JPH0713934B2 - コンデンサブロック - Google Patents
コンデンサブロックInfo
- Publication number
- JPH0713934B2 JPH0713934B2 JP63190115A JP19011588A JPH0713934B2 JP H0713934 B2 JPH0713934 B2 JP H0713934B2 JP 63190115 A JP63190115 A JP 63190115A JP 19011588 A JP19011588 A JP 19011588A JP H0713934 B2 JPH0713934 B2 JP H0713934B2
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- JP
- Japan
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- capacitor
- capacitors
- terminal
- current
- capacitor block
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- Filters And Equalizers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はコンデンサブロックに関し、特にたとえばEM
I除去フィルタ等に用いられ得る、コンデンサブロック
に関する。
I除去フィルタ等に用いられ得る、コンデンサブロック
に関する。
従来、第11図に示すEMI除去フィルタに、たとえば第12A
図および第12B図に示すコンデンサブロック１が用いら
れていた。コンデンサブロック１は、３つのコンデンサ
C1，C21およびC22をデルタ結線したものであり、第13図
に示す回路接続を有する。
図および第12B図に示すコンデンサブロック１が用いら
れていた。コンデンサブロック１は、３つのコンデンサ
C1，C21およびC22をデルタ結線したものであり、第13図
に示す回路接続を有する。
従来のコンデンサブロック１は、ディスクリートなコン
デンサの組合せによって構成されているため、残留イン
ダクタンスが大きく、コンデンサC1では20nH、コンデン
サC21およびC22では10nHであった。したがって、たとえ
ばEMI除去フィルタとして用いた場合、高周波領域での
使用範囲が制限されていた。
デンサの組合せによって構成されているため、残留イン
ダクタンスが大きく、コンデンサC1では20nH、コンデン
サC21およびC22では10nHであった。したがって、たとえ
ばEMI除去フィルタとして用いた場合、高周波領域での
使用範囲が制限されていた。
また、ディスクリートなコンデンサの組合せであるた
め、コンデンサブロック１自体が大型化し、回路基板へ
の取り付け面積も大きくなってしまうという問題点があ
った。
め、コンデンサブロック１自体が大型化し、回路基板へ
の取り付け面積も大きくなってしまうという問題点があ
った。
それゆえに、この発明の主たる目的は、残留インダクタ
ンスが小さく、したがって高周波領域での使用範囲が拡
大できる、コンデンサブロックを提供することである。
ンスが小さく、したがって高周波領域での使用範囲が拡
大できる、コンデンサブロックを提供することである。
この発明の他の目的は、小型化できる、コンデンサブロ
ックを提供することである。
ックを提供することである。
この発明は、２線式回路に接続されるコンデンサブロッ
クであって、２線のそれぞれに接続される第１および第
２の端子、第３の端子、およびその一方端面電極が第１
ないし第３の端子にそれぞれ接続されかつその他方端面
電極が共通接続されることによってＹ結線された第１な
いし第３のコンデンサを備え、それぞれの一方端面電極
が同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極が同じ側に
なるように第１ないし第３のコンデンサが近接並置され
る、コンデンサブロックである。
クであって、２線のそれぞれに接続される第１および第
２の端子、第３の端子、およびその一方端面電極が第１
ないし第３の端子にそれぞれ接続されかつその他方端面
電極が共通接続されることによってＹ結線された第１な
いし第３のコンデンサを備え、それぞれの一方端面電極
が同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極が同じ側に
なるように第１ないし第３のコンデンサが近接並置され
る、コンデンサブロックである。
第３の端子をたとえばアース端子とするコモンモードの
場合、第１および第２の端子からの電流は、それぞれの
一方電極からＹ結線されて共通接続されているそれぞれ
の他方電極に向かって第１および第２のコンデンサ中を
流れる。その後、それぞれの電流はともに第３のコンデ
ンサを通過し、第３の端子に流れ込む。このとき、それ
ぞれの一方端面電極が同じ側になりかつそれぞれの他方
