JP2002009061A - ウェットエッチング方法 - Google Patents
ウェットエッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】モリブデンをエッチング液に浸してエッチング
して配線パターンを形成する場合、リン酸、硝酸、酢
酸、水を混合したエッチング液を使用すると、モリブデ
ンの表面に存在するモリブデン酸化膜とその下の純モリ
ブデンとの間にエッチングレートの差があるために、エ
ッチング完了後のモリブデン断面の形状がくさび型にな
ってしまい、後工程でモリブデンの上層に成膜する膜の
カバレッジ性を悪くし、断線などの不良を起こす原因に
なっていた。 【解決手段】ウェットエッチングを２回に分けて行い、
２回目のウェットエッチングにおいて、硝酸を含むエッ
チング液７を用いて、モリブデン２の表面に形成されて
いる薄いモリブデン酸化膜８を選択的にエッチングする
ことにより、モリブデン２及びその上のモリブデン酸化
膜８で構成する配線パターン９の側面をなだらかな順テ
ーパーの形状とすることができる。
して配線パターンを形成する場合、リン酸、硝酸、酢
酸、水を混合したエッチング液を使用すると、モリブデ
ンの表面に存在するモリブデン酸化膜とその下の純モリ
ブデンとの間にエッチングレートの差があるために、エ
ッチング完了後のモリブデン断面の形状がくさび型にな
ってしまい、後工程でモリブデンの上層に成膜する膜の
カバレッジ性を悪くし、断線などの不良を起こす原因に
なっていた。 【解決手段】ウェットエッチングを２回に分けて行い、
２回目のウェットエッチングにおいて、硝酸を含むエッ
チング液７を用いて、モリブデン２の表面に形成されて
いる薄いモリブデン酸化膜８を選択的にエッチングする
ことにより、モリブデン２及びその上のモリブデン酸化
膜８で構成する配線パターン９の側面をなだらかな順テ
ーパーの形状とすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、或い
は、液晶表示装置等の配線パターンの形成に用いられる
ウェットエッチング方法に関する。
は、液晶表示装置等の配線パターンの形成に用いられる
ウェットエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタなどの配線材料として
使用されるモリブデン（Ｍｏ）をエッチングする方法と
して、真空中にガスを導入し、プラズマを発生させてエ
ッチングするドライエッチングと、被エッチング膜にエ
ッチング液をスプレーなどで吹きかける、または、エッ
チング液に浸してエッチングするウェットエッチングの
２つの方法がある。
使用されるモリブデン（Ｍｏ）をエッチングする方法と
して、真空中にガスを導入し、プラズマを発生させてエ
ッチングするドライエッチングと、被エッチング膜にエ
ッチング液をスプレーなどで吹きかける、または、エッ
チング液に浸してエッチングするウェットエッチングの
２つの方法がある。
【０００３】ウェットエッチングで使用するエッチング
液としては、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）、硝酸（ＨＮＯ3）、
酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）および水を混合したエッチング
液を使用する場合がある。
液としては、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）、硝酸（ＨＮＯ3）、
酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）および水を混合したエッチング
液を使用する場合がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
エッチング液でウェットエッチングを行なうと、モリブ
デンの表面に存在するモリブデン酸化膜とその下の純モ
リブデンとの間にエッチングレート（エッチング速度）
の差があるために、エッチング完了後のモリブデン断面
の形状が、くさび型と呼ばれる逆テーパーの形状になっ
てしまい、後工程でモリブデンの上層に成膜する膜（絶
縁あるは保護膜等）のカバレッジ性を悪くし、断線など
の不良を起こす原因になっていた。
