CN110579699A - 一种芯片测试装置 - Google Patents

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CN110579699A CN201910894588.2A CN201910894588A CN110579699A CN 110579699 A CN110579699 A CN 110579699A CN 201910894588 A CN201910894588 A CN 201910894588A CN 110579699 A CN110579699 A CN 110579699A
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岳爱文
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李晶
李明
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Abstract

本申请实施例公开了一种芯片测试装置，所述芯片测试装置包括：载物台、第一观测装置、第二观测装置和待测芯片；所述第一观测装置位于所述载物台的第一侧，所述第二观测装置位于所述载物台的第二侧；所述待测芯片的第一表面设有电极，所述待测芯片的第二表面设有光敏区域；其中，所述载物台上设有镂空区域，所述镂空区域设有透光玻璃；所述第二观测装置发射的光信号能够透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面；所述第一观测装置，用于呈现所述待测芯片的第一表面，所述第一表面上的电极与探针连接；所述第二观测装置，用于呈现所述待测芯片的第二表面，所述第二表面上具有光敏区域和所述光信号形成的光斑。

Description

一种芯片测试装置
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种芯片测试装置。
背景技术
为了适应光通信向宽带宽方向发展的需要，出现了各种不同类型的高速光电探测器，按照光耦合方式的不同，光电探测器可以分为正面入射，背面入射和侧面入射等几种类型。
然而对于背入射式的光电探测器，欧姆接触电极与入射光敏面分别位于光电探测器的正面与背面，使得传统的正入射式光电探测器的测试方法无法对该种类型的光电探测器芯片进行带光测试，因此，如何对背入射式的光电探测器进行带光测试，成为了亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本申请的主要目的在于提供一种芯片测试装置。
为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：
第一方面，本申请实施例提供一种芯片测试装置，所述芯片测试装置包括：载物台、第一观测装置、第二观测装置和待测芯片；所述第一观测装置位于所述载物台的第一侧，所述第二观测装置位于所述载物台的第二侧；所述待测芯片的第一表面设有电极，所述待测芯片的第二表面设有光敏区域；其中，
所述载物台上设有镂空区域，所述镂空区域设有透光玻璃；所述第二观测装置发射的光信号能够透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面；
所述第一观测装置，用于呈现所述待测芯片的第一表面，所述第一表面上的电极与探针连接；
所述第二观测装置，用于呈现所述待测芯片的第二表面，所述第二表面上具有光敏区域和所述光信号形成的光斑。
进一步地，所述第二观测装置包括激光器和透镜；其中，
所述激光器用于发射光信号；所述透镜用于将所述激光器发射的光信号调整为平行光后，透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面。
进一步地，所述第二观测装置包括位置调节器，所述位置调节器能够沿以下至少一种方向对所述激光器和所述透镜的位置进行调整：第一方向、第二方向、第三方向；其中，所述第一方向、第二方向和第三方向之间相互垂直。
进一步地，所述位置调节器沿所述第一方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，所述第二表面上的所述光斑的大小发生改变。
进一步地，所述位置调节器沿所述第二方向和/或所述第三方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，所述第二表面上的所述光斑的位置发生改变。
进一步地，所述激光器和所述透镜位于目标位置的情况下，所述光斑所在的区域与所述光敏区域重合。
进一步地，所述激光器为可调谐激光器，所述可调谐激光器发射的光信号的光波长和/或光功率可调。
进一步地，所述探针与电压源连接，所述电压源用于通过所述探针向所述待测芯片上的电极施加工作电压。
进一步地，所述待测芯片的电极被施加工作电压的情况下，所述待测芯片能够因所述光信号射入所述光敏区域而生成响应电流。
进一步地，所述透光玻璃为镀膜透光玻璃，所述镀膜透光玻璃的透光率大于等于目标阈值。
本申请实施例提供了一种芯片测试装置，所述芯片测试装置包括：载物台、第一观测装置、第二观测装置和待测芯片；所述第一观测装置位于所述载物台的第一侧，所述第二观测装置位于所述载物台的第二侧；所述待测芯片的第一表面设有电极，所述待测芯片的第二表面设有光敏区域；其中，所述载物台上设有镂空区域，所述镂空区域设有透光玻璃；所述第二观测装置发射的光信号能够透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面；所述第一观测装置，用于呈现所述待测芯片的第一表面，所述第一表面上的电极与探针连接；所述第二观测装置，用于呈现所述待测芯片的第二表面，所述第二表面上具有光敏区域和所述光信号形成的光斑。从而实现对背入射式的光电探测器的带光测试。
附图说明
图1为本申请实施例提供的芯片测试装置的正视图；
图2为本申请实施例提供的芯片测试装置中载物台的结构组成图；
图3为本申请实施例提供的芯片测试装置中载物台的俯视图。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本申请实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本申请实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本申请实施例。
为了适应光通信向宽带宽方向发展的需要，出现了各种不同类型的高速光电探测器，按照光耦合方式的不同，光电探测器可以分为正面入射，背面入射和侧面入射等几种类型。
对于光电探测器芯片，其响应速度和量子效率是相互制约的，要提高光电探测器芯片的响应速度，可以减小其结面积，但是这样会降低光电探测器芯片的耦合效率，也不利于大信号的探测；为了解决耦合效率低下的问题，出现了背入射式光电探测器芯片，在衬底背面用Ar离子刻蚀方法制作一个透镜，以增大有效光敏面。采用背面入射的方式，可以减小结面积和结电容，从而降低电路的电阻-电容(Resistor-Capacitance，RC)时间常数，达到提高带宽的目的。
但是对于背入射式的光电探测器来说，其欧姆接触电极与入射光敏面分别位于芯片的正面与背面，使得传统的正入射式光电探测器的测试方法无法对该种类型的光电探测器芯片进行带光测试，从而无法到达在芯片解理前就对芯片的性能进行评估及挑选的目的，需要在芯片解理后，对待测芯片进行倒装芯片(Flip chip)工艺，将欧姆接触电极与光敏面转移到同一平面上进行测试，从而增加了测试成本。因此，如何对背入射式的光电探测器芯片进行带光测试，成为了亟待解决的问题。
为此，提出了本申请实施例的以下技术方案。
图1为本申请实施例提供的芯片测试装置的正视图，图2为本申请实施例提供的芯片测试装置中载物台的结构组成图，如图1和图2所示，本申请实施例提供的芯片测试装置，所述芯片测试装置包括：载物台110、第一观测装置120、第二观测装置130和待测芯片140；所述第一观测装置120位于所述载物台110的第一侧，所述第二观测装置130位于所述载物台110的第二侧；所述待测芯片140的第一表面设有电极(图中未示出)，所述待测芯片140的第二表面设有光敏区域(图中未示出)；其中，
所述载物台110上设有镂空区域，所述镂空区域设有透光玻璃111；所述第二观测装置130发射的光信号能够透过所述透光玻璃111射入所述待测芯片140的第二表面；
所述第一观测装置120，用于呈现所述待测芯片140的第一表面，所述第一表面上的电极与探针(图中未示出)连接；
所述第二观测装置130，用于呈现所述待测芯片140的第二表面，所述第二表面上具有光敏区域和所述光信号形成的光斑。
在本申请实施例中，所述探针与电压源(图中未示出)连接，所述电压源用于通过所述探针向所述待测芯片140上的电极施加工作电压。
在本申请实施例中，所述待测芯片140的电极被施加工作电压的情况下，所述待测芯片140能够因所述光信号射入所述光敏区域而生成响应电流。
在本申请实施例中，所述第二观测装置130包括激光器(图中未示出)和透镜(图中未示出)；其中，
所述激光器用于发射光信号；所述透镜用于将所述激光器发射的光信号调整为平行光后，透过所述透光玻璃111射入所述待测芯片140的第二表面。
在本申请实施例中，所述第二观测装置130包括位置调节器(图中未示出)，所述位置调节器能够沿以下至少一种方向对所述激光器和所述透镜的位置进行调整：第一方向、第二方向、第三方向；其中，所述第一方向、第二方向和第三方向之间相互垂直。
在本申请实施例中，所述位置调节器沿所述第一方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，所述第二表面上的所述光斑的大小发生改变。
在本申请实施例中，所述位置调节器沿所述第二方向和/或所述第三方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，所述第二表面上的所述光斑的位置发生改变。
在本申请实施例中，所述激光器和所述透镜位于目标位置的情况下，所述光斑所在的区域与所述光敏区域重合。
在本申请实施例中，所述激光器为可调谐激光器，所述可调谐激光器发射的光信号的光波长和/或光功率可调。
在本申请实施例中，所述透光玻璃111为镀膜透光玻璃，所述镀膜透光玻璃的透光率大于等于目标阈值。其中，所述目标阈值优选为99％，但不局限于99％。
图3为本申请实施例提供的芯片测试装置中载物台的俯视图，如图3所示，在本申请实施例中，所述芯片测试装置还包括：真空吸附部件(图中未示出)；其中，
所述载物台110上还设置有真空吸附孔112，所述真空吸附孔112与所述真空吸附部件连通，所述真空吸附部件通过所述真空吸附孔112将所述待测芯片140固定在所述载物台110上。需要说明的是，所述真空吸附孔112的个数与直径可以根据待测芯片的测试需求而进行设置，本申请不对其进行限制。
需要说明的是，图1-图2中所述第二观测装置130上的箭头仅用于说明本申请中所述第二观测装置130可以发射光信号至所述待测芯片的光敏区域，并不用于限定本申请中所述第二观测装置130发射的光信号的方向。
本申请实施例提供了一种芯片测试装置，所述芯片测试装置包括：载物台、第一观测装置、第二观测装置和待测芯片；所述第一观测装置位于所述载物台的第一侧，所述第二观测装置位于所述载物台的第二侧；所述待测芯片的第一表面设有电极，所述待测芯片的第二表面设有光敏区域；其中，所述载物台上设有镂空区域，所述镂空区域设有透光玻璃；所述第二观测装置发射的光信号能够透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面；所述第一观测装置，用于呈现所述待测芯片的第一表面，所述第一表面上的电极与探针连接；所述第二观测装置，用于呈现所述待测芯片的第二表面，所述第二表面上具有光敏区域和所述光信号形成的光斑。从而实现对背入射式的光电探测器的带光测试。
以下结合图1-图3对本申请实施例的芯片测试装置进行详细阐述。如图1-图3所示，本申请实施例提供的芯片测试装置，所述芯片测试装置包括：载物台110、第一观测装置120、第二观测装置130和待测芯片140；所述第一观测装置120位于所述载物台110的第一侧，所述第二观测装置130位于所述载物台110的第二侧；所述待测芯片140的第一表面设有电极(图中未示出)，所述待测芯片140的第二表面设有光敏区域(图中未示出)；其中，
所述载物台110上设有镂空区域，所述镂空区域设有透光玻璃111；所述第二观测装置130发射的光信号能够透过所述透光玻璃111射入所述待测芯片140的第二表面；
所述第一观测装置120，用于呈现所述待测芯片140的第一表面，所述第一表面上的电极与探针(图中未示出)连接；
所述第二观测装置130，用于呈现所述待测芯片140的第二表面，所述第二表面上具有光敏区域和所述光信号形成的光斑。
在实际应用时，所述载物台110可以为矩形、圆形或其他任何能够承载所述待测芯片140的形状。需要说明的是，所述载物台110可以具有多种规格尺寸，从而在进行实际测量时，针对不同类型的待测芯片选取不同规格尺寸的载物台，例如，载物台可以具有4英寸、6英寸、8英寸、10英寸等规格尺寸，针对2英寸、4英寸和6英寸的待测芯片，可以选择使用8英寸的载物台。
在实际应用时，所述载物台110上的镂空区域可以为矩形、圆形或其他任何能够露出所述待测芯片140的光敏区域的形状。需要说明的是，所述载物台110上的镂空区域可以根据所述待测芯片140的尺寸而进行设置，例如，以2英寸的待测芯片为例，可以载物台的中心开一个直径为50.4mm的圆形镂空区域，基于该圆形镂空区域，加工出一个厚度为150um，直径为50.6mm(2英寸)的圆柱形平台，用于安装透光玻璃。
在本申请实施例中，所述探针与电压源连接，所述电压源用于通过所述探针向所述待测芯片140上的电极施加工作电压。
在本申请实施例中，所述待测芯片140的电极被施加工作电压的情况下，所述待测芯片140能够因所述光信号射入所述光敏区域而生成响应电流。
需要说明的是，本申请中所述透光玻璃111的作用除了露出所述待测芯片140的光敏区域之外，还用于对所述待测芯片140进行支撑，在实际测量时，所述待测芯片140放置于所述载物台110的镂空区域，将探针置于所述待测芯片140的电极上，而此时，所述探针的针尖会对所述待测芯片140产生的下压的压力，若不在所述镂空区域设置所述透光玻璃111，则所述探针的针尖产生的下压的压力可能会将所述待测芯片140扎坏，甚至是扎碎。因此，在所述镂空区域设置所述透光玻璃111，还能对所述待测芯片140起到支撑和保护的作用。
在实际应用时，所述探针为设置在所述载物台110两侧的针状物体，所述探针用于与所述待测芯片140的第一表面上的电极进行电连接，所述探针的一端连接有探针座(图中未示出)，所述探针座用于支撑所述探针，且所述探针座内设置有电压源，所述探针与所述电压源连接，所述电压源用于通过所述探针向所述待测芯片上的电极施加工作电压。所述待测芯片140的电极被施加工作电压的情况下，所述待测芯片140能够因所述光信号射入所述光敏区域而生成响应电流。在实际应用时，所述探针的个数可以根据所述待测芯片140的测试需求而进行设置，本申请不对其进行限定。
在实际应用时，所述第一观测装置120可以为电荷耦合器件(Charge CoupledDevice，CCD)观测装置，所述CCD观测装置可以包括CCD相机和显示屏，所述CCD观测装置可以用于在探针对所述待测芯片140的第一表面进行扎针时对扎针区域进行观察。具体过程可以是，CCD相机将拍摄的图像实时传送至所述显示屏，以供测试员进行实时观察。
需要说明的是，所述第一观测装置120位于所述载物台110的第一侧，所述第一观测装置120，用于呈现所述待测芯片140的第一表面，所述第一表面上的电极与探针(图中未示出)连接。其中，所述载物台110的第一侧可以为所述载物台110的上侧，则所述待测芯片140的第一表面为所述待测芯片140的上表面，也就是说所述待测芯片140的电极设置在其上表面；对应的，所述待测芯片140的第二表面为所述待测芯片140的下表面，也就是说所述待测芯片140的光敏区域设置在所述待测芯片140的下表面。
还需要说明的是，本申请实施例提供的所述芯片测试装置不仅可以对背入射光电探测器芯片进行测试，也可以对正入射式光电探测器芯片进行测试。
在实际应用时，所述待测芯片140的上表面朝上放置于所述载物台110的透光玻璃111上，所述待测芯片140的下表面的光敏区域可以通过所述透光玻璃111接收所述第二观测装置130发射的光信号。
在本申请实施例中，所述第二观测装置130包括激光器(图中未示出)和透镜(图中未示出)；其中，
所述激光器用于发射光信号；所述透镜用于将所述激光器发射的光信号调整为平行光后，透过所述透光玻璃111射入所述待测芯片140的第二表面。
在实际应用时，所述透镜将所述激光器发射的光信号调整为平行光后，透过所述透光玻璃111射入所述待测芯片140的光敏区域。
需要说明的是，所述第二观测装置130可以为显微镜，所述显微镜的聚焦中心为所述载物台110的透光玻璃111的中心，从而可以对所述待测芯片140的光敏区域进行观察。所述显微镜中可以设置有所述激光器，并在所述显微镜的镜头前设置一个透镜，所述透镜可以将所述激光器发射的光信号调整为平行光后，透过所述透光玻璃111射入所述待测芯片140的光敏区域。其中，所述第二观测装置130优选为红外光显微镜，但不局限于红外光显微镜。
在本申请实施例中，所述第二观测装置130还包括位置调节器(图中未示出)，所述位置调节器能够沿以下至少一种方向对所述激光器和所述透镜的位置进行调整：第一方向、第二方向、第三方向；其中，所述第一方向、第二方向和第三方向之间相互垂直。
在本申请实施例中，所述位置调节器沿所述第一方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，所述第二表面上的所述光斑的大小发生改变。
在本申请实施例中，所述位置调节器沿所述第二方向和/或所述第三方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，所述第二表面上的所述光斑的位置发生改变。
在本申请实施例中，所述激光器和所述透镜位于目标位置的情况下，所述光斑所在的区域与所述光敏区域重合。
在实际应用时，所述位置调节器能够沿X轴方向、Y轴方向和Z轴方向对所述激光器和所述透镜的位置进行调整；其中，所述X轴方向、所述Y轴方向和所述Z轴方向之间相互垂直。需要说明的是，所述X轴方向和所述Y轴方向可以为水平横向，所述Z轴方向为水平纵向。
在实际应用时，所述位置调节器件沿所述Z轴方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，聚焦在所述第二表面上的所述光斑的大小发生改变。
在实际应用时，所述位置调节器沿所述X轴方向和/或所述Y轴方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，聚焦在所述第二表面上的所述光斑的位置发生改变。需要说明的是，所述位置调节器沿所述X轴方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，聚焦在所述第二表面上的所述光斑的位置沿所述X轴方向移动；所述位置调节器沿所述Y轴方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，聚焦在所述第二表面上的所述光斑的位置沿所述Y轴方向移动。
在实际应用时，通过所述第二观测装置130对聚焦在所述待测芯片140的光敏区域的光斑进行观察的同时，利用所述位置调节器对所述激光器和所述透镜的位置沿所述X轴方向、所述Y轴方向或所述Z轴方向进行调整，直到所述光斑的大小和位置与所述光敏区域的大小和位置重合，此时所述激光器和所述透镜位于所述目标位置。
在实际应用时，所述位置调节器可以为XYZ三轴高精度调节器，其微调丝杆灵敏度可以达到0.07um，可以在XYZ空间内实现对所述激光器和所述透镜的位置调整，从而可以精准调节光信号的光斑的大小及位置。
本申请实施例中采用红外光显微镜对所述待测芯片140的光敏区域进行观察，可以实时观察到光斑与所述光敏区域之间的位置情况，并结合所述位置调节器对所述激光器和所述透镜的位置进行调整，使光信号的光斑与所述光敏区域更好的匹配。
在本申请实施例中，所述激光器为可调谐激光器，所述可调谐激光器发射的光信号的光波长和/或光功率可调。本申请实施例中的使用可调谐激光器作为光源，波长可以覆盖O band，C band以及L band，可以根据不同待测芯片的测试需求，选择不同的测试波长，同时通过光衰减器对测试光功率进行调节以满足待测芯片的测试需求。
在实际应用时，根据所述待测芯片140的目标测试波长λ0和目标测试光功率P0，对所述可调谐激光器的光信号的光波长和光功率进行调整，使得所述可调谐激光器发射的光信号的光波长为λ0、光功率为P0。
在本申请实施例中，所述透光玻璃111为镀膜透光玻璃，所述镀膜透光玻璃的透光率大于等于目标阈值。其中，所述目标阈值优选为99％，但不局限于99％。
在实际应用时，所述透光玻璃111为镀膜透光玻璃，所述透光玻璃可以选用高品质的石英玻璃，通过研磨抛光，将石英玻璃片的厚度减薄至需要的厚度，如150um，同时使石英玻璃片的表面光滑，减少因为透光玻璃表面粗糙不平，而带来的光信号的漫反射，选用的所述石英玻璃的透光率大于等于92％，对加工后的石英玻璃的上、下表面分别蒸镀增透膜，使镀膜后的石英玻璃对特定波长的光信号的透光率能达到99％以上，针对不同的待测芯片140的不同目标测试波长λ0和目标测试光功率P0，可以选择不同的镀膜透光玻璃，以透过不同目标测试波长λ0的光信号。本申请实施例中的所述透光玻璃111为透光率石英玻璃，同时还对石英玻璃进行镀膜处理，使得镀膜透光玻璃的透光率达到99％以上，从而使得光信号可以尽可能没有损耗的通过所述透光玻璃111，射入所述待测芯片140的光敏区域，以达到高效率的光耦合。
在本申请实施例中，所述芯片测试装置还包括：真空吸附部件(图中未示出)；其中，
所述载物台110上还设置有真空吸附孔112，所述真空吸附孔112与所述真空吸附部件连通，所述真空吸附部件通过所述真空吸附孔112将所述待测芯片140固定在所述载物台110上。需要说明的是，所述真空吸附孔112的个数与直径可以根据待测芯片的测试需求而进行设置，本申请不对其进行限制。
需要说明的是，图2中虚线圈用于表示所述真空吸附孔112在所述载物台110上的位置区域。
在本申请实施例中，将所述待测芯片140放置于所述载物台110的透光玻璃111上，通过所述第一观测装置120对所述待测芯片140的第一表面进行观察，将所述探针放置于所述待测芯片140的电极上，通过所述第一观测装置120调整好所述探针与所述电极的接触位置，调整完后，开启真空吸附组件，将所述待测芯片140固定在所述载物台110上，此时，通过所述探针给所述待测芯片140的电极施加工作电压Vbias，开启所述激光器，基于所述待测芯片140(以光敏区域为圆形区域为例进行说明)的基本属性(所述待测芯片140的光敏区域的直径为Xum，目标测试波长为λ0，目标测试光功率为P0)，将所述激光器发射的光信号的光波长调整为目标测试波长λ0、光功率调整为目标测试光功率P0，通过所述透镜将所述激光器发射的光信号聚焦到所述待测芯片140的光敏区域上，并通过所述第二观测装置130和所述位置调节器对所述光信号的光斑的大小和位置进行调整，通过对所述位置调节器沿所述第一方向进行调整，使得所述光斑的直径变为Xum(可通过所述第二观测装置130观察到所述光斑的大小与光敏区域的大小相近或相同)，再通过对所述位置调节器沿所述第二方向和/或所述第三方向进行调整，使得所述光斑的位置与光敏区域完全匹配，此时，光信号耦合进入所述待测芯片140的光敏区域，所述待测芯片140生成响应电流I0，根据标测试光功率为P0和响应电流I0即可计算得出所述待测芯片140的响应度R＝I0/P0。在实际测试时，还可以通过多点扫描的方式，拟合出所述待测芯片140的I/V响应曲线。
在本申请实施例中，所述载物台110还可以沿XY轴方向的移动，以更换待测芯片，在对第一个待测芯片调整和测试完毕后，后续同类型同批次的待测芯片无需再进行电信号和光信号的耦合调整，只需沿XY轴方向的移动所述载物台110，对待测芯片进行更换，并调整好待测芯片的放置位置后，进行探针扎针、加电后即可进行测试。在一些实施例中，还可以通过图像识别及自动化设计，实现整个测试过程的自动化管理，无需耗费人力进行测试。
本申请实施例提供了一种芯片测试装置，所述芯片测试装置包括：载物台、第一观测装置、第二观测装置和待测芯片；所述第一观测装置位于所述载物台的第一侧，所述第二观测装置位于所述载物台的第二侧；所述待测芯片的第一表面设有电极，所述待测芯片的第二表面设有光敏区域；其中，所述载物台上设有镂空区域，所述镂空区域设有透光玻璃；所述第二观测装置发射的光信号能够透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面；所述第一观测装置，用于呈现所述待测芯片的第一表面，所述第一表面上的电极与探针连接；所述第二观测装置，用于呈现所述待测芯片的第二表面，所述第二表面上具有光敏区域和所述光信号形成的光斑。从而实现对背入射式的光电探测器的带光测试。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
本申请所提供的几个设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的设备实施例。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种芯片测试装置，其特征在于，所述芯片测试装置包括：载物台、第一观测装置、第二观测装置和待测芯片；所述第一观测装置位于所述载物台的第一侧，所述第二观测装置位于所述载物台的第二侧；所述待测芯片的第一表面设有电极，所述待测芯片的第二表面设有光敏区域；其中，
所述载物台上设有镂空区域，所述镂空区域设有透光玻璃；所述第二观测装置发射的光信号能够透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面；
所述第一观测装置，用于呈现所述待测芯片的第一表面，所述第一表面上的电极与探针连接；
所述第二观测装置，用于呈现所述待测芯片的第二表面，所述第二表面上具有光敏区域和所述光信号形成的光斑。
2.根据权利要求1所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第二观测装置包括激光器和透镜；其中，
所述激光器用于发射光信号；所述透镜用于将所述激光器发射的光信号调整为平行光后，透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面。
3.根据权利要求2所述的芯片测试装置，其特征在于，所述第二观测装置包括位置调节器，所述位置调节器能够沿以下至少一种方向对所述激光器和透镜的位置进行调整：第一方向、第二方向、第三方向；其中，所述第一方向、第二方向和第三方向之间相互垂直。
4.根据权利要求3所述的芯片测试装置，其特征在于，所述位置调节器沿所述第一方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，所述第二表面上的所述光斑的大小发生改变。
5.根据权利要求3所述的芯片测试装置，其特征在于，所述位置调节器沿所述第二方向和/或所述第三方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下，所述第二表面上的所述光斑的位置发生改变。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的芯片测试装置，其特征在于，所述激光器和所述透镜位于目标位置的情况下，所述光斑所在的区域与所述光敏区域重合。
7.根据权利要求2至5中任一项所述的芯片测试装置，其特征在于，所述激光器为可调谐激光器，所述可调谐激光器发射的光信号的光波长和/或光功率可调。
8.根据权利要求1所述的芯片测试装置，其特征在于，所述探针与电压源连接，所述电压源用于通过所述探针向所述待测芯片上的电极施加工作电压。
9.根据权利要求8所述的芯片测试装置，其特征在于，所述待测芯片的电极被施加工作电压的情况下，所述待测芯片能够因所述光信号射入所述光敏区域而生成响应电流。
10.根据权利要求1所述的芯片测试装置，其特征在于，所述透光玻璃为镀膜透光玻璃，所述镀膜透光玻璃的透光率大于等于目标阈值。
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