JPH07159972A - 露光用マスク及びその製造方法 - Google Patents
露光用マスク及びその製造方法Info
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- JPH07159972A JPH07159972A JP30562893A JP30562893A JPH07159972A JP H07159972 A JPH07159972 A JP H07159972A JP 30562893 A JP30562893 A JP 30562893A JP 30562893 A JP30562893 A JP 30562893A JP H07159972 A JPH07159972 A JP H07159972A
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- alumina
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】位相シフタを有する露光用マスクに関し、石英
基板と位相シフタとの間に介在するアルミナ膜につい
て、薬液やエッチングガスに対する耐性を向上すること
により、洗浄処理やエッチング処理を十分に行うことが
可能な露光用マスクを提供する。 【構成】石英基板１１と、石英基板１１上に形成された
α−アルミナ, γ−アルミナ及びη−アルミナのうち少
なくともいずれかを含むアルミナ膜１２と、アルミナ膜
１２上に選択的に形成されたシリコン酸化膜からなる位
相シフタ１３と、位相シフタ１３上に選択的に形成され
た転写パターン14ａ〜14ｃとを有することを含み構成す
る。
基板と位相シフタとの間に介在するアルミナ膜につい
て、薬液やエッチングガスに対する耐性を向上すること
により、洗浄処理やエッチング処理を十分に行うことが
可能な露光用マスクを提供する。 【構成】石英基板１１と、石英基板１１上に形成された
α−アルミナ, γ−アルミナ及びη−アルミナのうち少
なくともいずれかを含むアルミナ膜１２と、アルミナ膜
１２上に選択的に形成されたシリコン酸化膜からなる位
相シフタ１３と、位相シフタ１３上に選択的に形成され
た転写パターン14ａ〜14ｃとを有することを含み構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光用マスク及びその
製造方法に関し、より詳しくは、位相シフタを有する露
光用マスク及びその製造方法に関する。
製造方法に関し、より詳しくは、位相シフタを有する露
光用マスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置においては、
高速化や高密度化を実現するため、ハーフミクロン以下
のパターン形成が必要になっている。このような微細化
を実現するため、量産性と解像性に優れた縮小投影露光
装置（ステッパ）の採用が必須のものとなっている。し
かし、露光装置の進歩よりもパターンの微細化の方が速
く進んだため、ステッパの公称解像度を越えるサイズの
パターン形成が要求されている。このため、レジスト材
料やレジストプロセスの改良等により、装置性能を限界
まで引き出す必要がある。このような改良手段の一つと
して、露光光の位相を逆転させて解像度を向上させる位
相シフタを有する露光用マスクが用いられている。
高速化や高密度化を実現するため、ハーフミクロン以下
のパターン形成が必要になっている。このような微細化
を実現するため、量産性と解像性に優れた縮小投影露光
装置（ステッパ）の採用が必須のものとなっている。し
かし、露光装置の進歩よりもパターンの微細化の方が速
く進んだため、ステッパの公称解像度を越えるサイズの
パターン形成が要求されている。このため、レジスト材
料やレジストプロセスの改良等により、装置性能を限界
まで引き出す必要がある。このような改良手段の一つと
して、露光光の位相を逆転させて解像度を向上させる位
相シフタを有する露光用マスクが用いられている。
【０００３】図７は、従来の位相シフタを有する露光マ
スクの一例についてその構成を示す断面図である。図
中、符号１は石英基板、２は石英基板１上に形成された
エッチング防護用のアルミナ膜（Al2O3 膜）で、位相シ
フタを兼ねている。３は位相シフタとしてアルミナ膜２
上に選択的に形成されたSiO2膜、４はSiO2膜３上に選択
的に形成された遮光膜である。
スクの一例についてその構成を示す断面図である。図
中、符号１は石英基板、２は石英基板１上に形成された
エッチング防護用のアルミナ膜（Al2O3 膜）で、位相シ
フタを兼ねている。３は位相シフタとしてアルミナ膜２
上に選択的に形成されたSiO2膜、４はSiO2膜３上に選択
的に形成された遮光膜である。
【０００４】上記露光用マスクでは、位相シフタ３の断
面形状に特徴がある。即ち、図７に示すように、遮光膜
４のエッヂからある程度の距離まで遮光膜４の下のSiO2
膜３が除去されている。これにより、位相シフトしない
露光光のみが透過すべき領域に位相シフトした露光光が
混在しないようにすることができる。これは、次のよう
な理由による。即ち、露光用マスクを透過する露光光は
垂直に入射するものばかりでなく、斜めに入射するもの
も存在するが、図７に示すように、遮光膜４のエッヂか
らある程度の距離まで遮光膜４の下のSiO2膜３を除去し
ておくと、斜めに入射した露光光はSiO2膜３を通過せず
に透過するため、位相シフトを受けない。一方、遮光膜
のエッヂに一致して遮光膜の下にSiO2膜が残っている場
合には、斜めに入射した露光光はSiO2膜中を通過して透
過するため、位相シフトを受ける。
面形状に特徴がある。即ち、図７に示すように、遮光膜
４のエッヂからある程度の距離まで遮光膜４の下のSiO2
膜３が除去されている。これにより、位相シフトしない
露光光のみが透過すべき領域に位相シフトした露光光が
混在しないようにすることができる。これは、次のよう
な理由による。即ち、露光用マスクを透過する露光光は
垂直に入射するものばかりでなく、斜めに入射するもの
も存在するが、図７に示すように、遮光膜４のエッヂか
らある程度の距離まで遮光膜４の下のSiO2膜３を除去し
ておくと、斜めに入射した露光光はSiO2膜３を通過せず
に透過するため、位相シフトを受けない。一方、遮光膜
のエッヂに一致して遮光膜の下にSiO2膜が残っている場
合には、斜めに入射した露光光はSiO2膜中を通過して透
過するため、位相シフトを受ける。
【０００５】このような形状の位相シフタを形成するた
めに、SiO2膜３の上に遮光膜４が選択的に形成してある
状態で、ＨＦ＋NH4Fの混合液を用いたウエットエッチン
グにより除去すべき領域のSiO2膜３が等方的にエッチン
グされる。このとき、アルミナ膜２はエッチング液に対
して下地の石英基板１を保護するマスクの役目をする。
めに、SiO2膜３の上に遮光膜４が選択的に形成してある
状態で、ＨＦ＋NH4Fの混合液を用いたウエットエッチン
グにより除去すべき領域のSiO2膜３が等方的にエッチン
グされる。このとき、アルミナ膜２はエッチング液に対
して下地の石英基板１を保護するマスクの役目をする。
【０００６】また、図８は、他の従来例に係る位相シフ
タを有する露光マスクの構成について示す断面図であ
る。遮光膜４ａが石英基板１ａとアルミナ膜２ａとの間
に介在していることが図７の露光マスクと異なる。な
お、位相シフタとしてのSiO2膜３ａはアルミナ膜２ａ上
に選択的に形成される。この場合には、SiO2膜３はエッ
チングガスにより異方性エッチングされる。このとき、
アルミナ膜２ａはエッチングガスに対して下地の石英基
板１を保護するマスクの役目をする。
タを有する露光マスクの構成について示す断面図であ
る。遮光膜４ａが石英基板１ａとアルミナ膜２ａとの間
に介在していることが図７の露光マスクと異なる。な
お、位相シフタとしてのSiO2膜３ａはアルミナ膜２ａ上
に選択的に形成される。この場合には、SiO2膜３はエッ
チングガスにより異方性エッチングされる。このとき、
アルミナ膜２ａはエッチングガスに対して下地の石英基
板１を保護するマスクの役目をする。
【０００７】上記図７及び図８の露光マスクの作成にお
いて、アルミナ膜２及び２ａは、膜厚の均一性及び制御
性に優れたイオンビームアシスト蒸着法により形成され
る。イオンビームアシスト蒸着法では、電子ビームによ
りアルミナソースを加熱し、溶解させて蒸発させ、石英
基板１又は１ａ上にアルミナ膜２又は２ａを堆積させる
とともに、別の装置によりイオンを発生させて堆積中の
アルミナ膜２又は２ａに照射する。
いて、アルミナ膜２及び２ａは、膜厚の均一性及び制御
性に優れたイオンビームアシスト蒸着法により形成され
る。イオンビームアシスト蒸着法では、電子ビームによ
りアルミナソースを加熱し、溶解させて蒸発させ、石英
基板１又は１ａ上にアルミナ膜２又は２ａを堆積させる
とともに、別の装置によりイオンを発生させて堆積中の
アルミナ膜２又は２ａに照射する。
【０００８】また、SiO2膜３又は３ａを選択的にエッチ
ングして位相シフタを形成した後、マスクとして用いた
レジスト膜の残渣を完全に除去するため、加熱されたH2
SO4＋H2O2の混合液中に浸漬する。
ングして位相シフタを形成した後、マスクとして用いた
レジスト膜の残渣を完全に除去するため、加熱されたH2
SO4＋H2O2の混合液中に浸漬する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来例では、
ＨＦ＋NH4Fの混合液を用いて不要なSiO2膜をエッチング
する際、或いは作成された露光用マスクをH2SO4 ＋H2O2
の混合液中で洗浄する際、十分なエッチングや洗浄を行
うため、薬液に浸漬する時間を十分に採ると、アルミナ
膜２又は２ａがこれらの薬液により過剰にエッチングさ
れる場合がある。このため、位相シフタとしてのSiO2膜
３又は３ａとアルミナ膜２又は２ａとの密着性が低下し
たり、アルミナ膜２又は２ａの表面に凹凸が生じて露光
光の正常な透過が妨げられたりするという問題が生じ
る。
ＨＦ＋NH4Fの混合液を用いて不要なSiO2膜をエッチング
する際、或いは作成された露光用マスクをH2SO4 ＋H2O2
の混合液中で洗浄する際、十分なエッチングや洗浄を行
うため、薬液に浸漬する時間を十分に採ると、アルミナ
膜２又は２ａがこれらの薬液により過剰にエッチングさ
れる場合がある。このため、位相シフタとしてのSiO2膜
３又は３ａとアルミナ膜２又は２ａとの密着性が低下し
たり、アルミナ膜２又は２ａの表面に凹凸が生じて露光
光の正常な透過が妨げられたりするという問題が生じ
る。
【００１０】また、SiO2膜３又は３ａをエッチングガス
により除去する際には、エッチングガスに対する耐性の
更なる向上が望まれる。本発明は、係る従来例の問題点
に鑑みて創作されたものであり、石英基板と位相シフタ
との間に介在するアルミナ膜の薬液耐性やエッチングガ
スに対する耐性を向上することにより、洗浄処理やエッ
チング処理を十分に行うことが可能な露光用マスク及び
その製造方法の提供を目的とするものである。
により除去する際には、エッチングガスに対する耐性の
更なる向上が望まれる。本発明は、係る従来例の問題点
に鑑みて創作されたものであり、石英基板と位相シフタ
との間に介在するアルミナ膜の薬液耐性やエッチングガ
スに対する耐性を向上することにより、洗浄処理やエッ
チング処理を十分に行うことが可能な露光用マスク及び
その製造方法の提供を目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、石
英基板と、該石英基板上に形成されたα−アルミナ,γ
−アルミナ及びη−アルミナのうち少なくともいずれか
を含むアルミナ膜と、該アルミナ膜上に選択的に形成さ
れたシリコン酸化膜からなる位相シフタと、前記石英基
板と前記アルミナ膜との間又は前記位相シフタ上、又は
前記アルミナ膜と前記位相シフタの間に選択的に形成さ
れた転写パターンとを有することを特徴とする露光用マ
スクによって達成され、第２に、前記転写パターンは遮
光性膜であることを特徴とする第１の発明に記載の露光
用マスクによって達成され、第３に、前記転写パターン
は半透光性膜であることを特徴とする請求項１記載の露
光用マスクによって達成され、第４に、石英基板を温度
４００℃以上に保持した状態で、イオンビームアシスト
蒸着により前記石英基板上にアルミナ膜を形成する工程
と、前記石英基板上に遮光性膜又は半透光性膜を形成
し、パターニングする工程と、前記アルミナ膜上に位相
シフタとなるシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シ
リコン酸化膜を選択的にエッチングし、除去する工程と
を有する露光用マスクの製造方法によって達成され、第
５に、石英基板を温度４００℃以上に保持した状態で、
イオンビームアシスト蒸着により前記石英基板上にアル
ミナ膜を形成する工程と、前記アルミナ膜上に位相シフ
タとなるシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコ
ン酸化膜上に遮光性膜又は半透光性膜を形成し、パター
ニングする工程と、前記シリコン酸化膜を選択的にエッ
チングし、除去する工程とを有する露光用マスクの製造
方法によって達成され、第６に、弗酸を含む薬液を用い
て前記シリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とす
る第４又は第５の発明に記載の露光用マスクの製造方法
によって達成され、第７に、前記イオンビームアシスト
蒸着に用いられるイオンは酸素イオン又はアルゴンイオ
ンであることを特徴とする第４，第５又は第６の発明に
記載の露光用マスクの製造方法によって達成され、第８
に、前記シリコン酸化膜を選択的にエッチングし、除去
する工程の後、硫酸を含む薬液により洗浄する工程を有
することを特徴とする第４，第５，第６又は第７の発明
に記載の露光用マスクの製造方法によって達成される。
英基板と、該石英基板上に形成されたα−アルミナ,γ
−アルミナ及びη−アルミナのうち少なくともいずれか
を含むアルミナ膜と、該アルミナ膜上に選択的に形成さ
れたシリコン酸化膜からなる位相シフタと、前記石英基
板と前記アルミナ膜との間又は前記位相シフタ上、又は
前記アルミナ膜と前記位相シフタの間に選択的に形成さ
れた転写パターンとを有することを特徴とする露光用マ
スクによって達成され、第２に、前記転写パターンは遮
光性膜であることを特徴とする第１の発明に記載の露光
用マスクによって達成され、第３に、前記転写パターン
は半透光性膜であることを特徴とする請求項１記載の露
光用マスクによって達成され、第４に、石英基板を温度
４００℃以上に保持した状態で、イオンビームアシスト
蒸着により前記石英基板上にアルミナ膜を形成する工程
と、前記石英基板上に遮光性膜又は半透光性膜を形成
し、パターニングする工程と、前記アルミナ膜上に位相
シフタとなるシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シ
リコン酸化膜を選択的にエッチングし、除去する工程と
を有する露光用マスクの製造方法によって達成され、第
５に、石英基板を温度４００℃以上に保持した状態で、
イオンビームアシスト蒸着により前記石英基板上にアル
ミナ膜を形成する工程と、前記アルミナ膜上に位相シフ
タとなるシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコ
ン酸化膜上に遮光性膜又は半透光性膜を形成し、パター
ニングする工程と、前記シリコン酸化膜を選択的にエッ
チングし、除去する工程とを有する露光用マスクの製造
方法によって達成され、第６に、弗酸を含む薬液を用い
て前記シリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とす
る第４又は第５の発明に記載の露光用マスクの製造方法
によって達成され、第７に、前記イオンビームアシスト
蒸着に用いられるイオンは酸素イオン又はアルゴンイオ
ンであることを特徴とする第４，第５又は第６の発明に
記載の露光用マスクの製造方法によって達成され、第８
に、前記シリコン酸化膜を選択的にエッチングし、除去
する工程の後、硫酸を含む薬液により洗浄する工程を有
することを特徴とする第４，第５，第６又は第７の発明
に記載の露光用マスクの製造方法によって達成される。
【００１２】
【作用】本発明の露光用マスクにおいては、石英基板上
に形成されたα−アルミナ, γ−アルミナ及びη−アル
ミナのうち少なくともいずれかを含むアルミナ膜と、ア
ルミナ膜上に選択的に形成されたシリコン酸化膜からな
る位相シフタとを有する。
に形成されたα−アルミナ, γ−アルミナ及びη−アル
ミナのうち少なくともいずれかを含むアルミナ膜と、ア
ルミナ膜上に選択的に形成されたシリコン酸化膜からな
る位相シフタとを有する。
【００１３】上記のアルミナ膜は、本発明の露光用マス
クの製造方法のように、石英基板を温度４００℃以上に
保持した状態で、イオンビームアシスト蒸着することに
より形成される。このようなアルミナ膜は結晶性を有
し、緻密な膜であるため、薬液耐性やエッチングガスに
対する耐性が向上する。このため、石英基板上のアルミ
ナ膜の上に形成されたシリコン酸化膜を例えば弗酸を含
む薬液やエッチングガスを用いて選択的にエッチングす
る際に、アルミナ膜が薬液やエッチングガスに曝される
が、アルミナ膜は薬液耐性やエッチングガスに対する耐
性が増しているので、薬液やエッチングガスによるダメ
ージを受けにくくなる。
クの製造方法のように、石英基板を温度４００℃以上に
保持した状態で、イオンビームアシスト蒸着することに
より形成される。このようなアルミナ膜は結晶性を有
し、緻密な膜であるため、薬液耐性やエッチングガスに
対する耐性が向上する。このため、石英基板上のアルミ
ナ膜の上に形成されたシリコン酸化膜を例えば弗酸を含
む薬液やエッチングガスを用いて選択的にエッチングす
る際に、アルミナ膜が薬液やエッチングガスに曝される
が、アルミナ膜は薬液耐性やエッチングガスに対する耐
性が増しているので、薬液やエッチングガスによるダメ
ージを受けにくくなる。
【００１４】従って、作成されたマスクは、アルミナ膜
と位相シフタとの密着性等の低下を招くことなく、かつ
表面の凹凸による散乱等を生じさせることなく、正常に
露光光を透過する。また、マスクの作成後に硫酸を含む
薬液により洗浄する際にも、シリコン酸化膜により被覆
されていない領域にアルミナ膜が露出しており、薬液に
