JPH0695592B2 - 厚膜混成集積回路の製造方法 - Google Patents
厚膜混成集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPH0695592B2 JPH0695592B2 JP60052285A JP5228585A JPH0695592B2 JP H0695592 B2 JPH0695592 B2 JP H0695592B2 JP 60052285 A JP60052285 A JP 60052285A JP 5228585 A JP5228585 A JP 5228585A JP H0695592 B2 JPH0695592 B2 JP H0695592B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- integrated circuit
- crossover
- hybrid integrated
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はクロスオーバ配線を備えた厚膜混成集積回路の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来、この種の厚膜混成集積回路は、基本的にはアルミ
ナ基板と、該基板上にスクリーン印刷・焼成手法を用
い、Ag-Pd系導体ペーストにより形成された下部導体
と、該下部導体上から前記基板上にかけて形成された誘
電体層と、該誘電体層上から前記基板上にかけて形成さ
れた上部導体と、該上部導体上に約500℃程度で焼成し
て形成されたカバーガラス層と、該カバーガラス層の全
面を被覆する防湿樹脂層とにより構成されている。
ナ基板と、該基板上にスクリーン印刷・焼成手法を用
い、Ag-Pd系導体ペーストにより形成された下部導体
と、該下部導体上から前記基板上にかけて形成された誘
電体層と、該誘電体層上から前記基板上にかけて形成さ
れた上部導体と、該上部導体上に約500℃程度で焼成し
て形成されたカバーガラス層と、該カバーガラス層の全
面を被覆する防湿樹脂層とにより構成されている。
ところが、上記カバーガラス層を形成する焼成温度500
℃程度の非晶質ガラスは膜質に欠陥が多く、また上記の
結晶化ガラスからなる誘電体層も空隙が多数散在してい
るので、高温高湿状態で動作させると湿気が侵入し、導
体中のAg移行によりショートが発生しやすく、耐湿性を
向上させる対策が必要である。
℃程度の非晶質ガラスは膜質に欠陥が多く、また上記の
結晶化ガラスからなる誘電体層も空隙が多数散在してい
るので、高温高湿状態で動作させると湿気が侵入し、導
体中のAg移行によりショートが発生しやすく、耐湿性を
向上させる対策が必要である。
例えば、従来の厚膜混成集積回路は特開昭53−4844号公
報に記載されているように、クロスオーバ部の上部導体
上を結晶化ガラスにより被覆していた。しかし、該結晶
化ガラスでは気泡およびごみなどの混入を少なくする印
刷手法を採用しても、空隙の発生はさけられず、耐湿性
の向上に対して十分な材料システムと言うことはできな
い。
報に記載されているように、クロスオーバ部の上部導体
上を結晶化ガラスにより被覆していた。しかし、該結晶
化ガラスでは気泡およびごみなどの混入を少なくする印
刷手法を採用しても、空隙の発生はさけられず、耐湿性
の向上に対して十分な材料システムと言うことはできな
い。
また、最近の厚膜焼成温度は850℃付近であり、焼成プ
ロセスの簡略化のためにも、上部導体上のガラス層は抵
抗体と同一温度で、かつ同時に焼成できることが望まし
いが、軟化温度800〜850℃では焼成温度が900℃以上で
あるため、耐湿性の向上および作業プロセスの簡略化と
いう両面において、従来の厚膜混成集積回路は十分に配
慮されていないという問題があった。
ロセスの簡略化のためにも、上部導体上のガラス層は抵
抗体と同一温度で、かつ同時に焼成できることが望まし
いが、軟化温度800〜850℃では焼成温度が900℃以上で
あるため、耐湿性の向上および作業プロセスの簡略化と
いう両面において、従来の厚膜混成集積回路は十分に配
慮されていないという問題があった。
本発明は上記のような従来技術の問題点を解消し、耐湿
性を向上させると共に、製造プロセスの簡略化をはかる
ことを目的とするものである。
性を向上させると共に、製造プロセスの簡略化をはかる
ことを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するために、アルミナ基板上に
下部導体、誘電体層および上部導体を順次に積層し、該
上部導体によりクロスオーバ部を形成した厚膜混成集積
回路において、前記クロスオーバ部の誘電体層および上
部導体を800〜900℃の範囲の適宜温度で焼成した後に、
その上を非晶質ガラスよりなるクロスオーバコートガラ
ス層により被覆し、該クロスオーバコートガラス層を前
記クロスオーバ部以外の所定個所に印刷した抵抗体パタ
ーンと同時に前記温度で焼成して構成したことを特徴と
する。
下部導体、誘電体層および上部導体を順次に積層し、該
上部導体によりクロスオーバ部を形成した厚膜混成集積
回路において、前記クロスオーバ部の誘電体層および上
部導体を800〜900℃の範囲の適宜温度で焼成した後に、
その上を非晶質ガラスよりなるクロスオーバコートガラ
ス層により被覆し、該クロスオーバコートガラス層を前
記クロスオーバ部以外の所定個所に印刷した抵抗体パタ
ーンと同時に前記温度で焼成して構成したことを特徴と
する。
以下、本発明の一実施例を図面について説明する。
第1図及び第2図において、1はアルミナ基板、2はア
ルミナ基板1上にAg−Pd系導体ペーストを使用してスク
リーン印刷・焼成手法により形成された下部導体、3は
下部導体2上から基板1上にかけて、析出結晶BaAl2Si2
O8またはCaAl2Si2O8などの誘電体ペーストを印刷・乾燥
して形成された誘電体層、4は誘電体層3上から基板1
上にかけて、Ag−Pd系導体ペーストにより形成された上
部導体で、この上部導体4によりクロスオーバ部が形成
されている。
ルミナ基板1上にAg−Pd系導体ペーストを使用してスク
リーン印刷・焼成手法により形成された下部導体、3は
下部導体2上から基板1上にかけて、析出結晶BaAl2Si2
O8またはCaAl2Si2O8などの誘電体ペーストを印刷・乾燥
して形成された誘電体層、4は誘電体層3上から基板1
上にかけて、Ag−Pd系導体ペーストにより形成された上
部導体で、この上部導体4によりクロスオーバ部が形成
されている。
5は上記クロスオーバ部の誘電体層3上および上部導体
4上を最適温度すなわち800〜900℃範囲の適宜温度で焼
成した後に、軟化温度650℃付近の非晶質ガラスペース
トを使用し、前記誘電体層3と上部導体4を被覆するよ
うに形成したクロスオーバコートガラス層で、このクロ
スオーバコートガラス層5は前記クロスオーバ部以外の