端面電極が同じ側になるように第１ないし第３のコンデ
ンサが近接並置されているので、第３のコンデンサ中を
流れる電流は、第１および第２のコンデン中を流れる電
流とは逆方向にかつ近接して流れる。そのため、それぞ
れの電流の方向に従って発生する磁束の方向も逆方向に
なって互いに相殺し合うので、全体として発生する磁束
を減少でき、その結果、残留インダクタンスが小さくな
る。
場合、第１および第２の端子からの電流は、それぞれの
一方電極からＹ結線されて共通接続されているそれぞれ
の他方電極に向かって第１および第２のコンデンサ中を
流れる。その後、それぞれの電流はともに第３のコンデ
ンサを通過し、第３の端子に流れ込む。このとき、それ
ぞれの一方端面電極が同じ側になりかつそれぞれの他方
端面電極が同じ側になるように第１ないし第３のコンデ
ンサが近接並置されているので、第３のコンデンサ中を
流れる電流は、第１および第２のコンデン中を流れる電
流とは逆方向にかつ近接して流れる。そのため、それぞ
れの電流の方向に従って発生する磁束の方向も逆方向に
なって互いに相殺し合うので、全体として発生する磁束
を減少でき、その結果、残留インダクタンスが小さくな
る。
また、ノーマルモードの場合には、第３図の端子には電
流が流れず、第１の端子から第１および第２のコンデン
サを経て、第２の端子に流れ込む。
流が流れず、第１の端子から第１および第２のコンデン
サを経て、第２の端子に流れ込む。
この場合、磁束相殺作用は少ないが、電流路が実質的に
太くなる。また、第１および第２コンデンサは、それら
の一方端面電極が同じ側になりかつそれらの他方端面電
極が同じ側になるように配置されている。したがって、
第１のコンデンサ中を流れる電流と第２のコンデンサ中
を流れる電流とは逆方向にかつ近接して流れ、この場合
も磁束を相殺し合うので残留インダクタンスを小さくす
ることができる。
太くなる。また、第１および第２コンデンサは、それら
の一方端面電極が同じ側になりかつそれらの他方端面電
極が同じ側になるように配置されている。したがって、
第１のコンデンサ中を流れる電流と第２のコンデンサ中
を流れる電流とは逆方向にかつ近接して流れ、この場合
も磁束を相殺し合うので残留インダクタンスを小さくす
ることができる。
この発明によれば、残留インダクタンスを小さくできる
ので、高周波領域での使用範囲が従来に比べて大幅に拡
大できる。
ので、高周波領域での使用範囲が従来に比べて大幅に拡
大できる。
また、第１なしい第３のコンデンサが近接して一体的に
配置されているのでコンデンサブロックを小型化でき
る。
配置されているのでコンデンサブロックを小型化でき
る。
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
第1A図および第1B図を参照して、この実施例のコンデン
サブロック10は、たとえば貫通コンデンサとして形成さ
れかつ互いに近接配置される第１および第２のコンデン
サC11およびC12を含む。第１および第２のコンデンサC
11およびC12は、それぞれ、たとえば、その主面にコン
デンサ電極が形成された絶縁フィルムシートを巻回して
なる中空巻回体12および14に、絶縁チューブ16および18
で被覆されたそれぞれの貫通導体20および22が挿通され
て形成される。そして、それぞれの貫通導体20および22
の一端が第１および第２の端子24および26として作用す
る。
サブロック10は、たとえば貫通コンデンサとして形成さ
れかつ互いに近接配置される第１および第２のコンデン
サC11およびC12を含む。第１および第２のコンデンサC
11およびC12は、それぞれ、たとえば、その主面にコン
デンサ電極が形成された絶縁フィルムシートを巻回して
なる中空巻回体12および14に、絶縁チューブ16および18
で被覆されたそれぞれの貫通導体20および22が挿通され
て形成される。そして、それぞれの貫通導体20および22
の一端が第１および第２の端子24および26として作用す
る。
また、第１および第２のコンデンサC11およびC12に挟ま
れるように、かつ絶縁シート28を介して、たとえば同じ
ようにその主面にコンデンサ電極が形成された絶縁フィ
ルムシートを巻回することによって形成される第３のコ
ンデンサC2が配置される。そして、第３のコンデンサC2
の一方端面には端面電極となるメタリコン電極を含む第
３の端子30が接続される。
れるように、かつ絶縁シート28を介して、たとえば同じ
ようにその主面にコンデンサ電極が形成された絶縁フィ
ルムシートを巻回することによって形成される第３のコ
ンデンサC2が配置される。そして、第３のコンデンサC2
の一方端面には端面電極となるメタリコン電極を含む第
３の端子30が接続される。
第１および第２のコンデンサC11およびC12の一方端面に
はそれぞれ端面電極となるメタリコン電極を含む集電板
32および34が取り付けられ、他方端面には第１ないし第
３のコンデンサC11，C12およびC2がＹ結線されて共通接
続されるように、端面電極となるメタリコン電極を含む
集電板36が取り付けられる。
はそれぞれ端面電極となるメタリコン電極を含む集電板
32および34が取り付けられ、他方端面には第１ないし第
３のコンデンサC11，C12およびC2がＹ結線されて共通接
続されるように、端面電極となるメタリコン電極を含む
集電板36が取り付けられる。
したがって、第1A図からもわかるように、第１なしい第
３のコンデンサC11，C12およぼC2のそれぞれの一方端面
電極は同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極も同じ
側になる。後述の各実施例においても同様である。
３のコンデンサC11，C12およぼC2のそれぞれの一方端面
電極は同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極も同じ
側になる。後述の各実施例においても同様である。
なお、第３の端子30や集電板32,34および36は端面電極
となるメタリコン電極のみで構成されていてもよい。
となるメタリコン電極のみで構成されていてもよい。
このように形成されたコンデンサブロック10は第2A図ま
たは第2B図に示す回路接続を有し、その第１および第２
の端子24および26が２線式回路の２線にそれぞれ接続さ
れる。
たは第2B図に示す回路接続を有し、その第１および第２
の端子24および26が２線式回路の２線にそれぞれ接続さ
れる。
コモンモードの場合、第３の端子30はアースに接続され
る。したがって、コンデンサブロック10には、第2A図に
示す経路を経て電流i1およびi2が流れる。すなわち、第
１および第２のコンデンサC11およびC12には、集電板34
から36へ向かう電流i1および集電板34から36へ向かう電
流i2が流れる。そして、電流i1およびi2はともに第３の
コンデンサC2を通過して第３の端子30に流れ込む。
る。したがって、コンデンサブロック10には、第2A図に
示す経路を経て電流i1およびi2が流れる。すなわち、第
１および第２のコンデンサC11およびC12には、集電板34
から36へ向かう電流i1および集電板34から36へ向かう電
流i2が流れる。そして、電流i1およびi2はともに第３の
コンデンサC2を通過して第３の端子30に流れ込む。
ここで、第１ないし第３のコンデンサC11，C12それぞれ
の一方端面電極が同じ側になりそれぞれの他方端面電極
が同じ側になるように近接並置され、かつ第３のコンデ
ンサC2は上述のように第１および第２のコンデンサC11
およびC12に挟まれるように配置されている。さらに、
第３の端子30はその第３のコンデンサC2から第１および
第２の端子24および26と同じ方向に引き出されている。
したがって、各電流i1およびi2は、第１および第２のコ
ンデンサC11およびC12中と、第３のコンデンサC2中とで
はそれぞれ逆方向にかつ近接して流れる。したがって、
電流i1およびi2による磁束は互いにそれぞれ逆方向に発
生する。そのために、それぞれの逆方向の磁束が相殺し
合い、このコンデンサブロック10全体として発生する磁
束は減少し、残留インダクタスが減少する。或る実験で
は、コンデンサC11およびC12で３〜5nH、コンデンサC2
で３〜5nHであった。
の一方端面電極が同じ側になりそれぞれの他方端面電極
が同じ側になるように近接並置され、かつ第３のコンデ
ンサC2は上述のように第１および第２のコンデンサC11
およびC12に挟まれるように配置されている。さらに、
第３の端子30はその第３のコンデンサC2から第１および
第２の端子24および26と同じ方向に引き出されている。
したがって、各電流i1およびi2は、第１および第２のコ
ンデンサC11およびC12中と、第３のコンデンサC2中とで
はそれぞれ逆方向にかつ近接して流れる。したがって、
電流i1およびi2による磁束は互いにそれぞれ逆方向に発
生する。そのために、それぞれの逆方向の磁束が相殺し
合い、このコンデンサブロック10全体として発生する磁
束は減少し、残留インダクタスが減少する。或る実験で
は、コンデンサC11およびC12で３〜5nH、コンデンサC2
で３〜5nHであった。
このようにして、この実施例によれば、コモンモードの
場合、共振点は第3A図図示の曲線Ｂのようになり、コモ
ンモードにおけるコンデンサブロック10の使用可能周波
数範囲が拡大され得る。因みに、曲線Ａが従来技術の場
合を示す。
場合、共振点は第3A図図示の曲線Ｂのようになり、コモ
ンモードにおけるコンデンサブロック10の使用可能周波
数範囲が拡大され得る。因みに、曲線Ａが従来技術の場
合を示す。
また、ノーマルモードの場合には、第2B図に示す経路を
経て電流i3が流れる。すなわち、第３の端子30には電流
は流れず、第１の端子24から第１のコンデンサC11およ
び第２のコンデンサC12を通過して第２の端子26へ向か
う電流i3が流れる。
経て電流i3が流れる。すなわち、第３の端子30には電流
は流れず、第１の端子24から第１のコンデンサC11およ