曝されるが、前記と同様に薬液によるダメージを受けな
い。従って、異物を除去するために、マスクを十分に洗
浄することが可能である。
と位相シフタとの密着性等の低下を招くことなく、かつ
表面の凹凸による散乱等を生じさせることなく、正常に
露光光を透過する。また、マスクの作成後に硫酸を含む
薬液により洗浄する際にも、シリコン酸化膜により被覆
されていない領域にアルミナ膜が露出しており、薬液に
曝されるが、前記と同様に薬液によるダメージを受けな
い。従って、異物を除去するために、マスクを十分に洗
浄することが可能である。
【００１５】これにより、作成されたマスクは、アルミ
ナ膜と位相シフタとの密着性等の低下を招くことなく、
かつ表面の凹凸や異物による散乱等を生じさせることな
く、正常に露光光を透過する。
ナ膜と位相シフタとの密着性等の低下を招くことなく、
かつ表面の凹凸や異物による散乱等を生じさせることな
く、正常に露光光を透過する。
【００１６】
（１）本発明の実施例に係る露光用マスクの作成方法に
用いられるイオンビームアシスト蒸着装置の構成及びイ
オンビームアシスト蒸着装置を用いて形成されたアルミ
ナ膜の特性についての説明 （Ａ）イオンビームアシスト蒸着装置の構成についての
説明 図５は、イオンビームアシスト蒸着装置の構成ついて示
す側面図である。
用いられるイオンビームアシスト蒸着装置の構成及びイ
オンビームアシスト蒸着装置を用いて形成されたアルミ
ナ膜の特性についての説明 （Ａ）イオンビームアシスト蒸着装置の構成についての
説明 図５は、イオンビームアシスト蒸着装置の構成ついて示
す側面図である。
【００１７】図中、５１はアルミナ膜の形成が行われる
チャンバ、５２はチャンバ５１内に設置された基板保持
具であり、基板保持具５２に内蔵されたヒータ等の加熱
手段５３により被堆積基板６０の加熱が行われる。５４
はアルミナソース５５が収納されるソース容器、５６は
ソース容器５４内のアルミナソース５５を融解する電子
ビームを発生する電子ビーム発生装置、５７は酸素ガス
又はアルゴンガスをイオン化し、そのイオンビームを基
板保持具５２に保持された被堆積基板６０に向かって照
射するイオンビーム照射装置である。
チャンバ、５２はチャンバ５１内に設置された基板保持
具であり、基板保持具５２に内蔵されたヒータ等の加熱
手段５３により被堆積基板６０の加熱が行われる。５４
はアルミナソース５５が収納されるソース容器、５６は
ソース容器５４内のアルミナソース５５を融解する電子
ビームを発生する電子ビーム発生装置、５７は酸素ガス
又はアルゴンガスをイオン化し、そのイオンビームを基
板保持具５２に保持された被堆積基板６０に向かって照
射するイオンビーム照射装置である。
【００１８】上記のイオンビームアシスト蒸着装置で
は、被堆積基板６０の加熱手段５３及びイオンビーム照
射装置５７を有するので、被堆積基板６０を加熱し、か
つイオンビームを照射しつつ、アルミナ膜を形成するこ
とができる。 （Ｂ）イオンビームアシスト蒸着装置を用いたアルミナ
膜の形成方法及びそのアルミナ膜の特性についての説明 次に、上記のイオンビームアシスト蒸着装置を用いてア
ルミナ膜を形成する方法について説明する。
は、被堆積基板６０の加熱手段５３及びイオンビーム照
射装置５７を有するので、被堆積基板６０を加熱し、か
つイオンビームを照射しつつ、アルミナ膜を形成するこ
とができる。 （Ｂ）イオンビームアシスト蒸着装置を用いたアルミナ
膜の形成方法及びそのアルミナ膜の特性についての説明 次に、上記のイオンビームアシスト蒸着装置を用いてア
ルミナ膜を形成する方法について説明する。
【００１９】まず、基板保持具５２に石英基板６０を保
持し、石英基板６０を加熱し、その温度を４００℃に保
持する。次いで、電子ビームを発生してアルミナソース
５５に照射して加熱し、融解する。融解したアルミナ粒
子はチャンバ５１内に放射され、石英基板６０に堆積し
はじめる。
持し、石英基板６０を加熱し、その温度を４００℃に保
持する。次いで、電子ビームを発生してアルミナソース
５５に照射して加熱し、融解する。融解したアルミナ粒
子はチャンバ５１内に放射され、石英基板６０に堆積し
はじめる。
【００２０】このとき、同時に酸素ガスをイオンビーム
照射装置５７に供給し、酸素イオンを発生させるととも
に、石英基板６０に向かって照射する。これにより、石
英基板６０に付着したアルミナ粒子は、高温に保持され
た石英基板６０から温度エネルギを受けるとともに、酸
素イオンからエネルギを受けてエネルギを増すため、石
英基板６０上での移動が一層激しくなる。従って、アル
ミナ粒子は密に集合し、アルミナ薄膜が形成される。こ
のようにして、次第に厚い膜厚のアルミナ膜が積層され
ていき、所定時間の後、所定の膜厚のアルミナ膜が形成
される。
照射装置５７に供給し、酸素イオンを発生させるととも
に、石英基板６０に向かって照射する。これにより、石
英基板６０に付着したアルミナ粒子は、高温に保持され
た石英基板６０から温度エネルギを受けるとともに、酸
素イオンからエネルギを受けてエネルギを増すため、石
英基板６０上での移動が一層激しくなる。従って、アル
ミナ粒子は密に集合し、アルミナ薄膜が形成される。こ
のようにして、次第に厚い膜厚のアルミナ膜が積層され
ていき、所定時間の後、所定の膜厚のアルミナ膜が形成
される。
【００２１】次に、上記により形成されたアルミナ膜の
特性について調査した結果について説明する。比較のた
め、石英基板６０の温度を２００℃に保持して形成され
たアルミナ膜の特性についても同時に説明する。基板温
度２００℃，３００℃，３５０℃及び４００℃で作成さ
れた４種類のアルミナ膜について、H2SO4 ＋H2O2の混合
溶液に対するエッチング耐性について調査した。その結
果を図６に示す。図６において、縦軸はエッチング速度
（nm／分）を表し、横軸はアルミナ膜の形成時の基板温
度（℃又は１／Ｋ）を表す。
特性について調査した結果について説明する。比較のた
め、石英基板６０の温度を２００℃に保持して形成され
たアルミナ膜の特性についても同時に説明する。基板温
度２００℃，３００℃，３５０℃及び４００℃で作成さ
れた４種類のアルミナ膜について、H2SO4 ＋H2O2の混合
