JPH07168316A - ポリマークラッド繊維状五酸化バナジウム、それを含有する帯電防止層及び画像形成要素 - Google Patents
ポリマークラッド繊維状五酸化バナジウム、それを含有する帯電防止層及び画像形成要素Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 クラッドを有する五酸化バナジウム材料、前
記材料を含有する帯電防止層及び写真要素に関し、五酸
化バナジウムの拡散による流出及びそれに伴う帯電防止
性の喪失等がおこりにくい五酸化バナジウム材料等を提
供することを目的とする。 【構成】 本発明材料は、酸化重合性化合物の酸化によ
り生成するポリマーのクラッドを有する繊維状五酸化バ
ナジウムである。
記材料を含有する帯電防止層及び写真要素に関し、五酸
化バナジウムの拡散による流出及びそれに伴う帯電防止
性の喪失等がおこりにくい五酸化バナジウム材料等を提
供することを目的とする。 【構成】 本発明材料は、酸化重合性化合物の酸化によ
り生成するポリマーのクラッドを有する繊維状五酸化バ
ナジウムである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、クラッドを有する五酸
化バナジウム材料、前記材料を含有する帯電防止層、及
び前記五酸化バナジウムクラッド材料含有帯電防止層を
含有する写真要素に関する。
化バナジウム材料、前記材料を含有する帯電防止層、及
び前記五酸化バナジウムクラッド材料含有帯電防止層を
含有する写真要素に関する。
【0002】
【従来の技術】米国特許第4,203,709号は、五
酸化バナジウムの製造方法及びそのような材料の各種タ
イプの帯電防止層における使用、主に写真要素における
使用について教示している。米国特許第5,006,4
51号は、前記特許の改良であって、五酸化バナジウム
層に対して高度の永久帯電防止保護を付与するために五
酸化バナジウム含有層上にバリヤー層が配備されてい
る。例えば、このバリヤー層は、写真要素から五酸化バ
ナジウムがその処理中に拡散することを阻止する。この
拡散は、五酸化バナジウムがいったん除去されると層の
帯電防止活性をもはや利用することはできないという深
刻な問題の原因となる。
酸化バナジウムの製造方法及びそのような材料の各種タ
イプの帯電防止層における使用、主に写真要素における
使用について教示している。米国特許第5,006,4
51号は、前記特許の改良であって、五酸化バナジウム
層に対して高度の永久帯電防止保護を付与するために五
酸化バナジウム含有層上にバリヤー層が配備されてい
る。例えば、このバリヤー層は、写真要素から五酸化バ
ナジウムがその処理中に拡散することを阻止する。この
拡散は、五酸化バナジウムがいったん除去されると層の
帯電防止活性をもはや利用することはできないという深
刻な問題の原因となる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】五酸化バナジウムの拡
散による流出及びそれに伴う不利益、例えば、帯電防止
性の喪失がおこりにくい五酸化バナジウム、繊維状構造
及び層を提供することが、工業界で必要とされている。
前記の不利益から五酸化バナジウム含有製品を保護する
ための、ユーザーに都合のよい方法及び技法を提供する
必要性もある。さらに、無色透明であり、しかも湿度条
件範囲に影響を受けないような、五酸化バナジウム含有
製品の製造のための保護を提供する必要がある。
散による流出及びそれに伴う不利益、例えば、帯電防止
性の喪失がおこりにくい五酸化バナジウム、繊維状構造
及び層を提供することが、工業界で必要とされている。
前記の不利益から五酸化バナジウム含有製品を保護する
ための、ユーザーに都合のよい方法及び技法を提供する
必要性もある。さらに、無色透明であり、しかも湿度条
件範囲に影響を受けないような、五酸化バナジウム含有
製品の製造のための保護を提供する必要がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、製品にクラッ
ドを配備することにより五酸化バナジウム含有製品に保
護を与えるものであり、前記クラッドは酸化重合性化合
物の酸化生成物である。五酸化バナジウム製品は、繊維
状五酸化バナジウムから形成することができるか、又は
クラッド操作を行う前に粒子状五酸化バナジウム層又は
繊維状五酸化バナジウム層から作成することができる。
用語“クラッド(clad)”又は“クラッド形成(c
ladding)”は、五酸化バナジウムの繊維又は製
品に、酸化重合性化合物の酸化から得られるポリマーの
連続フィルムをコーティングすること又は五酸化バナジ
ウム材料の表面に不連続フィルムを形成することを意味
する。
ドを配備することにより五酸化バナジウム含有製品に保
護を与えるものであり、前記クラッドは酸化重合性化合
物の酸化生成物である。五酸化バナジウム製品は、繊維
状五酸化バナジウムから形成することができるか、又は
クラッド操作を行う前に粒子状五酸化バナジウム層又は
繊維状五酸化バナジウム層から作成することができる。
用語“クラッド(clad)”又は“クラッド形成(c
ladding)”は、五酸化バナジウムの繊維又は製
品に、酸化重合性化合物の酸化から得られるポリマーの
連続フィルムをコーティングすること又は五酸化バナジ
ウム材料の表面に不連続フィルムを形成することを意味
する。
【0005】
【実施態様】本明細書で用いられる用語“五酸化バナジ
ウム”としては、五酸化バナジウム(V2 O5 )それ自
身、並びにドーピング化五酸化バナジウムが挙げられ、
前記ドーピング剤は他の要素、例えば、銀、フッ化リチ
ウム、酸化カルシウム、酸化亜鉛、シリカ、炭酸リチウ
ム、酸化ホウ素、四ホウ酸リチウム等である。
ウム”としては、五酸化バナジウム(V2 O5 )それ自
身、並びにドーピング化五酸化バナジウムが挙げられ、
前記ドーピング剤は他の要素、例えば、銀、フッ化リチ
ウム、酸化カルシウム、酸化亜鉛、シリカ、炭酸リチウ
ム、酸化ホウ素、四ホウ酸リチウム等である。
【0006】本発明は、すべての形状の五酸化バナジウ
ム(表現を簡潔にするために、繊維状五酸化バナジウム
及び粒子状又は繊維状五酸化バナジウムから形成される
層を含む)に適用可能であるが、本明細書では、これ以
降、簡潔にするために、米国特許第4,203,769
号及び第5,006,451号記載のような五酸化バナ
ジウムから形成される層について述べるであろう。これ
らの特許の両者を全体として本明細書中に包含する。
ム(表現を簡潔にするために、繊維状五酸化バナジウム
及び粒子状又は繊維状五酸化バナジウムから形成される
層を含む)に適用可能であるが、本明細書では、これ以
降、簡潔にするために、米国特許第4,203,769
号及び第5,006,451号記載のような五酸化バナ
ジウムから形成される層について述べるであろう。これ
らの特許の両者を全体として本明細書中に包含する。
【0007】また、本発明は、一般に任意の帯電防止用
途における五酸化バナジウムの使用に適用可能である
が、画像形成要素の帯電防止層として特に適用可能であ
り、以下の本明細書においてこの目的のための帯電防止
層と称されるであろう。“画像形成要素”とは、任意の
周知タイプのもの、例えば、ハロゲン化銀写真要素、熱
画像形成要素、電子写真要素等を意味する。
途における五酸化バナジウムの使用に適用可能である
が、画像形成要素の帯電防止層として特に適用可能であ
り、以下の本明細書においてこの目的のための帯電防止
層と称されるであろう。“画像形成要素”とは、任意の
周知タイプのもの、例えば、ハロゲン化銀写真要素、熱
画像形成要素、電子写真要素等を意味する。
【0008】有用な写真要素としては、広範囲の各種写
真支持体上に調製されるものが挙げられる。典型的な写
真支持体としては、ポリマー性フィルム、例えば、硝酸
セルロース、セルロースエステル類(例えば、セルロー
ストリアセテート及びジアセテート)、ポリスチレン、
ポリアミド類、塩化ビニルのホモポリマー及びコポリマ
ー、ポリ(ビニルアセタール)、ポリカーボネート、オ
レフィンのホモポリマー及びコポリマー(例えば、ポリ
エチレン、ポリプロピレン等)、二塩基性芳香族カルボ
ン酸類のグリコール類とのポリエステル類(例えば、ポ
リ(エチレンテレフタレート)、ポリ(エチレンナフタ
レート)等)が挙げられる。バリタ及び/又はポリオレ
フィン類、特に、その反復単位中に2〜10個の炭素原
子を含有するアルファーオレフィン類のポリマー、例え
ば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン及びプロ
ピレンのコポリマー等でコーティングされた紙支持体を
用いる写真要素もまた意図されている。
真支持体上に調製されるものが挙げられる。典型的な写
真支持体としては、ポリマー性フィルム、例えば、硝酸
