JPH068287B2 - ピロン−３−カルボキサミド化合物の製造方法 - Google Patents
ピロン−３−カルボキサミド化合物の製造方法Info
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- JPH068287B2 JPH068287B2 JP2817386A JP2817386A JPH068287B2 JP H068287 B2 JPH068287 B2 JP H068287B2 JP 2817386 A JP2817386 A JP 2817386A JP 2817386 A JP2817386 A JP 2817386A JP H068287 B2 JPH068287 B2 JP H068287B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサ
ミド化合物の新規な製造方法に関するものである。この
発明によって得られる化合物は医薬、農薬あるいはそれ
らの合成中間体として有用である。
ミド化合物の新規な製造方法に関するものである。この
発明によって得られる化合物は医薬、農薬あるいはそれ
らの合成中間体として有用である。
（ロ）従来の技術 この発明に係る４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボ
キサミドを製造する方法としては、従来いくつかの方法
が報告されている。
キサミドを製造する方法としては、従来いくつかの方法
が報告されている。
そのうち、ジケテンをイソシアナート類あるいは第１級
アミンまたはそのアセトアセチル体または、β−アミノ
クロトン酸アミド誘導体と反応させて、４−オキソ−４
Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得ている報告
例として、特公昭45-31663号；薬学雑誌，87,1212(196
7)；Chem. Ｐharm.Bull.,19,1477(1971)；Chem. Ｐharm.Bull.,20, 133(1972)；Chem. Ｐharm.Bull.,28,2129(1980)；薬学雑誌， 101,40(1981)等がある。しかしながら、これらの方法
は、得られる４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキ
サミド化合物が、ピラン環の２位及び６位がともにメチ
ル基であるものに限られるため、一般的な方法ではな
い。
アミンまたはそのアセトアセチル体または、β−アミノ
クロトン酸アミド誘導体と反応させて、４−オキソ−４
Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得ている報告
例として、特公昭45-31663号；薬学雑誌，87,1212(196
7)；Chem. Ｐharm.Bull.,19,1477(1971)；Chem. Ｐharm.Bull.,20, 133(1972)；Chem. Ｐharm.Bull.,28,2129(1980)；薬学雑誌， 101,40(1981)等がある。しかしながら、これらの方法
は、得られる４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキ
サミド化合物が、ピラン環の２位及び６位がともにメチ
ル基であるものに限られるため、一般的な方法ではな
い。
また、β−ケトアミド誘導体の２量化によって、４−オ
キソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得る
方法も知られているが（Ｊ．Org.Chem.,29,3548および3
555(1964)；Zesz.Nauk.Uniw.Jagiellon.,Pr.Chem.1976,
21,141.；Zesz.Nauk.Uniw.Jagiellon.；Pr.Chem.1980,2
5,7.)これらの方法でえられる化合物は、ピラン環の２
位及び６位の置換基がともに等しいものに限られるた
め、やはり一般的とはいえない。
キソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得る
方法も知られているが（Ｊ．Org.Chem.,29,3548および3
555(1964)；Zesz.Nauk.Uniw.Jagiellon.,Pr.Chem.1976,
21,141.；Zesz.Nauk.Uniw.Jagiellon.；Pr.Chem.1980,2
5,7.)これらの方法でえられる化合物は、ピラン環の２
位及び６位の置換基がともに等しいものに限られるた
め、やはり一般的とはいえない。
以上のように、従来４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カ
ルボキサミド化の一般的な製造法が知られていない。
ルボキサミド化の一般的な製造法が知られていない。
一方、特開昭56-79668号は、β−ケトエステル化合物
と、β−ケトエステルのエナミン誘導体とを、モレキュ
ラーシーブの存在下で加熱することによる1,4−ジヒド
ロ−４−オキソニコチン酸誘導体の製造法を開示してい
る。本発明は、この方法と類似しているが、この方法か
ら類推される化合物とは全く異なる４−オキソ−４Ｈ−
ピラン−３−カルボキサミド化合物を与える点で上記の
方法と根本的に異なる。
と、β−ケトエステルのエナミン誘導体とを、モレキュ
ラーシーブの存在下で加熱することによる1,4−ジヒド
ロ−４−オキソニコチン酸誘導体の製造法を開示してい
る。本発明は、この方法と類似しているが、この方法か
ら類推される化合物とは全く異なる４−オキソ−４Ｈ−
ピラン−３−カルボキサミド化合物を与える点で上記の
方法と根本的に異なる。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 この発明は、４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキ
サミド化合物を製造するために、一般的応用可能な方法
を示すものである。
サミド化合物を製造するために、一般的応用可能な方法
を示すものである。
（ニ）問題点を解決するための手段 この発明によれば、一般式（Ｉ）または（Ｉ） 〔式（Ｉ）および（Ｉ）′中Ｒ1はＣ1〜Ｃ11のアルキル
基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロアル
キル基、低級アルコキシアルキル基、置換されていても
よいフェニル基、核が置換されていてもよいアラルキル
基、ハロゲン化アルキル基又は５もしくは６員の異項環
基であり、Ｒ2は置換基を有していてもよいアリール基
または異項環基であり、Ｒ6はジアルキルアミノ基であ
り、ｎは０〜６の整数を表わす。〕 で表わされる化合物と、一般式（II） Ｒ3ＣＯＣＨＲ4ＣＯＯＲ5 （II） 〔式（II）中Ｒ3は、Ｃ1〜Ｃ11のアルキル基、低級アル
ケニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級
アルコキシアルキル基、置換されていてもよいフェニル
基、核が置換されてもよいアラルキル基、ハロゲン化ア
ルキル基又は５もしくは６員の異項環基であり、Ｒ4は
水素原子、Ｃ1〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル
基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコ
キシアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、核
が置換されていてもよいアラルキル基又はハロゲン化ア
ルキル基であり、Ｒ5は低級アルキル基を表わすか；あ
るいはＲ3は及びＲ4は一緒に−（ＣＨ2）ｍ−（ｍは３
又は４である）を表わす〕で表わされるβ−ケトエステ
ルとを、不活性溶剤中、モレキュラーシーブの存在下で
加熱することからなる、式（III） 〔式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は上記と同じ〕で表わされる
ピロン−３−カルボキサミド化合物の製造する方法が提
供される。
基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロアル
キル基、低級アルコキシアルキル基、置換されていても
よいフェニル基、核が置換されていてもよいアラルキル
基、ハロゲン化アルキル基又は５もしくは６員の異項環
基であり、Ｒ2は置換基を有していてもよいアリール基
または異項環基であり、Ｒ6はジアルキルアミノ基であ
り、ｎは０〜６の整数を表わす。〕 で表わされる化合物と、一般式（II） Ｒ3ＣＯＣＨＲ4ＣＯＯＲ5 （II） 〔式（II）中Ｒ3は、Ｃ1〜Ｃ11のアルキル基、低級アル
ケニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級
アルコキシアルキル基、置換されていてもよいフェニル
基、核が置換されてもよいアラルキル基、ハロゲン化ア
ルキル基又は５もしくは６員の異項環基であり、Ｒ4は
水素原子、Ｃ1〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル
基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコ
キシアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、核
が置換されていてもよいアラルキル基又はハロゲン化ア
ルキル基であり、Ｒ5は低級アルキル基を表わすか；あ
るいはＲ3は及びＲ4は一緒に−（ＣＨ2）ｍ−（ｍは３
又は４である）を表わす〕で表わされるβ−ケトエステ
ルとを、不活性溶剤中、モレキュラーシーブの存在下で
加熱することからなる、式（III） 〔式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は上記と同じ〕で表わされる
ピロン−３−カルボキサミド化合物の製造する方法が提
供される。
一般式（Ｉ）ないし（Ｉ）′によって表わされる化合物
は、次式（IV）で現われされるβ−ケトアミド誘導体
と、 〔式中Ｒ1とＲ2は式（Ｉ）、（Ｉ）′中の定義に同
じ。〕 式（Ｖ）で表わされる化合物 Ｈ2Ｎ（ＣＨ2）ｎＲ6 （Ｖ） 〔式中Ｒ6とｎは式（Ｉ）、（Ｉ）′中の定義に同
じ。〕 との脱水縮合反応によって得られる生成物を意味してお
り、一般式（Ｉ）ないし（Ｉ）′の表現は、プロトトロ
ピーによって相互に変換しうる異性体を意味するもの
で、式中のｎおよびＲ6によってその存在比率が異な
る。
は、次式（IV）で現われされるβ−ケトアミド誘導体
と、 〔式中Ｒ1とＲ2は式（Ｉ）、（Ｉ）′中の定義に同
じ。〕 式（Ｖ）で表わされる化合物 Ｈ2Ｎ（ＣＨ2）ｎＲ6 （Ｖ） 〔式中Ｒ6とｎは式（Ｉ）、（Ｉ）′中の定義に同
じ。〕 との脱水縮合反応によって得られる生成物を意味してお
り、一般式（Ｉ）ないし（Ｉ）′の表現は、プロトトロ
ピーによって相互に変換しうる異性体を意味するもの
で、式中のｎおよびＲ6によってその存在比率が異な
る。
一般式（Ｉ）、（Ｉ）′、（III）、（IV）中のＲ1はＣ
1〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキ
ニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル
基、置換されていてもよいフェニル基、核が置換されて
もよいアラルキル基、ハロゲン化アルキル基又は、５も
しくは６員の異項環基を表わす。
1〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキ
ニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル
基、置換されていてもよいフェニル基、核が置換されて
もよいアラルキル基、ハロゲン化アルキル基又は、５も
しくは６員の異項環基を表わす。
