JP2014021216A

JP2014021216A - ペリクル枠体及びペリクル

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Publication number: JP2014021216A
Application number: JP2012158142A
Authority: JP
Inventors: Kohei Yano; 浩平矢野; Yuji Maruyama; 裕司丸山; Sung Yueng Kwon; ソン―ヨンクォン; Seung-Ho Kwon; スン−ホクォン; Kyong-Sun Kwon; キョン―スンクォン
Original assignee: DONGWON HIGH-TECH CORP Ltd; Asahi Kasei E Materials Corp
Current assignee: DONGWON HIGH-TECH CORP Ltd; Asahi Kasei Corp
Priority date: 2012-07-13
Filing date: 2012-07-13
Publication date: 2014-02-03
Anticipated expiration: 2032-07-13
Also published as: JP5647189B2

Abstract

【課題】高エネルギーの光の照射下においてもヘイズの発生を低減しつつ、露光中の散乱光による光劣化を抑制できると共に、異物検査に優れたペリクル枠体及びペリクルを提供する。
【解決手段】ペリクル枠体２は、アルミニウム材で枠上に形成され、開口部４を覆うペリクル膜３を展張支持しており、アルミニウム材の表面には、遷移金属を含む酸化皮膜層Ｐが設けられており、遷移金属は、元素周期表の４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族及び７Ａ族の少なくとも１種を含み、遷移金属の含有量が２０ｐｐｍ以上８００ｐｐｍ以下である。
【選択図】図２

Description

本発明は、例えばＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）、ＬＳＩ（Large ScaleIntegration：大規模集積回路）、ＴＦＴ型ＬＣＤ（ThinFilm Transistor，Liquid Crystal Display：薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ）等の半導体装置や液晶表示装置を製造する際のリソグラフィー工程で使用されるフォトマクスやレティクルに異物が付着することを防止するために用いるペリクルのペリクル枠体及びペリクルに関する。

ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置や液晶表示装置（ＬＣＤ）を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やカラーフィルター（ＣＦ）等の製造工程には、露光装置を用いたフォトリソグラフィー工程が含まれる。このとき、一般にペリクルと呼ばれる防塵手段が用いられている。このペリクルは、フォトマスクやレティクルに合わせた形状を有する厚さ数ミリ程度の枠体の上縁面に、厚さ１０μｍ以下程度のニトロセルロース、セルロース誘導体、フッ素ポリマーなどの透明な高分子膜（光学的薄膜体）を展張して接着したものであり、異物がフォトマスクやレティクル上に直接付着することを防ぐ。仮にフォトリソグラフィー工程において異物がペリクル上に付着したとしても、フォトレジストが塗布されたウエハー上にこれらの異物は結像しないため、異物の像による露光パターンの短絡や断線等を防止し、フォトリソグラフィー工程の製造歩留まりを向上させることができる。

そのため、ペリクルメーカーでは、ペリクル自体に異物が付着している状態では出荷できないため、ペリクル製造工程中に幾度も暗室の集光灯下で目視検査や装置等を使って異物検査を行っている。また、マスクメーカーやデバイスメーカーにおいても、マスクに貼付する前にペリクルへの異物検査を行っている。そのため、異物検査のし易さは従来から求められており、その対策の一つとして異物が選別しやすいようにペリクル枠体を黒色系にすることが望まれている。

また、近年、半導体装置の高集積化に伴い、より狭い線幅で微細な回路パターンの描画が求められ、フォトリソグラフィー工程に用いる露光光についてもＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｍｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｍｍ）、Ｆ_２エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）等のようなより短波長の光が用いられるようになっている。これらの露光光の短波長化・高エネルギー化に伴い、露光に伴うペリクル膜又はマスクの汚れ（ヘイズ）が発生する頻度が高くなっている。そのような場合、フォトマスク等の製造後の検査では無欠陥の良好な品質状態であっても、露光装置でエキシマレーザーの照射を繰り返すうちに良好なパターン転写像が得られず、場合によっては半導体素子の回路の断線やショートを引き起こしてしまう。

