CN114295948A - 电子元件测量设备、电子元件测量方法及发光二极管的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种电子元件测量设备，其包括第一承载平台、第二承载平台、致动装置、电流输出模组、切换装置以及光学测量元件。第一承载平台用于承载探针基板，探针基板上设有多个探针对。第二承载平台用于承载受测基板，受测基板上放置有多个待测电子元件。致动装置用于使探针基板上至少部分的探针对分别与相对应的待测电子元件接触。电流输出模组提供恒定电流至探针基板，并经由探针对使其与探针对所接触的待测电子元件间形成导电回路。切换装置能切换电流输出模组所提供的恒定电流至不同的探针对。光学测量元件用于测量待测电子元件所产生的光信号。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子元件测量设备、电子元件测量方法及发光二极管的制造方法。
背景技术
现有技术中的多个待测电子元件需要先从晶圆基底上彼此分离后再各别地进行光学检测，如此的检测方式不但费时而且又费工。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种电子元件测量设备、电子元件测量方法及发光二极管的制造方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的一技术方案是提供一种电子元件测量设备，其包括一第一承载平台、一第二承载平台、一致动装置、一电流输出模组、一切换装置以及一光学测量元件。第一承载平台用于承载一探针基板，该探针基板上设有多个探针对。第二承载平台用于承载一受测基板，该受测基板上放置有多个待测电子元件。致动装置用于使该第一承载平台与该第二承载平台相互靠近，以使该第一承载平台所承载的探针基板上至少部分的探针对分别与该第二承载平台所承载的受测基板上的相对应的待测电子元件接触。电流输出模组能提供一恒定电流至该第一承载平台所承载的探针基板，并经由该探针对使其与该探针对所接触的待测电子元件间形成一导电回路，而该待测电子元件能藉由该导电回路产生一光信号。切换装置能切换该电流输出模组所提供的恒定电流至不同的探针对。光学测量元件用于测量该第二承载平台所承载的受测基板上的待测电子元件所产生的光信号。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种电子元件测量设备，其包括：一第一承载平台、一第二承载平台、一致动装置、一电流输出模组、一切换装置、一电压测量元件以及一运算装置。第一承载平台用于承载一探针基板，该探针基板上设有多个探针对。第二承载平台用于承载一受测基板，该受测基板上放置有多个待测电子元件。致动装置用于使该第一承载平台与该第二承载平台相互靠近，以使该第一承载平台所承载的探针基板上至少部分的探针对分别与该第二承载平台所承载的受测基板上的相对应的待测电子元件接触。电流输出模组能提供一恒定电流至该第一承载平台所承载的探针基板，并经由该探针对使其与该探针对所接触的待测电子元件间形成一导电回路。切换装置能切换该电流输出模组所提供的恒定电流至不同的探针对。电压测量元件用于测量该第二承载平台所承载的受测基板上的待测电子元件的电压。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是提供一种电子元件测量方法，其包括：提供一受测基板，该受测基板上放置有多个待测电子元件；使该多个待测电子元件藉由一线路而形成多个待测回路；提供一恒定电流至该多个待测回路中的至少一个以形成一导电回路；以及测量该多个待测电子元件中的至少一个所产生的光信号。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是一种电子元件测量方法，其包括：提供一受测基板，该受测基板上放置有多个已知电阻值的电阻元件；使该多个已知电阻值的电阻元件藉由一线路而形成多个第一待测回路；提供一恒定电流至该多个第一待测回路中的一个以形成一第一导电回路，在该恒定电流下测量该第一导电回路的跨压，而得到一第一驱动电压；将该多个已知电阻值的电阻元件置换为多个电子元件；使该多个电子元件藉由该线路而形成多个第二待测回路；提供该恒定电流至该多个第二待测回路中的一个以形成一第二导电回路，在该恒定电流下测量电压，而得到一第二驱动电压；以及计算相对应的该第一驱动电压与该第二驱动电压之间的电压差。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是提供一种发光二极管的制造方法，其包括如上所述的电子元件测量方法。