エッチング液でウェットエッチングを行なうと、モリブ
デンの表面に存在するモリブデン酸化膜とその下の純モ
リブデンとの間にエッチングレート（エッチング速度）
の差があるために、エッチング完了後のモリブデン断面
の形状が、くさび型と呼ばれる逆テーパーの形状になっ
てしまい、後工程でモリブデンの上層に成膜する膜（絶
縁あるは保護膜等）のカバレッジ性を悪くし、断線など
の不良を起こす原因になっていた。
【０００５】本発明の目的は、モリブデン、或いは、モ
リブデンの合金膜からなる配線パターンを形成するに当
たって、配線パターンの側面をなだらかな順テーパー形
状とすることのできるウェットエッチング方法を提供す
ることにある。
リブデンの合金膜からなる配線パターンを形成するに当
たって、配線パターンの側面をなだらかな順テーパー形
状とすることのできるウェットエッチング方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のウェットエッチ
ング方法は、表面に酸化物層を有するＭｏ（モリブデ
ン）を主体とするＭｏ系金属膜の上にレジストパターン
を形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記Ｍ
ｏ系金属膜をエッチング除去して前記Ｍｏ系金属膜から
なる配線パターンを形成するウェットエッチング方法で
あって、前記Ｍｏ系金属膜からなる配線パターンを形成
する工程が、２回のエッチングにより行われ、１回目の
エッチングにより前記レジストパターンをマスクとして
前記Ｍｏ系金属膜をその膜厚全体に渡ってエッチングし
て前記Ｍｏ系金属膜を配線パターンとし、２回目のエッ
チングにより前記Ｍｏ系金属膜の表面にある酸化物層を
エッチングして前記レジストパターンから前記レジスト
パターンの内側に後退した酸化物層のエッチング側面を
形成することを特徴とし、前記酸化物層のエッチング
が、硝酸を含むエッチング液により行われ、前記硝酸を
含むエッチング液は、前記硝酸の他に塩酸及び水を含
む、というものである。
ング方法は、表面に酸化物層を有するＭｏ（モリブデ
ン）を主体とするＭｏ系金属膜の上にレジストパターン
を形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記Ｍ
ｏ系金属膜をエッチング除去して前記Ｍｏ系金属膜から
なる配線パターンを形成するウェットエッチング方法で
あって、前記Ｍｏ系金属膜からなる配線パターンを形成
する工程が、２回のエッチングにより行われ、１回目の
エッチングにより前記レジストパターンをマスクとして
前記Ｍｏ系金属膜をその膜厚全体に渡ってエッチングし
て前記Ｍｏ系金属膜を配線パターンとし、２回目のエッ
チングにより前記Ｍｏ系金属膜の表面にある酸化物層を
エッチングして前記レジストパターンから前記レジスト
パターンの内側に後退した酸化物層のエッチング側面を
形成することを特徴とし、前記酸化物層のエッチング
が、硝酸を含むエッチング液により行われ、前記硝酸を
含むエッチング液は、前記硝酸の他に塩酸及び水を含
む、というものである。
【０００７】また、上記ウェットエッチング方法は、前
記酸化物層のエッチング側面が、前記Ｍｏ系金属膜から
なる配線パターンの側面と概略同一平面を構成し、前記
Ｍｏ系金属膜からなる配線パターンは、その表面からそ
の底面に向かうに従って、配線幅がその幅の両側に広が
る形状をなす、という形態を採る。
記酸化物層のエッチング側面が、前記Ｍｏ系金属膜から
なる配線パターンの側面と概略同一平面を構成し、前記
Ｍｏ系金属膜からなる配線パターンは、その表面からそ
の底面に向かうに従って、配線幅がその幅の両側に広が
る形状をなす、という形態を採る。
【０００８】さらに、上記ウェットエッチング方法は、
前記２回目のエッチングは、ディップ式のエッチングに
より行われ、前記１回目のエッチングは、リン酸、硝
酸、酢酸及び水を含むエッチング液により行われ、前記
１回目のエッチングは、ディップ式、或いは、シャワー
式のエッチングにより行われ、前記１回目及び前記２回
目のエッチングが、同一の装置内で連続して行われる、
或いは、異なる装置で連続して行われる、という形態を
採る。
前記２回目のエッチングは、ディップ式のエッチングに
より行われ、前記１回目のエッチングは、リン酸、硝
酸、酢酸及び水を含むエッチング液により行われ、前記
