JPH07154168A - バッファ回路 - Google Patents

バッファ回路

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JPH07154168A
JPH07154168A JP5299264A JP29926493A JPH07154168A JP H07154168 A JPH07154168 A JP H07154168A JP 5299264 A JP5299264 A JP 5299264A JP 29926493 A JP29926493 A JP 29926493A JP H07154168 A JPH07154168 A JP H07154168A
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JP
Japan
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pair
circuit
impedance
emitter
transistor
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5299264A
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English (en)
Inventor
Tomomasa Nakagawara
智賢 中川原
Yasuhiro Kakizuka
泰弘 柿塚
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPH07154168A publication Critical patent/JPH07154168A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 消費電流の増加なく出力インピーダンスをほ
ぼゼロにできるIC化に適したバッファ回路を提供す
る。 【構成】 第1のトランジスタ対11を構成するトラン
ジスタQ1 ,Q2 のそれぞれのベースを入力とし、コレ
クタを電源Vccにそれぞれ接続する。トランジスタQ1
,Q2 のエミッタに、第2のトランジスタ対14を構
成するトランジスタQ3 ,Q4 のコレクタを、エミッタ
に電流源12,13をそれぞれ接続するとともにベース
を互いのコレクタに接続する。第2のトランジスタ対1
4のエミッタから出力を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、インピーダンス変換
などに用いられるバッファ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、アクティブフィルタ回路技術の進
歩により、従来ディスクリート部品で構成されていたフ
ィルタのIC内蔵化が可能となっている。初期の頃は簡
単でQ値も低い2次フィルタ程度が主であったが、最近
はQ値も高く複雑な高次フィルタがICに内蔵されるよ
うになってきた。
【0003】一般にQ値が高くなるにつれ、回路にも高
い性能が要求される。特に周波数特性が重要であり、そ
のため比較的良好な周波数特性が得られる完全差動形式
のフィルタ回路が用いられるようになってきた。また、
高次フィルタの場合、周波数特性の微調整のやり易さか
ら、図9に示すように1次または2次フィルタの従属接
続による構成が多く用いられている。
【0004】図9は1次または2次のフィルタである第
1のフィルタ回路と第2のフィルタ回路を従属接続にし
た構成例を示したものである。入力端子91a,91b
に供給された入力信号は第1のバッファ回路92を介し
て第1のフィルタ回路93に入力する。第1のフィルタ
回路93の出力は、第2のバッファ回路94を介して第
2のフィルタ回路95に入力し、第2のフィルタ回路9
5の出力から出力端子96a,96bに出力信号を得
る。
【0005】図9の構成によれば、入力信号と第1のフ
ィルタ回路93の間、および第1のフィルタ回路と第2
のフィルタ回路95の間にそれぞれ第1および第2のバ
ッファ回路92,94を配置したので、入力信号源のイ
ンピーダンスおよびフィルタ間の干渉による影響を防ぐ
ことができる。従って、第1のフィルタ回路93および
第2のフィルタ回路95をそれぞれ単独に設計し、それ
を接続するだけで高次フィルタが得られる。
【0006】なお、図9は第1、第2のフィルタ回路9
3,95を従属接続した2次ないし4次の例であるが、
更に必要な数だけフィルタを従属接続することにより、
任意の高次フィルタが得られる。
【0007】図10は図9に用いるのに好適な、しかも
簡単な回路で構成されるバッファ回路の例である。コレ