溶液に対するエッチング耐性について調査した。その結
果を図６に示す。図６において、縦軸はエッチング速度
（nm／分）を表し、横軸はアルミナ膜の形成時の基板温
度（℃又は１／Ｋ）を表す。
【００２２】それによれば、基板温度が２００℃から３
００℃までは２ｎｍ／分程度で推移する。３００℃以上
では基板温度の上昇とともに次第にエッチング速度が低
下し、３５０℃で約0.7 ｎｍ／分になる。以降は基板温
度の上昇とともにエッチング速度が急激に低下し、基板
温度４００℃でエッチング速度0.35ｎｍ／分程度にな
る。このように基板温度４００℃以上でH2SO4 ＋H2O2の
混合溶液に対するエッチング耐性が極めて向上する。
００℃までは２ｎｍ／分程度で推移する。３００℃以上
では基板温度の上昇とともに次第にエッチング速度が低
下し、３５０℃で約0.7 ｎｍ／分になる。以降は基板温
度の上昇とともにエッチング速度が急激に低下し、基板
温度４００℃でエッチング速度0.35ｎｍ／分程度にな
る。このように基板温度４００℃以上でH2SO4 ＋H2O2の
混合溶液に対するエッチング耐性が極めて向上する。
【００２３】また、膜質の調査によれば、基板温度４０
０℃では、アルミナ膜は結晶化しており、γ−アルミナ
或いはη−アルミナになっていることが確認された。一
方、基板温度２００℃では、アルミナ膜は非晶質であっ
た。このことは膜質が緻密になっていることを示してお
り、H2SO4 ＋H2O2の混合溶液のみならず、他のエッチン
グ液やエッチングガスに対してもエッチング耐性が増す
ことを裏ずけるものである。調査では、α−アルミナの
存在は確認できなかったが、基板温度等の条件によりα
−アルミナの形成も可能である。
０℃では、アルミナ膜は結晶化しており、γ−アルミナ
或いはη−アルミナになっていることが確認された。一
方、基板温度２００℃では、アルミナ膜は非晶質であっ
た。このことは膜質が緻密になっていることを示してお
り、H2SO4 ＋H2O2の混合溶液のみならず、他のエッチン
グ液やエッチングガスに対してもエッチング耐性が増す
ことを裏ずけるものである。調査では、α−アルミナの
存在は確認できなかったが、基板温度等の条件によりα
−アルミナの形成も可能である。
【００２４】なお、イオンビームを照射せずに、石英基
板６０を加熱して温度４００℃に保持した状態で、蒸着
により形成されたアルミナ膜では、図６に示すように、
エッチング速度３ｎｍ／分程度と非常に高く、硫酸系の
洗浄液に対して十分なエッチング耐性は得られなかっ
た。 （２）本発明の第１の実施例に係る露光用マスクの作成
方法の説明 図１（ａ）〜（ｄ），図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の
第１の実施例に係る露光用マスクの作成方法について示
す断面図である。
板６０を加熱して温度４００℃に保持した状態で、蒸着
により形成されたアルミナ膜では、図６に示すように、
エッチング速度３ｎｍ／分程度と非常に高く、硫酸系の
洗浄液に対して十分なエッチング耐性は得られなかっ
た。 （２）本発明の第１の実施例に係る露光用マスクの作成
方法の説明 図１（ａ）〜（ｄ），図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の
第１の実施例に係る露光用マスクの作成方法について示
す断面図である。
【００２５】まず、図１（ａ）に示す石英基板１１を４
００℃以上に加熱した状態で、図１（ｂ）に示すよう
に、上記イオンビームアシスト蒸着により石英基板１１
上に膜厚約1200Åのアルミナ膜１２を形成する。このと
き、アルミナ膜１２は結晶化しており、α−アルミナ,
γ−アルミナ及びη−アルミナのうち少なくともいずれ
かを含むものになっている。
００℃以上に加熱した状態で、図１（ｂ）に示すよう
に、上記イオンビームアシスト蒸着により石英基板１１
上に膜厚約1200Åのアルミナ膜１２を形成する。このと
き、アルミナ膜１２は結晶化しており、α−アルミナ,
γ−アルミナ及びη−アルミナのうち少なくともいずれ
かを含むものになっている。
【００２６】次に、図１（ｃ）に示すように、アルミナ
膜１２上に膜厚約3800ÅのSiO2膜１３を形成する。次い
で、SiO2膜１３上に膜厚約６００Åのクロム膜を形成し
た後、図１（ｄ）に示すように、パターニングして所定
の位置に遮光膜14ａ〜14ｃを形成する。次に、図２
（ａ）に示すように、残すべきSiO2膜１３をレジスト膜
１５により被覆した後、図２（ｂ）に示すように、HF＋
NH4Fの混合溶液を用いて、除去すべきSiO2膜１３をエッ
チングし、除去する。このとき、エッチングの終了前に
アルミナ膜１２が露出するが、α−アルミナ, γ−アル
ミナ及びη−アルミナのうち少なくともいずれかを含む
ものになっているアルミナ膜１２は薬液に対する耐性が
増しているので、容易に反応しない。このため、十分に
エッチングすることができる。これにより、遮光膜14
ａ，14ｂのエッヂから内側に所定の距離入ったところま
でのSiO2膜１３が除去され、遮光膜14ａ，14ｂの下に位
相シフタとして所定の幅のSiO2膜１３が残る。
膜１２上に膜厚約3800ÅのSiO2膜１３を形成する。次い
で、SiO2膜１３上に膜厚約６００Åのクロム膜を形成し
た後、図１（ｄ）に示すように、パターニングして所定
の位置に遮光膜14ａ〜14ｃを形成する。次に、図２
（ａ）に示すように、残すべきSiO2膜１３をレジスト膜
１５により被覆した後、図２（ｂ）に示すように、HF＋
NH4Fの混合溶液を用いて、除去すべきSiO2膜１３をエッ
チングし、除去する。このとき、エッチングの終了前に
アルミナ膜１２が露出するが、α−アルミナ, γ−アル
ミナ及びη−アルミナのうち少なくともいずれかを含む
ものになっているアルミナ膜１２は薬液に対する耐性が
増しているので、容易に反応しない。このため、十分に
エッチングすることができる。これにより、遮光膜14
ａ，14ｂのエッヂから内側に所定の距離入ったところま
でのSiO2膜１３が除去され、遮光膜14ａ，14ｂの下に位
相シフタとして所定の幅のSiO2膜１３が残る。
【００２７】次いで、図２（ｃ）に示すように、レジス