１回目のエッチングは、ディップ式、或いは、シャワー
式のエッチングにより行われ、前記１回目及び前記２回
目のエッチングが、同一の装置内で連続して行われる、
或いは、異なる装置で連続して行われる、という形態を
採る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）、
硝酸（ＨＮＯ3）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）および水を混
合したエッチング液でモリブデンをエッチングして金属
パターンを形成し、次いで塩酸（ＨＣｌ）、硝酸（ＨＮ
Ｏ3）、水を混合したエッチング液で、モリブデン酸化
膜のみをエッチングし、エッチング後のモリブデンの断
面をなだらかな順テーパー形状にトリムすることによ
り、後工程でモリブデンの上層に成膜する膜（絶縁ある
は保護膜等）のカバレッジ性を良くし、断線などの不良
を低減することを特徴とするエッチング方法である。
硝酸（ＨＮＯ3）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）および水を混
合したエッチング液でモリブデンをエッチングして金属
パターンを形成し、次いで塩酸（ＨＣｌ）、硝酸（ＨＮ
Ｏ3）、水を混合したエッチング液で、モリブデン酸化
膜のみをエッチングし、エッチング後のモリブデンの断
面をなだらかな順テーパー形状にトリムすることによ
り、後工程でモリブデンの上層に成膜する膜（絶縁ある
は保護膜等）のカバレッジ性を良くし、断線などの不良
を低減することを特徴とするエッチング方法である。
【００１０】また、１回目のエッチングはシャワー式ま
たはディップ式エッチングのどちらかでエッチングを行
い、２回目のエッチングは、ディップ式エッチングのみ
でエッチングを連続して行うことを特徴とする。
たはディップ式エッチングのどちらかでエッチングを行
い、２回目のエッチングは、ディップ式エッチングのみ
でエッチングを連続して行うことを特徴とする。
【００１１】また、モリブデン酸化膜のみをエッチング
する上述のエッチング液には、硝酸（ＨＮＯ3）を混合
することにより、フォトレジストとモリブデン酸化膜と
の間にエッチング液がしみ込み易くなり、モリブデンか
らなる金属パターンの断面をよりなだらかな順テーパー
形状に出来ることを特徴とする。
する上述のエッチング液には、硝酸（ＨＮＯ3）を混合
することにより、フォトレジストとモリブデン酸化膜と
の間にエッチング液がしみ込み易くなり、モリブデンか
らなる金属パターンの断面をよりなだらかな順テーパー
形状に出来ることを特徴とする。
【００１２】次に、本発明の実施形態を図１、２に基づ
いて説明する。図１、２は本発明の実施形態の製造方法
を製造工程順に示す模式断面図であり、モリブデン配線
パターン（薄膜トランジスタ用など）の部分を拡大した
形で示す模式断面図である。
いて説明する。図１、２は本発明の実施形態の製造方法
を製造工程順に示す模式断面図であり、モリブデン配線
パターン（薄膜トランジスタ用など）の部分を拡大した
形で示す模式断面図である。
【００１３】配線パターンの形成方法としては、まず、
ガラス、或いは、ガラス及びその上の絶縁膜をベースと
する絶縁基板１の上にモリブデン２をスパッタ法により
成膜し、フォトレジスト法（フォトレジスト塗布、露
光、現像）によりモリブデン２の上にフォトレジストパ
ターン３を形成する（図１（ａ））。
ガラス、或いは、ガラス及びその上の絶縁膜をベースと
する絶縁基板１の上にモリブデン２をスパッタ法により
成膜し、フォトレジスト法（フォトレジスト塗布、露
光、現像）によりモリブデン２の上にフォトレジストパ
ターン３を形成する（図１（ａ））。
【００１４】次に、ウェットエッチングにより、フォト
レジストパターン３に覆われていない部分のモリブデン
２を全てエッチングし、最後にフォトレジストパターン
３を剥離し、配線パターン９を形成する。
レジストパターン３に覆われていない部分のモリブデン
２を全てエッチングし、最後にフォトレジストパターン
３を剥離し、配線パターン９を形成する。
【００１５】この時のウェットエッチング方法として
は、まず、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）、硝酸（ＨＮＯ3）、酢
酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）および水を混合したエッチング液
を使用し、シャワー式（或いは、ディップ式）エッチン
グで、フォトレジストパターン３に覆われていない部分
のモリブデン２に、シャワー４からのスプレー５を吹き
かけて、全てエッチング除去すると、整形前配線パター
ン６が形成される（図１（ｂ））。
は、まず、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）、硝酸（ＨＮＯ3）、酢
酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）および水を混合したエッチング液
を使用し、シャワー式（或いは、ディップ式）エッチン
グで、フォトレジストパターン３に覆われていない部分
のモリブデン２に、シャワー４からのスプレー５を吹き
かけて、全てエッチング除去すると、整形前配線パター
ン６が形成される（図１（ｂ））。
【００１６】次に、連続して塩酸（ＨＣｌ）、硝酸（Ｈ
ＮＯ3）、水を混合したエッチング液７を使用し、ディ
ップ式エッチングで整形前配線パターン６の表面に存在
するモリブデン酸化膜８のみをエッチングすると、整形
前配線パターン６は配線パターン９となる（図２
（ａ））。
ＮＯ3）、水を混合したエッチング液７を使用し、ディ
ップ式エッチングで整形前配線パターン６の表面に存在
するモリブデン酸化膜８のみをエッチングすると、整形
前配線パターン６は配線パターン９となる（図２
（ａ））。
【００１７】その後、純水リンスおよび乾燥を行い、フ
ォトレジストパターン３を剥離すれば、側面がなだらか
な順テーパー形状をなすモリブデンからなる配線パター
ン９が得られる（図２（ｂ））。
ォトレジストパターン３を剥離すれば、側面がなだらか
な順テーパー形状をなすモリブデンからなる配線パター
ン９が得られる（図２（ｂ））。
【００１８】以上述べたウェットエッチング方法をもう
少し詳細に説明する。
少し詳細に説明する。
【００１９】まず、ガラス、又は、ガラス上の絶縁膜か
らなる絶縁基板１の上にスパッタ法でモリブデン２を２
００〜３００ｎｍ程度成膜し、フォトレジスト法でモリ
ブデンからなる整形前配線パターン６を形成する。
らなる絶縁基板１の上にスパッタ法でモリブデン２を２
００〜３００ｎｍ程度成膜し、フォトレジスト法でモリ
ブデンからなる整形前配線パターン６を形成する。
【００２０】ウェットエッチングでモリブデン２をエッ
チングする時に、スプレー５のエッチング液は、リン酸
（Ｈ3ＰＯ4）、硝酸（ＨＮＯ3）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯ
Ｈ）および水を混合したエッチング液であり、具体的に
は、例えば、リン酸：硝酸：酢酸＝７９％：０．５％：
３．２％の混合比からなり、エッチング槽内で液温を３
５〜４５℃程度に保つ。この時のエッチング時間は、シ
ャワー式エッチングの場合は１００〜２００秒程度、デ
ィップ式エッチングの場合は２００〜３００秒程度であ
る。
チングする時に、スプレー５のエッチング液は、リン酸
（Ｈ3ＰＯ4）、硝酸（ＨＮＯ3）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯ
Ｈ）および水を混合したエッチング液であり、具体的に
は、例えば、リン酸：硝酸：酢酸＝７９％：０．５％：
３．２％の混合比からなり、エッチング槽内で液温を３
５〜４５℃程度に保つ。この時のエッチング時間は、シ
ャワー式エッチングの場合は１００〜２００秒程度、デ
ィップ式エッチングの場合は２００〜３００秒程度であ
る。
【００２１】続いて行うエッチングには、塩酸（ＨＣ
ｌ）、硝酸（ＨＮＯ3）、水を混合したエッチング液７
を用い、具体的には、例えば、塩酸：硝酸＝１７．６
％：１．６％の混合比からなるものを使用する。
ｌ）、硝酸（ＨＮＯ3）、水を混合したエッチング液７
を用い、具体的には、例えば、塩酸：硝酸＝１７．６
％：１．６％の混合比からなるものを使用する。
【００２２】このエッチング液をエッチング槽内で液温
２０〜３０℃程度に保ち、アップフローによるディップ
式エッチングで２０〜４０秒程度エッチングを行い、モ
リブデンからなる整形前配線パターン６の表面に存在す
るモリブデン酸化膜８のみをエッチングする。この時の