为使能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例的探针基板的制作方法的步骤中有关形成一第一材料层于一晶圆材料上的俯视示意图；
图2为本发明一实施例的探针基板的制作方法的步骤中有关形成一第一材料层于一晶圆材料上的侧视示意图；
图3为本发明一实施例的探针基板的制作方法的步骤中有关移除一部分的第一材料层以在晶圆材料上形成多个第一柱体、多个第二柱体以及多个第二对位记号的俯视示意图；
图4为本发明一实施例的探针基板的制作方法的步骤中有关移除一部分的第一材料层以在晶圆材料上形成多个第一柱体、多个第二柱体以及多个第二对位记号的侧视示意图；
图5为本发明一实施例的探针基板的制作方法的步骤中有关形成一第二材料层于晶圆材料上以覆盖多个第一柱体、多个第二柱体以及多个第二对位记号的俯视示意图；
图6为本发明一实施例的探针基板的制作方法的步骤中有关形成一第二材料层于晶圆材料上以覆盖多个第一柱体、多个第二柱体以及多个第二对位记号的侧视示意图；
图7为本发明一实施例的探针基板的俯视示意图；
图8为本发明一实施例的探针基板的侧视示意图；
图9为本发明一实施例的第一总导电电极与多个第一导电电极之间的电性连接关系的功能方块图；
图10为本发明一实施例的第二总导电电极与多个第二导电电极之间的电性连接关系的功能方块图；
图11为本发明一实施例的受测基板的俯视示意图；
图12为本发明一实施例的受测基板的侧视示意图；
图13为本发明一实施例的电子元件测量设备的探针基板电性接触受测基板之前的侧视示意图；
图14为本发明一实施例的电子元件测量设备的探针基板电性接触受测基板之后的侧视示意图；
图15为本发明一实施例的每一控制晶片电性连接于相对应的导电电极组与相对应的导电探针群组之间的功能方块图；
图16为本发明一实施例电子元件测量设备的系统架构示意图；
图17为本发明一实施例电子元件测量设备的系统架构示意图；
图18为本发明一实施例的探针基板的俯视示意图；
图19为本发明一实施例电子元件测量设备的系统架构示意图；
图20为本发明一实施例电子元件测量设备的系统架构示意图；
图21为本发明另外一实施例的探针基板的俯视示意图；
图22为本发明另外一实施例的探针基板的侧视示意图；
图23为本发明另外一实施例的电子元件测量设备的探针基板电性接触受测基板之后的侧视示意图；
图24为本发明一实施例的电子元件测量方法步骤流程示意图；以及
图25为本发明另外一实施例的电子元件测量方法步骤流程示意图。
附图标记
Z1～Z4:电子元件测量设备
M1:第二承载平台
M2:第一承载平台
M3:光学测量元件
B1:第一对位记号
B2:第二对位记号
S:受测基板
S1:切换装置
C:待测电子元件
C101:第一导电接点
C102:第二导电接点
C1：电流输出模组
E1：致动装置
D：运算装置
VD1：电压测量元件
V1：电压输出模组
IP：影像处理装置
1:探针基板
101:第一导电线路
102:第二导电线路
2G:导电探针群组
2:探针对
21:第一导电接触脚
211:第一柱体
212:第一导电层
213:第一弹性接触层
22:第二导电接触脚
221:第二柱体
222:第二导电层
223:第二弹性接触层
P:导电电极组
PG1:第一导电电极组
PG2:第二导电电极组
P1:第一导电电极
P2:第二导电电极
3:控制晶片
T1:第一总导电电极
T2:第二总导电电极
L:光源
R1:第一材料层
R2:第二材料层
W:晶圆材料
S110、S130、S150、S170、S210、S230、S250、S270、S290、S310、S330:步骤