ト膜１５を除去した後、H2SO4 ＋H2O2の混合溶液に曝し
て洗浄するし、レジスト膜１５の残渣を完全に除去す
る。このとき、アルミナ膜１２が露出しているが、α−
アルミナ, γ−アルミナ及びη−アルミナのうち少なく
ともいずれかを含むものになっているアルミナ膜１２は
薬液に対する耐性が増しているので、容易に反応しな
い。このため、十分に洗浄することができる。
ト膜１５を除去した後、H2SO4 ＋H2O2の混合溶液に曝し
て洗浄するし、レジスト膜１５の残渣を完全に除去す
る。このとき、アルミナ膜１２が露出しているが、α−
アルミナ, γ−アルミナ及びη−アルミナのうち少なく
ともいずれかを含むものになっているアルミナ膜１２は
薬液に対する耐性が増しているので、容易に反応しな
い。このため、十分に洗浄することができる。
【００２８】以上のように、本発明の第１の実施例の露
光マスクの作成方法によれば、石英基板１１上のアルミ
ナ膜１２は、石英基板１１を温度４００℃以上に保持し
た状態で、イオンビームアシスト蒸着により形成される
ことにより、アルミナ膜１２はα−アルミナ, γ−アル
ミナ及びη−アルミナのうち少なくともいずれかを含む
ものとなる。このようなアルミナ膜１２は結晶性を有
し、緻密な膜であるため、薬液耐性が向上する。
光マスクの作成方法によれば、石英基板１１上のアルミ
ナ膜１２は、石英基板１１を温度４００℃以上に保持し
た状態で、イオンビームアシスト蒸着により形成される
ことにより、アルミナ膜１２はα−アルミナ, γ−アル
ミナ及びη−アルミナのうち少なくともいずれかを含む
ものとなる。このようなアルミナ膜１２は結晶性を有
し、緻密な膜であるため、薬液耐性が向上する。
【００２９】従って、石英基板１１上のアルミナ膜１２
の上に形成されたSiO2膜１３を例えば弗酸を含む薬液を
用いて選択的にエッチングする際に、アルミナ膜１２が
薬液に曝されるが、アルミナ膜１２は薬液耐性が増して
いるので、薬液によるダメージを受けにくくなる。ま
た、マスクの作成後に硫酸を含む薬液により洗浄する際
にも、SiO2膜１３により被覆されていない領域にアルミ
ナ膜１２が露出しており、薬液に曝されるが、前記と同
様にエッチングによるダメージを受けにくい。従って、
異物を除去するために、マスクを十分に洗浄することが
可能である。
の上に形成されたSiO2膜１３を例えば弗酸を含む薬液を
用いて選択的にエッチングする際に、アルミナ膜１２が
薬液に曝されるが、アルミナ膜１２は薬液耐性が増して
いるので、薬液によるダメージを受けにくくなる。ま
た、マスクの作成後に硫酸を含む薬液により洗浄する際
にも、SiO2膜１３により被覆されていない領域にアルミ
ナ膜１２が露出しており、薬液に曝されるが、前記と同
様にエッチングによるダメージを受けにくい。従って、
異物を除去するために、マスクを十分に洗浄することが
可能である。
【００３０】これにより、作成されたマスクは、アルミ
ナ膜１２とSiO2膜１３との密着性等の低下を招くことな
く、かつ表面の凹凸や異物による散乱等を生じさせるこ
となく、正常に露光光を透過する。 （３）本発明の第２の実施例に係る露光用マスクの作成
方法の説明 図３（ａ）〜（ｄ），図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の
第２の実施例に係る露光用マスクの作成方法について示
す断面図である。
ナ膜１２とSiO2膜１３との密着性等の低下を招くことな
く、かつ表面の凹凸や異物による散乱等を生じさせるこ
となく、正常に露光光を透過する。 （３）本発明の第２の実施例に係る露光用マスクの作成
方法の説明 図３（ａ）〜（ｄ），図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の
第２の実施例に係る露光用マスクの作成方法について示
す断面図である。
【００３１】まず、図３（ａ）に示すように、石英基板
２１上に膜厚約６００Åのクロム膜を形成した後、パタ
ーニングして所定の位置に遮光膜22ａ〜22ｃを形成す
る。次に、図３（ｂ）に示すように、石英基板２１を４
００℃以上に加熱した状態で、上記イオンビームアシス
ト蒸着により、遮光膜22ａ〜22ｃを被覆して石英基板２
１上に膜厚約1200Åのアルミナ膜２３を形成する。この
とき、アルミナ膜２３は結晶化しており、α−アルミナ
, γ−アルミナ及びη−アルミナのうち少なくともいず
れかを含むものとなっている。
２１上に膜厚約６００Åのクロム膜を形成した後、パタ
ーニングして所定の位置に遮光膜22ａ〜22ｃを形成す
る。次に、図３（ｂ）に示すように、石英基板２１を４
００℃以上に加熱した状態で、上記イオンビームアシス
ト蒸着により、遮光膜22ａ〜22ｃを被覆して石英基板２
１上に膜厚約1200Åのアルミナ膜２３を形成する。この
とき、アルミナ膜２３は結晶化しており、α−アルミナ
, γ−アルミナ及びη−アルミナのうち少なくともいず
れかを含むものとなっている。
【００３２】次いで、図３（ｃ）に示すように、アルミ
ナ膜２３上に膜厚約3800ÅのSiO2膜２４を形成する。次
に、図３（ｄ）に示すように、残すべきSiO2膜２４をレ
ジスト膜２５により被覆した後、図４（ａ）に示すよう
に、CHF3ガスを用いて、除去すべきSiO2膜２４をエッチ
ングし、除去する。これにより、位相シフタ24ａが形成
される。このとき、アルミナ膜２３が露出しているが、
結晶化し、緻密になっているアルミナ膜２３はエッチン
グガスに対する耐性が増しているので、容易にエッチン
グを受けない。
ナ膜２３上に膜厚約3800ÅのSiO2膜２４を形成する。次
に、図３（ｄ）に示すように、残すべきSiO2膜２４をレ
ジスト膜２５により被覆した後、図４（ａ）に示すよう
に、CHF3ガスを用いて、除去すべきSiO2膜２４をエッチ
ングし、除去する。これにより、位相シフタ24ａが形成
される。このとき、アルミナ膜２３が露出しているが、
結晶化し、緻密になっているアルミナ膜２３はエッチン
グガスに対する耐性が増しているので、容易にエッチン
グを受けない。
【００３３】次いで、図４（ｂ）に示すように、レジス
ト膜２５を除去した後、H2SO4 ＋H2O2の混合溶液に曝し