セルロース、セルロースエステル類(例えば、セルロー
ストリアセテート及びジアセテート)、ポリスチレン、
ポリアミド類、塩化ビニルのホモポリマー及びコポリマ
ー、ポリ(ビニルアセタール)、ポリカーボネート、オ
レフィンのホモポリマー及びコポリマー(例えば、ポリ
エチレン、ポリプロピレン等)、二塩基性芳香族カルボ
ン酸類のグリコール類とのポリエステル類(例えば、ポ
リ(エチレンテレフタレート)、ポリ(エチレンナフタ
レート)等)が挙げられる。バリタ及び/又はポリオレ
フィン類、特に、その反復単位中に2〜10個の炭素原
子を含有するアルファーオレフィン類のポリマー、例え
ば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン及びプロ
ピレンのコポリマー等でコーティングされた紙支持体を
用いる写真要素もまた意図されている。
【0009】本発明に有利に用いることができるポリエ
ステルフィルム支持体は周知であり広く用いられる材料
である。このようなフィルム支持体は、典型的に、二価
アルコールの二塩基性飽和脂肪族カルボン酸又はその誘
導体との縮合により得られる高分子量ポリエステル類か
ら製造される。ポリエステル類を製造するために用いる
のに適切な二価アルコール類は当該技術分野において周
知であり、水酸基が末端炭素原子上にありそして炭素原
子数2〜12個のグリコール、例えば、エチレングリコ
ール、プロピレングリコール、トリメチレングリコー
ル、ヘキサメチレングリコール、デカメチレングリコー
ル、ドデカメチレングリコール及び1,4−シクロヘキ
サンジメタノールが挙げられる。ポリエステル類を製造
するのに用いることができる二塩基性酸は当該技術分野
において周知であり、炭素原子数2〜16個の二塩基性
酸が挙げられる。適切な二塩基性酸の具体例としては、
アジピン酸、セバチン酸、イソフタル酸、テレフタル
酸、1,6−ナフタレンジカルボン酸等が挙げられる。
前記の酸のアルキルエステル類を用いても満足できる結
果が得られる。シートを製造することができるポリエス
テル類を製造するのに用いることができる他の適切な二
価アルコール類及び二塩基性酸類は、J.W.Well
manの米国特許第2,720,503号(1955年
10月11日発行)に記載されている。
ステルフィルム支持体は周知であり広く用いられる材料
である。このようなフィルム支持体は、典型的に、二価
アルコールの二塩基性飽和脂肪族カルボン酸又はその誘
導体との縮合により得られる高分子量ポリエステル類か
ら製造される。ポリエステル類を製造するために用いる
のに適切な二価アルコール類は当該技術分野において周
知であり、水酸基が末端炭素原子上にありそして炭素原
子数2〜12個のグリコール、例えば、エチレングリコ
ール、プロピレングリコール、トリメチレングリコー
ル、ヘキサメチレングリコール、デカメチレングリコー
ル、ドデカメチレングリコール及び1,4−シクロヘキ
サンジメタノールが挙げられる。ポリエステル類を製造
するのに用いることができる二塩基性酸は当該技術分野
において周知であり、炭素原子数2〜16個の二塩基性
酸が挙げられる。適切な二塩基性酸の具体例としては、
アジピン酸、セバチン酸、イソフタル酸、テレフタル
酸、1,6−ナフタレンジカルボン酸等が挙げられる。
前記の酸のアルキルエステル類を用いても満足できる結
果が得られる。シートを製造することができるポリエス
テル類を製造するのに用いることができる他の適切な二
価アルコール類及び二塩基性酸類は、J.W.Well
manの米国特許第2,720,503号(1955年
10月11日発行)に記載されている。
【0010】シートの形状で本発明に用いることができ
る好ましいポリエステル樹脂の具体例は、ポリ(エチレ
ンテレフタレート)、ポリ(シクロヘキサン 1,4−
ジメチレンテレフタレート)及びポリエチレンナフタレ
ートである。本発明の実施において、ポリエステルフィ
ルム支持体と帯電防止層の間にポリマー性下塗り層を用
いるのが一般に有利である。塗布組成物のポリエステル
フィルム支持体への接着性を増進するために用いるポリ
マー性下塗り層は写真技術分野において極めてよく知ら
れている。この目的のために有用な組成物としては、塩
化ビニリデンの共重合体、例えば、塩化ビニリデン/ア
クリロニトリル/アクリル酸ターポリマー又は塩化ビニ
リデン/メチルアクリレート/イタコン酸ターポリマー
が挙げられる。このような組成物は、多くの特許、例え
ば、米国特許第2,627,088号、第2,698,
235号、第2,698,240号、第2,943,9
37号、第3,143,421号、第3,201,24
9号、第3,271,178号、第3,443,950
号及び第3,501,301号に記載されている。この
ポリマー性下塗り層は、典型的にゼラチンからなる第二
の下塗り層(当該技術分野において典型的に“ゲルサブ
(gel sub)”と称される)でオーバーコーティ
ングされる。
る好ましいポリエステル樹脂の具体例は、ポリ(エチレ
ンテレフタレート)、ポリ(シクロヘキサン 1,4−
ジメチレンテレフタレート)及びポリエチレンナフタレ
ートである。本発明の実施において、ポリエステルフィ
ルム支持体と帯電防止層の間にポリマー性下塗り層を用
いるのが一般に有利である。塗布組成物のポリエステル
フィルム支持体への接着性を増進するために用いるポリ
マー性下塗り層は写真技術分野において極めてよく知ら
れている。この目的のために有用な組成物としては、塩
化ビニリデンの共重合体、例えば、塩化ビニリデン/ア
クリロニトリル/アクリル酸ターポリマー又は塩化ビニ
リデン/メチルアクリレート/イタコン酸ターポリマー
が挙げられる。このような組成物は、多くの特許、例え
ば、米国特許第2,627,088号、第2,698,
235号、第2,698,240号、第2,943,9
37号、第3,143,421号、第3,201,24
9号、第3,271,178号、第3,443,950
号及び第3,501,301号に記載されている。この
ポリマー性下塗り層は、典型的にゼラチンからなる第二
の下塗り層(当該技術分野において典型的に“ゲルサブ
(gel sub)”と称される)でオーバーコーティ
ングされる。
【0011】先に述べたように、本発明の帯電防止層
は、帯電防止剤として五酸化バナジウムを含んでなる。
五酸化バナジウムの有利な性質は、Guestauxの
米国特許第4,203,769号及びAnderson
等の米国特許第5,006,451号に詳述されてい
る。帯電防止層は典型的に五酸化バナジウムのコロイド
溶液のコーティングにより調製する。好ましくは、五酸
化バナジウムは銀でドーピングされる。結合性を改良す
るために、ポリマー性バインダー、例えば、アクリロニ
トリル、塩化ビニリデン及びアクリル酸のターポリマー
のラテックスを、五酸化バナジウムのコロイド溶液に添
加することができる。ポリマー性バインダー及び五酸化
バナジウムに加えて、帯電層を形成するのに用いる塗布
組成物は、コーティング性を増進するために湿潤剤を含
むことができる。
は、帯電防止剤として五酸化バナジウムを含んでなる。
五酸化バナジウムの有利な性質は、Guestauxの
米国特許第4,203,769号及びAnderson
等の米国特許第5,006,451号に詳述されてい
る。帯電防止層は典型的に五酸化バナジウムのコロイド
溶液のコーティングにより調製する。好ましくは、五酸
化バナジウムは銀でドーピングされる。結合性を改良す
るために、ポリマー性バインダー、例えば、アクリロニ
トリル、塩化ビニリデン及びアクリル酸のターポリマー
のラテックスを、五酸化バナジウムのコロイド溶液に添
加することができる。ポリマー性バインダー及び五酸化
バナジウムに加えて、帯電層を形成するのに用いる塗布
組成物は、コーティング性を増進するために湿潤剤を含
むことができる。
【0012】本発明による保護クラッド層は、連続層の
形成を必要とせずに、保護層として五酸化バナジウム又
はドーピング化五酸化バナジウムをクラッドするのに役
立つ層を含んでなる。保護クラッド層は、酸化重合性化
合物のオーバーコート層を設けることにより形成され、
この化合物は、そのまま、又は水溶液、溶剤溶液もしく
は蒸気の状態で五酸化バナジウムに施される。五酸化バ
ナジウムは、酸化重合性モノマーにとって特に良好な酸
化剤であるので、ポリマーがその場で生成して保護クラ
ッド層を形成する。
形成を必要とせずに、保護層として五酸化バナジウム又
はドーピング化五酸化バナジウムをクラッドするのに役
立つ層を含んでなる。保護クラッド層は、酸化重合性化
合物のオーバーコート層を設けることにより形成され、
この化合物は、そのまま、又は水溶液、溶剤溶液もしく
は蒸気の状態で五酸化バナジウムに施される。五酸化バ
ナジウムは、酸化重合性モノマーにとって特に良好な酸
化剤であるので、ポリマーがその場で生成して保護クラ