び第２のコンデンサC12を通過して第２の端子26へ向か
う電流i3が流れる。
このような電流i3が流れるノーマルモードにおいては、
上述のコモンモードのように磁束相殺作用は少ないが、
その電流路が実質的に太くなる。また、第１および第２
のコンデンサC11およびC12のそれぞれの一方端面電極が
同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極が同じ側にな
るように配置されている。したがって、第１のコンデン
サC11中を流れる電流と第２のコンデンサC11中を流れる
電流とは逆方向にかつ近接して流れる。したがって、こ
の場合も磁束が相殺し合うので、残留インダクタンスを
減少することができる。
上述のコモンモードのように磁束相殺作用は少ないが、
その電流路が実質的に太くなる。また、第１および第２
のコンデンサC11およびC12のそれぞれの一方端面電極が
同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極が同じ側にな
るように配置されている。したがって、第１のコンデン
サC11中を流れる電流と第２のコンデンサC11中を流れる
電流とは逆方向にかつ近接して流れる。したがって、こ
の場合も磁束が相殺し合うので、残留インダクタンスを
減少することができる。
そして、ノーマルモードの場合、共振点は第3B図図示の
曲線Ｂのようになり、この場合もコンデンサブロック10
の使用可能周波数範囲が拡大され得る。因みに、曲線Ａ
が従来技術の場合を示す。
曲線Ｂのようになり、この場合もコンデンサブロック10
の使用可能周波数範囲が拡大され得る。因みに、曲線Ａ
が従来技術の場合を示す。
第4A図および第4B図に示す他の実施例のコンデンサブロ
ック10では、第1A図および第1B図に示す実施例に対し
て、第３のコンデンサとして、コンデンサC2と同様に構
成されたコンデンサC22およびC23が付加され、この第３
のコンデンサC2とC22とに挟まれるように第１のコンデ
ンサC11を配置し、また第３のコンデンサC2とC23とに挟
まれるように第２のコンデンサC12を配置される。な
お、第１および第２のコンデンサC11およびC12として
は、先の実施例と同様、貫通型フィルムコンデンサが用
いられる。そして、各コンデンサ間の絶縁のために、第
１のコンデンサC11にはその巻回体12の上に絶縁シート3
8が巻回され、第２のコンデンサC12にはその巻体14の上
に絶縁シート40が巻回される。そして、第３のコンデン
サC22およびC23にはそれぞれ端面電極となるメタリコン
電極を含む第３の端子42および44が接続されている。こ
の実施例でも、第4A図に示すように、第１コンデンサC
11，第２のコンデンサC12，第３のコンデンサC2，C22お
よびC23のそれぞれ一方端面電極は同じ側になりかつそ
れぞれの他方端面電極も同じ側になる。なお、第３の端
子42および44はメタリコン電極のみで構成されていても
よい。
ック10では、第1A図および第1B図に示す実施例に対し
て、第３のコンデンサとして、コンデンサC2と同様に構
成されたコンデンサC22およびC23が付加され、この第３
のコンデンサC2とC22とに挟まれるように第１のコンデ
ンサC11を配置し、また第３のコンデンサC2とC23とに挟
まれるように第２のコンデンサC12を配置される。な
お、第１および第２のコンデンサC11およびC12として
は、先の実施例と同様、貫通型フィルムコンデンサが用
いられる。そして、各コンデンサ間の絶縁のために、第
１のコンデンサC11にはその巻回体12の上に絶縁シート3
8が巻回され、第２のコンデンサC12にはその巻体14の上
に絶縁シート40が巻回される。そして、第３のコンデン
サC22およびC23にはそれぞれ端面電極となるメタリコン
電極を含む第３の端子42および44が接続されている。こ
の実施例でも、第4A図に示すように、第１コンデンサC
11，第２のコンデンサC12，第３のコンデンサC2，C22お
よびC23のそれぞれ一方端面電極は同じ側になりかつそ
れぞれの他方端面電極も同じ側になる。なお、第３の端
子42および44はメタリコン電極のみで構成されていても
よい。
その他の各部の構造は先の実施例と同様であり、詳細な
説明は省略する。
説明は省略する。
コモンモードの場合、この実施例のコンデンサブロック
10には第5A図に示す経路を経て電流i4およびi5が流れ
る。すなわち、第１および第２のコンデンサC11およびC
12には、集電板32から36へ向かう電流i4および集電板34
から36へ向かう電流i5が流れる。
10には第5A図に示す経路を経て電流i4およびi5が流れ
る。すなわち、第１および第２のコンデンサC11およびC
12には、集電板32から36へ向かう電流i4および集電板34
から36へ向かう電流i5が流れる。
そして、電流i4の一部は第３のコンデンサC2を通過して
第３の端子30に流れ、残りは第３のコンデンサC22を通
過して第３の端子42に流れる。
第３の端子30に流れ、残りは第３のコンデンサC22を通
過して第３の端子42に流れる。
一方、電流i5の一部は電流i4と合流して第３のコンデン
サC2を通過して第３の端子30に流れ、残りは第３のコン
デンサC23を通過して第３の端子44に流れる。
サC2を通過して第３の端子30に流れ、残りは第３のコン
デンサC23を通過して第３の端子44に流れる。
ここで、第4A図からわかるように、第１ないし第３のコ
ンデンサC11，C12，C2，C22およびC23のそれぞれの一方
端面電極は同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極も
同じ側になるように近接並置されている。したがって、
各電流i4およびi5は、第１および第２のコンデンサC11
およびC12中と第３のコンデンサC2中とではそれぞれ逆
方向に近接して流れ、また、第１のコンデンサC11中と
第３のコンデンサC22中および第２コンデンサC12中と第
３のコンデンサC23中とではそれぞれ逆方向にかつ近接
して流れるので、第1A図および第1B図図示の実施例の場
合と同様の磁束相殺作用によって、このコンデンサ10全
体として発生する磁束は減少し、残留インダクタンスが
減少する。或る実験によれば、コンデンサC11およびC12
で２〜4nH、コンデンサC2，C21およびC22で２〜3nHであ
った。
ンデンサC11，C12，C2，C22およびC23のそれぞれの一方
端面電極は同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極も
同じ側になるように近接並置されている。したがって、
各電流i4およびi5は、第１および第２のコンデンサC11
およびC12中と第３のコンデンサC2中とではそれぞれ逆
方向に近接して流れ、また、第１のコンデンサC11中と
第３のコンデンサC22中および第２コンデンサC12中と第
３のコンデンサC23中とではそれぞれ逆方向にかつ近接
して流れるので、第1A図および第1B図図示の実施例の場
合と同様の磁束相殺作用によって、このコンデンサ10全
体として発生する磁束は減少し、残留インダクタンスが
減少する。或る実験によれば、コンデンサC11およびC12
で２〜4nH、コンデンサC2，C21およびC22で２〜3nHであ
った。
この実施例によれば、コモンモードの場合、共振点は第
3A図図示の曲線Ｃのようになり、コモンモードにおける
コンデンサブロック10の使用可能周波数範囲がより拡大
され得る。
3A図図示の曲線Ｃのようになり、コモンモードにおける
コンデンサブロック10の使用可能周波数範囲がより拡大
され得る。
また、ノーマルモードの場合、この実施例のコンデンサ
ブロック10には、第5B図に示す経路を経て電流i6が流れ
る。すなわち、第３の端子30,42および44には電流は流
れず、第１の端子24から第１のコンデンサC11および第
２のコンデンサC12を通過して第２の端子26へ向かう電
流i6が流れるものであり、第1A図および第1B図に示す実
施例のノーマルモードの場合と同様である。
ブロック10には、第5B図に示す経路を経て電流i6が流れ
る。すなわち、第３の端子30,42および44には電流は流
れず、第１の端子24から第１のコンデンサC11および第
２のコンデンサC12を通過して第２の端子26へ向かう電
流i6が流れるものであり、第1A図および第1B図に示す実
施例のノーマルモードの場合と同様である。
したがって、コモンモードのような磁束相殺作用は少な
いが、電流路を太くでき、第1A図および第1B図に示す実
施例と同様に、残留インダクタンスが小さくなる。
いが、電流路を太くでき、第1A図および第1B図に示す実
施例と同様に、残留インダクタンスが小さくなる。
この実施例によれば、ノーマルモードの場合、共振点は
第3B図図示の曲線Ｃのようになり、ノーマルモードにお
いてもコンデンサブロック10の使用可能周波数範囲がよ
り拡大され得る。
第3B図図示の曲線Ｃのようになり、ノーマルモードにお
いてもコンデンサブロック10の使用可能周波数範囲がよ
り拡大され得る。
第6A図および第6B図に示すさらに他の実施例のコンデン
サブロック10では、上述の実施例と同様、貫通型フィル
ムコンデンサからなる第１および第２のコンデンサC11
およびC12それぞれの上に、絶縁シート38および40を介
して、同心同軸状に、たとえばその主面にコンデンサ電
極が形成された絶縁フィルムシートを巻回することによ
って形成される第３のコンデンサC21およびC22が配置さ
れている。また、第１および第２のコンデンサC11およ
びC12の一方端面にはそれぞれ端面電極となるメタリコ
ン電極を含む集電板32および34が取り付けられ、他方の
端面には第１ないし第３のコンデンサC11，C12，C21お
よびC22がＹ結線されて共通接続されるように端面電極
となるメタリコン電極を含む集電板36が取り付けられ
る。そして、コンデンサC21およびC22の一方端面には端
面電極となるメタリコン電極を含む第３の端子46として
作用する接地板が固着される。なお、接地板には取付孔
48が形成さている。この実施例でも、第１ないし第３の
コンデンサC11，C12，C21およびC23のそれぞれの一方端
面電極が同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極も同
じ側になる。この実施例においても、端子や集電板をメ
タリコン電極のみで構成してもよい。
サブロック10では、上述の実施例と同様、貫通型フィル
ムコンデンサからなる第１および第２のコンデンサC11
およびC12それぞれの上に、絶縁シート38および40を介
して、同心同軸状に、たとえばその主面にコンデンサ電
極が形成された絶縁フィルムシートを巻回することによ
って形成される第３のコンデンサC21およびC22が配置さ
れている。また、第１および第２のコンデンサC11およ
びC12の一方端面にはそれぞれ端面電極となるメタリコ
ン電極を含む集電板32および34が取り付けられ、他方の
端面には第１ないし第３のコンデンサC11，C12，C21お
よびC22がＹ結線されて共通接続されるように端面電極
となるメタリコン電極を含む集電板36が取り付けられ
る。そして、コンデンサC21およびC22の一方端面には端
面電極となるメタリコン電極を含む第３の端子46として
作用する接地板が固着される。なお、接地板には取付孔
48が形成さている。この実施例でも、第１ないし第３の
コンデンサC11，C12，C21およびC23のそれぞれの一方端
面電極が同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極も同
じ側になる。この実施例においても、端子や集電板をメ
タリコン電極のみで構成してもよい。
コモンモードの場合、この実施例のコンデンサブロック
10には、第7A図に示す経路を経て電流i7およびi8が流
れ、その詳細な説明は省略するが、先の２つの実施例と
同様の磁束相殺作用が働くため、コンデンサブロック10
全体として発生する磁束は減少し、残留インダクタンス
が減少する。或る実験によれば、、コンデンサC11およ
びC12で２〜4nH、コンデンサC21および22で0.5〜1nHで
あった。
10には、第7A図に示す経路を経て電流i7およびi8が流
れ、その詳細な説明は省略するが、先の２つの実施例と
同様の磁束相殺作用が働くため、コンデンサブロック10
全体として発生する磁束は減少し、残留インダクタンス
が減少する。或る実験によれば、、コンデンサC11およ
びC12で２〜4nH、コンデンサC21および22で0.5〜1nHで
あった。
この実施例によれば、コモンモードの場合、共振点は第
3A図図示の曲線Ｄのようになり、コモンモードにおける
コンデンサブロック10の使用可能周波数範囲がなお一層
拡大され得る。
3A図図示の曲線Ｄのようになり、コモンモードにおける
コンデンサブロック10の使用可能周波数範囲がなお一層
拡大され得る。
また、ノーマルモードの場合、この実施例のコンデンサ
ブロック10には、第7B図に示す経路を経て電流i9が流れ
る。この実施例においても、先の２つの実施例と同様に
磁束相殺作用は少ないが、電流路を太くできるので、残
留インダクタンスを小さくすることができる。
ブロック10には、第7B図に示す経路を経て電流i9が流れ
る。この実施例においても、先の２つの実施例と同様に
磁束相殺作用は少ないが、電流路を太くできるので、残
留インダクタンスを小さくすることができる。
この実施例によれば、ノーマルモードの場合、共振点は
第4A図および第4B図図示の実施例と同様、曲線Ｄのよう
になり、第4A図および第4B図図示の実施例と同様、ノー
マルモードにおいてもコンデンサブロック10の使用可能
周波数範囲がより拡大され得る。
第4A図および第4B図図示の実施例と同様、曲線Ｄのよう
になり、第4A図および第4B図図示の実施例と同様、ノー
マルモードにおいてもコンデンサブロック10の使用可能
周波数範囲がより拡大され得る。
なお、第8A図ないし第8D図は、ディスクリートなコンデ
ンサC11，C12およびC2を、結線にしてコンデンサブロッ
ク10を形成した例を示し、第8A図は一般形多端子、第8B
図は低背形多端子、第8C図は小形および第8D図リードレ
ス形を示す。第8A図ないし第8D図に示す各コンデンサC
11，C12およびC2においても、それぞれ一方端面電極は
同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極も同じ側にな
る。そして、これらの実施例において、コモンモードと
して電流を流すと、第９図に示す経路を経て電流i10お
よびi11が流れ、磁束相殺作用によってコンデンサブロ
ック10全体として発生する磁束は減少し、残留インダク
タが減少する。或る実験によれば、コンデンサC11およ
びC12で５〜10nH、コンデンサC2で３〜5nHであった。
ンサC11，C12およびC2を、結線にしてコンデンサブロッ
ク10を形成した例を示し、第8A図は一般形多端子、第8B
図は低背形多端子、第8C図は小形および第8D図リードレ
ス形を示す。第8A図ないし第8D図に示す各コンデンサC
11，C12およびC2においても、それぞれ一方端面電極は
同じ側になりかつそれぞれの他方端面電極も同じ側にな
る。そして、これらの実施例において、コモンモードと
して電流を流すと、第９図に示す経路を経て電流i10お
よびi11が流れ、磁束相殺作用によってコンデンサブロ
ック10全体として発生する磁束は減少し、残留インダク
タが減少する。或る実験によれば、コンデンサC11およ
びC12で５〜10nH、コンデンサC2で３〜5nHであった。
また、第10図に示す例は、第３のコンデンサC2に−ΔC/
AC（50/60）の大きなセラミックコンデンサなどを使用
して、AC印加時の漏れ電流を自動的に抑制させ、安全性
を維持し、しかも実際に接続する第３のコンデンサC2の
容量を10倍以上にできる方法である。一例を挙げれば、
静電容量0.1μＦ、AC125Vにおいて、漏れ電流は0.3〜0.
5mAになる。AC（50/60）以上の周波数に対しては、0.02
2〜0.01μＦの静電容量で、コモンモードノイズを吸収
し、低域コモンモードノイズの吸収に効果がある。因み
に、第３のコンデンサC2については0.022〜0.004μＦが
標準的である。この結果を第3A図の曲線Ｅに示す。
AC（50/60）の大きなセラミックコンデンサなどを使用
して、AC印加時の漏れ電流を自動的に抑制させ、安全性
を維持し、しかも実際に接続する第３のコンデンサC2の
容量を10倍以上にできる方法である。一例を挙げれば、
静電容量0.1μＦ、AC125Vにおいて、漏れ電流は0.3〜0.
5mAになる。AC（50/60）以上の周波数に対しては、0.02
2〜0.01μＦの静電容量で、コモンモードノイズを吸収
し、低域コモンモードノイズの吸収に効果がある。因み
に、第３のコンデンサC2については0.022〜0.004μＦが
標準的である。この結果を第3A図の曲線Ｅに示す。
なお、１つのコンデンサブロックでの効果が不十分なと
きにはカスケード接続にしてもよい。また、周波数特性
の異なるコンデンサブロックをカスケード接続して使用
周波数範囲を拡大することもでき、この場合チョークも
不要となる。
きにはカスケード接続にしてもよい。また、周波数特性
の異なるコンデンサブロックをカスケード接続して使用
周波数範囲を拡大することもでき、この場合チョークも
不要となる。
第1A図および第1B図はこの発明の一実施例を示す図解図
であり、第1A図は正面図、第1B図は側面図である。 第2A図および第2B図は第1A図および第1B図実施例の等価
回路図であり、第2A図はコモンモード、第2B図はノーマ
ルモードの場合を示す。 第3A図および第3B図は各コンデンサブロックの挿入損失
と周波数との関係を示すグラフであり、第3A図はコモン
モード、第3B図はノーマルモードの場合を示す。 第4A図および第4B図はこの発明のその他の実施例を示す
図解図であり、第4A図は正面図、第4B図は側面図を示
す。 第5A図および第5B図は第4A図および第4B図実施例の等価
回路図であり、第5A図はコモンモード、第5B図はノーマ
ルモードを示す。 第6A図および第6B図はこの発明のさらにその他の実施例
を示す図解図であり、第6A図は正面図、第6B図は側面図
を示す。 第7A図および第7B図は第6A図および第6B図実施例の等価
回路図であり、第7A図はコモンモード、第7B図はノーマ
ルモードの場合を示す。 第8A図ないし第8D図はＹ結線されたコンデンサブロック
を示す図解図であり、第8A図は一般形多端子を示す正面
図および側面図、第8B図は低背形多端子を示す正面図お
よび側面図、第8C図は小形を示す正面図および側面図、
第8D図はリードレス形を示す正面図および側面図であ
る。 第９図は第8A図ないし第8D図のコンデンサブロックの等
価回路図を示す。 第10図は第３のコンデンサに別の特性を有するものを用
いた場合の等価回路図である。 第11図はEMI除去フィルムを示す等価回路図である。 第12A図および第12B図は従来技術を示す図解図であり、
第12A図は正面図、第12B図は側面図を示す。 第13図は第12A図および第12B図実施例の等価回路図を示
す。 図において、10はコンデンサブロック、C11は第１のコ
ンデンサ、C12は第２のコンデンサ、C2，C21，C22，C23
は第３のコンデンサ、24は第１の端子、26は第２の端
子、30,42,44,46は第３の端子を示す。
であり、第1A図は正面図、第1B図は側面図である。 第2A図および第2B図は第1A図および第1B図実施例の等価
回路図であり、第2A図はコモンモード、第2B図はノーマ
ルモードの場合を示す。 第3A図および第3B図は各コンデンサブロックの挿入損失
と周波数との関係を示すグラフであり、第3A図はコモン
モード、第3B図はノーマルモードの場合を示す。 第4A図および第4B図はこの発明のその他の実施例を示す