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“电子元件测量设备及电子元件测量方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以实行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
参阅图1至图15所示，本发明提供一种电子元件测量设备Z1，其包括：一第二承载平台M1、一第一承载平台M2以及一光学测量元件M3。第二承载平台M1用于承载一受测基板S，并且受测基板S上放置有多个待测电子元件C。第一承载平台M2设置在第二承载平台M1的上方，并且第一承载平台M2包括一探针基板1以及设置在探针基板1上的多个探针对2。光学测量元件M3设置在第二承载平台M1的下方，以用于对多个待测电子元件C进行光学检测。藉此，待测电子元件C能通过相对应的探针对2所提供的电力而产生光源L，并且待测电子元件C所产生的光源L能通过光学测量元件M3进行光学检测。
[实施例]
参阅图1至图10所示，本发明实施例提供一种探针基板1的制作方法。举例来说，探针基板1的制作方法可以包括下列步骤：首先，配合图1与图2所示，可以通过半导体工艺(例如涂布、蒸镀、溅镀)或者非半导体工艺，形成一第一材料层R1于一晶圆材料W上，其中第一材料层R1可以是环氧树酯(epox y)或者光刻胶(photoresist)等高分子材料(也可以是SiOx或者SiNx等无机材料，或者是任何的弹性材料或者非弹性材料，或者是任何的导电材料或者非导电材料)，并且晶圆材料W可以是蓝宝石、石英、玻璃、硅等半导体材料；接着，配合图1至图4所示，可以通过半导体工艺(例如曝光、显影)或者非半导体工艺，移除一部分的第一材料层R1，以在晶圆材料W上形成多个第一柱体211、多个第二柱体221以及多个第二对位记号B2；然后，配合图5与图6所示，可以通过半导体工艺(例如涂布、蒸镀、溅镀)或者非半导体工艺，形成一第二材料层R2于晶圆材料W上，以覆盖多个第一柱体211、多个第二柱体221以及多个第二对位记号B2；接下来，配合图5至图8所示，可以通过半导体工艺(例如曝光、显影)或者非半导体工艺，图案化第二材料层R2，以形成一探针基板1。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
参阅图16所示，本发明实施例提供一种电子元件测量设备Z1，其包括：一第一承载平台M2、一第二承载平台M1、一光学测量元件M3、一致动装置E1以及一电流输出模组C1。致动装置E1与第一承载平台M2以及第二承载平台M1电性连接，其用于控制第一承载平台M2与第二承载平台M1之间的相对位置，使第一承载平台M2与第二承载平台M1相互靠近以接触及对位。电流输出模组C1用以提供电流至第一承载平台M2。在一实施例中，电流输出模组C1输出一恒定电流。在一实施例中，恒定电流为20μA至20mA。
首先，配合图11至图13所示，第二承载平台M1能用于承载一受测基板S，并且受测基板S上放置有多个待测电子元件C(多个待测电子元件C尚未从受测基板S上分离，并且也尚未被任何封装材料所封装，例如为裸晶片)。举例来说，第二承载平台M1与受测基板S都具有透光区域，并且待测电子元件C为尚未封装完成的裸晶片。另外，当待测电子元件C可为一水平式晶片时，每一待测电子元件C可以包括一第一导电接点C101以及一第二导电接点C102。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
再者，配合图7至图10、图13以及图14所示，第一承载平台M2可移动地设置在第二承载平台M1的上方，并且第一承载平台M2包括一探针基板1以及设置在探针基板1上的多个探针对2。在一实施例中，探针基板1与受测基板S的大小可以是相同或者相异，并且每一探针对2可以包括一第一导电接触脚21以及一第二导电接触脚22。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