ディップ時間は、薄いモリブデン酸化膜８をエッチング
するので、２０〜４０秒程度で十分である。
２０〜３０℃程度に保ち、アップフローによるディップ
式エッチングで２０〜４０秒程度エッチングを行い、モ
リブデンからなる整形前配線パターン６の表面に存在す
るモリブデン酸化膜８のみをエッチングする。この時の
ディップ時間は、薄いモリブデン酸化膜８をエッチング
するので、２０〜４０秒程度で十分である。
【００２３】また、このウェットエッチングを必ずディ
ップ式エッチングで行う理由は、上述のエッチング液７
の粘度が低いために（１０ｃｐ以下）、シャワー式でエ
ッチングを行うと、エッチング液とモリブデン酸化膜が
反応する前に、エッチング液が次々と入れ替わり、エッ
チング液とモリブデン酸化膜との接触時間が短くなり、
エッチング反応が起こらないからである。
ップ式エッチングで行う理由は、上述のエッチング液７
の粘度が低いために（１０ｃｐ以下）、シャワー式でエ
ッチングを行うと、エッチング液とモリブデン酸化膜が
反応する前に、エッチング液が次々と入れ替わり、エッ
チング液とモリブデン酸化膜との接触時間が短くなり、
エッチング反応が起こらないからである。
【００２４】また、このエッチング液７に硝酸（ＨＮＯ
3）を混合することにより、フォトレジストパターン３
とモリブデン酸化膜８との間にエッチング液がしみ込み
易くなるので、配線パターン９の断面をよりなだらかな
順テーパー形状にすることが出来る。
3）を混合することにより、フォトレジストパターン３
とモリブデン酸化膜８との間にエッチング液がしみ込み
易くなるので、配線パターン９の断面をよりなだらかな
順テーパー形状にすることが出来る。
【００２５】ここで、ウェットエッチング装置は、エッ
チング槽、純水リンス槽および乾燥槽からなる枚葉式の
装置であり、エッチング槽はエッチング液を吹きかける
スプレー（シャワー式エッチング）の機能、およびエッ
チング液を槽内に貯めることができるアップフロー（デ
ィップ式エッチング）の両機能を備えているものとす
る。また、エッチング槽は、２種類のエッチング液を使
用するので２槽以上のエッチング槽を備えているものと
する。
チング槽、純水リンス槽および乾燥槽からなる枚葉式の
装置であり、エッチング槽はエッチング液を吹きかける
スプレー（シャワー式エッチング）の機能、およびエッ
チング液を槽内に貯めることができるアップフロー（デ
ィップ式エッチング）の両機能を備えているものとす
る。また、エッチング槽は、２種類のエッチング液を使
用するので２槽以上のエッチング槽を備えているものと
する。
【００２６】さらに、上記の実施形態においては、２槽
以上のエッチング槽を備えるエッチング装置を用いて、
１回目のエッチングをリン酸、硝酸、酢酸、水を混合し
たエッチング液で、２回目のエッチングを塩酸、硝酸、
水を混合したエッチング液で行うが、１回目及び２回目
ののエッチングを同じエッチング槽内で連続して行う
か、或いは、異なるエッチング槽で連続してエッチング
するという形態が考えられる。
以上のエッチング槽を備えるエッチング装置を用いて、
１回目のエッチングをリン酸、硝酸、酢酸、水を混合し
たエッチング液で、２回目のエッチングを塩酸、硝酸、
水を混合したエッチング液で行うが、１回目及び２回目
ののエッチングを同じエッチング槽内で連続して行う
か、或いは、異なるエッチング槽で連続してエッチング
するという形態が考えられる。
【００２７】モリブデンをリン酸（Ｈ3ＰＯ4）、硝酸
（ＨＮＯ3）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）および水を混合し
たエッチング液のみでウェットエッチングすると、モリ
ブデンの表面に存在するモリブデン酸化膜とその下の純
モリブデンとの間にエッチングレート（エッチング速
度）に差があるために、エッチング完了後のモリブデン
断面の形状が、図１（ｂ）に示す整形前配線パターン６
のように、くさび型と呼ばれる逆テーパーの形状になっ
てしまう。
（ＨＮＯ3）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）および水を混合し
たエッチング液のみでウェットエッチングすると、モリ
ブデンの表面に存在するモリブデン酸化膜とその下の純
モリブデンとの間にエッチングレート（エッチング速
