JPH07120919B2 - 水晶共振器の製造方法およびその製造方法による水晶共振器 - Google Patents
水晶共振器の製造方法およびその製造方法による水晶共振器Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0595—Holders; Supports the holder support and resonator being formed in one body
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- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、比較的高い周波数範囲、代表的には20〜100M
Hzの範囲内で動作する水晶（クリスタル）共振器および
その製造する方法に関する。より特定的には、本発明
は、シックネス・シェア・モードで作動する水晶共振器
およびその製造方法に関する。
Hzの範囲内で動作する水晶（クリスタル）共振器および
その製造する方法に関する。より特定的には、本発明
は、シックネス・シェア・モードで作動する水晶共振器
およびその製造方法に関する。
〔従来技術、および、発明が解決しようとする問題点〕 本発明に係る共振器においては、動作周波数が能動クリ
スタルの厚さに直接依存しているということが知られて
いる（米国特許第3,694,677号を参照されたい）。上述
の如く可能な限り高い動作周波数を実現するためには、
共振素子の厚さは極端に小さく、数ミクロンメートルか
ら100ミクロンメートルの桁の程度でなければならず、
機械的な製造方法は全て利用できない。
スタルの厚さに直接依存しているということが知られて
いる（米国特許第3,694,677号を参照されたい）。上述
の如く可能な限り高い動作周波数を実現するためには、
共振素子の厚さは極端に小さく、数ミクロンメートルか
ら100ミクロンメートルの桁の程度でなければならず、
機械的な製造方法は全て利用できない。
さらに共振素子の取扱いに非常にせん細な処理を必要と
し、使用中の衝撃が致命的となる可能性があり、共振素
子を破壊される原因となり得る。
し、使用中の衝撃が致命的となる可能性があり、共振素
子を破壊される原因となり得る。
これら改善策については上述の米国特許明細書において
提案されている：すなわち、一方においては、共振器そ
れ自身より相当薄い補強外囲体を有する共振器素子を提
供することであり、他方における好適なことは、共振器
素子の所望の厚さを導びく製造過程の少くとも最後の段
階において、例えばケミカルエッチング又はイオンエッ
チング等の非機械的製造方法を用いることである。これ
らの予防策は上述の機械的問題を或る程度解決するにも
拘らず、共振器素子と補強外囲体との間に存在する非常
に大きなカップリングにおいて生じる問題が残ってい
る。このことが寄生共鳴を導びき、一般に特性の劣った
共振器を導びく。
提案されている：すなわち、一方においては、共振器そ
れ自身より相当薄い補強外囲体を有する共振器素子を提
供することであり、他方における好適なことは、共振器
素子の所望の厚さを導びく製造過程の少くとも最後の段
階において、例えばケミカルエッチング又はイオンエッ
チング等の非機械的製造方法を用いることである。これ
らの予防策は上述の機械的問題を或る程度解決するにも
拘らず、共振器素子と補強外囲体との間に存在する非常
に大きなカップリングにおいて生じる問題が残ってい
る。このことが寄生共鳴を導びき、一般に特性の劣った
共振器を導びく。
米国特許第4,135,108号には水晶がキャパシタの電極間
にある誘電体として装着されている形式の水晶共振器が