另外，配合图13与图14所示，光学测量元件M3设置在第二承载平台M1的下方，以用于对多个待测电子元件C中的至少一个进行光学检测。举例来说，光学测量元件M3可以是具有影像感测功能的任何影像获取装置，然而本发明不以上述所举的例子为限。藉此，如图14所示，当第一承载平台M2以及第二承载平台M1藉由图16的致动装置E1而彼此靠近且接触，且每一探针对2的第一导电接触脚21与第二导电接触脚22分别电性接触相对应的待测电子元件C的第一导电接点C101与第二导电接点C102时，待测电子元件C就能与相对应的探针对2建立待测回路，并藉由通过相对应的探针对2的电力而产生光源L，并且待测电子元件C所产生的光源L就能通过光学测量元件M3进行光学检测，藉此以将品质良好的待测电子元件与品质不良的待测电子元件筛选出来。举例来说，光学检测可以包括发光检测(检测待测电子元件C是否产生光源L)、亮度检测(检测待测电子元件C所产生的光源L的亮度)、波长检测、以及色度坐标检测(检测待测电子元件C所产生的光源L在色度坐标图上的分布)。
举例来说，配合图7与图8所示，第一导电接触脚21包括设置在探针基板1上的一第一柱体211以及覆盖第一柱体211的一第一导电层212，并且第二导电接触脚22包括设置在探针基板1上的一第二柱体221以及覆盖第二柱体221的一第二导电层222。另外，探针基板1包括多个第一导电线路101以及分别与多个第一导电线路101相互分离的多个第二导电线路102。每一第一导电线路101可电性连接于相对应的第一导电接触脚21的第一导电层212，并且每一第二导电线路102电性连接于相对应的第二导电接触脚22的第二导电层222。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
举例来说，配合图7与图8所示，多个探针对2可以被划分成多个导电探针群组2G，并且每一导电探针群组2G包括至少两个探针对2(例如，图7显示最上面的导电探针群组2G包括有3个探针对2)。另外，探针基板1包括分别电性连接于多个导电探针群组2G的多个导电电极组P，并且每一导电电极组P包括一第一导电电极P1以及一第二导电电极P2。此外，每一导电探针群组2G的每一探针对2的第一导电接触脚21的第一导电层212能通过相对应的第一导电线路101电性连接于(或者电性接触)相对应的导电电极组P的第一导电电极P1。每一导电探针群组2G的每一探针对2的第二导电接触脚22的第二导电层222能通过相对应的第二导电线路102电性连接于(或者电性接触)相对应的导电电极组P的第二导电电极P2。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
举例来说，配合图7、图9与图10所示，探针基板1进一步包括电性连接于多个第一导电电极P1的一第一总导电电极T1以及电性连接于多个第二导电电极P2的一第二总导电电极T2。另外，第一总导电电极T1能通过多个第一导电电极P1电性连接于每一导电探针群组2G的每一探针对2的第一导电接触脚21的第一导电层212，并且第二总导电电极T2能通过多个第二导电电极P2电性连接于每一导电探针群组2G的每一探针对2的第二导电接触脚22的第二导电层222。藉此，第一总导电电极T1以及第二总导电电极T2可将来自电流输出模组C1的电流提供至对应的探针对2。
值得注意的是，配合图7与图11所示，受测基板S包括多个第一对位记号B1，并且探针基板1包括分别对应于多个第一对位记号B1的多个第二对位记号B2。藉此，本发明能通过多个第一对位记号B1与多个第二对位记号B2的相互对位，以使得每一探针对2的第一导电接触脚21与第二导电接触脚22能准确地分别电性接触相对应的待测电子元件C的第一导电接点C101与第二导电接点C102(如图13与图14所示)，以降低探针对2与待测电子元件C相互错位的可能性。
值得注意的是，如图15所示，当多个探针对2被划分成多个导电探针群组2G时(可以被划分成多个矩形区域)，第一承载平台M2可进一步包括分别电性连接于多个导电探针群组2G的多个控制晶片3，并且探针基板1包括分别电性连接于多个控制晶片3的多个导电电极组P。举例来说，当控制晶片3为一限流晶片时，通过限流晶片对于电流量的控制，以使得同一个导电探针群组2G的多个探针对2能分别提供固定电流给相对应的多个待测电子元件C(相对应于其中一导电探针群组2G的一待测电子元件区域)。因此，当相对应的多个待测电子元件C通过同一个导电探针群组2G的多个探针对2所提供的固定电流而产生光源时，相对应的多个待测电子元件C所产生的光源就能通过光学测量元件M3进行光学检测，以使得位于同一待测电子元件区域的多个待测电子元件C能依据发光品质来进行分类处理。