て洗浄するし、レジスト膜２５の残渣を完全に除去す
る。このとき、アルミナ膜２３が露出しているが、薬液
に対する耐性が増しているので、容易に反応しない。こ
のため、十分に洗浄することができる。以上のように、
本発明の第２の実施例の露光マスクの作成方法によれ
ば、石英基板２１上のアルミナ膜２３は、石英基板２１
を温度４００℃以上に保持した状態で、イオンビームア
シスト蒸着により形成されることにより、アルミナ膜２
３はα−アルミナ, γ−アルミナ及びη−アルミナのう
ち少なくともいずれかを含むものとなる。このようなア
ルミナ膜２３は結晶性を有し、緻密な膜であるため、薬
液やエッチングガスに対する耐性が向上する。このた
め、薬液やエッチングガスによるダメージを受けにくく
なる。
ト膜２５を除去した後、H2SO4 ＋H2O2の混合溶液に曝し
て洗浄するし、レジスト膜２５の残渣を完全に除去す
る。このとき、アルミナ膜２３が露出しているが、薬液
に対する耐性が増しているので、容易に反応しない。こ
のため、十分に洗浄することができる。以上のように、
本発明の第２の実施例の露光マスクの作成方法によれ
ば、石英基板２１上のアルミナ膜２３は、石英基板２１
を温度４００℃以上に保持した状態で、イオンビームア
シスト蒸着により形成されることにより、アルミナ膜２
３はα−アルミナ, γ−アルミナ及びη−アルミナのう
ち少なくともいずれかを含むものとなる。このようなア
ルミナ膜２３は結晶性を有し、緻密な膜であるため、薬
液やエッチングガスに対する耐性が向上する。このた
め、薬液やエッチングガスによるダメージを受けにくく
なる。
【００３４】従って、作成されたマスクは、アルミナ膜
２３と位相シフタ24ａとの密着性等の低下を招くことな
く、かつ表面の凹凸による散乱等を生じさせることな
く、正常に露光光を透過する。また、マスクの作成後に
硫酸を含む薬液により洗浄する際にも、SiO2膜24ａによ
り被覆されていない領域にアルミナ膜２３が露出してお
り、薬液に曝されるが、前記と同様に薬液によるダメー
ジを受けない。従って、異物を除去するために、マスク
を十分に洗浄することが可能である。
２３と位相シフタ24ａとの密着性等の低下を招くことな
く、かつ表面の凹凸による散乱等を生じさせることな
く、正常に露光光を透過する。また、マスクの作成後に
硫酸を含む薬液により洗浄する際にも、SiO2膜24ａによ
り被覆されていない領域にアルミナ膜２３が露出してお
り、薬液に曝されるが、前記と同様に薬液によるダメー
ジを受けない。従って、異物を除去するために、マスク
を十分に洗浄することが可能である。
【００３５】これにより、作成されたマスクは、アルミ
ナ膜２３と位相シフタ24ａとの密着性等の低下を招くこ
となく、かつ表面の凹凸や異物による散乱等を生じさせ
ることなく、正常に露光光を透過する。なお、上記の実
施例では、転写パターンとして遮光膜14ａ〜14ｃ，22ａ
〜22ｃを用いているが、遮光膜のかわりに半透光性膜を
用いたハーフトーンマスクに本発明を適用することも可
能である。
ナ膜２３と位相シフタ24ａとの密着性等の低下を招くこ
となく、かつ表面の凹凸や異物による散乱等を生じさせ
ることなく、正常に露光光を透過する。なお、上記の実
施例では、転写パターンとして遮光膜14ａ〜14ｃ，22ａ
〜22ｃを用いているが、遮光膜のかわりに半透光性膜を
用いたハーフトーンマスクに本発明を適用することも可
能である。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明の露光用マスクに
おいては、石英基板上に形成されたα−アルミナ, γ−
アルミナ及びη−アルミナのうち少なくともいずれかを
含むアルミナ膜と、アルミナ膜上に選択的に形成された
シリコン酸化膜からなる位相シフタとを有する。
おいては、石英基板上に形成されたα−アルミナ, γ−
アルミナ及びη−アルミナのうち少なくともいずれかを
含むアルミナ膜と、アルミナ膜上に選択的に形成された
シリコン酸化膜からなる位相シフタとを有する。
【００３７】このようなアルミナ膜は、本発明の露光用
マスクの製造方法のように、石英基板を温度４００℃以
上に保持した状態で、イオンビームアシスト蒸着するこ
とにより形成され、結晶性を有し、緻密な膜である。こ
のため、薬液やエッチングガスに対する耐性が向上す
る。従って、石英基板上のアルミナ膜の上に形成された
位相シフタとなるシリコン酸化膜を選択的にエッチング
する際に、アルミナ膜は薬液やエッチングガスによるダ
メージを受けにくくなる。
マスクの製造方法のように、石英基板を温度４００℃以
上に保持した状態で、イオンビームアシスト蒸着するこ
とにより形成され、結晶性を有し、緻密な膜である。こ
のため、薬液やエッチングガスに対する耐性が向上す
る。従って、石英基板上のアルミナ膜の上に形成された
位相シフタとなるシリコン酸化膜を選択的にエッチング
する際に、アルミナ膜は薬液やエッチングガスによるダ
メージを受けにくくなる。
【００３８】従って、作成されたマスクは、アルミナ膜
と位相シフタとの密着性等の低下を招くことなく、かつ
表面の凹凸による散乱等を生じさせることなく、正常に
露光光を透過する。また、マスクの作成後に硫酸を含む
薬液により洗浄する際にも、シリコン酸化膜により被覆
されていない領域にアルミナ膜が露出しており、薬液に
曝されるが、前記と同様に薬液によるダメージを受けな
い。従って、異物を除去するために、マスクを十分に洗
浄することが可能である。
と位相シフタとの密着性等の低下を招くことなく、かつ
表面の凹凸による散乱等を生じさせることなく、正常に
露光光を透過する。また、マスクの作成後に硫酸を含む
薬液により洗浄する際にも、シリコン酸化膜により被覆
されていない領域にアルミナ膜が露出しており、薬液に
曝されるが、前記と同様に薬液によるダメージを受けな
い。従って、異物を除去するために、マスクを十分に洗
浄することが可能である。
【００３９】これにより、作成されたマスクは、アルミ
ナ膜と位相シフタとの密着性等の低下を招くことなく、
かつ表面の凹凸や異物による散乱等を生じさせることな
く、正常に露光光を透過する。
ナ膜と位相シフタとの密着性等の低下を招くことなく、