クタ電流路を電源Vccに接続し、それぞれベースを入
力とするトランジスタQ1,Q2により構成される第1
のトランジスタ対11と、各々のエミッタに接続された
電流源12,13から成り、エミッタから出力を得るよ
うにしたものである。
【0008】この回路の出力インピーダンスZoは、ト
ランジスタのβが充分大きく、ベース抵抗rbが無視で
きるとすると、エミッタ微分抵抗reであり、電流源1
2,13の電流量をI0とすると、
【数1】 となる。ここでVTは熱電圧であり、ボルツマン係数を
k、絶対温度をT、電子の電荷をqとすると、
【数2】 で表すことができる。
【0009】式(1)から分かるように、電流源12,
13の電流量I0を充分大きくすることで出力インピー
ダンスZoを小さくすることができ、バッファ回路とし
て充分な低インピーダンス駆動を行うことができる。こ
のように図10の回路は、簡単でバッファ回路として適
している。
【0010】しかしながら、出力インピーダンスZoを
充分小さくするには、電流源12,13の電流量I0を
大きくしなければならず消費電流の増加となる。これは
特にIC化した場合に大きな問題となる。そのため、あ
る程度消費電流を抑えると、今度は出力インピーダンス
Zoが無視できなくなり、図9に用いたときに全体のフ
ィルタ特性にズレを生じてしまう問題があった。これは
特にQ値が高いフィルタに対して顕著な影響を与える。
【0011】また仮に消費電流の制約がなく大きな電流
を流した場合でも、出力インピーダンスZoは小さくな
るだけでゼロにはならない。しかも実際の回路において
はトランジスタのβは有限であり、ベース抵抗rbは無
視できない。従って程度の差はあれ、やはり図9にバッ
ファ回路として用いたときに、全体のフィルタ特性にズ
レを生じてしまうという欠点があった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来のバッファ回路は出力インピーダンスを下げるようと
すると消費電流の増加となり、消費電流を抑えようとす
ると充分に出力インピーダンスが下がらず、これを用い
たフィルタ回路の特性がずれてしまうという欠点があっ
た。この発明は、消費電流の増加なく出力インピーダン
スをほぼゼロにできるIC化に適したバッファ回路を提
供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明は、コレクタ電
流路を電圧源に接続し、ベースを入力とする第1のトラ
ンジスタ対と、前記第1のトランジスタ対のエミッタに
コレクタ電流路を接続し、エミッタにバイアス電流手段
を有する第2のトランジスタ対とを具備し、前記第2の
トランジスタ対のベースを互いのコレクタ電流路に接続
するとともに、前記第2のトランジスタ対のエミッタか
ら出力を得ることを特徴とする。
【0014】
【作用】このように構成したバッファ回路においては、
差動的な出力インピーダンスは電流量に関らずほぼゼロ
となり、低消費電流で理想的なインピーダンス変換を行
うことができる。
【0015】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して詳細に説明する。図1はこの発明のバッファ回路の
一実施例を説明するための回路図である。なお、図10
と同じ部分については同じ符号を付して説明する。
【0016】図1は、コレクタ電流路が電源Vccに接続
され、それぞれベースを入力とするトラジスタQ1 ,Q
2 とにより構成される第1のトランジスタ対11と、そ
の第1のトランジスタ対11のエミッタにコレクタがそ
れぞれ接続され、ベースとコレクタが互いに接続された
トラジスタQ3 ,Q4 とにより構成される第2のトラン
ジスタ対14と、第2のトランジスタ対14の各々のエ
ミッタに接続されてた電流源12,13から成ってお
り、第2のトランジスタ対14のエミッタから出力を得
るようにしたものである。
【0017】このような構成によれば、第2のトランジ
スタ対14は正帰還接続されているので、第2のトラン
ジスタ対14のエミッタ微分抵抗は負性、すなわち−r
eを示す。図1の回路の出力インピーダンスZoは、第
1のトランジスタ対11のエミッタ微分抵抗reと、第
2のトランジスタ対14のエミッタ微分抵抗−reの合
成であるため、
【数3】 となり、出力インピーダンスZoはゼロになる。従っ
て、図1を図9のバッファ回路として用いると理想的な
インピーダンス変換が行え、フィルタ特性のズレを生じ
ないので、高次フィルタの設計が容易に行える。
【0018】また、電流源12,13の電流量に関らず
出力インピーダンスZoはゼロなので、負荷をドライブ
するのに必要な電流を流せばよい。これにより、大幅な