図解図であり、第4A図は正面図、第4B図は側面図を示
す。 第5A図および第5B図は第4A図および第4B図実施例の等価
回路図であり、第5A図はコモンモード、第5B図はノーマ
ルモードを示す。 第6A図および第6B図はこの発明のさらにその他の実施例
を示す図解図であり、第6A図は正面図、第6B図は側面図
を示す。 第7A図および第7B図は第6A図および第6B図実施例の等価
回路図であり、第7A図はコモンモード、第7B図はノーマ
ルモードの場合を示す。 第8A図ないし第8D図はＹ結線されたコンデンサブロック
を示す図解図であり、第8A図は一般形多端子を示す正面
図および側面図、第8B図は低背形多端子を示す正面図お
よび側面図、第8C図は小形を示す正面図および側面図、
第8D図はリードレス形を示す正面図および側面図であ
る。 第９図は第8A図ないし第8D図のコンデンサブロックの等
価回路図を示す。 第10図は第３のコンデンサに別の特性を有するものを用
いた場合の等価回路図である。 第11図はEMI除去フィルムを示す等価回路図である。 第12A図および第12B図は従来技術を示す図解図であり、
第12A図は正面図、第12B図は側面図を示す。 第13図は第12A図および第12B図実施例の等価回路図を示
す。 図において、10はコンデンサブロック、C11は第１のコ
ンデンサ、C12は第２のコンデンサ、C2，C21，C22，C23
は第３のコンデンサ、24は第１の端子、26は第２の端
子、30,42,44,46は第３の端子を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】２線式回路に接続されるコンデンサブロッ
クであって、 前記２線のそれぞれに接続される第１および第２の端
子、 第３の端子、および その一方端面電極が前記第１ないし第３の端子にそれぞ
れ接続されかつその他方端面電極が共通接続されること
によってＹ結線された第１ないし第３のコンデンサを備
え、 それぞれの前記一方端面電極が同じ側になりかつそれぞ
れの前記他方端面電極が同じ側になるように前記第１な
いし第３のコンデンサが近接並置される、コンデンサブ
ロック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190115A JPH0713934B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | コンデンサブロック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190115A JPH0713934B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | コンデンサブロック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0239510A JPH0239510A (ja) | 1990-02-08 |
| JPH0713934B2 true JPH0713934B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=16252632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63190115A Expired - Lifetime JPH0713934B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | コンデンサブロック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713934B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4056424B2 (ja) | 2003-05-16 | 2008-03-05 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4420195Y1 (ja) * | 1967-04-28 | 1969-08-29 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63190115A patent/JPH0713934B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4420195Y1 (ja) * | 1967-04-28 | 1969-08-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0239510A (ja) | 1990-02-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090215 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090215 Year of fee payment: 14 |