值得注意的是，第一承载平台M2的第一总导电电极T1、第二总导电电极T2、多个导电电极组P、多个第一导电线路101、多个第二导电线路102以及多个第二对位记号B2都会被一绝缘保护层(图未示)所覆盖，而每一探针对2的第一导电接触脚21与第二导电接触脚22不被绝缘保护层所覆盖。
请参阅图17至图18所示，本发明实施例提供另一种电子元件测量设备Z2，在本实施例中，电子元件测量设备Z2更进一步包括一切换装置S1，其中，切换装置S1与电流输出模组C1以及第一承载平台M2电性连接，用以切换电流输出模组C1所提供的恒定电流至第一承载平台M2上不同的探针对2。
在一实施例中，切换装置S1例如可以由切换开关或多通道电路切换盒来实现，但本发明不以此为限制。
在此实施例中，探针基板1的多个探针对2可以被划分成多个导电探针群组2G，并且每一导电探针群组2G包括至少两个探针对2(例如，图18显示最上面的导电探针群组2G包括有5个探针对2)。另外，探针基板1包括分别电性连接于多个导电探针群组2G的第一导电电极组PG1以及第二导电电极组PG2，第一导电电极组PG1包括多个第一导电电极P1，第二导电电极组PG2包括多个第二导电电极P2，多个第一导电电极P1相互不电性连接，多个第二导电电极P2相互不电性连接，且同一导电探针群组2G中的多个探针对2与同一个第一导电电极P1电性连接，且同一导电探针群组2G中多个探针对2与不同的第二导电电极P2电性连接。
因此，在此实施例中，根据切换装置S1的控制，在同一时间点，至少一个第一导电电极P1以及至少一个第一导电电极P2将同时提供电力至对应的探针对2，使探针基板1的多个探针对2可同时有一个探针对2或复数个探针对2接收电力而以进行前述的光学检测。
参阅图19所示，本发明实施例提供另一种电子元件测量设备Z3，在此实施例中，电子元件测量设备Z3更包括一电压输出模组V1、一电压测量元件VD1以及一运算装置D，其中，电压输出模组V1与第一承载平台M2电性连接，用以提供一恒定电压至第一承载平台M2。电压测量单元VD1与第一承载平台M2电性连接，用于测量第二承载平台M1所承载的受测基板S上的待测电子元件C所形成的电压。运算装置D用以接收电压测量单元VD1所测量的电压，以计算出待测电子元件C的驱动电压。
进一步地，请同时参考图18以及图19。在此实施例中，在同一时间，只有一个第一导电电极P1以及一个第二导电电极P2能提供电力至相对应的待测电子元件C以建立导电回路。
藉此，如图14所示，当第一承载平台M2以及第二承载平台M1藉由致动装置E1而彼此靠近且接触，且每一探针对2的第一导电接触脚21与第二导电接触脚22分别电性接触相对应的待测电子元件C的第一导电接点C101与第二导电接点C102时，多个待测电子元件C就能与相对应的探针对2建立待测回路，且其中一个探针对2将提供的电力传递至相对应的待测电子元件C而将使得待测回路成为导电回路，待测电子元件C产生光源L，并且待测电子元件C所产生的光源L就能通过光学测量元件M3进行光学检测。同时，电压测量单元VD1(如图19所示)测量导电回路所产生的驱动电压，并将驱动电压提供至运算装置D。
在一实施例中，电压测量单元VD1测量与待测电子元件C建立导电回路的第一导电电极P1以及第二导电电极P2之间的跨压来得到驱动电压。举例来说，电压测量单元VD1测量接收恒定电流的第一导电电极P1或第二导电电极P2的电压值来得到驱动电压。
在一实施例中，待测电子元件C例如为已知电阻值的电阻元件。
在一实施例中，已知电阻值的电子元件的电阻值大于0欧姆(Ω)且小于等于100欧姆(Ω)。例如已知电阻值的电子元件的电阻值在0.0001欧姆(Ω)至100欧姆(Ω)之间，但本发明不以此为限制。