記載されている。上記電極は、プレートに付着されてお
り、該プレートが共振器を所定の位置に維持している。
この端部に対して、共振器が周辺リングを具備し得る。
該周辺リングは、プレート間に押し込れており、周辺リ
ングと共振器素子との間で放射状に延びている簡単な接
続ブリッジの形状を採り得る薄状化下部（thinned−dow
n portions）により共振器素子から個別に分離されてい
る。
にある誘電体として装着されている形式の水晶共振器が
記載されている。上記電極は、プレートに付着されてお
り、該プレートが共振器を所定の位置に維持している。
この端部に対して、共振器が周辺リングを具備し得る。
該周辺リングは、プレート間に押し込れており、周辺リ
ングと共振器素子との間で放射状に延びている簡単な接
続ブリッジの形状を採り得る薄状化下部（thinned−dow
n portions）により共振器素子から個別に分離されてい
る。
周辺リング、薄状化下部ブリッジおよび共振器素子は一
体となっており、この全体ユニットの形状が摩耗、化学
的研削（attack）等の技法により得られている。或る場
合においては、このユニットが、接続用ブリッジを除い
て、全体を通じて均一の厚さであり、主表面が平行して
いる。共振素子の周波数の調節は、材料の除去により達
成されるが、そのような精確な機械加工操作がリングを
具備するユニットの全ての主表面に影響を及ぼし、外部
リングを有するこのユニットに一般的な機械的脆弱さを
生じさせる。それ故後者はもはや機械的補強体としては
作働せず、極言すれば単に固定部材として用いられるに
すぎない。この配置が支持体に対して良好なデカップリ
ングを導くにも拘らず、依然として破損し易く、取扱い
難い。さらに、若しリングが比較的薄いと、得ようとす
る高い共振周波数を考慮すると、中心部の厚さの減少に
より、望まれ得るべき周波数と同様の大きさの周波数で
はなくなる可能性が生じ得る。
体となっており、この全体ユニットの形状が摩耗、化学
的研削（attack）等の技法により得られている。或る場
合においては、このユニットが、接続用ブリッジを除い
て、全体を通じて均一の厚さであり、主表面が平行して
いる。共振素子の周波数の調節は、材料の除去により達
成されるが、そのような精確な機械加工操作がリングを
具備するユニットの全ての主表面に影響を及ぼし、外部
リングを有するこのユニットに一般的な機械的脆弱さを
生じさせる。それ故後者はもはや機械的補強体としては
作働せず、極言すれば単に固定部材として用いられるに
すぎない。この配置が支持体に対して良好なデカップリ
ングを導くにも拘らず、依然として破損し易く、取扱い
難い。さらに、若しリングが比較的薄いと、得ようとす
る高い共振周波数を考慮すると、中心部の厚さの減少に
より、望まれ得るべき周波数と同様の大きさの周波数で
はなくなる可能性が生じ得る。
〔問題を解決する手段、および、作用〕 本発明は、100MHz以上の周波数で動作可能な共振器を機
械的に剛に組合せ可能な水晶共振器の製造方法およびそ
れにより製造される水晶共振器を提供するものである。
械的に剛に組合せ可能な水晶共振器の製造方法およびそ
れにより製造される水晶共振器を提供するものである。
従って本発明の主題は、特にシックネス、シェア振動モ
ードで動作するATカット形共振器等の水晶共振器を製造
する方法にあり、該水晶共振器は、少くとも１つの薄い
接続用部材により補強枠から分離され、該補強枠により
包囲された能動中心素子を有する。
ードで動作するATカット形共振器等の水晶共振器を製造
する方法にあり、該水晶共振器は、少くとも１つの薄い
接続用部材により補強枠から分離され、該補強枠により
包囲された能動中心素子を有する。
本発明の一形態によれば、補強枠に囲まれる中央の作動
部を有し、この作動部が該作動部よりも厚みの小さい少
なくとも１つの接続部によって補強枠から分離される水
晶共振器を生成するための水晶共振器製造方法であっ
て、平行な面をもつ水晶基板に選択的な化学的エッチン
グ及びフォトリソグラフを施して水晶共振器を生成する
水晶共振器製造方法において、 水晶基板における作動部及び補強枠部に対応する各部分
を残しながら、接続部に対応する区画部分の厚みを縮小
させる第１の加工段階と；作動部に相当する部分の厚み
を縮小させる同時に、上記加工された区画部分の厚みを
更に縮小させる第２の加工段階とを備え；上記第２の加
工段階では、補強枠に相当する部分の厚みに影響を及ぼ
すことなく作動部及び接続部に相当する部分の厚みを更
に縮小させることを特徴とする水晶共振器の製造方法が
提供される。
部を有し、この作動部が該作動部よりも厚みの小さい少
なくとも１つの接続部によって補強枠から分離される水
晶共振器を生成するための水晶共振器製造方法であっ
て、平行な面をもつ水晶基板に選択的な化学的エッチン
グ及びフォトリソグラフを施して水晶共振器を生成する
水晶共振器製造方法において、 水晶基板における作動部及び補強枠部に対応する各部分
を残しながら、接続部に対応する区画部分の厚みを縮小
させる第１の加工段階と；作動部に相当する部分の厚み
を縮小させる同時に、上記加工された区画部分の厚みを
更に縮小させる第２の加工段階とを備え；上記第２の加
工段階では、補強枠に相当する部分の厚みに影響を及ぼ
すことなく作動部及び接続部に相当する部分の厚みを更
に縮小させることを特徴とする水晶共振器の製造方法が
提供される。
また、本発明の他の形態によれば、厚みt3の補強枠と、
この補強枠にとり囲まれて所定の振動数を規定する厚み
t1の作動部と、この作動部よりも小さい厚みt2をもち、
上記作動部を補強枠に機構的に結合する接続部とを備
え、平行な面をもつ水晶基板が選択的に化学的処理され
ることで上記各部の寸法がt3＞t1＞t2の関係に形成され
る水晶共振器において、 接続部が、作動部と補強枠との間を複数のブリッジ状に
結合しており、上記化学的処理により削られた上記水晶
基板における作動部と補強枠との間に相当する部分の残
部が接続部に相当し、前記水晶基板の前記接続部を除く
縁辺区域の残余部分が水晶基板を一方の面から他方の面
へとまっすぐに貫通するスリットによって占有されてい
ることを特徴とする水晶共振器が提供される。
この補強枠にとり囲まれて所定の振動数を規定する厚み
t1の作動部と、この作動部よりも小さい厚みt2をもち、
上記作動部を補強枠に機構的に結合する接続部とを備
え、平行な面をもつ水晶基板が選択的に化学的処理され
ることで上記各部の寸法がt3＞t1＞t2の関係に形成され
る水晶共振器において、 接続部が、作動部と補強枠との間を複数のブリッジ状に
結合しており、上記化学的処理により削られた上記水晶
基板における作動部と補強枠との間に相当する部分の残
部が接続部に相当し、前記水晶基板の前記接続部を除く
縁辺区域の残余部分が水晶基板を一方の面から他方の面
へとまっすぐに貫通するスリットによって占有されてい
ることを特徴とする水晶共振器が提供される。
本発明による共振器は、充分満足すべき機械的強度およ
び振動デカップリングを有し高周波特性を有する。
び振動デカップリングを有し高周波特性を有する。
在来の技法により、先ず、水晶ウェファが準備される。
このウェファは好適にはATカットされており、製造者が
提案している共振器におけるシックネス・シュア・モー
ドの確立を可能にする。
このウェファは好適にはATカットされており、製造者が
提案している共振器におけるシックネス・シュア・モー
ドの確立を可能にする。
それから、この水晶ウェファ又は基板１の両面がメタル
カバーにより被覆される。該メタルカバーは、第１図
（ａ）に図示の如く、２つの重畳されたメタル層を具備
することができ、それぞれのメタル層は、約200Å（20n
m）の厚さのクローム層２および約2000Å（200nm）の厚
さの金（ゴールド）層３である。
カバーにより被覆される。該メタルカバーは、第１図
（ａ）に図示の如く、２つの重畳されたメタル層を具備
することができ、それぞれのメタル層は、約200Å（20n
m）の厚さのクローム層２および約2000Å（200nm）の厚
さの金（ゴールド）層３である。
次いで、製造されるべき共振器の輪郭および製造過程の
種々の段階を通じて共振器が取扱われることを可能にす
る機械的接続の構造の輪郭が基板１上に規定される（第
１図（ｂ））。この段階は基板１の両面にフォトレジス
ト・マスク４を適用する段階を有する（第２図
（ａ））。それ故、第２図（ｂ）は、接続条帯７へ共振
器を結合させることを意図した接続用ブリッジ６に係合
する単一の共振器５の概略平面を示している。
種々の段階を通じて共振器が取扱われることを可能にす
る機械的接続の構造の輪郭が基板１上に規定される（第
１図（ｂ））。この段階は基板１の両面にフォトレジス
ト・マスク４を適用する段階を有する（第２図
（ａ））。それ故、第２図（ｂ）は、接続条帯７へ共振
器を結合させることを意図した接続用ブリッジ６に係合
する単一の共振器５の概略平面を示している。
次の段階は、ゴールド層３、次いでクローム層２に選択
的化学研削例えば、選択的化学エッチングを遂行するこ
とであり、それにより、共振器に対応する領域、すなわ
ちフォトレジストマスク４によりマスクされていない領
域の外側の基板の表面が照射される（expose）。
的化学研削例えば、選択的化学エッチングを遂行するこ
とであり、それにより、共振器に対応する領域、すなわ
ちフォトレジストマスク４によりマスクされていない領
域の外側の基板の表面が照射される（expose）。
次に続く製造過程の段階において、基板の両表面にマス
クを適用する。該マスクは単に、共振器に対応する基板
の各部における枠８（第３図（ｂ））を形成する領域を
光に対し照射可能とする。フォトレジストが光で照射さ
れ、フォトレジスト内に溝９を形成するように露出（de
velope）される（第３図（ａ））。
クを適用する。該マスクは単に、共振器に対応する基板
の各部における枠８（第３図（ｂ））を形成する領域を
光に対し照射可能とする。フォトレジストが光で照射さ
れ、フォトレジスト内に溝９を形成するように露出（de
velope）される（第３図（ａ））。
それから他のマスクがユニット上に配設され、それ故処
理される。このマスクは溝９により規定された共振器の
中心部10を光で照射することを可能にする。しかしなが
らこの段階において、光の照射後でさえも、２重ハッチ
ングにより図面に示されている、これらの中心層部は露
出されない。この点において基板が第４図に図示の形状
となる。
理される。このマスクは溝９により規定された共振器の
中心部10を光で照射することを可能にする。しかしなが
らこの段階において、光の照射後でさえも、２重ハッチ
ングにより図面に示されている、これらの中心層部は露
出されない。この点において基板が第４図に図示の形状
となる。
次の段階は基板自体への化学的研削であり、第２図
（ｂ）および第３図（ｂ）に図示の接続条帯７および接
続ブリッジ６を保護している間、複数の共振器を相互に
分離する。基板はここで第５図に図示の形状となる。
（ｂ）および第３図（ｂ）に図示の接続条帯７および接
続ブリッジ６を保護している間、複数の共振器を相互に
分離する。基板はここで第５図に図示の形状となる。
次に続く段階は、フォトレジスト内の溝９の下に配設さ
れたメタライズド部分に選択的化学研削を遂行するもの
であり、フォトレジスト内の溝９の基台に位置する基板
自身の水晶が露出することを可能にする研削が続けられ
る。基板は第６図に図示の形状となる。
れたメタライズド部分に選択的化学研削を遂行するもの
であり、フォトレジスト内の溝９の基台に位置する基板
自身の水晶が露出することを可能にする研削が続けられ
る。基板は第６図に図示の形状となる。
次の段階は中心部10内のすでに照射されたフォトレジス
トを露出させるものであり、中心層部内の水晶を露出す
るためメタル製の下部層を選択的研削が続けられる。
トを露出させるものであり、中心層部内の水晶を露出す
るためメタル製の下部層を選択的研削が続けられる。
第７図は上述した処理後に得られた形状を示している。
基板１は、第８図に図示の如く、個有の共振器となり得
る中心部1A、中心部の振動のデカップリングを確実化し
得る機械的接続部1B、および全アセンブリを包囲する補
強枠1Cを具備している。第７図に図示にもとづくこの期
間、補強枠1Cは依然としてメタル層およびフォトレジス
トで被覆されている。
基板１は、第８図に図示の如く、個有の共振器となり得
る中心部1A、中心部の振動のデカップリングを確実化し
得る機械的接続部1B、および全アセンブリを包囲する補
強枠1Cを具備している。第７図に図示にもとづくこの期
間、補強枠1Cは依然としてメタル層およびフォトレジス
トで被覆されている。
第７図に図示の形状から出発し、且つ、本発明の本質的
な特質に基づく次の段階において、再び基板に化学的研
削が行なわれ、能動部1Aおよび接続部1Bの両者の厚さが
減少され調整される。
な特質に基づく次の段階において、再び基板に化学的研
削が行なわれ、能動部1Aおよび接続部1Bの両者の厚さが
減少され調整される。
その後、フォトレジストの残部およびメタル層の残部が
除去され、その処理の結果として、第８図に図示の形状
が得られる。
除去され、その処理の結果として、第８図に図示の形状
が得られる。
製造過程の最終段階において、第９図（ａ）および
（ｂ）に基いて、金属を付着させることにより２つの電
極12,13が形成される。
（ｂ）に基いて、金属を付着させることにより２つの電
極12,13が形成される。
上述した製造過程に関して２つの重要な注記事項があ
る。
る。
a.最終的に得られた共振器は、基本周波数を決定する厚
さt1の中心部1Aを具備している。この厚さは、周波数範
囲約100MHz〜10MHzについて16〜160ミクロンメートルの
範囲である。これらの値は勿論例示にすぎない。中心部
は厚さt2の接続部1Bにより包囲されている。この厚さ
は、10ミクロンメートルから厚さt1に接近する値の範囲
にあり、値が常に５％低くても、振動のデカップリング
に関して最良の結果を生じさせる。最後に接続部1Bが補
強リング又は枠1Cにより包囲される。この補強枠1Cの厚
さt3は上記の厚さt1およびt2より相当大きく、0.08〜0.
2mmの範囲にある値が好ましいことが証明されている。
さt1の中心部1Aを具備している。この厚さは、周波数範
囲約100MHz〜10MHzについて16〜160ミクロンメートルの
範囲である。これらの値は勿論例示にすぎない。中心部
は厚さt2の接続部1Bにより包囲されている。この厚さ
は、10ミクロンメートルから厚さt1に接近する値の範囲
にあり、値が常に５％低くても、振動のデカップリング
に関して最良の結果を生じさせる。最後に接続部1Bが補
強リング又は枠1Cにより包囲される。この補強枠1Cの厚
さt3は上記の厚さt1およびt2より相当大きく、0.08〜0.
2mmの範囲にある値が好ましいことが証明されている。
b.全てのマスク処理は共振器が相互に分離される前に行
なわれ、切断又はスクライピング処理以前に中心部10の
照射が行なわれる。この特記すべき特徴は、水晶ペレッ
ト基板が依然として完全である期間にマスク又は照射に
必要な全てのインテンシブな処理が行なわれるので、製
造における欠陥の発生が相当減少可能となることであ
る。
なわれ、切断又はスクライピング処理以前に中心部10の
照射が行なわれる。この特記すべき特徴は、水晶ペレッ
ト基板が依然として完全である期間にマスク又は照射に
必要な全てのインテンシブな処理が行なわれるので、製
造における欠陥の発生が相当減少可能となることであ
る。
前述の事項から、共振器の作動部1Aが該作動部の周辺全
部にわたり補強枠1Cに取付けられることが想像されたの
である。しかし、第10図および第11図に図示されるよう
に、共振器を分離する（第４図から第５図への移行）場
合に、基板をまっすぐに貫通するスリット14を形成させ
ることもまた可能である。
部にわたり補強枠1Cに取付けられることが想像されたの
である。しかし、第10図および第11図に図示されるよう
に、共振器を分離する（第４図から第５図への移行）場
合に、基板をまっすぐに貫通するスリット14を形成させ
ることもまた可能である。
最終結果として、共振器は簡単な構成で、能動部に補強
枠を結合する接続用ブリッジを具備する。第10図におい
て、これらの接続用ブリッジは２つ存在し、符号15が付
されており、第11図においては、４個の接続用ブリッジ
が存在し、符号16が付されている。
枠を結合する接続用ブリッジを具備する。第10図におい
て、これらの接続用ブリッジは２つ存在し、符号15が付
されており、第11図においては、４個の接続用ブリッジ
が存在し、符号16が付されている。
本発明においては勿論、上述の実施例に制限されず、上
述の記述から推察される種々の変形形態を採ることが可
能である。特に、第10図および第11図の図示の実施例の
如く接続用ブリッジの数を変化させることが可能であ
る。特に、これらの接続用ブリッジの１つのみを設ける
ことによって、共振器の中心部の支持装置を得ることが
できる。
述の記述から推察される種々の変形形態を採ることが可
能である。特に、第10図および第11図の図示の実施例の
如く接続用ブリッジの数を変化させることが可能であ
る。特に、これらの接続用ブリッジの１つのみを設ける
ことによって、共振器の中心部の支持装置を得ることが
できる。
以上に述べたように、本発明によれば、高い周波数で動
作可能な共振器を機械的に剛に組合せ可能な水晶共振器
の製造方法が提供される。
作可能な共振器を機械的に剛に組合せ可能な水晶共振器
の製造方法が提供される。
また本発明によれば、上記方法により製造される水晶共
振器が提供される。本発明にもとづく共振器は充分な機
械的強度および振動に帯するデカップリングを有する。
振器が提供される。本発明にもとづく共振器は充分な機
械的強度および振動に帯するデカップリングを有する。
第1A図〜第9B図はそれぞれ、本発明にもとづく好適な水
晶共振器の製造方法およびその段階で得られる水晶共振
器の断面および平面を示す図、 第10図および第11図は本発明の他の実施例にもづく水晶
共振器の平面図、である。 （符号の説明） １……基板、 ２……クローム層、 ３……ゴールド層、 ４……フォトレジスト・マスク、 ５……共振器、 ６……接続用ブリッジ、 ７……接続条帯、 ８……枠、 ９……溝、 10……中心部、 11……溝、 12,13……電極、 14……マスクスリット。
晶共振器の製造方法およびその段階で得られる水晶共振
器の断面および平面を示す図、 第10図および第11図は本発明の他の実施例にもづく水晶
共振器の平面図、である。 （符号の説明） １……基板、 ２……クローム層、 ３……ゴールド層、 ４……フォトレジスト・マスク、 ５……共振器、 ６……接続用ブリッジ、 ７……接続条帯、 ８……枠、 ９……溝、 10……中心部、 11……溝、 12,13……電極、 14……マスクスリット。
Claims (8)
- 【請求項１】補強枠（1C）に囲まれる中央の作動部（1
A）を有し、該作動部が該作動部よりも厚みの小さい少
なくとも１つの接続部（1B）によって前記補強枠から分
離される水晶共振器を生成するための水晶共振器製造方
法であって、平行な面をもつ水晶基板（１）に選択的な
化学的エッチング及びフォトリソグラフを施して水晶共
振器を生成する水晶共振器製造方法において、 前記水晶基板（１）における前記作動部（1A）及び補強
枠部（1C）に対応する各部分を残しながら、接続部（1
B）に対応する区画部分（８）の厚みを縮小させる第１
の加工段階と、 前記作動部に相当する部分の厚みを縮小させると同時
に、前記加工された区画部分（11）の厚みを更に縮小さ
せる第２の加工段階とを具備し、 前記第２の加工段階では、補強枠（1C）に相当する部分
の厚みに影響を及ぼすことなく前記作動部及び接続部に
相当する部分の厚みを更に縮小させることを特徴とする
水晶共振器の製造方法。 - 【請求項２】前記第１の加工段階に先立ち前記水晶基板
（１）をフォトレジスト（４）でコートしてから前記区
画部分（８）に相当するフォトレジスト部分に溝を形成
し、これにより露出した水晶基板の延在部分を前記第１
の加工段階における区画部分の厚みに形成することを特
徴とする請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】前記第２の加工段階が、前記作動部（1A）
に相当するフォトレジスト部分を除去する過程と、該フ
ォトレジストが除去された水晶基板の露出部分（1A,1
B）を加工して前記作動部（1A）の厚みを所望周波数に
対応する厚さ（t1）に形成する過程とを備えることを特
徴とする請求項２に記載の製造方法。 - 【請求項４】前記水晶基板に化学的研削を施して前記水
晶基板に複数の共振器を規定するスクライバ加工過程
が、前記第１の加工段階に先行して行なわれることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の製造方
法。 - 【請求項５】前記第１の加工段階に先立ち前記水晶基板
（１）をフォトレジスト（４）でコートしてから前記区
画部分（８）に相当するフォトレジスト部分に溝を形成
し、これにより露出した水晶基板の延在部分を前記第１
の加工段階における区画部分の厚さに形成する際、及び
前記第１の加工段階に先行して前記水晶基板に化学的研
削を施して前記水晶基板に複数の共振器を規定する際
に、前記フォトレジスト（４）を介して作用するスクラ
イバ加工を用いることを特徴とする請求項４に記載の製
造方法。 - 【請求項６】前記フォトレジスト（４）を介して作用す
るスクライバ加工を用いて、前記水晶基板の区画部分に
相当する部分のうち前記接続部（1B,15,16）に相当する
部分を除いて少なくとも１つのスリット（14）を更に形
成することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。 - 【請求項７】前記スクライバ加工に先立ち前記作動部に
対応するフォトレジスト部分（４）を露光し、その後、
前記スクライバ加工後且つ前記第１の加工段階以前の時
点にて前記作動部に対応する領域において前記フォトレ
ジスト部分（４）が露光されることを特徴とする請求項
６に記載の製造方法。 - 【請求項８】厚みt3の補強枠（1C）と、該補強枠にとり
囲まれて所定の振動数を規定する厚みt1の作動部（1A）
と、該作動部よりも小さい厚みt2をもち、前記作動部を
前記補強枠に機構的に結合する接続部（1B）とを具備
し、平行な面をもつ水晶基板が選択的に化学的処理され
ることで前記各部の厚み寸法がt3＞t1＞t2の関係に形成
される水晶共振器において、 前記接続部が、前記作動部と補強枠との間を複数の架橋
状（15,16）に結合しており、前記化学的処理により削
られた前記水晶基板における前記作動部と補強枠との間
に相当する部分の残部が前記接続部に相当し、前記水晶
基板の前記接続部を除く縁辺区域の残余部分が前記水晶
基板を一方の面から他方の面へとまっすぐに貫通するス
リット（14）によって占有されていることを特徴とする
水晶共振器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8502156A FR2577362B1 (fr) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | Procede de fabrication de resonateurs a quartz a haute frequence |
| FR8502156 | 1985-02-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61189715A JPS61189715A (ja) | 1986-08-23 |
| JPH07120919B2 true JPH07120919B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=9316297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61026989A Expired - Lifetime JPH07120919B2 (ja) | 1985-02-13 | 1986-02-12 | 水晶共振器の製造方法およびその製造方法による水晶共振器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4701987A (ja) |
| EP (1) | EP0191479B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07120919B2 (ja) |
| DE (1) | DE3666906D1 (ja) |
| FR (1) | FR2577362B1 (ja) |
| HK (1) | HK22293A (ja) |
| SG (1) | SG104992G (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3606851A1 (de) * | 1986-03-03 | 1987-09-10 | Vdo Schindling | Anordnung zur messung der stroemungsgeschwindigkeit |
| JPH0831769B2 (ja) * | 1989-01-13 | 1996-03-27 | セイコー電子工業株式会社 | 厚電振動子 |
| US5187458A (en) * | 1989-09-21 | 1993-02-16 | Nihon Musen Kabushiki Kaisha | Composite longitudinal vibration mechanical filter having central frequency deviation elimination means and method of manufacturing same |
| US5376221A (en) * | 1992-11-06 | 1994-12-27 | Staudte; Juergen H. | Process for mass producing high frequency crystal resonators |
| JP2000252786A (ja) | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動素子 |
| DE10084495T1 (de) * | 1999-04-20 | 2002-06-06 | Seagate Technology Llc | Elektrodenstrukturierung für einen Differential-PZT-Aktuator |
| JP2006238266A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、及び圧電振動子 |
| JP2006238263A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、及び圧電振動子 |
| JP4305542B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2009-07-29 | エプソントヨコム株式会社 | Ａｔカット水晶振動片及びその製造方法 |
| US8069554B2 (en) * | 2007-04-12 | 2011-12-06 | Seagate Technology | Assembly and method for installing a disc clamp |
| JP5272651B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-08-28 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片の製造方法 |
| JP5239784B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-07-17 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス |
| JP6797764B2 (ja) * | 2017-08-09 | 2020-12-09 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子およびその製造方法 |
Family Cites Families (12)
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|---|---|---|---|---|
| US3432205A (en) * | 1966-12-08 | 1969-03-11 | Shell Oil Co | Sulfur steam drive |
| US3694677A (en) * | 1971-03-03 | 1972-09-26 | Us Army | Vhf-uhf piezoelectric resonators |
| JPS5229908B2 (ja) * | 1971-11-17 | 1977-08-04 | ||
| US3930857A (en) * | 1973-05-03 | 1976-01-06 | International Business Machines Corporation | Resist process |
| CH581906A5 (ja) * | 1974-05-06 | 1976-11-15 | Suisse Horlogerie | |
| FR2338607A1 (fr) * | 1976-01-16 | 1977-08-12 | France Etat | Resonateur a quartz a electrodes non adherentes au cristal |
| JPS5492087A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-20 | Matsushima Kogyo Co Ltd | Manufacture of thin-cauge crystal oscillator |
| JPS55127717A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-02 | Tohoku Metal Ind Ltd | Production of piezoelectric vibrator with partial electrode added |
| JPS5941914A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-08 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Ｇｔカツト水晶振動子 |
| JPS59128814A (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子 |
| FR2554289B1 (fr) * | 1983-10-28 | 1985-12-27 | Cepe | Procede et dispositif d'usinage d'une lame de resonateur et lame ainsi obtenue |
| JPS613514A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子 |
-
1985
- 1985-02-13 FR FR8502156A patent/FR2577362B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-02-04 US US06/826,048 patent/US4701987A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-12 JP JP61026989A patent/JPH07120919B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-13 DE DE8686101786T patent/DE3666906D1/de not_active Expired
- 1986-02-13 EP EP86101786A patent/EP0191479B1/fr not_active Expired
-
1992
- 1992-10-12 SG SG1049/92A patent/SG104992G/en unknown
-
1993
- 1993-03-11 HK HK222/93A patent/HK22293A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| JPS61189715A (ja) | 1986-08-23 |
| US4701987A (en) | 1987-10-27 |
| EP0191479A1 (fr) | 1986-08-20 |
| FR2577362A1 (fr) | 1986-08-14 |
| HK22293A (en) | 1993-03-19 |
| EP0191479B1 (fr) | 1989-11-08 |
| SG104992G (en) | 1992-12-24 |
| DE3666906D1 (en) | 1989-12-14 |
| FR2577362B1 (fr) | 1987-04-17 |
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