度）に差があるために、エッチング完了後のモリブデン
断面の形状が、図１（ｂ）に示す整形前配線パターン６
のように、くさび型と呼ばれる逆テーパーの形状になっ
てしまう。
【００２８】そこで、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）、硝酸（ＨＮ
Ｏ3）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）および水を混合したエッ
チング液を使用して、シャワー式あるいはディップ式エ
ッチングでフォトレジストに覆われていない部分のモリ
ブデンを全てエッチングした後に、塩酸（ＨＣｌ）、硝
酸（ＨＮＯ3）、水を混合したエッチング液を使用して
ディップ式エッチングを行うことにより、モリブデン表
面に存在するモリブデン酸化膜のみをエッチングするこ
とができ、なだらかな順テーパー形状の側面を有するモ
リブデンからなる配線パターンが得られる。
Ｏ3）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）および水を混合したエッ
チング液を使用して、シャワー式あるいはディップ式エ
ッチングでフォトレジストに覆われていない部分のモリ
ブデンを全てエッチングした後に、塩酸（ＨＣｌ）、硝
酸（ＨＮＯ3）、水を混合したエッチング液を使用して
ディップ式エッチングを行うことにより、モリブデン表
面に存在するモリブデン酸化膜のみをエッチングするこ
とができ、なだらかな順テーパー形状の側面を有するモ
リブデンからなる配線パターンが得られる。
【００２９】以上の説明では、配線パターンの金属とし
てモリブデンを例に挙げて説明したが、モリブデンの合
金からなる配線パターンに対しても本発明のウェットエ
ッチング方法を適用できることは勿論のことである。
てモリブデンを例に挙げて説明したが、モリブデンの合
金からなる配線パターンに対しても本発明のウェットエ
ッチング方法を適用できることは勿論のことである。
【００３０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明のウェッ
トエッチング方法によれば、モリブデンからなる配線パ
ターンを形成するに当たって、ウェットエッチングを２
回に分けて行い、２回目のウェットエッチングにおい
て、硝酸（ＨＮＯ3）を含むエッチング液を用いて、モ
リブデンの表面に形成されている薄いモリブデン酸化膜
を選択的にエッチングすることにより、モリブデン及び
その上のモリブデン酸化膜で構成する配線パターンの側
面をなだらかな順テーパーの形状とすることができる。
トエッチング方法によれば、モリブデンからなる配線パ
ターンを形成するに当たって、ウェットエッチングを２
回に分けて行い、２回目のウェットエッチングにおい
て、硝酸（ＨＮＯ3）を含むエッチング液を用いて、モ
リブデンの表面に形成されている薄いモリブデン酸化膜
を選択的にエッチングすることにより、モリブデン及び
その上のモリブデン酸化膜で構成する配線パターンの側
面をなだらかな順テーパーの形状とすることができる。
【図１】本発明の実施形態の製造方法を製造工程順に示
す模式断面図である。
す模式断面図である。
【図２】図１に続く製造工程を示す模式断面図である。
１ 絶縁基板 ２ モリブデン ３ フォトレジストパターン ４ シャワー ５ スプレー ６ 整形前配線パターン ７ エッチング液 ８ モリブデン酸化膜 ９ 配線パターン
Claims (10)
- 【請求項１】 表面に酸化物層を有するＭｏ（モリブデ
ン）を主体とするＭｏ系金属膜の上にレジストパターン
を形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記Ｍ
ｏ系金属膜をエッチング除去して前記Ｍｏ系金属膜から
なる配線パターンを形成するウェットエッチング方法で
あって、前記Ｍｏ系金属膜からなる配線パターンを形成
する工程が、２回のエッチングにより行われ、１回目の
エッチングにより前記レジストパターンをマスクとして
前記Ｍｏ系金属膜をその膜厚全体に渡ってエッチングし
て前記Ｍｏ系金属膜を配線パターンとし、２回目のエッ
チングにより前記Ｍｏ系金属膜の表面にある酸化物層を
エッチングして前記レジストパターンから前記レジスト
パターンの内側に後退した酸化物層のエッチング側面を
形成することを特徴とするウェットエッチング方法。 - 【請求項２】 前記酸化物層のエッチングが、硝酸を含
むエッチング液により行われる請求項１記載のウェット
エッチング方法。 - 【請求項３】 前記硝酸を含むエッチング液は、前記硝
酸の他に塩酸及び水を含む請求項２記載のウェットエッ
チング方法。 - 【請求項４】 前記酸化物層のエッチング側面が、前記
Ｍｏ系金属膜からなる配線パターンの側面と概略同一平
面を構成する請求項１、２又は３記載のウェットエッチ
ング方法。 - 【請求項５】 前記Ｍｏ系金属膜からなる配線パターン
は、その表面からその底面に向かうに従って、配線幅が
その幅の両側に広がる形状をなす請求項１、２、３又は
４記載のウェットエッチング方法。 - 【請求項６】 前記２回目のエッチングは、ディップ式
のエッチングにより行われる請求項１、２、３、４又は
５記載のウェットエッチング方法。 - 【請求項７】 前記１回目のエッチングは、リン酸、硝
酸、酢酸及び水を含むエッチング液により行われる請求
項１、２、３、４、５又は６記載のウェットエッチング
方法。 - 【請求項８】 前記１回目のエッチングは、ディップ
式、或いは、シャワー式のエッチングにより行われる請
求項１、２、３、４、５、６又は７記載のウェットエッ
チング方法。 - 【請求項９】 前記１回目及び前記２回目のエッチング
が、同一の装置内で連続して行われるエッチングである
請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載のウェッ
トエッチング方法。 - 【請求項１０】 前記１回目及び前記２回目のエッチン
グが、異なる装置で連続して行われるエッチングである
請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載のウェッ
トエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189577A JP2002009061A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | ウェットエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189577A JP2002009061A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | ウェットエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002009061A true JP2002009061A (ja) | 2002-01-11 |
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ID=18689189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000189577A Pending JP2002009061A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | ウェットエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002009061A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004091907A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Dept Corp | 電子部品用金属材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法、電子部品の製造方法及び電子光学部品 |
| JP2007150107A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物 |
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-
2000
- 2000-06-23 JP JP2000189577A patent/JP2002009061A/ja active Pending
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