因此，在待测电子元件C为已知电阻值的电阻元件的实施例中，多个电阻元件中的一个可与相对应的探针对2建立第一导电回路。同时，电压测量单元VD1测量第一导电回路所产生的第一驱动电压，并将第一驱动电压提供至运算装置D。藉此，运算装置D可得到每一电阻元件所产生的第一驱动电压。
在一实施例中，待测电子元件C例如为发光二极管。
因此，在待测电子元件C为发光二极管的实施例中，多个发光二极管中的一个就能与相对应的探针对2建立第二导电回路，其中，上述的第一导电回路与第二导电回路彼此可具有对应关系，即第一导电回路与第二导电回路是由相同的探针对2所建立的导电回路。多个发光二极管中的一个通过相对应的探针对2所提供的电力而产生光源L，并且发光二极管所产生的光源L就能通过光学测量元件M3进行光学检测。同时，电压测量单元VD1测量第二导电回路所产生的第二驱动电压，并将第二驱动电压提供至运算装置D。藉此，运算装置D可得到每一发光二极管所产生的第二驱动电压。
由于第一驱动电压与第二驱动电压是由同一探针对2所形成的线路来测量所得，此外第一驱动电压是由已知电阻值的电阻元件所产生，因此可由第一驱动电压与第二驱动电压之间的电压差得到发光二极管本身的驱动电压。故，在上述实施例中，运算装置D可藉由计算相对应的第一驱动电压与第二驱动电压之间的电压差来得到发光二极管本身的驱动电压。同时，由于第一驱动电压与第二驱动电压是由同一探针对2所形成的线路来测量所得，因此线路上的电性状态(走线阻值、工艺变异)将不影响发光二极管的驱动电压的测量结果，更增强发光二极管的驱动电压测量的正确性。
在一实施例中，运算装置D例如为电脑伺服器，但本发明不以此为限制。
参阅图20所示，本发明实施例提供另一种电子元件测量设备Z4，在此实施例中，电子元件测量设备Z4更包括一影像处理装置IP，其配置于第一承载平台M2，用以取得包括第一对位记号B1以及第二对位记号B2的影像(如图7以及图11所示)，并藉由影像比对进行第一承载平台M2与第二承载平台M1之间的对位控制，使第一承载平台M2所承载的探针基板1上的探针对2与第二承载平台M1所承载的受测基板S上的待测电子元件C准确对位(如图13所示)。
在一实施例中，影像处理装置IP例如为光学影像对位系统，但本发明不以此为限制。
值得一提的是，配合图8、图21以及图22所示，在图案化第二材料层R2以形成如图8所示的探针基板1的步骤后，探针基板1的制作方法可以进一步包括：可以通过印刷、涂布、蒸镀、溅镀、浸渍等方式，将具有弹性缓冲效果的导电材料(例如纳米银、银浆、导电UV胶)形成在多个第一导电层212与多个第二导电层222上。举例来说，导电材料覆盖在第一导电层212的一顶端上，以形成具有弹性缓冲效果的一第一弹性接触层213，并且导电材料覆盖在第二导电层222的一顶端上，以形成具有弹性缓冲效果的一第二弹性接触层223。藉此，如图23所示，当每一探针对2的第一导电接触脚21与第二导电接触脚22分别电性接触相对应的待测电子元件C的第一导电接点C101与第二导电接点C102时，由于第一导电接触脚21的第一弹性接触层213与第二导电接触脚22的第二弹性接触层223会分别直接接触相对应的待测电子元件C的第一导电接点C101与第二导电接点C102，所以第一导电接触脚21对第一导电接点C101的撞击程度或者磨耗程度能够通过第一弹性接触层213的使用而降低，并且第二导电接触脚22对第二导电接点C102的撞击程度或者磨耗程度能够通过第二弹性接触层223的使用而降低，进而有效提升多个探针对2的使用寿命。
更进一步来说，配合图22与图23所示，第一导电接触脚21包括部分地(或者完全地)覆盖第一导电层212的一第一弹性接触层213，以用于电性接触相对应的待测电子元件C的第一导电接点C101。另外，第二导电接触脚22包括部分地(或者完全地)覆盖第二导电层222的一第二弹性接触层223，以用于电性接触相对应的待测电子元件C的第二导电接点C102。
更进一步来说，配合图21与图22所示，每一导电探针群组2G的每一探针对2的第一导电接触脚21的第一弹性接触层213能通过相对应的第一导电线路101电性连接于相对应的导电电极组P的第一导电电极P1。另外，每一导电探针群组2G的每一探针对2的第二导电接触脚22的第二弹性接触层223能通过相对应的第二导电线路102电性连接于相对应的导电电极组P的第二导电电极P2。