ところで、ペリクルの枠体は、一般にアルミニウム材からなり、通常、その表面には陽極酸化皮膜が形成されている。しかし、陽極酸化皮膜を形成する際に用いる電解液には硫酸等の酸性成分が含まれており、これが皮膜中に残存すると、フォトリソグラフィー工程等フォトマスクやレティクルとの間の閉ざされた空間内にガス状物として発生する。そのようなガス状物としてのイオンやアウトガスが、雰囲気中に含まれているアンモニアをはじめ、シアン化合物や炭化水素化合物などと光化学反応を起こしてヘイズが生じる。また、通常はペリクル枠体を黒色化するために有機染料が使用されており、有機染料は露光中の散乱光によって光劣化を起こす可能性があると言われている。

そこで、上記の問題に関して、ペリクル枠体に対して陽極酸化処理をした後に純水中で超音波洗浄を行うことで、酸性成分を除去する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、陽極酸化皮膜の替わりに電着塗装等によるポリマー皮膜を形成する方法や、酸性成分の含有量を個別に規定することで、フォトリソグラフィー工程でのヘイズを抑制する方法も知られている（例えば、特許文献２，３参照）。

また、ペリクルはマスクに貼り付けられて使用されるが、露光中、有機系染料を使用したペリクル枠体にマスクからの散乱光が照射された場合、分解物が発生する恐れがあるとして有機系染料を含まないペリクル枠体が提案されている（例えば、特許文献２、５〜８参照）。

特開２００６−１８４８２２号公報特開２００７−３３３９１０号公報特開２００７−２２５７２０号公報特開２００９−２７６５２１号公報特開２０１０−２１１０２１号公報特開平９−２３６９０８号公報特開２０１０−１０７９８６号公報米国特許公開第ＵＳ２０１１／００６３６０１号公報

従来からある上述したヘイズの問題は、依然として解決されておらず、ヘイズの生成原因物質である酸性成分の含有量の更なる低減と、露光中での散乱光による光劣化を抑制できるペリクル枠体が求められている。

ヘイズの原因は、主にアンモニウムイオンと硫酸イオンとが反応して生成される硫酸アンモニウム化合物であるとされている。マスクとペリクルとの閉空間内における化合物の生成を抑制するためには、ペリクルから発生するアンモニウムイオンや硫酸イオンを極力抑制する必要がある。そのため、アルミニウム材の皮膜中または表面に存在する硫酸イオンを低減するために、硫酸を含まない電解液で陽極酸化処理を行うことが望まれている。一方で、有機染料を使用しない方法も提案されているが、上記特許文献２に記載されているように黒色樹脂等で被覆した場合は、イオンは低減されるが、散乱光によって光劣化を起こす可能性がある。また、上記特許文献４に記載されているように、無着色のアルミニウムを使用すると、ペリクル枠体の異物検査性が悪いため、生産性が低下する可能性がある。

また、上記特許文献５に記載されているように、めっき膜厚が１μｍ程度の場合、ペリクル枠体が黒色系ではないために異物検査がし難い。めっき膜厚が０．１μｍ程度と薄い場合には、めっき後の表面に色むらが発生し、異物検査がし難いといった問題がある。また、二層構造で第一層をＮｉめっきとした場合、めっきの主成分には硫酸や酢酸などの塩類が用いられるため、第二層に膜厚０．１μｍ〜１μｍの銀や金等の貴金属めっきを処理した場合、薄い皮膜であるためめっきの欠陥部などから第一層のＮｉめっきが露出し、硫酸、酢酸等の酸類が放出されてヘイズの原因になる可能性がある。