かつ表面の凹凸や異物による散乱等を生じさせることな
く、正常に露光光を透過する。
【図１】本発明の第１の実施例に係る断面図（その１）
である。
である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る断面図（その２）
である。
である。
【図３】本発明の第２の実施例に係る断面図（その１）
である。
である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る断面図（その２）
である。
である。
【図５】本発明の実施例に係るイオンビームアシスト蒸
着装置の構成図である。
着装置の構成図である。
【図６】本発明の実施例に係るアルミナ膜のエッチング
耐性を示す特性図である。
耐性を示す特性図である。
【図７】従来例に係る断面図である。
【図８】他の従来例に係る断面図である。
１１，２１ 石英基板、 １２，２３ アルミナ膜、 １３，２４，24ａ SiO2膜（位相シフタ）、 14ａ〜14ｃ，22ａ〜22ｃ 遮光膜、 １５，２５ レジスト膜、 ５１ チャンバ、 ５２ 基板保持具、 ５３ 加熱手段（ヒータ）、 ５４ ソース容器、 ５５ アルミナソース、 ５６ 電子ビーム発生装置、 ５７ イオンビーム照射装置、 ５８ ガス導入口、 ５９ 排気口、 ６０ 被堆積基板。
Claims (8)
- 【請求項１】 石英基板と、該石英基板上に形成された
α−アルミナ, γ−アルミナ及びη−アルミナのうち少
なくともいずれかを含むアルミナ膜と、該アルミナ膜上
に選択的に形成されたシリコン酸化膜からなる位相シフ
タと、前記石英基板と前記アルミナ膜との間又は前記位
相シフタ上、又は前記アルミナ膜と前記位相シフタの間
に選択的に形成された転写パターンとを有することを特
徴とする露光用マスク。 - 【請求項２】 前記転写パターンは遮光性膜であること
を特徴とする請求項１記載の露光用マスク。 - 【請求項３】 前記転写パターンは半透光性膜であるこ
とを特徴とする請求項１記載の露光用マスク。 - 【請求項４】 石英基板を温度４００℃以上に保持した
状態で、イオンビームアシスト蒸着により前記石英基板
上にアルミナ膜を形成する工程と、 前記石英基板上に遮光性膜又は半透光性膜を形成し、パ
ターニングする工程と、 前記アルミナ膜上に位相シフタとなるシリコン酸化膜を
形成する工程と、 前記シリコン酸化膜を選択的にエッチングし、除去する
工程とを有する露光用マスクの製造方法。 - 【請求項５】 石英基板を温度４００℃以上に保持した
状態で、イオンビームアシスト蒸着により前記石英基板
上にアルミナ膜を形成する工程と、 前記アルミナ膜上に位相シフタとなるシリコン酸化膜を
形成する工程と、 前記シリコン酸化膜上に遮光性膜又は半透光性膜を形成
し、パターニングする工程と、 前記シリコン酸化膜を選択的にエッチングし、除去する
工程とを有する露光用マスクの製造方法。 - 【請求項６】 弗酸を含む薬液を用いて前記シリコン酸
化膜をエッチングすることを特徴とする請求項４又は請
求項５記載の露光用マスクの製造方法。 - 【請求項７】 前記イオンビームアシスト蒸着に用いら
れるイオンは酸素イオン又はアルゴンイオンであること
を特徴とする請求項４，請求項５又は請求項６記載の露
光用マスクの製造方法。 - 【請求項８】 前記シリコン酸化膜を選択的にエッチン
グし、除去する工程の後、硫酸を含む薬液により洗浄す
る工程を有することを特徴とする請求項４，請求項５，
請求項６又は請求項７記載の露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30562893A JPH07159972A (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 露光用マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30562893A JPH07159972A (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 露光用マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159972A true JPH07159972A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17947424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30562893A Withdrawn JPH07159972A (ja) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | 露光用マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07159972A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014021216A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル枠体及びペリクル |
| JP2022105275A (ja) * | 2020-12-31 | 2022-07-13 | エスケーシー ソルミックス カンパニー，リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
-
1993
- 1993-12-06 JP JP30562893A patent/JPH07159972A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014021216A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル枠体及びペリクル |
| JP2022105275A (ja) * | 2020-12-31 | 2022-07-13 | エスケーシー ソルミックス カンパニー，リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010206 |