更进一步来说，配合图21与图22所示，第一总导电电极T1能通过多个第一导电电极P1电性连接于每一导电探针群组2G的每一探针对2的第一导电接触脚21的第一弹性接触层213。另外，第二总导电电极T2能通过多个第二导电电极P2电性连接于每一导电探针群组2G的每一探针对2的第二导电接触脚22的第二弹性接触层223。也就是说，由于第一总导电电极T1可以同时电性连接于多个第一导电电极P1，所以第一承载平台M2可以通过第一总导电电极T1的使用而同时对所有的多个第一导电接触脚21提供电源。另外，由于第二总导电电极T2能同时电性连接于多个第二导电电极P2，所以第一承载平台M2可以通过第二总导电电极T2的使用，而同时对所有的多个第二导电接触脚22提供电源。
由本发明的上述较佳实施例及应用方式可归纳出一种电子元件测量方法可以由上述电子元件测量设备(Z1～Z4)来实现，如图24所示，方法包括以下步骤：
提供受测基板，受测基板上放置有多个待测电子元件(S110)；
使多个待测电子元件藉由线路而形成多个待测回路(S130)；线路例如为探针对2与第一导电电极P1及第二导电电极P2之间的待测回路；
提供恒定电流至多个待测回路中的至少一个以形成导电回路(S150)；以及
测量多个待测电子元件中的至少一个所产生的光信号(S170)。
由本发明的上述较佳实施例及应用方式可归纳出另一种电子元件测量方法，可以由上述电子元件测量设备(Z2～Z4)来实现，如图25所示，方法包括以下步骤：
提供受测基板，受测基板上放置有多个已知电阻值的电阻元件(S210)；使多个已知电阻值的电阻元件藉由线路而形成多个第一待测回路(S230)；
提供恒定电流至多个第一待测回路中的一个以形成第一导电回路，在恒定电流下测量第一导电回路的跨压，而得到第一驱动电压(S250)；
将多个已知电阻值的电阻元件置换为多个电子元件(S270)；
使多个电子元件藉由线路而形成多个第二待测回路(S290)；
提供恒定电流至多个第二待测回路中的一个以形成第二导电回路，在恒定电流下测量电压，而得到第二驱动电压(S310)；以及
计算相对应的第一驱动电压与第二驱动电压之间的电压差(S330)。
在一实施例中，上述的电子元件为发光二极管，且发光二极管的制造方法包括上述的电子元件测量方法。
本发明所提供的一种电子元件测量设备，其能通过“第二承载平台用于承载一受测基板，受测基板包括多个待测电子元件”、“第一承载平台设置在第二承载平台的上方，第一承载平台包括一探针基板以及设置在探针基板上的多个探针对”以及“光学测量元件设置在第二承载平台的下方，以用于对多个待测电子元件进行光学检测”的技术方案，以使得待测电子元件能藉由通过相对应的探针对的电力而产生光源，并且待测电子元件所产生的光源能通过一光学测量元件进行光学检测，藉此以提升待测电子元件的光学检测效率。
本发明所提供的一种电子元件测量设备，其能通过“多个探针对设置在探针基板上”以及“每一探针对包括一第一导电接触脚以及一第二导电接触脚”的技术方案，以使得当每一探针对的第一导电接触脚与第二导电接触脚分别电性接触相对应的一待测电子元件的一第一导电接点与一第二导电接点时，待测电子元件能藉由通过相对应的探针对的电力而产生光源，并且待测电子元件所产生的光源能通过一光学测量元件进行光学检测，藉此以提升待测电子元件的光学检测效率。
本发明所提供的一种电子元件测量设备，其能藉由通过测量单一线路与不同电子元件所建立的导电回路的跨压，快速计算出与单一线路建立导电回路的待测电子元件的驱动电压，提升待测电子元件的电性检测效率。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此限制本发明的权利要求，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求内。
Claims (13)
1.一种电子元件测量设备，其特征在于，该电子元件测量设备包括：
第一承载平台，其用于承载探针基板，该探针基板上设有多个探针对；
第二承载平台，其用于承载受测基板，该受测基板上放置有多个待测电子元件；