ッド層を形成する。
【0013】本発明による酸化重合性モノマーを含有す
る溶剤溶液の調製には、任意の適切な溶剤、例えば、ベ
ンゼン、トルエン、炭化水素、例えば、ヘキサン、オク
タン等、塩素化炭化水素、例えば、塩化メチレン、ジク
ロロエタン等を用いてもよいが、保護ポリマー層の好ま
しい調製方法は、水溶液によるか又は蒸気相の酸化重合
性モノマーを用いることによる。水溶液を用いる場合に
は、水溶液中に、非イオン性界面活性剤をはじめとする
適切な界面活性剤、例えば、Olin 10Gとして市
販されているP−ノニルフェノキシポリグリシドル、
る溶剤溶液の調製には、任意の適切な溶剤、例えば、ベ
ンゼン、トルエン、炭化水素、例えば、ヘキサン、オク
タン等、塩素化炭化水素、例えば、塩化メチレン、ジク
ロロエタン等を用いてもよいが、保護ポリマー層の好ま
しい調製方法は、水溶液によるか又は蒸気相の酸化重合
性モノマーを用いることによる。水溶液を用いる場合に
は、水溶液中に、非イオン性界面活性剤をはじめとする
適切な界面活性剤、例えば、Olin 10Gとして市
販されているP−ノニルフェノキシポリグリシドル、
【0014】
【化1】
【0015】を用いることも好ましい。酸化重合性モノ
マーを蒸気相の状態で施こす場合は、五酸化バナジウム
繊維を最初に適切な時間高い相対湿度条件に付すことに
より五酸化バナジウム繊維の状態を調整することが好ま
しい。各場合に、酸化重合性モノマーを施こすに当り塗
布物を次に乾燥して最終の繊維状五酸化バナジウムクラ
ッド材料を製造する。
マーを蒸気相の状態で施こす場合は、五酸化バナジウム
繊維を最初に適切な時間高い相対湿度条件に付すことに
より五酸化バナジウム繊維の状態を調整することが好ま
しい。各場合に、酸化重合性モノマーを施こすに当り塗
布物を次に乾燥して最終の繊維状五酸化バナジウムクラ
ッド材料を製造する。
【0016】酸化重合性モノマーは一般に本来導電性で
あるので、五酸化バナジウムと得られたポリマー層とを
組合せたものは、導電性が改良され、その結果、帯電防
止層が改良される。本発明による酸化重合性モノマーと
しては、アニリン類、ピロール類、チオフェン類、フラ
ン類、セレノフェン類及びテルロフェン類が挙げられ
る。
あるので、五酸化バナジウムと得られたポリマー層とを
組合せたものは、導電性が改良され、その結果、帯電防
止層が改良される。本発明による酸化重合性モノマーと
しては、アニリン類、ピロール類、チオフェン類、フラ
ン類、セレノフェン類及びテルロフェン類が挙げられ
る。
【0017】本発明に用いるのに適したアニリン化合物
は、以下の一般式により表される:
は、以下の一般式により表される:
【0018】
【化2】
【0019】前記式中、R1 及びR2 は、水素、ハロゲ
ン(例えば、フッ素、塩素、臭素)、アルキル、アリー
ル、ヒドロキシル、アルコキシ、アリールオキシ、アミ
ノ、アルキルアミノ(縮合環であってよい)、ニトロ、
シアノ、
ン(例えば、フッ素、塩素、臭素)、アルキル、アリー
ル、ヒドロキシル、アルコキシ、アリールオキシ、アミ
ノ、アルキルアミノ(縮合環であってよい)、ニトロ、
シアノ、
【0020】
【化3】
【0021】複素環式(例えば、トリアゾール類、チア
ゾール類、ベンゾチアゾール類、フラン類、ピリジン
類、キナルジン類、ベンゾオキサゾール類、オキサゾー
ル類、ピリミジン類、イミダゾール類)を表し、R3 及
びR4 は、水素、アルキル又はアリールを表し、R
5 は、アルキル又はアリールを表し、R6 及びR7 は同
一であっても又は異っていてもよく、水素、アルキル又
はアリールを表す。
ゾール類、ベンゾチアゾール類、フラン類、ピリジン
類、キナルジン類、ベンゾオキサゾール類、オキサゾー
ル類、ピリミジン類、イミダゾール類)を表し、R3 及
びR4 は、水素、アルキル又はアリールを表し、R
5 は、アルキル又はアリールを表し、R6 及びR7 は同
一であっても又は異っていてもよく、水素、アルキル又
はアリールを表す。
【0022】さらに、前記のR1 及びR2 のアルキル、
アリール、アルコキシ、アリールオキシ及びアルキルア
ミノは置換されていてもよい。さらに、前記のR3 ,R
4 ,R5 ,R6 及びR7 のアルキル及びアリールもまた
置換されていてもよい。これらの置換基として、アルコ
キシ(例えば、メトキシ、エトキシ)、アリールオキシ
(例えば、フェニルオキシ)、アルコキシカルボニル
(例えば、メトキシカルボニル)、アシルアミノ(例え
ば、アセチルアミノ)、カルバモイル、アルキルカルバ
モイル(例えば、メチルカルバモイル、エチルカルバモ
イル)、ジアルキルカルバモイル(例えば、ジメチルカ
ルバモイル)、アリールカルバモイル(例えば、フェニ
ルカルバモイル)、アルキルスルホニル(例えば、メチ
ルスルホニル)、アリールスルホニル(例えば、フェニ
ルスルホニル)、アルキルスルホンアミド(例えば、メ
タンスルホンアミド)、アリールスルホンアミド(例え
ば、フェニルスルホンアミド)、スルファモイル、アル
キルスルファモイル(例えば、エチルスルファモイ
ル)、ジアルキルスルファモイル(例えば、ジメチルス
ルファモイル)、アルキルチオ(例えば、メチルチ
オ)、アリールチオ(例えば、フェニルチオ)、アミ
ノ、アルキルアミノ、シアノ、ニトロ及びハロゲン(例
えば、フッ素、塩素、臭素)が挙げられる。これらの置
換基が2個又はそれ以上ある場合、それらは同一であっ
ても又は異っていてもよい。
アリール、アルコキシ、アリールオキシ及びアルキルア
ミノは置換されていてもよい。さらに、前記のR3 ,R
4 ,R5 ,R6 及びR7 のアルキル及びアリールもまた
置換されていてもよい。これらの置換基として、アルコ
キシ(例えば、メトキシ、エトキシ)、アリールオキシ
(例えば、フェニルオキシ)、アルコキシカルボニル
(例えば、メトキシカルボニル)、アシルアミノ(例え
ば、アセチルアミノ)、カルバモイル、アルキルカルバ
モイル(例えば、メチルカルバモイル、エチルカルバモ
イル)、ジアルキルカルバモイル(例えば、ジメチルカ
ルバモイル)、アリールカルバモイル(例えば、フェニ
ルカルバモイル)、アルキルスルホニル(例えば、メチ
ルスルホニル)、アリールスルホニル(例えば、フェニ
ルスルホニル)、アルキルスルホンアミド(例えば、メ
タンスルホンアミド)、アリールスルホンアミド(例え
ば、フェニルスルホンアミド)、スルファモイル、アル
キルスルファモイル(例えば、エチルスルファモイ
ル)、ジアルキルスルファモイル(例えば、ジメチルス
ルファモイル)、アルキルチオ(例えば、メチルチ
オ)、アリールチオ(例えば、フェニルチオ)、アミ
ノ、アルキルアミノ、シアノ、ニトロ及びハロゲン(例
えば、フッ素、塩素、臭素)が挙げられる。これらの置
換基が2個又はそれ以上ある場合、それらは同一であっ
ても又は異っていてもよい。
【0023】適切なアニリン化合物の具体例としては、
アニリン、N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、
N−フェニルアニリン、メチルアニリン、エチルアニリ
ン、n−プロピルアニリン、イソ−プロピルアニリン、
n−ブチルアニリン、メトキシアニリン、エトキシアニ
リン、n−プロポキシアニリン、フェニルアニリン、ト
ルイルアニリン、ナフチルアニリン、フェノキシアニリ
ン、メチルフェノキシアニリン、ナフトキシアニリン、
アミノアニリン、フェニルアミノアニリン、メチルフェ
ニルアミノアニリン、ジメチルアミノアニリン、ジエチ
ルアミノアニリン、ジフェニルアミノアニリン、フェニ
ルナフチルアミノアニリン等が挙げられる。
アニリン、N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、
N−フェニルアニリン、メチルアニリン、エチルアニリ
ン、n−プロピルアニリン、イソ−プロピルアニリン、
n−ブチルアニリン、メトキシアニリン、エトキシアニ
リン、n−プロポキシアニリン、フェニルアニリン、ト
ルイルアニリン、ナフチルアニリン、フェノキシアニリ
ン、メチルフェノキシアニリン、ナフトキシアニリン、
アミノアニリン、フェニルアミノアニリン、メチルフェ
ニルアミノアニリン、ジメチルアミノアニリン、ジエチ
ルアミノアニリン、ジフェニルアミノアニリン、フェニ
ルナフチルアミノアニリン等が挙げられる。
【0024】本発明に用いるのに適切なピロル化合物
は、以下の式により表されるものである:
は、以下の式により表されるものである:
【0025】
【化4】
【0026】前記式中、R1 及びR2 は、独立して水
素、ハロゲン、アルキル、アリール、ヒドロキシル、ア
ルコキシル、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノ
(縮合環ラジカル(contracted ring
radical)を含む)、ニトロ、シアノ
