JPH07111978B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH07111978B2 JPH07111978B2 JP61039796A JP3979686A JPH07111978B2 JP H07111978 B2 JPH07111978 B2 JP H07111978B2 JP 61039796 A JP61039796 A JP 61039796A JP 3979686 A JP3979686 A JP 3979686A JP H07111978 B2 JPH07111978 B2 JP H07111978B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- gate
- gate electrode
- semiconductor device
- manufacturing semiconductor
- Prior art date
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＴ型ゲート構造を有する電界効果トランジスタ
の製法に関する。
の製法に関する。
電界効果素子の高周波化においてゲート長の短縮化は必
須であるが、逆にこの事によりゲート断面積が小さくな
りゲート抵抗が大きくなる。そこでゲート断面構造を第
２図に示すようにＴ型としゲート抵抗を減らす事が従来
行なわれている。この種の形状の電極は第３図に示す、
いわゆるオーバレイ構造における絶縁層部を除去する事
により容易に得る事ができる。
須であるが、逆にこの事によりゲート断面積が小さくな
りゲート抵抗が大きくなる。そこでゲート断面構造を第
２図に示すようにＴ型としゲート抵抗を減らす事が従来
行なわれている。この種の形状の電極は第３図に示す、
いわゆるオーバレイ構造における絶縁層部を除去する事
により容易に得る事ができる。
しかしながら従来の方法では絶縁膜除去後、素子の信頼
度上不可欠な、活性層上部の保護膜を形成するのが困難
である事は明白である。またオーバレイ構造のままであ
るとゲート・ソース間容量が増加し特性が阻害される。
度上不可欠な、活性層上部の保護膜を形成するのが困難
である事は明白である。またオーバレイ構造のままであ
るとゲート・ソース間容量が増加し特性が阻害される。
本発明は、あるエッチング液に対して充分エッチングレ
ートの違う２種の絶縁膜を用いてオーバレイ電極を形成
し、然る後上記エッチング液にて上層の絶縁膜を除去す
る事により、理想的なＴ型ゲートを構成する方法であ
る。
ートの違う２種の絶縁膜を用いてオーバレイ電極を形成
し、然る後上記エッチング液にて上層の絶縁膜を除去す
る事により、理想的なＴ型ゲートを構成する方法であ
る。
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明によるＴ型ゲート製造工
程である。まず第１図（ａ）のようにゲートの形成され
るウェハー主平面に例えば窒化膜（Si3N4）1000Å，酸
化膜（SiO2）2000Åをこの順にCVD法により堆積する。
次にPRをマスクとしCF4を用いたドライエッチングによ
りゲート窓を開口する（第１図（ｂ））次にゲート電極
金属としてWSi−Ti−Pt−Auを2000Å−1000Å−1000Å
−4000Å全面に被着した後、第１図（ｃ）に示すオーバ
レイ構造にエッチング加工する。次に例えばフッ酸：フ
ッ化アンモニウム＝1:6のバッファー液を用いて酸化膜
をエッチングする。この時窒化膜は上記エッチング液に
対しほとんどエッチングされないのでエッチング後の断
面形状は第１図（ｄ）に示すようになる。
程である。まず第１図（ａ）のようにゲートの形成され
るウェハー主平面に例えば窒化膜（Si3N4）1000Å，酸
化膜（SiO2）2000Åをこの順にCVD法により堆積する。
次にPRをマスクとしCF4を用いたドライエッチングによ
りゲート窓を開口する（第１図（ｂ））次にゲート電極
金属としてWSi−Ti−Pt−Auを2000Å−1000Å−1000Å
−4000Å全面に被着した後、第１図（ｃ）に示すオーバ
レイ構造にエッチング加工する。次に例えばフッ酸：フ
ッ化アンモニウム＝1:6のバッファー液を用いて酸化膜
をエッチングする。この時窒化膜は上記エッチング液に
対しほとんどエッチングされないのでエッチング後の断
面形状は第１図（ｄ）に示すようになる。
以上説明したように本発明によれば活性層上部が保護膜
で覆われた、しかもオーバレイ構造でない理想的なＴ型
ゲートを構成でき、この事により素子の信頼度及び特性
を向上できる。
で覆われた、しかもオーバレイ構造でない理想的なＴ型
ゲートを構成でき、この事により素子の信頼度及び特性
を向上できる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明によるＴ型ゲートの製造
工程を示す図である。第２図は保護膜なしの従来のＴ型
ゲートを表わす図であり、第３図はオーバレイ型ゲート
構造を表わす図である。 １……酸化膜（SiO2）、２……窒化膜（Si3N4）、３…
…ゲート電極。
工程を示す図である。第２図は保護膜なしの従来のＴ型
ゲートを表わす図であり、第３図はオーバレイ型ゲート
構造を表わす図である。 １……酸化膜（SiO2）、２……窒化膜（Si3N4）、３…
…ゲート電極。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体主平面に第１の絶縁層を形成する工
程と、該第１の絶縁層の上にこれとは異なる第２の絶縁
層を形成する工程と、該第２の絶縁層及び前記第１の絶
縁層を垂直に貫通するゲート電極窓を開口し、前記ゲー
ト電極窓及び前記第２の絶縁層上にゲート電極金属を被
着する工程と、該ゲート電極金属をオーバレイゲート構
造に加工する工程と、前記第２の絶縁層を前記第１の絶
縁層を浸食しにくいエッチング液にてエッチングして、
前記第１の絶縁膜を残して前記第２の絶縁膜を除去する
工程とを含む事を特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61039796A JPH07111978B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61039796A JPH07111978B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196873A JPS62196873A (ja) | 1987-08-31 |
| JPH07111978B2 true JPH07111978B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=12562914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61039796A Expired - Lifetime JPH07111978B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111978B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786310A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 高融点金属ゲート電極の形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59184572A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60134482A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP61039796A patent/JPH07111978B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62196873A (ja) | 1987-08-31 |
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