低消費電流化が可能となり、特にIC化した場合に有利
になる。
【0019】図2はこの発明の他の実施例を示したもの
である。図1の実施例ではトランジスタのベース抵抗や
入力の信号源インピーダンスを無視しているが、実際に
はこれらは無視できない。図2はこれらに対応したもの
である。
【0020】図2は、図1の第2のトランジスタ対14
のコレクタとベース間にインピーダンス回路21,22
を挿入した部分が図1と異なる。インピーダンス回路2
1,22を挿入することにより、トランジスタのベース
抵抗や入力の信号源インピーダンスによる影響をなくす
ことができる。
【0021】トランジスタのベース抵抗や入力の信号源
インピーダンスにより、出力インピーダンスZoがゼロ
にならないという影響が出る。これに対しては、図3の
ようにすることで対処できる。
【0022】図3は、図2のインピーダンス回路21,
22を具体的に抵抗31,32を置いたものである。こ
の場合の出力インピーダンスZoは、信号源インピーダ
ンスをRs、第1のトランジスタ対11のベース抵抗と
βとエミッタ微分抵抗をそれぞれrb1、β1、re
1、第2のトランジスタ対14のベース抵抗とβとエミ
ッタ微分抵抗をそれぞれrb2、β2、re2、抵抗3
1,32の抵抗値をRbとすると、
【数4】 ここでIC化した場合、各トランジスタβとベース抵抗
およびエミッタ微分抵抗は、ほぼ等しくなるので、
【数5】 式(5)から、Rb=Rsのとき出力インピーダンスZ
oがゼロになる。すなわち、ベース抵抗を信号源インピ
ーダンスと等しくすることで信号源インピーダンスの影
響をなくすことができる。
【0023】図4はこの発明の他の具体的実施例であ
る。図3との違いは、抵抗31,32と並列にコンデン
サ41,42がある点である。図3の実施例では、信号
源インピーダンスが純抵抗Rsとして扱う場合を示し
た。複素関数の場合には、それに対応して図2のインピ
ーダンス回路21,22の構成を変えればよい。
【0024】図4は、信号源インピーダンスが容量性の
場合の実施例である。抵抗31,32と並列に接続した
コンデンサ41,42で作られる時定数を信号源インピ
ーダンスの時定数と等しくすることで、広い周波数範囲
に渡って出力インピーダンスをゼロにできる。要は、信
号源インピーダンスとインピーダンス回路の周波数特性
を等しくすればよい。
【0025】図5はこの発明のもう一つの他の実施例を
示したものである。図1から図4の実施例では、第2の
トランジスタ対14のトランジスタが飽和するところで
動作が制限されるので、扱える信号振幅は2( Vbe−V
sat ) が限界である。ここで、VbeとVsat は、それぞ
れトランジスタQ3 ,Q4 のベース・エミッタ電圧と飽
和電圧である。一般的にはVbe=0.7V、Vsat =
0.2Vであるので、図1から図4の実施例では扱える
信号振幅は最大約1Vppまでであり、これ以上の信号は
扱えない。
【0026】この実施例はこれを解決するため、図2の
インピーダンス回路21,22の部分を直流レベルシフ
ト回路51,52にしたものである。この直流レベルシ
フト回路51,52により、第2のトランジスタ対のト
ランジスタのコレクタ・ベース電圧が広がることにな
り、飽和する入力信号振幅を大きくできる。
【0027】図6は図5の直流レベルシフト回路51,
52の具体的な回路例を示すものである。すなわち、ト
ランジスタQ5 ,Q6 のそれぞれのコレクタを電源Vcc
に、ベースをトランジスタQ1 ,Q2 のエミッタに接続
された第3のトランジスタ対61と、トランジスタQ5
,Q6 のそれぞれのエミッタに接続された電流源6
2,63とにより直流レベルシフト回路を構成する。ト
ランジスタQ3 のベースはトランジスタQ6 のエミッタ
に、トランジスタQ4 のベースはトランジスタQ5のエ
ミッタにそれぞれ接続する。
【0028】この実施例では、第3のトランジスタ対6
1のベース・エミッタ電圧の分だけ第2のトランジスタ
対のコレクタ・ベース電圧が広がるので、トランジスタ
が飽和せずに扱える信号振幅は約2.4Vppまで広が
る。
【0029】なお、この実施例では直流レベルシフト回
路21,22としてトランジスタQ5 ,Q6 のベース・
エミッタ電圧を利用したが、これに限定されるわけでな
い。例えば、ダイオードのカソード・アノード電圧や、
抵抗と電流による電圧を利用してもよい。
【0030】この発明の更にもう一つの他の実施例につ
いて図7を用いて説明する。この実施例は、図2のイン
ピーダンス回路21,22と図5の直流レベルシフト回
路51,52の両方を同時に用いたものである。これに
より、広い周波数範囲で大きな振幅の信号に対して、出
力インピーダンスZoをゼロにすることができる。