所定個所に印刷した抵抗体パターンと同時に前記温度
(800〜900℃)で焼成される。6は該抵抗体パターンの
保護および下部導体2のショートを防止するために、回
路全体を被覆するように形成したカバーガラス層であ
る。
4上を最適温度すなわち800〜900℃範囲の適宜温度で焼
成した後に、軟化温度650℃付近の非晶質ガラスペース
トを使用し、前記誘電体層3と上部導体4を被覆するよ
うに形成したクロスオーバコートガラス層で、このクロ
スオーバコートガラス層5は前記クロスオーバ部以外の
所定個所に印刷した抵抗体パターンと同時に前記温度
(800〜900℃)で焼成される。6は該抵抗体パターンの
保護および下部導体2のショートを防止するために、回
路全体を被覆するように形成したカバーガラス層であ
る。
本実施例は上記のように結晶化ガラスにより形成した厚
膜クロスオーバ部上を、ガラスの流動性が良く、かつ気
泡のない非晶質ガラスからなるクロスオーバコートガラ
ス層で被覆することにより、耐湿性の向上をはかること
ができる。また、クロスオーバコートガラス層をクロス
オーバ部以外の所定個所に印刷した抵抗体パターンと同
時に焼成できるため、製造プロセスを簡略化することが
できる。
膜クロスオーバ部上を、ガラスの流動性が良く、かつ気
泡のない非晶質ガラスからなるクロスオーバコートガラ
ス層で被覆することにより、耐湿性の向上をはかること
ができる。また、クロスオーバコートガラス層をクロス
オーバ部以外の所定個所に印刷した抵抗体パターンと同
時に焼成できるため、製造プロセスを簡略化することが
できる。
以上説明したように、本発明によれば、耐湿性を向上さ
せると共に、製造プロセスの簡略化をはかり、信頼性を
向上させることができる。
せると共に、製造プロセスの簡略化をはかり、信頼性を
向上させることができる。
第1図は本発明の厚膜混成集積回路の一実施例を示す断
面図であり、第2図はクロスオーバ部を示す斜視図であ
る。 1……アルミナ基板、2……下部導体、3……誘電体
層、4……上部導体、5……クロスオーバコートガラス
層、6……カバーガラス層
面図であり、第2図はクロスオーバ部を示す斜視図であ
る。 1……アルミナ基板、2……下部導体、3……誘電体
層、4……上部導体、5……クロスオーバコートガラス
層、6……カバーガラス層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−43488(JP,A) 特開 昭57−34046(JP,A) 特開 昭60−41286(JP,A) 実開 昭58−37171(JP,U) 実開 昭59−132660(JP,U) 実開 昭60−41072(JP,U)
Claims (1)
- 【請求項1】基板と、該基板上に形成された下部導体
と、該下部導体上から前記基板上にかけて形成された誘
電体層と、該誘電体層上から前記基板上にかけて形成さ
れた上部導体とを備え、該上部導体によりクロスオーバ
部を形成した後、抵抗体、カバーガラスを形成した厚膜
混成集積回路の製造方法において、前記抵抗体形成前に
前記クロスオーバ部を非晶質ガラスよりなるクロスオー
バコートガラス層により被覆し、該クロスオーバコート
ガラス層を抵抗体と同時に800〜900℃の範囲の適宜温度
で焼成して構成したことを特徴とする厚膜混成集積回路
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60052285A JPH0695592B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 厚膜混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60052285A JPH0695592B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 厚膜混成集積回路の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61212091A JPS61212091A (ja) | 1986-09-20 |
JPH0695592B2 true JPH0695592B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=12910523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60052285A Expired - Lifetime JPH0695592B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 厚膜混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0695592B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5734046A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-24 | Asahi Glass Co Ltd | Dielectric glass composition |
JPS5743488A (en) * | 1981-01-12 | 1982-03-11 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Method of producing hybrid integrated circuit |
JPS5837171U (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-10 | 日本電気株式会社 | 混成厚膜印刷基板 |
JPS59132660U (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | 日本カーバイド工業株式会社 | 突起部を有する印刷回路体 |
JPS6041072U (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-23 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
JPS6041286A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-03-04 | 株式会社日立製作所 | 電子回路基板 |
-
1985
- 1985-03-18 JP JP60052285A patent/JPH0695592B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61212091A (ja) | 1986-09-20 |
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