また、上記特許文献６に記載のものでは、硫酸で陽極酸化処理を行っているため、耐光性があっても所望する総量にまでイオンを低減させることができない可能性がある。また、文献７、８には実施例が無いため本文に沿って作製してみると、従来問題となっていた硫酸イオン等は低減できるが、電解質液由来の電解質イオンが発生することが判明した。また、前記イオンを発生させない場合は、ペリクル枠体として使用できない着色度合になることが判明した。また、表面は従来品に比べて硬くハンドリング冶具等の挿入には傷がつきにくいが、工程内でのペリクル枠体の搬送や洗浄時等に過度な外部応力が加わった際に皮膜が脱落する脆さがあることが判明した。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、高エネルギーの光の照射下においてもヘイズの発生を低減しつつ、露光中の散乱光によるペリクル枠体の光劣化を抑制できると共に、異物検査に優れたペリクル枠体及びペリクルを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、アルミニウム材に酸化皮膜層を生成させその酸化皮膜層中に特定の金属を含ませることで露光中のペリクル枠体の光劣化（耐光性）を抑制することができ、従来よりもヘイズの生成原因物質である酸性成分の含有量の低減が可能になるペリクル枠体を得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明に係るペリクル枠体は、アルミニウム材で枠状に形成され、開口部を覆う光学的薄膜体を展張支持するペリクル枠体であって、アルミニウム材の表面には、遷移金属を含む酸化皮膜層が設けられており、遷移金属は、元素周期表の４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族及び７Ａ族の少なくとも１種を含み、遷移金属の含有量が２０ｐｐｍ以上８００ｐｐｍ以下である。

一実施形態においては、酸化皮膜層は、α−Ａｌ_２Ｏ_３とγ−Ａｌ_２Ｏ_３との混合層を含む。

本発明に係るペリクルは、上記のペリクル枠体と、ペリクル枠体の開口部を覆うように展張支持された光学的薄膜体とを備える。

本発明によれば、高エネルギーの光の照射下においてもヘイズの発生を低減しつつ、露光中の散乱光による光劣化（耐光性）を抑制できると共に、異物検査に優れたものとすることができる。

本発明の一実施形態に係るペリクル枠体を用いたペリクルを示す斜視図である。図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。評価結果を示す表である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一実施形態に係るペリクル枠体を用いたペリクルを示す斜視図であり、図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。図１及び図２に示すように、ペリクル１は、ペリクル枠体２と、ペリクル枠体２の上縁面２ｅに展張支持されたペリクル膜（光学的薄膜体）３と、ペリクル枠体２の下縁面２ｆに塗布された粘着体１０と、粘着体１０に粘着され、この粘着体１０を保護する保護フィルムＦとを備えている。

このペリクル枠体２は、対向する一対の長辺２ａ，２ｂと、この長辺２ａ，２ｂよりも短い対向する一対の短辺２ｃ，２ｄとから構成されており、平面視において略矩形状を呈している。ペリクル枠体２において、長辺２ａと長辺２ｂとの長さは等しく形成されており、短辺２ｃと短辺２ｄとの長さは等しく形成されている。ペリクル枠体２は、矩形状の開口部４を有しており、長辺２ａ，２ｂ及び短辺２ｃ，２ｄは、開口部４の周縁を形成している。

ペリクル膜３の材質としては、特に制限はないが透過率が高く耐光性の高いものが好ましい。例えば、従来エキシマレーザー用に使用されている、非晶質フッ素ポリマー等が好適に用いられる。非晶質フッ素ポリマーの例としては、サイトップ（旭硝子（株）製商品名）、テフロン（登録商標）、ＡＦ（デュポン社製商品名）等が挙げられる。これらのポリマーは、ペリクル膜３の作製時に必要に応じて溶媒に溶解して使用してもよく、例えば、フッ素系溶媒などで適宜溶解しえる。ペリクル枠体２にペリクル膜３を展張する方法としては、特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。また、ペリクル膜３の膜厚としては、０．２０μｍ以上１０μｍ以下がよい。好ましくは、０．２５μｍ以上８．０μｍ以下、更には０．６μｍ以下である。膜厚が０．２０μｍ以上１０μｍ以下であれば、透過率もよく製造上作製可能な範囲になるため好ましい。