【0031】図8は図7のインピーダンス回路21,2
2と直流レベルシフト回路51,52の具体的な回路図
を示している。直流レベルシフト回路51,52はトラ
ンジスタQ5 ,Q6 のコレクタがそれぞれ電源Vccに、
トランジスタQ5 のベースがトランジスタQ1 のエミッ
タに、トランジスタQ6 のベースがトランジスタQ2の
エミッタに接続された第3のトランジスタ対61とトラ
ンジスタQ5 ,Q6 の各エミッタに接続された抵抗8
1,82とからなる。またインピーダンス回路21,2
2は抵抗81,82、および抵抗81,82と電流源3
3,34の接続点と第2のトランジスタ対14のベース
間に挿入された抵抗31,32から構成されている。
【0032】この実施例は、抵抗81,82が直流レベ
ルシフト回路と同時にインピーダンス回路として機能し
ている点が他の実施例と異なるだけで、後の部分につい
ては既に説明した実施例と同じである。もちろん、抵抗
31,32と抵抗81,82は必ずしも両方必要でな
く、少なくともどちらか一方あればよいことは言うまで
もない。また、インピーダンス回路として抵抗だけでな
くコンデンサなども使っても良く、直流レベルシフト回
路としてもダイオードなどを利用してもよい。
【0033】上記した各実施例では、NPNトランジス
タを例に説明してきたが、これをPNPトランジスタに
置き換えてもよい、要は、負性インピーダンス回路によ
り差動的な出力インピーダンスをゼロにする構成であれ
ばよい。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によるバ
ッファ回路によれば、理想的なインピーダンス変換を行
うことができるので、フィルタなどの回路設計が容易に
なり、また低消費電流化が可能なIC化に適したバッフ
ァ回路を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例を説明するための回路図。
【図2】この発明の他の実施例を説明するための回路
図。
【図3】図2を具体的な回路図。
【図4】図2の他の具体的な回路図。
【図5】この発明にもう一つの他の実施例を示す回路
図。
【図6】図5の具体的な回路図。
【図7】この発明にさらにもう一つの他の実施例を示す
回路図。
【図8】図7の具体的な回路図。
【図9】従来の従属接続のフィルタを説明するための回
路構成図。
【図10】図9のバッファ回路に用いられる従来の回路
図。
【符号の説明】 11,14,61…トランジスタ対 12,13,62,63…電流源 21,22…インピーダンス回路 51,52…直流レベルシフト回路 31,32,81,82…抵抗 41,42…コンデンサ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コレクタ電流路を電圧源に接続し、ベー
    スを入力とする第1のトランジスタ対と、前記第1のト
    ランジスタ対のエミッタにコレクタ電流路を、エミッタ
    にバイアス電流手段を接続するとともにベースを互いの
    コレクタ電流路に接続してなる第2のトランジスタ対と
    からなるバッファ回路において、 前記第2のトランジスタ対のエミッタから出力を得るこ
    とを特徴とするバッファ回路。
  2. 【請求項2】 第2のトランジスタ対のベースは、互い
    のコレクタ電流路とインピーダンス手段を介して接続し
    たことを特徴とする請求項1記載のバッファ回路。
  3. 【請求項3】 第2のトランジスタ対のベースは、互い
    のコレクタ電流路と直流レベルシフト手段を介して接続
    したことを特徴とする請求項1記載のバッファ回路。
  4. 【請求項4】 第2のトランジスタ対のベースは、互い
    のコレクタ電流路と直列接続されたインピーダンス手段
    と直流レベルシフト手段を介して接続したことを特徴と
    する請求項1記載のバッファ回路。
JP5299264A 1993-11-30 1993-11-30 バッファ回路 Withdrawn JPH07154168A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007267275A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Denso Corp トランジスタ回路
WO2010026681A1 (ja) * 2008-09-02 2010-03-11 日本電気株式会社 差動増幅器及びその構成方法

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Effective date: 20010130