でＡｐ膜にマイクロクラックを発生させること
が無い。

従って、集積回路素子のマイクロチップキャリヤあるい
は、マルチチップモジュール基板等の実装基板に内蔵さ
れる、終端抵抗素子を信頼性高く形成できる技術を提供
するものである。

また１本発明のエツチング液は、１回のホトレジスト工
程で、エツチング液を切り替えながら上層から順にエツ
チングを施すことが出来、その間レジストが剥離するこ
とがないため、プロセスが大巾に簡略化できる。

また、エツチング力が強いため、有機薄膜の様な反応性
に富む下地材料の上に形成されたＣｒ・５１０２に対し
てもエツチング力を失わない。このことからも判るよう
にプロセス変動による膜質変化に対してもある程度対応
できるものであり、ＡΩ／Ｃｒ−５ｉ○２成膜プロセス
に対するマージンが広く、かつ下地基板に依らず、完全
なＣｒ・Ｓ　ｉ　Ｏ２エツチング除去が達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に関し、Ａ　Ｑ　／　Ｃｒ・Ｓ
ｉ○２積層薄膜のエツチング工程を、従来のエツチング
液と発明したエツチング液との比較したエツチング工程
を、試料の断面図により示した図、第２図はＡＱ電極マ
イクロクラック発生メカニズムを示した図である。１・・・レジストパターン、２・・ＡＱ層、３・・・Ｃ
ｒ−５ユ０２　　４・・・ポリイミド層、５・ムライト
基板または青板ガラス、６・・・エツチング残渣、　７・・Ａｆｌ電極層、８・
・ＡＵ電極マイクロクラック、Ｑ□・・Ｃｒ−８ｉＯ２のアンダーカット量。

Claims

【特許請求の範囲】

１．水、無機酸、フッ酸、フッ化アンモニウムからなる
ことを特徴とする抵抗膜のエッチング液組成物。
２．該抵抗膜のエッチング液組成物において、無機酸が
、塩酸及びリン酸の混合物であることを特徴とする請求
項１記載のエッチング液組成物。
３．該抵抗膜のエッチング液組成物において、塩酸の濃
度が１．９２ｍｏｌ／ｌより大きく、２．６４ｍｏｌ／
ｌより小さい範囲にあり、リン酸の濃度が０．２６ｍｏ
ｌ／ｌより大きく、０．７７ｍｏｌ／ｌより小さい範囲
にあり、フッ酸の濃度が５ｍｏｌ／ｌより大きく、１０
ｍｏｌ／ｌより小さい範囲にあり、フッ化アンモニウム
の濃度が３．２ｍｏｌ／ｌより大きく、５．４ｍｏｌ／
ｌより小さい範囲にあることを特徴とする請求項１記載
のエッチング液組成物。
４．水、無機酸、フッ酸、フッ化アンモニウムからなる
ことを特徴とする抵抗膜のエッチング液組成物を使用す
るエッチング方法。
５．該抵抗膜のエッチング液組成物において、無機酸が
、塩酸及びリン酸の混合物であることを特徴とする請求
項４記載のエッチング方法。
６．該抵抗膜のエッチング液組成物において、塩酸の濃
度が１．９２ｍｏｌ／ｌより大きく、２．６４ｍｏｌ／
ｌより小さい範囲にあり、リン酸の濃度が０．２６ｍｏ
ｌ／ｌより大きく、０．７７ｍｏｌ／ｌより小さい範囲
にあり、フッ酸の濃度が５ｍｏｌ／ｌより大きく、１０
ｍｏｌ／ｌより小さい範囲にあり、フッ化アンモニウム
の濃度が３．２ｍｏｌ／ｌより大きく、５．４ｍｏｌ／
ｌより小さい範囲にあることを特徴とする請求項４記載
のエッチング方法。
７．該抵抗膜のエッチング液組成物を、有機膜表面に形
成された抵抗膜のエッチングに用いることを特徴とする
請求項４記載のエッチング方法。