致动装置，其用于使该第一承载平台与该第二承载平台相互靠近，以使该第一承载平台所承载的探针基板上至少部分的探针对分别与该第二承载平台所承载的受测基板上的相对应的待测电子元件接触；
电流输出模组，其能提供恒定电流至该第一承载平台所承载的探针基板，并经由该探针对使其与该探针对所接触的待测电子元件间形成导电回路，而该待测电子元件能藉由该导电回路产生光信号；
切换装置，其能切换该电流输出模组所提供的恒定电流至不同的探针对；以及
光学测量元件，其用于测量该第二承载平台所承载的受测基板上的待测电子元件所产生的光信号。
2.根据权利要求1所述的电子元件测量设备，其特征在于，该电流输出模组输出该恒定电流至该第一承载平台所承载的探针基板上的一个探针对，再由该切换装置将该恒定电流输出切换至另一个探针对。
3.根据权利要求1所述的电子元件测量设备，其特征在于，该电流输出模组输出该恒定电流至该第一承载平台所承载的探针基板上的一组探针对，再由该切换装置将该恒定电流输出切换至另一组探针对。
4.一种电子元件测量设备，其特征在于，该电子元件测量设备包括：
第一承载平台，其用于承载探针基板，该探针基板上设有多个探针对；
第二承载平台，其用于承载受测基板，该受测基板上放置有多个待测电子元件；
致动装置，其用于使该第一承载平台与该第二承载平台相互靠近，以使该第一承载平台所承载的探针基板上至少部分的探针对分别与该第二承载平台所承载的受测基板上的相对应的待测电子元件接触；
电流输出模组，其能提供恒定电流至该第一承载平台所承载的探针基板，并经由该探针对使其与该探针对所接触的待测电子元件间形成导电回路；
切换装置，其能切换该电流输出模组所提供的恒定电流至不同的探针对；
电压测量元件，其用于测量该第二承载平台所承载的受测基板上的待测电子元件的电压；以及
运算装置，与该电压测量元件电性连接，接收该电压测量元件所测量的电压。
5.根据权利要求4所述的电子元件测量设备，其特征在于，该电流输出模组输出该恒定电流至该第一承载平台所承载的探针基板上的一个探针对，再由该切换装置将该恒定电流输出切换至另一个探针对。
6.根据权利要求1或4所述的电子元件测量设备，其特征在于，所述电子元件测量设备进一步包括：
影像处理装置，其用于使该第一承载平台所承载的探针基板上的探针对与该第二承载平台所承载的受测基板上的待测电子元件对位。
7.一种电子元件测量方法，其特征在于，该电子元件测量方法的步骤包括：
提供受测基板，该受测基板上放置有多个待测电子元件；
使该多个待测电子元件藉由线路而形成多个待测回路；
提供恒定电流至该多个待测回路中的至少一个以形成导电回路；以及
测量该多个待测电子元件中的至少一个所产生的光信号。
8.根据权利要求7所述的电子元件测量方法，其特征在于，该光信号是光的波长。
9.根据权利要求7所述的电子元件测量方法，其特征在于，该光信号是光的亮度。
10.一种电子元件测量方法，其特征在于，该电子元件测量方法的步骤包括：
提供受测基板，该受测基板上放置有多个已知电阻值的电阻元件；
使该多个已知电阻值的电阻元件藉由线路而形成多个第一待测回路；
提供恒定电流至该多个第一待测回路中的一个以形成第一导电回路，在该恒定电流下测量该第一导电回路的跨压，而得到第一驱动电压；
将该多个已知电阻值的电阻元件置换为多个电子元件；
使该多个电子元件藉由该线路而形成多个第二待测回路；
提供该恒定电流至该多个第二待测回路中的一个以形成第二导电回路，在该恒定电流下测量电压，而得到第二驱动电压；以及
计算相对应的该第一驱动电压与该第二驱动电压之间的电压差。
11.根据权利要求10所述的电子元件测量方法，其特征在于，该已知电阻值的电子元件的电阻值大于0Ω且小于等于100Ω。
12.根据权利要求7或10所述的电子元件测量方法，其特征在于，该恒定电流是20μA至20mA。
13.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，其包括根据权利要求7至12中任一项所述的电子元件测量方法。
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