ペリクル膜３を接着する接着剤としては、従来から使用されているものを使用でき、例えば、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、含フッ素シリコン接着剤等のフッ素ポリマー等を挙げることができるが、中でもフッ素系ポリマーが好適である。フッ素系ポリマーとしては、具体的にはサイトップシリーズ（旭硝子（株）製商品名）が挙げられる。

粘着体１０としては、アクリル系粘着材、シリコーン系粘着材、ＳＥＢＳ系等のゴム系粘着材等が使用されるが、アウトガス、イオン等の関係よりアクリル系粘着材がより好ましい。粘着体１０は、必要により溶媒で希釈してペリクル枠体上端面に塗布し、加熱して乾燥し硬化させることにより形成することができる。この場合、接着剤の塗布方法としては、刷毛塗り、スプレー、自動ディスペンサーによる方法等が採用される。

粘着体１０を保護する保護フィルムＦは、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラフルオロエタン、フッ素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリプロピレン等からなるフィルムを用いることができる。また、粘着体１０の粘着力に応じて、離型剤、例えばシリコーン系離型剤、またはフッ素系離型剤を、保護フィルムの表面に塗布してもよい。保護フィルムＦの厚さは、例えば、１ｍｍ以下０．０１ｍｍ以上が好ましい。

また、ペリクル枠体２には、異物を捕集したり耐光性を向上させるために内壁粘着材や耐光性の良い樹脂等を内壁に設けたり、内壁を被覆したりすることもできる。内壁粘着材としては、例えば、アクリル系樹脂、アクリル系粘着材、フッ素系樹脂、フッ素系粘着材、シリコーン系樹脂、シリコーン系粘着剤等が挙げられる。特に耐光性を考慮すると、好ましくは、フッ素系樹脂であり、具体的には、テトラフルオロエチレン共重合体、ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ビニリデンフルオライド共重合体のフッ素系の共重合体等を例示できるが、特にこれらに限定されない。

続いて、上述のペリクル枠体２について、より詳細に説明する。ペリクル枠体２は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金（Ａ５０００系、Ａ６０００系、Ａ７０００系等）、鉄及び鉄系合金、セラミックス（ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３等）、セラミックスと金属との複合材料（Ａｌ−ＳｉＣ、Ａｌ−ＡｌＮ、Ａｌ−Ａｌ_２Ｏ_３等）、炭素鋼、工具鋼、ステンレスシリーズ等からなる。これらの中でも、アルミニウム、アルミニウム合金が、軽量かつ剛性の面からより好ましい。

ペリクル枠体２（アルミニウム材）には、その表面に酸化皮膜層Ｐが設けられており、酸化皮膜層Ｐには、遷移金属が含まれている。ペリクル枠体２は、酸化皮膜層Ｐが遷移金属を含むことにより、耐光性を向上することができる。また、遷移金属は、２０ｐｐｍ以上８００ｐｐｍ以下含まれていることが好ましく、更に３０ｐｐｍ以上７００ｐｐｍ以下、更には４０ｐｐｍ以上６００ｐｐｍ以下であることが更に好ましい。酸化皮膜層Ｐにおける遷移金属の含有量の評価方法としては、枠体を約５ｍｍ程度に切断したものからテフロン製分解容器に０．１ｇ秤量し、高純度硝酸を加えてマイクロウェーブ分解装置にて加圧分解した。これを純水で５０ｍｌに定容したものを検液とし、ＩＣＰ−ＭＳ装置（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製型名：Ｘシリーズ２）にて含有量を測定した。

酸化皮膜層Ｐは、遷移金属の含有量が２０ｐｐｍ以上８００ｐｐｍ以下の範囲であれば、ペリクル枠体２として使用可能な着色度合になり且つ異物検査が良好になると共に、ヘイズの原因となるイオン等（遷移金属イオンも含めて）の発生が少ないと共にペリクル枠体２の耐光性も良好になる。遷移金属の含有量が２０ｐｐｍ以下より少ない場合には、イオン等（遷移金属イオンも含めて）はかなり低減可能できるが、着色が薄くなるため異物検査にかなりの時間を要すると共に耐光性が劣る。遷移金属の含有量が８００ｐｐｍより多い場合には、着色は良好であるが、遷移金属イオン等が発生し、ヘイズのリスクが高くなる。

遷移金属としては、元素周期表の１Ｂ族、２Ｂ族、３Ａ族、４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族、７Ａ族が好ましく、更には、４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族が好ましい。特に、ジルコニア系、バナジウム系、モリブデン系、タングステン系、クロム系、マンガン系などは、微量でも黒色しやすいことから好ましい。更に、ペリクル枠体の耐光性の観点からタングステン系、バナジウム系が好ましく、特にバナジウム系が好ましい。このような遷移金属を酸化皮膜層Ｐが含むことで、ペリクル枠体２は、その表面に適度な硬度が得られ、ハンドリング冶具の挿入等でも傷がつきにくく、更に、工程内の搬送や洗浄時等の過度に外部応力が加わった場合も皮膜の脆さを抑制することが可能となる。

酸化皮膜層Ｐは、α−Ａｌ_２Ｏ_３とγ−Ａｌ_２Ｏ_３との混合層を含むことが好ましい。酸化皮膜層Ｐは、α−Ａｌ_２Ｏ_３の割合が多いほど硬い皮膜になる一方、脆くなりやすくなる。そのため、酸化皮膜層Ｐは、脆さを低減するために、γ−Ａｌ_２Ｏ_３と適度な割合で混合していることが好ましい。また、アルミニウム材は、α−Ａｌ_２Ｏ_３よりγ−Ａｌ_２Ｏ_３と結合しやすい。そのため、酸化皮膜層Ｐは、着色の面からもγ−Ａｌ_２Ｏ_３を混合していることが好ましい。

本実施形態では、上記ペリクル枠体２を得る一つの方法として、マイクロアーク酸化処理を一例として説明する。なお、ペリクル枠体２は他の方法により製造しても構わない。ここで、マイクロアーク酸化処理とは、電解質液内に装入した金属（陽極）とステンレス電極等（陰極）との間に数百ボルトの高電圧を印加し、金属の表面でマイクロアーク反応を形成し、金属板の表面に超硬質の酸化皮膜層Ｐを形成する表面処理技術である。

電解液としては、遷移金属系の酸化物を用いるが、これに限定されるものではない。酸化皮膜層Ｐは、電解液において、アルミニウム合金（例えばＡ７０７５）を陽極に、陰極にステンレス電極を浸漬し、約２５０Ｖ〜８００Ｖの高電圧を印加することで、アルミニウム表面でのアーク放電により約８００℃以上の高温プラズマによって形成される。処理時間は約２〜３０分、電解液温度としては５〜６０℃、電流密度は３〜３０Ａ／ｄｍ^２、電解液のｐＨはｐＨ７〜１２の範囲であることが好ましい。

また、電解液は、遷移金属系化合物以外に強固な酸化皮膜層Ｐを形成する上で、アルカリ性の水酸基イオンを含む電解液や酸素量の多いリン酸系やなどを含むことがより好ましい。メカニズムは、はっきりとわかっていないが、電解液中で酸素量を多量に生成し、それが表層部分に混入することで、マイクロアーク処理による表層部分内の酸素濃度が高くなり、容易に酸化アルミニウムを生成させ、その後による高電圧で皮膜破壊が始まると予想される。また、電解液により、放電可能で高温でも表面が焦げ付かない状態とすることができる。具体的には、電解液は、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＥＤＴＡ、ＳｉＯ_３、Ｋ_４Ｐ_２Ｏ_７、Ｎａ_３ＰＯ_４、Ｋ_２ＨＰＯ_４、Ｎａ_２ＨＰＯ_４、ＫＨ_２ＰＯ_４、ＮＨ_４Ｈ_２ＰＯ_４、Ｃ_４Ｈ_６Ｏ_６等を含むことが好ましい。

そして、酸化皮膜層Ｐは、上記の陽極酸化処理の条件を調整し、得られる膜厚を２．０〜３０．０μｍ、好ましくは３．０〜２８．０μｍ、更には４．０〜２５．０μｍとすることが望ましい。酸化皮膜層Ｐの厚みが２．０μｍより大きいと、着色処理で十分な着色性が得られ、酸化皮膜層Ｐの厚みが３０．０μｍより小さいと、アルミニウム材との密着性に優れる。

また、上記のような処理は、一般的に用いられる陽極酸化アルミニウム合金のような封孔処理をしないため封孔処理剤に含まれるＮｉが表面に析出しない。ヘイズはイオン種とイオン量が少ないほど良いため、Ｎｉ量も低減した方がより良い。具体的には、ペリクル枠体２に対してＮｉ含有量は８０ｐｐｍ以下であれば好ましく、評価方法としては遷移金属と同じ評価方法で測定可能である。なお、具体的な製造方法については、実施例にて説明する。

以上説明したように、本実施形態では、ペリクル枠体２の表面に遷移金属を含む酸化皮膜層Ｐが形成されている。これにより、高エネルギーの光の照射下においてもヘイズの発生を低減しつつ、露光中の散乱光による光劣化（耐光性）を抑制できると共に、異物検査に優れたものとすることができる。

次に、実施例及び比較例を挙げて本実施形態をより具体的に説明するが、本実施の形態はその要旨を超えない限り、下記の実施例に限定されるものではない。

［実施例１］
ＪＩＳＡ７０７５アルミニウム合金材を切断し、枠体外寸法１４９ｍｍ×１２２ｍｍ×５．８ｍｍ、枠体厚さ２ｍｍとなるように切削研磨して枠材を用意した。電解液（Ｖ_２Ｏ_５＋ＰＯ_４塩）を用意し、陰極にステンレス電極を用意し、陽極に上記枠材を設置し、電解液温度２５℃、最高電圧３５０Ｖにて１０分処理した後、純水にて十分に洗浄し、ペリクル枠体を得た。

（ペリクル枠体の検査性評価）
上記で得たペリクル枠体の色合いを蛍光灯下で確認し、暗室内の集光灯下にて一般的な陽極酸化アルミニウム合金（比較例２）と比較して検査の難易度を作業者（１０名）に確認してもらった。検査良好な人８〜１０名を「○」、５〜７名を「△」、０〜４名を「×」とした。その結果を図３に示す。

（ペリクル枠体の耐光性評価）
更に、本実施例１の条件で得た別のペリクル枠体の表面に、ＡｒＦエキシマレーザーを、露光強度を０．７ｍＪ／ｃｍ^２／ｐｕｌｓｅ、繰り返し周波数２００Ｈｚにて１００００Ｊ／ｃｍ^２の照射量で照射した。照射前後のペリクル枠体の色合いを確認した。その結果を図３に示す。

（ペリクル枠体の追従性評価）
更に、本実施例１の条件で得た別のペリクル枠体を皮膜の追従性テストとして、白い手袋にてペリクル枠体の長辺に力を加えて折り曲げ、その時に白い手袋に色がついて、ペリクル枠体も色落ちしているかどうかを目視にて判断した。手袋に色が付着しない場合を「○」、手袋に色が付着しているがペリクル枠体は目視にて色落ちがない場合を「△」、手袋に色が付着しており、ペリクル枠体も目視にて色落ちがわかる場合を「×」とした。その結果を図３に示す。

