JPH0714901A - 評価用半導体装置 - Google Patents
評価用半導体装置Info
- Publication number
- JPH0714901A JPH0714901A JP5149409A JP14940993A JPH0714901A JP H0714901 A JPH0714901 A JP H0714901A JP 5149409 A JP5149409 A JP 5149409A JP 14940993 A JP14940993 A JP 14940993A JP H0714901 A JPH0714901 A JP H0714901A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- diode
- life
- evaluation
- several
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体の配線の信頼性を評価する評価装置にお
いて、多数の評価回路を１つのパッケージに組み込むこ
とができ、多数の配線寿命測定を容易に行う。 【構成】寿命評価配線１３とダイオード２との並列回路
を多数半導体基板中に作成する。ダイオード２はｎ−ｐ
−ｎ拡散層構造など半導体製造工程で作成する拡散層と
する。
いて、多数の評価回路を１つのパッケージに組み込むこ
とができ、多数の配線寿命測定を容易に行う。 【構成】寿命評価配線１３とダイオード２との並列回路
を多数半導体基板中に作成する。ダイオード２はｎ−ｐ
−ｎ拡散層構造など半導体製造工程で作成する拡散層と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体の配線の信頼性を
評価する評価用半導体装置に関する。
評価する評価用半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に配線の信頼性を評価する場合、一
定の構造を有する単位長さの配線を、温度及び印加電流
を加速因子として通電し、断線するまでの寿命時間を算
出することによって評価する。従来、この断線するまで
の寿命（以下配線寿命と呼ぶ）を測定する際に、図３に
示すような評価回路１１を半導体ウエハ上に作成し、加
速因子としてある定電流をながし、溶断するまでの寿命
時間を測定していた。
定の構造を有する単位長さの配線を、温度及び印加電流
を加速因子として通電し、断線するまでの寿命時間を算
出することによって評価する。従来、この断線するまで
の寿命（以下配線寿命と呼ぶ）を測定する際に、図３に
示すような評価回路１１を半導体ウエハ上に作成し、加
速因子としてある定電流をながし、溶断するまでの寿命
時間を測定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】導体配線の配線寿命の
測定は多量のサンプルの測定データのワイプル分布より
統計的に配線寿命を算出する。そこで、多くのサンプル
の測定をするに下記の問題があった。 （ａ）評価回路をプリント基板上に組み込むため、単位
長さの評価回路を１ケずつ実装する必要があった。 （ｂ）１枚のプリント基板上に搭載できる被評価回路を
同時に測定できる個数が制限される。 （ｃ）導体配線の配線寿命の測定は多量のサンプルの測
定データのワイプル分布より統計的に配線寿命を算出す
る。
測定は多量のサンプルの測定データのワイプル分布より
統計的に配線寿命を算出する。そこで、多くのサンプル
の測定をするに下記の問題があった。 （ａ）評価回路をプリント基板上に組み込むため、単位
長さの評価回路を１ケずつ実装する必要があった。 （ｂ）１枚のプリント基板上に搭載できる被評価回路を
同時に測定できる個数が制限される。 （ｃ）導体配線の配線寿命の測定は多量のサンプルの測
定データのワイプル分布より統計的に配線寿命を算出す
る。
【０００４】そこで、多くのサンプルの測定をするに下
記の問題があった。本発明はこのような問題点を解決し
た評価用半導体装置を提供することを目的とする。
記の問題があった。本発明はこのような問題点を解決し
た評価用半導体装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
に、被測定配線とダイオードとの並列回路を複数個直列
に接続した構造を有することを特徴とする評価用半導体
装置である。
に、被測定配線とダイオードとの並列回路を複数個直列
に接続した構造を有することを特徴とする評価用半導体
装置である。
【０００６】
【作用】本発明の配線の信頼性の評価回路を図４に示
す。被測定配線１３とツェナーダイオード１２との並列
回路を複数個直列に接続し、その両端部のカソードにプ
ラス電極、アノードにマイナスの電極を接続している。
定電流電源１５を用いて数１０ｍＡ程度の電流を印加す
る。１６は電流計である。配線１３は数１００Ωの抵抗
なので定電流を流すと、ツェナーダイオード１２の両端
には数Ｖの電位差を生じる。ツェナーダイオード１２の
耐圧が、この電位差より充分高ければ、初期状態におい
て、電流経路は配線１３に限定される。ところが配線１
３が寿命により断線すると、配線１３の抵抗は無限大と
なりツェナーダイオード１２を降伏させ、電流経路がツ
ェナーダイオード１２側に切り替わる。この時数Ｖ程度
の電圧上昇がおこるのを電圧計１４で検出する。すなわ
ち、配線１３が１ケ断線すると、定電流電源なので数Ｖ
の電圧上昇が起き、それに要した時間を順次記録して、
ワイブル分布により配線寿命を算出する。
す。被測定配線１３とツェナーダイオード１２との並列
回路を複数個直列に接続し、その両端部のカソードにプ
ラス電極、アノードにマイナスの電極を接続している。
定電流電源１５を用いて数１０ｍＡ程度の電流を印加す
る。１６は電流計である。配線１３は数１００Ωの抵抗
なので定電流を流すと、ツェナーダイオード１２の両端
には数Ｖの電位差を生じる。ツェナーダイオード１２の
耐圧が、この電位差より充分高ければ、初期状態におい