素、ハロゲン、アルキル、アリール、ヒドロキシル、ア
ルコキシル、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノ
(縮合環ラジカル(contracted ring
radical)を含む)、ニトロ、シアノ
【0027】
【化5】
【0028】を表すか、又は一緒になって複素環を形成
してもよく;R3 は、水素、アルキル又はアリールを表
し;R4 はアルキル又はアリールを表し;R5 及びR6
は同一であっても又は異っていてもよく、それらは水
素、アルキル又はアリールを表す。さらに、前記R1 及
びR2 により表されるアルキル、アリール、アルコキ
シ、アリールオキシ及びアルキルアミノは置換されてい
てもよい。その上、前記R2,R4 ,R5 及びR6 によ
り表されるアルキル又はアリールもまた置換されていて
もよい。置換基の例としては、アルコキシ(例えば、メ
トキシ、エトキシ)、アリールオキシ(例えば、フェニ
ルオキシ)、アルコキシカルボニル(例えば、メトキシ
カルボニル)、アシルアミノ(例えば、アセチルアミ
ノ)、カルバモイル(例えば、メチルカルバモイル、エ
チルカルバモイル)、ジアルキルカルバモイル(例え
ば、ジメチルカルバモイル)、アリールカルバモイル
(例えば、フェニルカルバモイル)、アルキルスルホニ
ル(例えば、メチルスルホニル)、アリールスルホニル
(例えば、フェニルスルホニル)、アルキルスルホンア
ミド(例えば、メタンスルホンアミド)、アリールスル
ホンアミド(例えば、フェニルスルホンアミド)、スル
ファモイル又はアルキルスルファモイル(例えば、エチ
ルスルファモイル)、ジアルキルスルファモイル(例え
ば、ジメチルスルファモイル)、アルキルチオ(例え
ば、メチルチオ)、アリールチオ(例えば、フェニルチ
オ)、アミノ、アルキルアミノ、シアノ、ニトロ、ハロ
ゲン(例えば、フッ素、塩素、臭素)等が挙げられる。
前記置換基の2個又はそれ以上を用いることが可能であ
る。
してもよく;R3 は、水素、アルキル又はアリールを表
し;R4 はアルキル又はアリールを表し;R5 及びR6
は同一であっても又は異っていてもよく、それらは水
素、アルキル又はアリールを表す。さらに、前記R1 及
びR2 により表されるアルキル、アリール、アルコキ
シ、アリールオキシ及びアルキルアミノは置換されてい
てもよい。その上、前記R2,R4 ,R5 及びR6 によ
り表されるアルキル又はアリールもまた置換されていて
もよい。置換基の例としては、アルコキシ(例えば、メ
トキシ、エトキシ)、アリールオキシ(例えば、フェニ
ルオキシ)、アルコキシカルボニル(例えば、メトキシ
カルボニル)、アシルアミノ(例えば、アセチルアミ
ノ)、カルバモイル(例えば、メチルカルバモイル、エ
チルカルバモイル)、ジアルキルカルバモイル(例え
ば、ジメチルカルバモイル)、アリールカルバモイル
(例えば、フェニルカルバモイル)、アルキルスルホニ
ル(例えば、メチルスルホニル)、アリールスルホニル
(例えば、フェニルスルホニル)、アルキルスルホンア
ミド(例えば、メタンスルホンアミド)、アリールスル
ホンアミド(例えば、フェニルスルホンアミド)、スル
ファモイル又はアルキルスルファモイル(例えば、エチ
ルスルファモイル)、ジアルキルスルファモイル(例え
ば、ジメチルスルファモイル)、アルキルチオ(例え
ば、メチルチオ)、アリールチオ(例えば、フェニルチ
オ)、アミノ、アルキルアミノ、シアノ、ニトロ、ハロ
ゲン(例えば、フッ素、塩素、臭素)等が挙げられる。
前記置換基の2個又はそれ以上を用いることが可能であ
る。
【0029】ピロール類の具体例としては以下が挙げら
れる:
れる:
【0030】
【化6】
【0031】本発明のポリマーの製造に用いる他の複素
環式化合物としては、以下の一般式により表されるもの
が挙げられる:
環式化合物としては、以下の一般式により表されるもの
が挙げられる:
【0032】
【化7】
【0033】前記式中、R1 ,R2 ,R3 及びR4 は、
独立して水素、ハロゲン(例えば、フッ素、塩素、臭
素)、アルキル、アリール、ヒドロキシル、アルコキ
シ、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノ、ニト
ロ、シアノ、−NHCOR5 ,−NHSO2 R5 ,−S
OR5 ,−SO2 R5 ,−SO2 N(R6)(R7),−C
OR 5 ,−CON(R6)(R7),−COOH,−COO
R5 ,−SO3 H,−SH又は複素環式基(例えば、ト
リアゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、フラン、
ピリジン、キナルジン、ベンゾオキサゾール、ピリミジ
ン、オキサゾール、イミダゾール)を表し;R5 はアル
キル又はアリールを表し;R6 及びR7 は同一であって
も異っていてもよく、そして各々水素、アルキル又はア
リールを表し;Xは、O,S,Te又はSeを表し;X
がSでない場合は、R1 とR2 、又はR1 とR3 及び/
又はR2 とR4 は各々環を形成してもよく;XがSの場
合は、R1 とR3 及び/又はR2 とR4 は各々環を形成
してもよく;このような場合には、形成される環は1個
又はそれ以上のヘテロ原子を含有してもよい。
独立して水素、ハロゲン(例えば、フッ素、塩素、臭
素)、アルキル、アリール、ヒドロキシル、アルコキ
シ、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノ、ニト
ロ、シアノ、−NHCOR5 ,−NHSO2 R5 ,−S
OR5 ,−SO2 R5 ,−SO2 N(R6)(R7),−C
OR 5 ,−CON(R6)(R7),−COOH,−COO
R5 ,−SO3 H,−SH又は複素環式基(例えば、ト
リアゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、フラン、
ピリジン、キナルジン、ベンゾオキサゾール、ピリミジ
ン、オキサゾール、イミダゾール)を表し;R5 はアル
キル又はアリールを表し;R6 及びR7 は同一であって
も異っていてもよく、そして各々水素、アルキル又はア
リールを表し;Xは、O,S,Te又はSeを表し;X
がSでない場合は、R1 とR2 、又はR1 とR3 及び/
又はR2 とR4 は各々環を形成してもよく;XがSの場
合は、R1 とR3 及び/又はR2 とR4 は各々環を形成
してもよく;このような場合には、形成される環は1個
又はそれ以上のヘテロ原子を含有してもよい。
【0034】前記のR1 ,R2 ,R3 及びR4 のための
アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ又は
アルキルアミノ基は場合により置換されていてもよい。
前記のR5 ,R6 及びR7 のためのアルキル又はアリー
ル基も場合により置換されていてもよい。これらの基の
置換基の例としては、アルコキシ(例えば、メトキシ、
エトキシ)、アリールオキシ(例えば、フェニルオキ
シ)、アルコキシカルボニル(例えば、メトキシカルボ
ニル)、アシルアミノ(例えば、アセチルアミノ)、カ
ルバモイル、アルキルカルバモイル(例えば、メチルカ
ルバモイル、エチルカルバモイル)、ジアルキルカルバ
モイル(例えば、ジメチルカルバモイル)、アリールカ
ルバモイル(例えば、フェニルカルバモイル)、アルキ
ルスルホニル(例えば、メチルスルホニル)、アリール
スルホニル(例えば、フェニルスルホニル)、アルキル
スルホンアミド(例えば、メタンスルホンアミド)、ア
リールスルホンアミド(例えば、フェニルスルホンアミ
ド)、スルファモイル、アルキルスルファモイル(例え
ば、エチルスルファモイル)、ジアルキルスルファモイ
ル(例えば、ジメチルスルファモイル)、アルキルチオ
(例えば、メチルチオ)、アリールチオ(例えば、フェ
ニルチオ)、アミノ、アルキルアミノ、シアノ、ニトロ
及びハロゲン(例えば、フッ素、塩素、臭素)等が挙げ
られる。前記基が、これらの置換基を2個又はそれ以上
有する場合、それらは同一であっても又は異っていても
よい。
アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ又は
アルキルアミノ基は場合により置換されていてもよい。
前記のR5 ,R6 及びR7 のためのアルキル又はアリー
ル基も場合により置換されていてもよい。これらの基の
置換基の例としては、アルコキシ(例えば、メトキシ、
エトキシ)、アリールオキシ(例えば、フェニルオキ
シ)、アルコキシカルボニル(例えば、メトキシカルボ
ニル)、アシルアミノ(例えば、アセチルアミノ)、カ
ルバモイル、アルキルカルバモイル(例えば、メチルカ
ルバモイル、エチルカルバモイル)、ジアルキルカルバ
モイル(例えば、ジメチルカルバモイル)、アリールカ
ルバモイル(例えば、フェニルカルバモイル)、アルキ
ルスルホニル(例えば、メチルスルホニル)、アリール
スルホニル(例えば、フェニルスルホニル)、アルキル
スルホンアミド(例えば、メタンスルホンアミド)、ア
リールスルホンアミド(例えば、フェニルスルホンアミ
ド)、スルファモイル、アルキルスルファモイル(例え
ば、エチルスルファモイル)、ジアルキルスルファモイ
ル(例えば、ジメチルスルファモイル)、アルキルチオ
(例えば、メチルチオ)、アリールチオ(例えば、フェ
ニルチオ)、アミノ、アルキルアミノ、シアノ、ニトロ
及びハロゲン(例えば、フッ素、塩素、臭素)等が挙げ
られる。前記基が、これらの置換基を2個又はそれ以上
有する場合、それらは同一であっても又は異っていても
よい。
【0035】前記式の複素環の具体例としては以下を挙
げることができる:
げることができる:
【0036】
【化8】
【0037】
【化9】
【0038】セレノフェン及びテルロフェンの例のよう
に、セレン及びテルルは、前記複素環の酸素原子及びイ
オウ原子と置き換わることができる。五酸化バナジウム
及びその上に被覆されているクラッド層を含んでなる帯
電防止層は、任意の適切な被覆量で塗布することがで
き、その最適被覆量は意図される特定の写真製品に依存
する。典型的に、帯電防止層は、1平方メートル当り約
1mg(0.09mg/ft2 )〜約25mg(2.3g/f
t2 )の乾燥重量被覆量で塗布される。mg/ft2 は、1
0.76を乗じることによりmg/m2 に換算される。典
型的に、クラッド層は、1平方メートル当り約10〜約
1000mgの乾燥重量被覆量で塗布される。
に、セレン及びテルルは、前記複素環の酸素原子及びイ
オウ原子と置き換わることができる。五酸化バナジウム
及びその上に被覆されているクラッド層を含んでなる帯
電防止層は、任意の適切な被覆量で塗布することがで
き、その最適被覆量は意図される特定の写真製品に依存
する。典型的に、帯電防止層は、1平方メートル当り約
1mg(0.09mg/ft2 )〜約25mg(2.3g/f
t2 )の乾燥重量被覆量で塗布される。mg/ft2 は、1
0.76を乗じることによりmg/m2 に換算される。典
型的に、クラッド層は、1平方メートル当り約10〜約
1000mgの乾燥重量被覆量で塗布される。
【0039】各種タイプの銀塩を含有する乳剤を用いて
ハロゲン化銀、例えば、臭化銀、ヨウ化銀、塩化銀又は
混合ハロゲン化銀類、例えば、塩臭化銀、臭ヨウ化銀又
は塩ヨウ化銀の層を形成することができる。典型的に、
ハロゲン化銀乳剤は、Product Licensi
ng Index.92巻,1971年12月,パブリ
ケーション9232,107頁に列挙された特許に教示
されている。
ハロゲン化銀、例えば、臭化銀、ヨウ化銀、塩化銀又は
混合ハロゲン化銀類、例えば、塩臭化銀、臭ヨウ化銀又
は塩ヨウ化銀の層を形成することができる。典型的に、
ハロゲン化銀乳剤は、Product Licensi
ng Index.92巻,1971年12月,パブリ
ケーション9232,107頁に列挙された特許に教示
されている。
【0040】本発明の導電性支持体と組合せて用いるハ
ロゲン化銀乳剤は、他の写真化合物、例えば、Prod
uct Licensing Index.op.ci
t.,107〜110頁に教示されているものを含有す
ることもできる。これらの写真化合物としては、スピー
ド増進化合物のように機能する現像改質剤、例えば、ポ
リアルキレングリコール類等;カブリ防止剤及び安定
剤、例えば、チアゾリウム塩等;硬化剤、例えば、アル
デヒド類;ビヒクル、特に親水性ビヒクル、例えば、ゼ
ラチン等;増白剤、例えば、スチルベン類等;分光増感
剤、例えば、メロシアニン類等;吸収色素及びフィルタ
ー色素、例えば、Sawdey等の米国特許第2,73
9,971号(1956年3月27日発行)に記載され
ているもの等;カラー写真フィルム要素用カラー材料、
例えば、米国特許第2,376,679号(1945年
5月22日発行)の色素形成カプラー;及び塗布助剤、
例えば、アルキルアリールスルホネート類等を包含す
る。写真化合物としては、また、塗布助剤の混合物、例
えば、米国特許第3,775,126号(1973年1
1月27日発行)に記載されているものを包含し、この
塗布助剤は、カラー写真用要素の下塗り層上の親水性コ
ロイド層、例えば、カプラー又は先に開示したような他
の色素発生材料を含有する溶液で現像される、色素形成
カプラーを含有するハロゲン化銀乳剤層を塗布するため
の同時塗布操作に用いることができる。
ロゲン化銀乳剤は、他の写真化合物、例えば、Prod
uct Licensing Index.op.ci
t.,107〜110頁に教示されているものを含有す
ることもできる。これらの写真化合物としては、スピー
ド増進化合物のように機能する現像改質剤、例えば、ポ
リアルキレングリコール類等;カブリ防止剤及び安定
剤、例えば、チアゾリウム塩等;硬化剤、例えば、アル
デヒド類;ビヒクル、特に親水性ビヒクル、例えば、ゼ
ラチン等;増白剤、例えば、スチルベン類等;分光増感
剤、例えば、メロシアニン類等;吸収色素及びフィルタ
ー色素、例えば、Sawdey等の米国特許第2,73
9,971号(1956年3月27日発行)に記載され
ているもの等;カラー写真フィルム要素用カラー材料、
例えば、米国特許第2,376,679号(1945年
5月22日発行)の色素形成カプラー;及び塗布助剤、
例えば、アルキルアリールスルホネート類等を包含す
る。写真化合物としては、また、塗布助剤の混合物、例
えば、米国特許第3,775,126号(1973年1
1月27日発行)に記載されているものを包含し、この
塗布助剤は、カラー写真用要素の下塗り層上の親水性コ
ロイド層、例えば、カプラー又は先に開示したような他
の色素発生材料を含有する溶液で現像される、色素形成
カプラーを含有するハロゲン化銀乳剤層を塗布するため
の同時塗布操作に用いることができる。
【0041】本発明を以下の例によりさらに具体的に説
明するが、特に断らない限り部及びパーセントは重量に
より示す。
明するが、特に断らない限り部及びパーセントは重量に
より示す。
【0042】例1〜9−帯電防止層の調製 0.057パーセントの銀ドーピング化五酸化バナジウ
ム及び0.02パーセントの非イオン性界面活性剤から
なる帯電防止水性配合物を、ドクターブレードを用い
て、アクリロニトリル、塩化ビニリデン及びアクリル酸
のターポリマーラテックスで下塗りしてあるポリエチレ
ンテレフタレートフィルム支持体上に塗布した。塗布物
を90℃で空気乾燥して、乾燥重量約43mg/m2 (4
mg/ft2 )及び測定導電率1×107 ohms/sqの帯電防
止層を形成した。このフィルム上に、1重量%のアニリ
ン及び0.02重量%の非イオン性界面活性剤からなる
水性配合物を、ドクターブレードを用いて塗布した。塗
布物を90℃で5分間そして125℃で1分間乾燥し
て、測定導電率1×106 ohms/sqの帯電防止層を形成
した。この塗布物を0.05Mの水性NaOHに1分間
露らしたところ、測定導電率2×109 ohms/sqの帯電
防止層を得た。保護クラッド層を形成するオーバーコー
トが配備されていない五酸化バナジウム塗布物は、0.
05M NaOHでの同一処理に付した後は、5×10
12ohms/sqより大きい測定導電率を有した。保護クラッ
ド層はまた、第1表に示すように、バナジウム層をアニ
リン蒸気に露らすことにより、又はそのままのアニリン
に浸漬することにより形成することもできる。保護クラ
ッド層はまた、第1表に示すように、五酸化バナジウム
層を、ピロール水溶液、ピロール蒸気、そのままのピロ
ール、チオフェンのアルコール溶液、チオフェン蒸気又
はそのままのチオフェンに露らすことにより形成するこ
ともできる。すべての最終帯電防止塗布物は無色であっ
た。
ム及び0.02パーセントの非イオン性界面活性剤から
なる帯電防止水性配合物を、ドクターブレードを用い
て、アクリロニトリル、塩化ビニリデン及びアクリル酸
のターポリマーラテックスで下塗りしてあるポリエチレ
ンテレフタレートフィルム支持体上に塗布した。塗布物
を90℃で空気乾燥して、乾燥重量約43mg/m2 (4
mg/ft2 )及び測定導電率1×107 ohms/sqの帯電防
止層を形成した。このフィルム上に、1重量%のアニリ
ン及び0.02重量%の非イオン性界面活性剤からなる
水性配合物を、ドクターブレードを用いて塗布した。塗
布物を90℃で5分間そして125℃で1分間乾燥し
て、測定導電率1×106 ohms/sqの帯電防止層を形成
した。この塗布物を0.05Mの水性NaOHに1分間
露らしたところ、測定導電率2×109 ohms/sqの帯電
防止層を得た。保護クラッド層を形成するオーバーコー
トが配備されていない五酸化バナジウム塗布物は、0.
05M NaOHでの同一処理に付した後は、5×10
12ohms/sqより大きい測定導電率を有した。保護クラッ
ド層はまた、第1表に示すように、バナジウム層をアニ
リン蒸気に露らすことにより、又はそのままのアニリン
に浸漬することにより形成することもできる。保護クラ
ッド層はまた、第1表に示すように、五酸化バナジウム
層を、ピロール水溶液、ピロール蒸気、そのままのピロ
ール、チオフェンのアルコール溶液、チオフェン蒸気又
はそのままのチオフェンに露らすことにより形成するこ
ともできる。すべての最終帯電防止塗布物は無色であっ
た。
【0043】
【表1】
【0044】例10A〜G−各種バナジウム被覆量の、
銀ドーピング化五酸化バナジウムの機械塗布 0.023〜0.23%の銀ドーピング化五酸化バナジ
ウム及び0.02%の非イオン性界面活性剤を含んでな
る帯電防止水性配合物を、アクリロニトリル、塩化ビニ
リデン及びアクリル酸のターポリマーラテックスで下塗
りしたポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に
機械塗布した。InductivelyCoupled
Argon Plasma/Optical Emi
ssion Spectroscopy(ICP/OE
S)により測定したバナジウム被覆量を第2表に示す。
各塗布物を0.05M NaOHに5秒間又は15秒間
露らし、導電率及びバナジウム被覆量を測定した。これ
らの結果を第2表に示す。
銀ドーピング化五酸化バナジウムの機械塗布 0.023〜0.23%の銀ドーピング化五酸化バナジ
ウム及び0.02%の非イオン性界面活性剤を含んでな
る帯電防止水性配合物を、アクリロニトリル、塩化ビニ
リデン及びアクリル酸のターポリマーラテックスで下塗
りしたポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に
機械塗布した。InductivelyCoupled
Argon Plasma/Optical Emi
ssion Spectroscopy(ICP/OE
S)により測定したバナジウム被覆量を第2表に示す。
各塗布物を0.05M NaOHに5秒間又は15秒間
露らし、導電率及びバナジウム被覆量を測定した。これ
らの結果を第2表に示す。
【0045】
【表2】
【0046】例11−各種バナジウム被覆量の銀ドーピ
ング化五酸化バナジウム機械塗布物と、モノマーオーバ
ーコートからの、耐塩基性帯電防止層の調製 例10に述べたV2 O5 フィルムを100%RHの条件
下に調整した。1%のアニリン及び0.02%の非イオ
ン性界面活性剤からなる水性配合物を、ドクターブレー
ドを用いてフィルム上に塗布した。この塗布物を90℃
で5分間、125℃で1分間乾燥して帯電防止層を形成
した。これらの塗布物の導電率を第3表に示す。例10
において述べたフィルムをまたピロール又はチオフェン
の溶液でも塗布した。
ング化五酸化バナジウム機械塗布物と、モノマーオーバ
ーコートからの、耐塩基性帯電防止層の調製 例10に述べたV2 O5 フィルムを100%RHの条件
下に調整した。1%のアニリン及び0.02%の非イオ
ン性界面活性剤からなる水性配合物を、ドクターブレー
ドを用いてフィルム上に塗布した。この塗布物を90℃
で5分間、125℃で1分間乾燥して帯電防止層を形成
した。これらの塗布物の導電率を第3表に示す。例10
において述べたフィルムをまたピロール又はチオフェン
の溶液でも塗布した。
【0047】例11において述べたV2 O5 フィルムを
100%RHの条件下に調整せずに前記のように塗布す
ると、保護クラッド層は形成せず、したがって五酸化バ
ナジウムの塗布物は調製後すぐに(freshly)、
又は僅かに水膨潤状態で塗布しなければならないことを
示している。これらの結果を第4表に示す。
100%RHの条件下に調整せずに前記のように塗布す
ると、保護クラッド層は形成せず、したがって五酸化バ
ナジウムの塗布物は調製後すぐに(freshly)、
又は僅かに水膨潤状態で塗布しなければならないことを
示している。これらの結果を第4表に示す。
【0048】
【表3】
【0049】
【表4】
【0050】例12−各種バナジウム被覆量の銀ドーピ
ング化五酸化バナジウム機械塗布物と、モノマー蒸気か
らの、耐塩基性帯電防止層の調製 例10において述べたフィルムを、100%RHの条件
下に調整し、次いでアニリン、ピロール又はチオフェン
蒸気に露らした。これらの塗布物を125℃で1分間乾
燥して静電防止層を形成した。これらの塗布物の導電率
を第5表に示す。
ング化五酸化バナジウム機械塗布物と、モノマー蒸気か
らの、耐塩基性帯電防止層の調製 例10において述べたフィルムを、100%RHの条件
下に調整し、次いでアニリン、ピロール又はチオフェン
蒸気に露らした。これらの塗布物を125℃で1分間乾
燥して静電防止層を形成した。これらの塗布物の導電率
を第5表に示す。
【0051】例12におけるフィルムを100%RHの
条件下に調整せずに、前記のようにアニリン、チオフェ
ン又はピロール蒸気に露らすと、保護クラッド層は形成
せず、したがって、五酸化バナジウムの塗布物は調製後
すぐに、又は僅かに水膨潤状態で塗布しなければならな
いことを示している。これらの結果を第6表に示す。
条件下に調整せずに、前記のようにアニリン、チオフェ
ン又はピロール蒸気に露らすと、保護クラッド層は形成
せず、したがって、五酸化バナジウムの塗布物は調製後
すぐに、又は僅かに水膨潤状態で塗布しなければならな
いことを示している。これらの結果を第6表に示す。
【0052】
【表5】
【0053】
【表6】
【0054】例13−アニリンモノマーを用いて形成し
た耐塩基性帯電防止層のTEM試験 銀ドーピング化五酸化バナジウムの0.57重量%溶液
50μLの試料を、超純水10mLで希釈した。この溶液
4μLを、孔性炭素フィルムが塗布されている銅グリッ
ド上におき、5分間空気乾燥し、次に125℃の炉で1
分間乾燥した。この試料のTEMは帯電防止層の繊維状
構造を示した。この試料を30秒間0.05M NaO
Hに露らした後の、孔性炭素グリッド上のこの試料につ
いての顕微鏡写真は、塩基中への浸漬が帯電防止層の繊
維状銀ドーピング化五酸化バナジウムのすべてを除去す
るのに十分であることを示している。
た耐塩基性帯電防止層のTEM試験 銀ドーピング化五酸化バナジウムの0.57重量%溶液
50μLの試料を、超純水10mLで希釈した。この溶液
4μLを、孔性炭素フィルムが塗布されている銅グリッ
ド上におき、5分間空気乾燥し、次に125℃の炉で1
分間乾燥した。この試料のTEMは帯電防止層の繊維状
構造を示した。この試料を30秒間0.05M NaO
Hに露らした後の、孔性炭素グリッド上のこの試料につ
いての顕微鏡写真は、塩基中への浸漬が帯電防止層の繊
維状銀ドーピング化五酸化バナジウムのすべてを除去す
るのに十分であることを示している。
【0055】孔性炭素フィルム上の先に調製した、銀−
ドーピング化五酸化バナジウム試料を、1重量%のアニ
リン水溶液の2μLで処理し、空気乾燥し次に1分間炉
中で乾燥した。先のように調製したアニリン処理試料を
次に30秒間0.05M NaOHに浸漬し、空気乾燥
し次に1分間炉中乾燥した。この試料のTEMは、アニ
リンモノマーと帯電防止層との相互反応により形成した
保護クラッド層により、幾分かの繊維状銀ドーピング化
五酸化バナジウムがなお残留していることを示してい
る。
ドーピング化五酸化バナジウム試料を、1重量%のアニ
リン水溶液の2μLで処理し、空気乾燥し次に1分間炉
中で乾燥した。先のように調製したアニリン処理試料を
次に30秒間0.05M NaOHに浸漬し、空気乾燥
し次に1分間炉中乾燥した。この試料のTEMは、アニ
リンモノマーと帯電防止層との相互反応により形成した
保護クラッド層により、幾分かの繊維状銀ドーピング化
五酸化バナジウムがなお残留していることを示してい
る。
【0056】例14−チオフェンモノマーを用いて形成
した耐塩基性帯電防止層のTEM試験 銀ドーピング化五酸化バナジウムの0.57重量%溶液
50μLの試料を、超純水10mLで希釈した。この溶液
の4μLを、孔性炭素フィルムが塗布されている銅グリ
ッド上におき、5分間空気乾燥し、次に125℃の炉で
1分間乾燥した。この試料のTEMは帯電防止層の繊維
状構造を示した。この試料を30秒間0.05M Na
OHに露らした後の、孔性炭素グリッド上のこの試料に
ついての顕微鏡写真は、塩基中への浸漬が帯電防止層の
繊維状銀ドーピング化五酸化バナジウムのすべてを除去
するのに十分であることを示している。
した耐塩基性帯電防止層のTEM試験 銀ドーピング化五酸化バナジウムの0.57重量%溶液
50μLの試料を、超純水10mLで希釈した。この溶液
の4μLを、孔性炭素フィルムが塗布されている銅グリ
ッド上におき、5分間空気乾燥し、次に125℃の炉で
1分間乾燥した。この試料のTEMは帯電防止層の繊維
状構造を示した。この試料を30秒間0.05M Na
OHに露らした後の、孔性炭素グリッド上のこの試料に
ついての顕微鏡写真は、塩基中への浸漬が帯電防止層の
繊維状銀ドーピング化五酸化バナジウムのすべてを除去
するのに十分であることを示している。
【0057】孔性炭素フィルム上の先に調製した、銀−
ドーピング化五酸化バナジウム試料を、1重量%のチオ
フェンエタノール溶液の2μLで処理し、空気乾燥し次
に1分間炉中で乾燥した。先のように調製したチオフェ
ン処理試料を次に30秒間0.05M NaOHに浸漬
し、空気乾燥し次に1分間炉中乾燥した。この試料のT
EMは、チオフェンモノマーと帯電防止層との相互反応
により形成した保護クラッド層により、幾分かの繊維状
銀ドーピング化五酸化バナジウムがなお残留しているこ
とを示している。
ドーピング化五酸化バナジウム試料を、1重量%のチオ
フェンエタノール溶液の2μLで処理し、空気乾燥し次
に1分間炉中で乾燥した。先のように調製したチオフェ
ン処理試料を次に30秒間0.05M NaOHに浸漬
し、空気乾燥し次に1分間炉中乾燥した。この試料のT
EMは、チオフェンモノマーと帯電防止層との相互反応
により形成した保護クラッド層により、幾分かの繊維状
銀ドーピング化五酸化バナジウムがなお残留しているこ
とを示している。
【0058】例15−ピロールモノマーを用いて形成し
た耐塩基性帯電防止層のTEM試験 銀ドーピング化五酸化バナジウムの0.57重量%溶液
50μLの試料を、超純水10mLで希釈した。この溶液
4μLを、孔性炭素フィルムが塗布されている銅グリッ
ド上におき、5分間空気乾燥し、次に125℃の炉で1
分間乾燥した。この試料のTEMは帯電防止層の繊維状
構造を示した。この試料を30秒間0.05M NaO
Hに露らした後の、孔性炭素グリッド上のこの試料につ
いての顕微鏡写真は、塩基中への浸漬が帯電防止層の繊
維状銀ドーピング化五酸化バナジウムのすべてを除去す
るのに十分であることを示している。
た耐塩基性帯電防止層のTEM試験 銀ドーピング化五酸化バナジウムの0.57重量%溶液
50μLの試料を、超純水10mLで希釈した。この溶液
4μLを、孔性炭素フィルムが塗布されている銅グリッ
ド上におき、5分間空気乾燥し、次に125℃の炉で1
分間乾燥した。この試料のTEMは帯電防止層の繊維状
構造を示した。この試料を30秒間0.05M NaO
Hに露らした後の、孔性炭素グリッド上のこの試料につ
いての顕微鏡写真は、塩基中への浸漬が帯電防止層の繊
維状銀ドーピング化五酸化バナジウムのすべてを除去す
るのに十分であることを示している。
【0059】孔性炭素フィルム上の先に調製した、銀−
ドーピング化五酸化バナジウム試料を、1重量%のピロ
ール水溶液の2μLで処理し、空気乾燥し次に1分間炉
中で乾燥した。先のように調製したピロール処理試料を
次に30秒間0.05M NaOHに浸漬し、空気乾燥
し次に1分間炉中乾燥した。この試料のTEMは、ピロ
ールモノマーの帯電防止層との相互反応により形成した
保護クラッド層により、幾分かの繊維状銀ドーピング化
五酸化バナジウムがなお残留していることを示してい
る。
ドーピング化五酸化バナジウム試料を、1重量%のピロ
ール水溶液の2μLで処理し、空気乾燥し次に1分間炉
中で乾燥した。先のように調製したピロール処理試料を
次に30秒間0.05M NaOHに浸漬し、空気乾燥
し次に1分間炉中乾燥した。この試料のTEMは、ピロ
ールモノマーの帯電防止層との相互反応により形成した
保護クラッド層により、幾分かの繊維状銀ドーピング化
五酸化バナジウムがなお残留していることを示してい
る。
【0060】例16−強酸性条件下での銀ドーピング化
五酸化バナジウムとアニリンの反応 例10において述べたフィルムを100%RHの条件下
に調整し、1.2MHCl中の1%アニリン及び0.0
2重量%の非イオン性界面活性剤からなる水性配合物を
ドクターブレードを用いてフィルム上に塗布した。この
塗布物を90℃で5分間そして125℃で1分間乾燥し
た。0.05M NaOH中に浸漬後のこれらの塗布物
の導電率低下を第7表に示す。この結果は、ポリアニリ
ンの生成反応が通常おこるような高酸性反応条件下で
は、銀ドーピング化五酸化バナジウム層とアニリンモノ
マーの反応は、銀ドーピング化五酸化バナジウム繊維上
に保護クラッド層の形成をもたらさなかったことを示し
ている。これらの条件下での試料(例13,14及び1
5において調製された試料であるが、1.2M HCl
中のアニリンと反応したもの)のTEM試験は、0.0
5M NaOH中への浸漬後は、繊維状の銀ドーピング
化五酸化バナジウムは存在しなかったことを示した。
五酸化バナジウムとアニリンの反応 例10において述べたフィルムを100%RHの条件下
に調整し、1.2MHCl中の1%アニリン及び0.0
2重量%の非イオン性界面活性剤からなる水性配合物を
ドクターブレードを用いてフィルム上に塗布した。この
塗布物を90℃で5分間そして125℃で1分間乾燥し
た。0.05M NaOH中に浸漬後のこれらの塗布物
の導電率低下を第7表に示す。この結果は、ポリアニリ
ンの生成反応が通常おこるような高酸性反応条件下で
は、銀ドーピング化五酸化バナジウム層とアニリンモノ
マーの反応は、銀ドーピング化五酸化バナジウム繊維上
に保護クラッド層の形成をもたらさなかったことを示し
ている。これらの条件下での試料(例13,14及び1
5において調製された試料であるが、1.2M HCl
中のアニリンと反応したもの)のTEM試験は、0.0
5M NaOH中への浸漬後は、繊維状の銀ドーピング
化五酸化バナジウムは存在しなかったことを示した。
【0061】第7表において、NaOHに浸漬した試料
は、1.2M HCl中への浸漬、洗浄及び乾燥後は、
導電率が回復した。このことは、ポリアニリンの導電形
が、高酸性条件下でのアニリンモノマーと銀ドーピング
化五酸化バナジウム層との反応後に再発生することを示
している。これらの結果を第7表の右欄に示す。
は、1.2M HCl中への浸漬、洗浄及び乾燥後は、
導電率が回復した。このことは、ポリアニリンの導電形
が、高酸性条件下でのアニリンモノマーと銀ドーピング
化五酸化バナジウム層との反応後に再発生することを示
している。これらの結果を第7表の右欄に示す。
【0062】
【表7】
【0063】例17−耐塩基性帯電防止層の調製 各種の異なるドーピング剤を含有する一連の五酸化バナ
ジウムゲルを用いて帯電防止層を製造した。これらの各
種のドーピング化ゲルを第8表に列挙する。
ジウムゲルを用いて帯電防止層を製造した。これらの各
種のドーピング化ゲルを第8表に列挙する。
【0064】
【表8】
【0065】第8表に示した0.057パーセントのド
ーピング化五酸化バナジウム及び0.02重量パーセン
トの非イオン性界面活性剤からなる帯電防止水性配合物
を、ドクターブレードを用いて、アクリロニトリル、塩
化ビニリデン及びアクリル酸のターポリマーラテックス
で下塗りしてあるポリエチレンテレフタレートフィルム
支持体上に塗布した。塗布物を90℃で空気乾燥して、
乾燥重量約43mg/m 2 (4mg/ft2 )の帯電防止層を
形成した。このフィルム上に、1重量%のアニリン及び
0.02重量%の非イオン性界面活性剤からなる水性配
合物を、ドクターブレードを用いて塗布した。塗布物を
90℃で5分間そして125℃で1分間乾燥して帯電防
止層を形成した。この塗布物を0.05Mの水性NaO
Hに1分間露らして、第9表に示す測定導電率を有する
帯電防止層を得た。保護クラッド層を形成するオーバー
コートが配備されていない五酸化バナジウム塗布物は、
0.05M NaOHでの同一処理に付した後は、5×
1012ohms/sqより大きい測定導電率を有した。すべて
の最終帯電防止塗布物は無色であった。
ーピング化五酸化バナジウム及び0.02重量パーセン
トの非イオン性界面活性剤からなる帯電防止水性配合物
を、ドクターブレードを用いて、アクリロニトリル、塩
化ビニリデン及びアクリル酸のターポリマーラテックス
で下塗りしてあるポリエチレンテレフタレートフィルム
支持体上に塗布した。塗布物を90℃で空気乾燥して、
乾燥重量約43mg/m 2 (4mg/ft2 )の帯電防止層を
形成した。このフィルム上に、1重量%のアニリン及び
0.02重量%の非イオン性界面活性剤からなる水性配
合物を、ドクターブレードを用いて塗布した。塗布物を
90℃で5分間そして125℃で1分間乾燥して帯電防
止層を形成した。この塗布物を0.05Mの水性NaO
Hに1分間露らして、第9表に示す測定導電率を有する
帯電防止層を得た。保護クラッド層を形成するオーバー
コートが配備されていない五酸化バナジウム塗布物は、
0.05M NaOHでの同一処理に付した後は、5×
1012ohms/sqより大きい測定導電率を有した。すべて
の最終帯電防止塗布物は無色であった。
【0066】
【表9】
【0067】例18−各種のドーピング化五酸化バナジ
ウムゲル及びピロールを用いる耐塩基性帯電防止層の調
製 各種の異なるドーピング剤を含有する一連の五酸化バナ
ジウムゲルを用いて帯電防止層を調製した。これらの各
種のドーピング化ゲルは第8表に列挙されている。
ウムゲル及びピロールを用いる耐塩基性帯電防止層の調
製 各種の異なるドーピング剤を含有する一連の五酸化バナ
ジウムゲルを用いて帯電防止層を調製した。これらの各
種のドーピング化ゲルは第8表に列挙されている。
【0068】0.057重量パーセントのドーピング化
五酸化バナジウム及び0.02重量パーセントの非イオ
ン性界面活性剤からなる帯電防止水性配合物を、ドクタ
ーブレードを用いて、アクリロニトリル、塩化ビニリデ
ン及びアクリル酸のターポリマーラテックスで下塗りし
てあるポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に
塗布した。塗布物を90℃で空気乾燥して、乾燥重量約
43mg/m2 (4mg/ft2 )の帯電防止層を形成した。
このフィルム上に、1重量%ピロール及び0.02重量
%の非イオン性界面活性剤からなる水性配合物を、ドク
ターブレードを用いて塗布した。塗布物を90℃で5分
間そして125℃で1分間乾燥して帯電防止層を形成し
た。この塗布物を0.05Mの水性NaOHに1分間露
らして、第10表に示した測定導電率を有する帯電防止
層を得た。保護クラッド層を形成するオーバーコートが
配備されていない五酸化バナジウム塗布物は、0.05
MNaOHでの同一処理に付した後は、5×1012ohms
/sqより大きい測定導電率を有した。すべての最終帯電
防止塗布物は無色であった。
五酸化バナジウム及び0.02重量パーセントの非イオ
ン性界面活性剤からなる帯電防止水性配合物を、ドクタ
ーブレードを用いて、アクリロニトリル、塩化ビニリデ
ン及びアクリル酸のターポリマーラテックスで下塗りし
てあるポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に
塗布した。塗布物を90℃で空気乾燥して、乾燥重量約
43mg/m2 (4mg/ft2 )の帯電防止層を形成した。
このフィルム上に、1重量%ピロール及び0.02重量
%の非イオン性界面活性剤からなる水性配合物を、ドク
ターブレードを用いて塗布した。塗布物を90℃で5分
間そして125℃で1分間乾燥して帯電防止層を形成し
た。この塗布物を0.05Mの水性NaOHに1分間露
らして、第10表に示した測定導電率を有する帯電防止
層を得た。保護クラッド層を形成するオーバーコートが
配備されていない五酸化バナジウム塗布物は、0.05
MNaOHでの同一処理に付した後は、5×1012ohms
/sqより大きい測定導電率を有した。すべての最終帯電
防止塗布物は無色であった。
【0069】
【表10】
【0070】例19−各種のドーピング化五酸化バナジ
ウムゲル及びチオフェンを用いる耐塩基性帯電防止層の
調製 各種の異なるドーピング剤を含有する一連の五酸化バナ
ジウムゲルを用いて帯電防止層を調製した。これらの各
種のドーピング化ゲルは第8表に列挙されている。
ウムゲル及びチオフェンを用いる耐塩基性帯電防止層の
調製 各種の異なるドーピング剤を含有する一連の五酸化バナ
ジウムゲルを用いて帯電防止層を調製した。これらの各
種のドーピング化ゲルは第8表に列挙されている。
【0071】0.057重量パーセントのドーピング化
五酸化バナジウム及び0.02重量パーセントの非イオ
ン性界面活性剤からなる帯電防止水性配合物を、ドクタ
ーブレードを用いて、アクリロニトリル、塩化ビニリデ
ン及びアクリル酸のターポリマーラテックスで下塗りし
てあるポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に
塗布した。塗布物を90℃で空気乾燥して、乾燥重量約
43mg/m2 (4mg/ft2 )の帯電防止層を形成した。
このフィルム上に、1重量%のチオフェンからなるアル
コール性配合物を、ドクターブレードを用いて塗布し