また、実施例１で得たペリクル枠体の一端面にペリクル膜を接着し他端面にアクリル系粘着材をディスペンサーで塗布した。これを２段階で加熱乾燥・キュア（１段階：１００℃、８分；２段階：１８０℃、８分）して上記粘着材からなる粘着剤層（厚み０．２ｍｍ）を形成した。ついで、シリコーン離型処理した厚さ１００μｍのポリエステル製保護フィルムを貼り合わせ、室温（２０±３℃）にて３日間養生させ、粘着力を安定化させ、粘着剤付ペリクルを作製した。

（ヘイズ評価）
得られた粘着剤付ペリクルについて、保護フィルムを剥がして、６０２５石英ブランクス基材に簡易型マウンターで加重（３０ｋｇｆ、６０秒）貼りつけを行い、ペリクルを貼り付けた基材を得た。得られた基材にＡｒＦエキシマレーザーにて０．７ｍＪ／ｃｍ^２／ｐｕｌｓｅ、周波数２５０Ｈｚに８時間、５０００Ｊ／ｃｍ^２の照射量で照射した。照射後の基材及びペリクルについて、ヘイズの発生有無を目視し、以下の基準で評価した。
○・・・基材及びペリクルにヘイズの発生なし
×・・・基材及びペリクルにヘイズの発生あり

[実施例２]
印加する電圧を４５０Ｖにした以外は実施例１と同様にして、ペリクル枠体を準備した。図３に示す項目を、実施例１と同様にしてそれぞれ評価した。結果を図３に示す。

[実施例３]
電解液をＮａ_２ＷＯ_４＋ＫＯＨに変更した以外は、実施例２と同様にしてペリクル枠体を準備した。図３に示す項目を、実施例１と同様にしてそれぞれ評価した。結果を図３に示す。

[比較例１]
印加する電圧を２４０Ｖにした以外は実施例１と同様にして、ペリクル枠体を準備した。図３に示す項目を、実施例１と同様にしてそれぞれ評価した。結果を図３に示す。

[比較例２]
印加する電圧を８１０Ｖにした以外は実施例１と同様にして、ペリクル枠体を準備した。図３に示す項目を、実施例１と同様にしてそれぞれ評価した。結果を図３に示す。

[比較例３]
実施例１同じ寸法の枠材を用意した。陽極酸化処理に用いる電解液を硫酸１６０ｇ／Ｌの水溶液として、１５℃で電解電圧２０Ｖの定電圧電解を２５分行った。そして、上記処理した枠材を、有機染料にて染色後、封孔剤（花見化学社製シーリングＸ）を濃度４０ｍｌ／Ｌで含有した水溶液に枠材を入れ、９０℃にて２０分浸漬して封孔処理を行った。そして純水にて十分に洗浄し、ペリクル枠体を得た。図３に示す項目を、実施例１と同様にしてそれぞれ評価した。結果を図３に示す。

１…ペリクル、２…ペリクル枠体、３…ペリクル膜（光学薄膜体）、４…開口部、Ｐ…酸化皮膜層。

Claims

アルミニウム材で枠状に形成され、開口部を覆う光学的薄膜体を展張支持するペリクル枠体であって、
前記アルミニウム材の表面には、遷移金属を含む酸化皮膜層が設けられており、
前記遷移金属は、元素周期表の４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族及び７Ａ族の少なくとも１種を含み、
前記遷移金属の含有量が２０ｐｐｍ以上８００ｐｐｍ以下である、ペリクル枠体。
前記酸化皮膜層は、α−Ａｌ_２Ｏ_３とγ−Ａｌ_２Ｏ_３との混合層を含む、請求項１に記載のペリクル枠体。
請求項１又は２に記載のペリクル枠体と、
前記ペリクル枠体の開口部を覆うように展張支持された光学的薄膜体とを備えるペリクル。