て、電流経路は配線１３に限定される。ところが配線１
３が寿命により断線すると、配線１３の抵抗は無限大と
なりツェナーダイオード１２を降伏させ、電流経路がツ
ェナーダイオード１２側に切り替わる。この時数Ｖ程度
の電圧上昇がおこるのを電圧計１４で検出する。すなわ
ち、配線１３が１ケ断線すると、定電流電源なので数Ｖ
の電圧上昇が起き、それに要した時間を順次記録して、
ワイブル分布により配線寿命を算出する。
【０００７】そこで、被測定配線とこれに対応したダイ
オード（ツェナーダイオード）との並列回路を同一半導
体基板上に形成し、この並列回路を複数個直列に配列す
ることによって、容易に多数の寿命試験を実施すること
ができる。
オード（ツェナーダイオード）との並列回路を同一半導
体基板上に形成し、この並列回路を複数個直列に配列す
ることによって、容易に多数の寿命試験を実施すること
ができる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の実施例の構成図を示す評価回
路の平面図、図２はそのＡ−Ａ断面図である。図１に示
すように、単位長さの配線１３の端子１間にダイオード
２を埋込み、このダイオード２と配線１３を一対とした
評価回路を３つ直列に結合している。直列につなぐ個数
は、特に制限はなく、１実施例として３つの例をあげた
だけである。
路の平面図、図２はそのＡ−Ａ断面図である。図１に示
すように、単位長さの配線１３の端子１間にダイオード
２を埋込み、このダイオード２と配線１３を一対とした
評価回路を３つ直列に結合している。直列につなぐ個数
は、特に制限はなく、１実施例として３つの例をあげた
だけである。
【０００９】また、図２に評価回路の断面図を示すよう
に、ダイオード２を半導体基板３中に作成する。図２に
は１実施例として、ｎ−ｐ−ｎ拡散層構造を示したが、
ｐ−ｎ−ｐ構造や、ｐ−ｎ構造等でもよい。すなわち、
半導体製造工程で作成する拡散層であれば、どの拡散層
を用いてもよく、また、ダイオードを形成するために工
程数が増加することもない。
に、ダイオード２を半導体基板３中に作成する。図２に
は１実施例として、ｎ−ｐ−ｎ拡散層構造を示したが、
ｐ−ｎ−ｐ構造や、ｐ−ｎ構造等でもよい。すなわち、
半導体製造工程で作成する拡散層であれば、どの拡散層
を用いてもよく、また、ダイオードを形成するために工
程数が増加することもない。
【００１０】
【発明の効果】本発明は、多数個の評価回路を１つのパ
ッケージに組み込むことができるため、配線寿命測定に
必要なｎ数を、容易にかつ安価に得ることができる。ま
た、半導体製造に使用する拡散層を利用するだけなの
で、コストも増加しない。
ッケージに組み込むことができるため、配線寿命測定に
必要なｎ数を、容易にかつ安価に得ることができる。ま
た、半導体製造に使用する拡散層を利用するだけなの
で、コストも増加しない。
【図１】本発明の実施例を示す評価用半導体装置の平面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例を示す評価用半導体装置の断面
図である。
図である。
【図３】評価回路の平面図である。
【図４】従来技術の評価システム図である。
１ 端子 ２ ダイオ
ード １１ 評価回路 １２ ツェナ
ーダイオード １３ 配線 １４ 電圧計 １５ 電源 １６ 電流計
ード １１ 評価回路 １２ ツェナ
ーダイオード １３ 配線 １４ 電圧計 １５ 電源 １６ 電流計
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に、被測定配線とダイオード
との並列回路を複数個直列に接続した構造を有すること
を特徴とする評価用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149409A JPH0714901A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 評価用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149409A JPH0714901A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 評価用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714901A true JPH0714901A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15474500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5149409A Withdrawn JPH0714901A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 評価用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370954B1 (ko) * | 1998-10-23 | 2003-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부 금속배선의 지연시간 측정용 테스트패턴 |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP5149409A patent/JPH0714901A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370954B1 (ko) * | 1998-10-23 | 2003-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부 금속배선의 지연시간 측정용 테스트패턴 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |