JPH07106421A

JPH07106421A - 配線形成方法

Info

Publication number: JPH07106421A
Application number: JP27480093A
Authority: JP
Inventors: Kojiro Nagaoka; 弘二郎長岡; Takahisa Saitou; 高寿齊藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-10-07
Filing date: 1993-10-07
Publication date: 1995-04-21

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】コンタクト抵抗が小さい配線構造を形成する
配線形成方法を提供する。【構成】アルミニウム系配線材料からなる下層配線層
１２上に形成された絶縁層１４を開孔して電気的接続孔
２４を形成し、次いで接続孔底部の下層配線層及び絶縁
層上にタングステン密着層としてＴi Ｎ層２０を成膜
し、更に接続孔２４にタングステン系配線材料を埋め込
んで配線を形成する配線形成方法において、下層配線層
形成のためのパターニング工程の前に、プロセスガスと
してＮ₂ガス以外のガスを使用して、下層配線層上にＴ
i 層２２を成膜する工程を有し、次いで絶縁層１４を開
孔して接続孔を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の配線形成
方法に関し、更に詳細には、下層配線層にアルミニウム
系配線材料を使用し、コンタクト・プラグにタングステ
ン系配線材料を使用した配線を、コンタクト抵抗が小さ
くなるように形成する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】集積回路の高集積化と共に、信頼性の高
い配線構造が要求されるようになり、その要求を満たす
ために、配線構造及び配線形成方法が盛んに研究されて
いる。配線構造の一つとして、下層配線層にアルミニウ
ム系配線材料を、接続孔に埋めて形成するコンタクト・
プラグにタングステン系配線材料を、それぞれ使用して
いる配線構造がある。図６及び図７は、従来の配線形成
方法により形成されたアルミニウム／タングステン系の
配線構造を示しており、これら配線構造は、タングステ
ン系配線材料を使用してコンタクト・プラグを形成する
に当たり、タングステン−ブランケット層が絶縁層上に
形成されている。

【０００３】図６における配線構造は、下層絶縁層から
なる基体１０と、その上に形成された、アルミニウム系
配線材料からなる下層配線層１２と、絶縁層１４と、タ
ングステン密着層としてのＴi Ｎ層１６と、タングステ
ン系配線材料からなるブランケット層１８と、ブランケ
ット層１８に連続し、かつ同じ材料からなるコンタクト
・プラグ１９とから構成されている。図７における配線
構造は、図６に示す配線構造に加えて、Ｔi Ｎ層２０を
下層配線層１２上に備えている。Ｔi Ｎ層２０は、下層
配線層１２を構成するアルミニウム系配線材料が接続孔
内に吸い上げられることを防止すると共にフォトリソ工
程におけるアルミニウム上の反射防止膜として機能して
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図６及び図７
に示すような配線構造を形成する方法には、次のような
問題がある。先ず、図６においては、通常の反応性スパ
ッタリング装置を使用して、タングステン−ブランケッ
ト層１８の密着層として機能するＴi Ｎ層１６を形成す
る時に、下層配線層１２のアルミニウム表面（図６のシ
ャドウ部分）がＮ₂プラズマにより窒化されて、窒化ア
ルミニウムとなる。電気絶縁性物質である窒化アルミニ
ウムが介在するため、下層配線層１２とコンタクト・プ
ラグ１９との間の電気的接続が導通不良になると言う問
題が生じる。

【０００５】また、図７に示す配線では、反射防止膜と
して並びに吸い上げ防止層として、Ｔi Ｎ層２０をスパ
ッタリングにより下層配線層１２上に形成している。し
かし、Ｔi Ｎ層２０の形成時、下層配線層１２のアルミ
ニウム表面（図７のシャドウ部分）がＮ₂プラズマによ
り窒化されて、窒化アルミニウムとなる。密着層として
のＴi Ｎ層１６と反射防止膜ならびに吸い上げ防止層と
してのＴi Ｎ層２０との界面の電気的接続は導通が良好
であるが、しかし、下層配線層の表面に存在する窒化ア
ルミニウムのため、Ｔi Ｎ層２０と下層配線層１２のＴ
iＮ−Ａｌ界面においては、導通が不良になる。よっ
て、下層配線層１２とコンタクト・プラグ１９との間の
電気的接続は、図６に示す配線構造の場合と同様に、導
通が不良になると言う問題がある。かかる配線構造にお
ける導通不良は、製品半導体素子の歩留りの低下を招
き、大きな問題となっていた。

【０００６】また、図８に示すように、タングステン−
ブランケット層の密着層としてＴiＮ層（Ｔi ＯＮ層も
含む）／Ｔi 層の組み合わせも使用されているが、密着
層形成後の工程において、密着層の系からＴi Ｎ層が剥
離してＴi 層が露出し、そのためタングステン層との密
着性が悪くなると言う問題がある。例えば、ブランケッ
ト層としてタングステン膜を気相成長反応により形成す
る際に、タングステン膜がウエーハ周縁部に形成されな
いようにウエーハ周縁部をシャドウリングにより覆って
いるが、シャドウリングとの接触により、Ｔi Ｎ層が密
着層の系から剥がれて、Ｔi 層が露出する。また、スパ
ッタリングによりタングステン膜を形成する場合、スパ
ッタ装置のツメ部による把持のためＴi 層が露出するこ
とがある。タングステン膜がＴi 層が露出した部分に成
膜すると、その密着性の悪さのため、タングステン膜が
剥がれる問題を有している。密着層を強化するために、
密着層を形成した後、窒素雰囲気中温度９００°Ｃで約
３０秒間維持するアニーリングを施すこともできるが、
下層配線層にアルミニウムを使用している場合には、ア
ニーリング処理を適用することが出来ない。

【０００７】上述のように、密着層としては、Ｔi Ｎ層
（Ｔi ＯＮ層も含む）／Ｔi 層の組み合わせが、種々の
問題を有するため、タングステン−ブランケット層を成
膜する場合、Ｔi Ｎ層が一般に使用されている。そこ
で、Ｔi Ｎ層を密着層として使用する配線形成方法にお
いて、上述のコンタクト・プラグと下層配線層との電気
的接続の導通不良の問題を解決することが重要である。
よって、以上の問題に鑑み、本発明の目的は、下層配線
層としてアルミニウム系配線材料を使用し、コンタクト
・プラグとしてタングステン系配線材料を使用した半導
体装置において、コンタクト抵抗が小さい配線構造を形
成する配線形成方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】Ｔi Ｎ層形成時にアルミ
ニウム層が露出していると、アルミニウム層表面が窒化
され、導通が不良となる。よって、本発明者は、アルミ
ニウムが窒化されるのを防止するには、窒化されても導
通を良好に維持できる金属膜をアルミニウム表面に形成
することが有効であることに着眼し、本発明を完成する
に到った。

【０００９】この目的を達成するために、本発明に係る
配線形成方法は、アルミニウム系配線材料からなる下層
配線層上に形成された絶縁層を開孔して電気的接続孔を
形成し、次いで接続孔底部の下層配線層及び絶縁層上に
タングステン密着用のＴi Ｎ層を成膜し、更に接続孔に
タングステン系配線材料を埋め込んで配線を形成する配
線形成方法において、下層配線層形成のためのパターニ
ング工程の前に、Ｎ₂ガス以外のプロセスガスを使用す
る成膜方法により、下層配線層上にＴi 層を成膜する工
程を有することを特徴としている。

【００１０】本発明方法において、Ｔi 層は、下層配線
層のアルミニウム系配線材料が窒化されないように、Ｎ
₂ガス以外のガスをプロセスガスとする成膜方法によ
り、成膜される。成膜方法は、特に限定はないが、例え
ばスパッタ法が使用され、またプロセスガスとしは、例
えばＡｒガスが使用される。形成するＴi 層の膜厚は、
１０ｎｍから３０ｎｍである。また、接続孔を開孔する
時には、アルミニウム層表面が露出しない程度に下層配
線層上の層をエッチングする。

【００１１】本発明の望ましい実施態様では、下層配線
層形成のためのパターニング工程の前に、前記成膜され
たＴi 層の上に前記Ｔi Ｎ層とは別のＴi Ｎ層を成膜す
る工程を有し、次いで前記絶縁層を開孔して接続孔を形
成することを特徴としている。更に望ましい実施態様で
は、前記接続孔を開孔し、次いで前記別のＴi Ｎ層の少
なくとも表層をエッチングし、更に前記タングステン密
着用Ｔi Ｎ層を成膜し、接続孔にタングステン系配線材
料を埋め込んで配線を形成することを特徴としている。
本発明方法を改変した態様として、Ｔi 層に代えてタン
グステン層を形成することを特徴としている。また、タ
ングステンに限らず窒化されても導通を示すような金属
であれば良い。

【００１２】また、本発明者等は、接続孔の側壁及び絶
縁層上に形成されたＴi Ｎ層の厚さが、接続孔底部のＴ
i Ｎ層に比べて厚いことに着目した。例えば、径が０．
２４μm 、深さ０．７２μm であるアスペクト比が３．
０の接続孔では、Ｔi Ｎ層の膜厚が７０ｎｍになるよう
に、コリメーションスパッタリングを施した時、接続孔
底部のＴi Ｎ層の膜厚は、絶縁層上のＴi Ｎ層の膜厚の
約１０％程度である。このような薄い接続孔底部のＴi
Ｎ層と共に下層配線層表層の窒化アルミニウム層をエッ
チング処理することを考案し、本発明を完成するに到っ
た。

【００１３】上記コンタクト抵抗の小さい配線構造を形
成する目的を達成するために、以上の知見に基づき、本
発明に係る別の配線形成方法は、アルミニウム系配線材
料からなる下層配線層上に形成された絶縁層を開孔して
電気的接続孔を形成し、次いで接続孔底部の下層配線層
及び絶縁層上にタングステン密着用のＴi Ｎ層を成膜
し、更に接続孔にタングステン系配線材料を埋め込んで
配線を形成する配線形成方法において、タングステン系
配線材料を埋め込む前に、前記接続孔底部のＴi Ｎ層及
びその下に生成した窒化アルミニウム層をエッチング
し、次いでＮ₂ガス以外のプロセスガスを使用してタン
グステン−ブランケット層を成膜しつつ接続孔にタング
ステン系配線材料を埋め込んで配線を形成することを特
徴としている。本発明では、タングステン−ブランケッ
ト層を成膜する方法は、Ｎ₂ガス以外のプロセスガスを
使用する限り、特に制約はなく、例えばアルゴンガス等
の不活性ガスを使用する気相成長反応を例に挙げること
ができる。

【００１４】

【作用】請求項１の発明では、アルミニウム系の下層配
線層表面に、Ｎ₂ガス以外のプロセスガスを使用してＴ
i 層を成膜した後、パターニングにし、絶縁層を形成
し、絶縁層を開孔して接続孔を形成する。接続孔を開孔
する時にはアルミニウム層表面が露出しない程度にエッ
チングし、その後にタングステン密着層としてＴiＮ層
をスパッタリングし、次いでタングステン−ブランケッ
ト層を成膜しつつ、タングステンを接続孔に埋め込んで
コンタクト・プラグをを形成している。よって、Ｔi 層
表面は窒化されてＴi Ｎとなるが、Ｔi Ｎ膜は導電体で
あり、しかも、Ｔi Ｎ層の形成時、下層配線層のアルミ
ニウム系配線材料はＴi 層により保護されていて窒化さ
れない。よって、窒化アルミニウムが介在しないので、
コンタクト・プラグと下層配線層との導通が良好に維持
される。

【００１５】請求項５の発明では、下層配線層のアルミ
ニウム系配線材料は、タングステン密着用のＴi Ｎ層を
成膜するときに、その表層のアルミニウム系配線材料が
窒化されて窒化アルミニウムとなるが、形成されたＴi
Ｎ層をマスクとして機能させつつ、接続孔底部のカバレ
ッジ（膜厚）の小さいＴi Ｎ層と、更にその下の生成窒
化アルミニウム層をエッチングして取り除く。その後、
タングステン−ブランケット層とコンタクト・プラグを
Ｎ₂ガス以外のプロセスガスを使用する成膜方法で形成
する。よって、窒化アルミニウムが介在しないので、コ
ンタクト・プラグと下層配線層との導通が良好に維持さ
れる。エッチング処理を施すと、接続孔底部のＴi Ｎ層
及び窒化アルミニウム層は、エッチングされるが、接続
孔の側壁及び絶縁層上のＴi Ｎ層は、その厚さが接続孔
底部のＴi Ｎ層に比べて厚いので、必要な厚さを維持し
たまま残る。

【００１６】

【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。実施例１図１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）と、図２（ｄ）、（ｅ）
及び（ｆ）とは、請求項１の発明に係る配線形成方法の
実施例１における各工程の半導体素子の模式的な一部断
面図である。先ず、図１（ａ）に示すように、半導体基
板（図示せず）に設けられたＳｉＯ₂からなる下層絶縁
層から構成された基体１０に下層配線層１２を形成す
る。下層配線層１２を形成するには、材料としてアルミ
ニウム系配線材料、具体的にはＡｌ−１％Ｓｉを使用
し、従来と同じ方法により、例えば枝葉式マグネトロン
スパッタ装置を用いてスパッタリングにより基板上に膜
厚６００ｎｍのアルミニウム系配線材料を堆積させる。

【００１７】次に、図１（ｂ）に示すように下層配線層
１２の上に、厚さ１０〜３０ｎｍのＴi 層２２をスパッ
タリングにて形成する。スパッタリングによる成膜条件
は、例えばプロセスガスがＡｒガスの１００sccm、ＤＣ
パワーが４ＫＷ、圧力が０．４Ｐａ、基体温度が１５０
°Ｃである。引き続き、図１（ｃ）に示すように、Ｔi
層２２上に膜厚４０ｎｍのＴi Ｎ層２０を図１（ｂ）と
同じようにスパッタリングにて形成する。Ｔi Ｎ層２０
のスパッタリングによる成膜条件は、例えばプロセスガ
スがＡｒ／Ｎ₂ガスの３０sccm／７０sccm、ＤＣパワー
が５ＫＷ、圧力が０．４Ｐａ、基体温度が１５０°Ｃで
ある。Ｔi Ｎ層２０は、下層配線層１２のパターニング
時の露光光の反射を防止する反射防止膜ならびに下層配
線層１２のアルミニウム系配線材料が接続孔内に吸い上
げられるのを防止する吸い上げ防止膜として機能する。

【００１８】その後、図２（ｄ）に示すように、Ｔi Ｎ
層２０が表面に形成された下層配線層１２を所望のパタ
ーンにパターニングする。次いで、図２（ｅ）に示すよ
うに、ＳｉＯ₂からなる厚さ０．５μm の絶縁層１４
を、従来と同じ方法を使用して、例えば気相成長反応に
より、形成する。次いでドライエッチング法にて下層配
線層１２が露出しない程度に、下層配線層１２上の絶縁
層１４をエッチングして接続孔２４を形成する。接続孔
２０の孔径は０．７μm とした。ドライエッチング条件
は、通常の条件である。

【００１９】次いで、図２（ｆ）に示すように、密着層
として膜厚７０ｎｍのＴi Ｎ層１６をスパッタリングに
より絶縁層１４上に形成する。続いて、タングステン系
配線材料からなるブランケット層１８を形成し、かつこ
のタングステン系配線材料を接続孔２４に埋め込み、コ
ンタクト・プラグ１９を形成する。ブランケット層１８
を形成するには、材料としてタングステン系配線材料、
具体的にはＷＦ₆、ＳｉＨ₄、Ｈ₂、Ａｒガスを使用
し、従来と同じ方法により、例えば気相成長反応により
基板上に膜厚８００ｎｍのタングステン系配線材料を堆
積させる。絶縁層１８上に堆積したタングステン系配線
材料は、流動して接続孔２４内に流入し、接続孔２４を
確実に埋めて、コンタクト・プラグ１９となる。

【００２０】以上の構成により、Ｔi 層２２の形成時に
は、Ｎ₂ガスを使用していないので、下層配線層１２の
アルミニウム系配線材料は、窒化されない。また、Ｔi
Ｎ層２０及びその後のＴi Ｎ層１６の形成時では、下層
配線層１２は、Ｔi 層２２により保護されているので、
従来の配線形成方法においてＴi Ｎ層１６又は２０形成
時にＮ₂プラズマによりアルミニウム系配線材料が窒化
されていたようなことが無くなる。また、接続孔２４を
設けるためにエッチングを施した際に、図３（ａ）に示
すように、エッチングの進行がＴi Ｎ層２０内で停止し
ても、Ｔi Ｎ層２０とＴiＮ層１６との界面では、導通
が取れるので、コンタクト・プラグ１９（図２（ｆ）参
照）と下層配線層１２との間の電気的接続は、良好な導
通が維持される。更に、エッチングがＴi Ｎ層２０を貫
通して進行し、Ｔi 層２２に達して停止した場合には、
Ｔi 層２２の表面は、Ｔi Ｎ層１６の成膜過程において
窒化されてＴi Ｎとなるが、Ｔi Ｎは良好な導通を示す
ので、コンタクト・プラグ１９（図２（ｆ）参照）と下
層配線層１２との間の電気的接続は、良好な導通が維持
される。

【００２１】図７に示す従来の配線構造では、コンタク
ト・プラグ１９と下層配線層１２とのコンタクト抵抗
は、６００Ωであったが、実施例１の配線形成方法によ
り得た配線構造では、０．８Ωであった。

【００２２】実施例２図６に示す従来の配線形成方法に対応して、図１及び図
２に示す配線形成工程において、図１（ｃ）に示すＴi
Ｎ層２０の形成を省略することもできる。この配線形成
方法においても、下層配線層１２は、Ｔi 層２２により
保護されているので、Ｔi Ｎ層１６の形成時、窒化され
ることはない。よって、実施例１の場合と同様に、コン
タクト・プラグ１９と下層配線層１２との間の電気的接
続は、良好な導通が維持される。

【００２３】実施例３Ｔi 層１４を形成する代わりに、タングステン層を形成
してもよい、それは、窒化タングステンは、Ｔi Ｎと同
様に良好な導通を示すからである。実施例４図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）は、請求項５の
発明に係る配線形成方法を実施する際の各工程の半導体
素子の模式的な一部断面図である。図４（ａ）に示す工
程では、図１（ａ）と同様にして基体１０上に下層配線
層１２を成膜し、その上に更に図１（ｃ）と同様にして
反射防止層並びに吸い込み防止層としてＴi Ｎ層２０を
成膜し、図１（ｄ）と同様にしてパターニングを行い、
Ｔi Ｎ層２０を上に備えた下層配線層１２を形成する。

【００２４】次いで、図４（ｂ）に示す工程では、図２
（ｅ）に示す絶縁層１４と同様にして絶縁層１４を成膜
し、更に接続孔２４を開孔する。続いて、図４の（ｃ）
に示す工程では、図２（ｆ）に示すタングステン密着用
のＴi Ｎ層１６を成膜する。尚、図中、下層配線層１２
のシャドウ部分２６は、Ｔi Ｎ層２０を成膜した際に生
成した窒化アルミニウム層を示す。

【００２５】次の図５の（ｄ）に示す工程では、異方性
エッチング処理により、開孔孔２４底部のＴi Ｎ層及び
窒化アルミニウム層を取り去る。これにより、開孔孔２
４底部には下層配線層１２のアルミニウム層が露出す
る。エッチングは、マイクロ波プラズマエッチング装置
を使用して、ＳＦ₆＝５０sccm、Ｃｌ₂＝５sccm、１０
m Torr、マイクロ波＝３００ｍＡ、ＲＦｂｉａｓ２０Ｗ
の条件で、施された。次いで、図５（ｅ）に示すよう
に、タングステン系配線材料からなるブランケット層１
８を形成し、かつこのタングステン系配線材料を接続孔
２４に埋め込み、コンタクト・プラグ１９を形成する。
ブランケット層１８を形成するには、材料としてタング
ステン系配線材料、具体的にはＷＦ₆、ＳｉＨ₄、Ｈ₂
を使用し、Ｎ₂ガス以外のプロセスガス、例えば、Ａｒ
ガスを使用して、従来と同じ方法により、例えば気相成
長反応により基板上に膜厚８００ｎｍのタングステン系
配線材料を堆積させる。絶縁層１８上に堆積したタング
ステン系配線材料は、流動して接続孔２４内に流入し、
接続孔２４を確実に埋めて、コンタクト・プラグ１９と
なる。

【００２６】以上の構成により、図５（ｅ）に示すよう
に、下層配線層１２の表層に生成した窒化アルミニウム
は、エッチングにより取り除かれているので、接続孔２
４に形成されたコンタクト・プラグ１９と下層配線層１
２との電気的接続は、良好な導通を維持できる。

【００２７】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、下層配線層に
アルミニウム系配線材料を使用し、タングステン系配線
材料を接続孔に埋め込んでコンタクト・プラグを形成す
る配線形成方法において、下層配線層形成のためのパタ
ーニング工程の前に、Ｎ₂ガス以外のプロセスガスを使
用する成膜方法により、下層配線層上にＴi 層を成膜す
る工程を有することにより、タングステン密着用Ｔi Ｎ
層形成時には、Ｔi 層が下層配線層のアルミニウムの窒
化を防止し、それによってコンタクト・プラグと下層配
線層との間の電気的接続の導通を良好に維持している。
請求項５の発明によれば、タングステン系配線材料を埋
め込む前に、接続孔底部のＴi Ｎ層及びその下に生成し
た窒化アルミニウムをエッチングし、プロセスガスとし
てＮ₂ガス以外のガスを使用する成膜方法により、タン
グステン系配線材料からなるブランケット層を成膜する
ことにより、窒化アルミニウムが介在しないので、コン
タクト・プラグと下層配線層との間の電気的接続の導通
を良好に維持している。このような配線形成方法を実施
することにより、タングステン系のコンタクト・プラグ
とアルミニウム系の下層配線層との導通不良を防止し、
半導体素子製品の歩留りを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、請求項１の
発明に係る配線形成方法の実施例を説明するための各工
程における半導体素子の模式的な一部断面図である。

【図２】図１（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）は、請求項１の
発明に係る配線形成方法の実施例を説明するための各工
程における半導体素子の模式的な一部断面図である。

【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ接続孔を設
けるためにエッチングを絶縁層に施した際のエッチング
の進行程度により、密着層としてのＴi Ｎ層の形成状態
を示す半導体素子の模式的な一部断面図である。

【図４】図４（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、請求項５の
発明に係る配線形成方法の実施例を説明するための各工
程における半導体素子の模式的な一部断面図である。

【図５】図５（ｄ）及び（ｅ）は、請求項５の発明に係
る配線形成方法の実施例を説明するための各工程におけ
る半導体素子の模式的な一部断面図である。

【図６】従来の配線構造を示す半導体素子の模式的な一
部断面図である。

【図７】従来の別の配線構造を示す半導体素子の模式的
な一部断面図である。

【図８】従来の更に別の配線構造を示す半導体素子の模
式的な一部断面図である。

【符号の説明】

１０下層絶縁層を構成する基体１２下層配線層１４絶縁層１６密着層としてのＴi Ｎ層１８タングステン−ブランケット層１９コンタクト・プラグ２０反射防止膜としてＴi Ｎ層２２Ｔi 層２４接続孔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アルミニウム系配線材料からなる下層配
線層上に形成された絶縁層を開孔して電気的接続孔を形
成し、次いで接続孔底部の下層配線層及び絶縁層上にタ
ングステン密着用のＴi Ｎ層を成膜し、更に接続孔にタ
ングステン系配線材料を埋め込んで配線を形成する配線
形成方法において、下層配線層形成のためのパターニング工程の前に、Ｎ₂
ガス以外のプロセスガスを使用する成膜方法により、下
層配線層上にＴi 層を成膜する工程を有することを特徴
とする配線形成方法。
【請求項２】下層配線層形成のためのパターニング工
程の前に、前記成膜されたＴi 層の上に前記Ｔi Ｎ層と
は別のＴi Ｎ層を成膜する工程を有することを特徴とす
る請求項１記載の配線形成方法。
【請求項３】前記接続孔を開孔し、次いで前記別のＴ
i Ｎ層の少なくとも表層をエッチングし、更に前記タン
グステン密着用Ｔi Ｎ層を成膜し、接続孔にタングステ
ン系配線材料を埋め込んで配線を形成することを特徴と
する請求項２記載の配線形成方法。
【請求項４】前記Ｔi 層に代えてタングステン層を形
成することを特徴とする請求項１から３のうちのいずれ
か１項に記載の配線形成方法。
【請求項５】アルミニウム系配線材料からなる下層配
線層上に形成された絶縁層を開孔して電気的接続孔を形
成し、次いで接続孔底部の下層配線層及び絶縁層上にタ
ングステン密着用のＴi Ｎ層を成膜し、更に接続孔にタ
ングステン系配線材料を埋め込んで配線を形成する配線
形成方法において、タングステン系配線材料を埋め込む前に、前記接続孔底
部のＴi Ｎ層及びその下に生成した窒化アルミニウム層
をエッチングし、次いでＮ₂ガス以外のプロセスガスを
使用してタングステン−ブランケット層を成膜しつつ接
続孔にタングステン系配線材料を埋め込んで配線を形成
することを特徴とする配線形成方法。