た。塗布物を90℃で5分間そして125℃で1分間乾
燥して帯電防止層を形成した。この塗布物を0.05M
の水性NaOHに1分間露らして、第11表に示した測
定導電率を有する帯電防止層を得た。保護クラッド層を
形成するオーバーコートが配備されていない五酸化バナ
ジウム塗布物は、0.05M NaOHでの同一処理に
付した後は、5×1012ohms/sqより大きい測定導電率
を有した。すべての最終帯電防止塗布物は無色であっ
た。
五酸化バナジウム及び0.02重量パーセントの非イオ
ン性界面活性剤からなる帯電防止水性配合物を、ドクタ
ーブレードを用いて、アクリロニトリル、塩化ビニリデ
ン及びアクリル酸のターポリマーラテックスで下塗りし
てあるポリエチレンテレフタレートフィルム支持体上に
塗布した。塗布物を90℃で空気乾燥して、乾燥重量約
43mg/m2 (4mg/ft2 )の帯電防止層を形成した。
このフィルム上に、1重量%のチオフェンからなるアル
コール性配合物を、ドクターブレードを用いて塗布し
た。塗布物を90℃で5分間そして125℃で1分間乾
燥して帯電防止層を形成した。この塗布物を0.05M
の水性NaOHに1分間露らして、第11表に示した測
定導電率を有する帯電防止層を得た。保護クラッド層を
形成するオーバーコートが配備されていない五酸化バナ
ジウム塗布物は、0.05M NaOHでの同一処理に
付した後は、5×1012ohms/sqより大きい測定導電率
を有した。すべての最終帯電防止塗布物は無色であっ
た。
【0072】
【表11】
【0073】例20−強酸性条件下での各種ドーピング
化五酸化バナジウムとアニリンの反応 例17〜19(第8表)において述べた各種のドーピン
グ化五酸化バナジウムフィルムを、1.2M HCl中
の1重量%アニリン及び0.02重量%の非イオン性界
面活性剤からなる水性配合物をドクターブレードを用い
てフィルム上に塗布した。この塗布物を90℃で5分間
そして125℃で1分間乾燥した。0.05M NaO
H中に浸漬後のこれら塗布物の導電率低下を第12表に
示す。この結果は、ポリアニリンの生成反応が通常おこ
るような高酸性反応条件下では、ドーピング化五酸化バ
ナジウム層とアニリンモノマーの反応は、ドーピング化
五酸化バナジウム繊維上に保護クラッド層の形成をもた
らさなかったことを示している。
化五酸化バナジウムとアニリンの反応 例17〜19(第8表)において述べた各種のドーピン
グ化五酸化バナジウムフィルムを、1.2M HCl中
の1重量%アニリン及び0.02重量%の非イオン性界
面活性剤からなる水性配合物をドクターブレードを用い
てフィルム上に塗布した。この塗布物を90℃で5分間
そして125℃で1分間乾燥した。0.05M NaO
H中に浸漬後のこれら塗布物の導電率低下を第12表に
示す。この結果は、ポリアニリンの生成反応が通常おこ
るような高酸性反応条件下では、ドーピング化五酸化バ
ナジウム層とアニリンモノマーの反応は、ドーピング化
五酸化バナジウム繊維上に保護クラッド層の形成をもた
らさなかったことを示している。
【0074】
【表12】
Claims (3)
- 【請求項1】 酸化重合性化合物の酸化により生成する
ポリマーのクラッドを有する繊維状五酸化バナジウム。 - 【請求項2】 前記の五酸化バナジウムがドーピング剤
を含有する請求項1記載の繊維状五酸化バナジウム。 - 【請求項3】 支持体、少くとも1層の感光層、及び酸
化重合性化合物の酸化により生成するポリマーのクラッ
ドを有する五酸化バナジウム繊維を含んでなる帯電層を
含んでなる画像形成写真要素。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/129,839 US5455153A (en) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | Photographic elements containing clad vanadium pentoxide antistatic layer |
US129839 | 1993-09-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07168316A true JPH07168316A (ja) | 1995-07-04 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23753794A Pending JPH07168316A (ja) | 1993-09-30 | 1994-09-30 | ポリマークラッド繊維状五酸化バナジウム、それを含有する帯電防止層及び画像形成要素 |
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Country | Link |
---|---|
US (2) | US5455153A (ja) |
EP (1) | EP0646837B1 (ja) |
JP (1) | JPH07168316A (ja) |
DE (1) | DE69419860D1 (ja) |
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US5455153A (en) * | 1993-09-30 | 1995-10-03 | Eastman Kodak Company | Photographic elements containing clad vanadium pentoxide antistatic layer |
US5518867A (en) * | 1994-05-12 | 1996-05-21 | Eastman Kodak Company | Electron beam recording process utilizing an electron beam recording film with low visual and ultraviolet density |
DE69504862T2 (de) * | 1994-11-10 | 1999-05-12 | Minnesota Mining And Mfg. Co., Saint Paul, Minn. | Photographisches element mit einer antistatischen schicht und verfahren zur herstellung eines elements mit antistatischen eigenschaften |
US5650265A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-22 | Eastman Kodak Company | Silver halide light-sensitive element |
US6110656A (en) * | 1998-09-28 | 2000-08-29 | Eastman Kodak Company | Colloidal vanadium oxide having improved stability |
US6013427A (en) * | 1998-09-28 | 2000-01-11 | Eastman Kodak Company | Imaging element comprising an electrically-conductive layer containing intercalated vanadium oxide |
US6010836A (en) * | 1998-09-28 | 2000-01-04 | Eastman Kodak Company | Imaging element comprising an electrically-conductive layer containing intercalated vanadium oxide and a transparent magnetic recording layer |
US6214530B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-04-10 | Tulalip Consultoria Comercial Sociedade Unidessoal S.A. | Base film with a conductive layer and a magnetic layer |
US6503468B1 (en) | 2002-01-09 | 2003-01-07 | Eastman Kodak Company | Method of preparing silver-doped vanadium pentoxide antistatic agent |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2318442A1 (fr) * | 1975-07-15 | 1977-02-11 | Kodak Pathe | Nouveau produit, notamment, photographique, a couche antistatique et procede pour sa preparation |
US5030508A (en) * | 1988-06-27 | 1991-07-09 | Milliken Research Corporation | Method for making electrically conductive textile materials |
US5006451A (en) * | 1989-08-10 | 1991-04-09 | Eastman Kodak Company | Photographic support material comprising an antistatic layer and a barrier layer |
DE4125758A1 (de) * | 1991-08-03 | 1993-02-04 | Agfa Gevaert Ag | Verfahren zur erzeugung antistatischer beschichtungen |
US5221598A (en) * | 1992-11-23 | 1993-06-22 | Eastman Kodak Company | Photographic support material comprising an antistatic layer and a heat-thickening barrier layer |
US5455153A (en) * | 1993-09-30 | 1995-10-03 | Eastman Kodak Company | Photographic elements containing clad vanadium pentoxide antistatic layer |
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