Ｃ1〜Ｃ11のアルキル基としては、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第３級ブ
チル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、オクチル、
デシル基などが挙げられる。
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第３級ブ
チル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、オクチル、
デシル基などが挙げられる。
低級アルケニル基、低級アルキニル基としては、ビニ
ル、アリル、イソプロペニル．２−ブテニル、1,3−ブ
タジエニル、２−ペンテニル、1,4−ペンタジエニル、
1,6−ヘプタジエニル、１−ヘキセニル、エチニル，２
−プロピニル基などが挙げられる。
ル、アリル、イソプロペニル．２−ブテニル、1,3−ブ
タジエニル、２−ペンテニル、1,4−ペンタジエニル、
1,6−ヘプタジエニル、１−ヘキセニル、エチニル，２
−プロピニル基などが挙げられる。
シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロペ
ンチル、シクロヘキシル基などが挙げられる。
ンチル、シクロヘキシル基などが挙げられる。
低級アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル、
エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル基
などが挙げられる。
エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル基
などが挙げられる。
置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル
基、並びに塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のようなハロゲ
ン原子、Ｃ1〜Ｃ5の低級アルキル基及びＣ1〜Ｃ5の低級
アルコキシ基の１〜２個で置換されていてもよいフェニ
ル基が挙げられる。
基、並びに塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のようなハロゲ
ン原子、Ｃ1〜Ｃ5の低級アルキル基及びＣ1〜Ｃ5の低級
アルコキシ基の１〜２個で置換されていてもよいフェニ
ル基が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル、２−フェニルエチ
ル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル基など
が挙げられる。これらの上記フェニル基と同様にその核
は前記のごとき置換基の１〜２個で置換されていてもよ
い。
ル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル基など
が挙げられる。これらの上記フェニル基と同様にその核
は前記のごとき置換基の１〜２個で置換されていてもよ
い。
ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル、
クロロメチル基などが挙げられる。
クロロメチル基などが挙げられる。
５もしくは６員の異項環基としては、窒素原子、硫黄原
子、酸素原子から選ばれた１〜３個の異原子を含有する
異項環基が含まれ、ことにフリル、テトラヒドロフリ
ル、チエニル、チアゾリル、イソチアゾリル、オキサゾ
リル、イソオキサゾリル、ピラゾリルのような５員環の
基、ピリジル、ビリミジニル、ビラジニル、ピリダジニ
ルのような６員環の基が挙げられる。ここでの異項環基
とは、塩素原子、臭素原子、フッ素原子のようなハロゲ
ン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チルのようなアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシのようなアルコキシ基、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニルのようなアルコキシカルボニル基、シア
ノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、フェニル基な
どの置換基を有するものを含む。フェニル基で置換され
た場合、環内の２つの炭素原子と結合して縮合環を形成
してもよい。縮合環を形成した場合の例としては、ベン
ゾチアゾリル、ベンゾフリル、キナゾリニル、キノキサ
リニル基などが挙げられる。
子、酸素原子から選ばれた１〜３個の異原子を含有する
異項環基が含まれ、ことにフリル、テトラヒドロフリ
ル、チエニル、チアゾリル、イソチアゾリル、オキサゾ
リル、イソオキサゾリル、ピラゾリルのような５員環の
基、ピリジル、ビリミジニル、ビラジニル、ピリダジニ
ルのような６員環の基が挙げられる。ここでの異項環基
とは、塩素原子、臭素原子、フッ素原子のようなハロゲ
ン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チルのようなアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシのようなアルコキシ基、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニルのようなアルコキシカルボニル基、シア
ノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、フェニル基な
どの置換基を有するものを含む。フェニル基で置換され
た場合、環内の２つの炭素原子と結合して縮合環を形成
してもよい。縮合環を形成した場合の例としては、ベン
ゾチアゾリル、ベンゾフリル、キナゾリニル、キノキサ
リニル基などが挙げられる。
一般式（Ｉ）、（Ｉ）′、（III）、（IV）中のＲ2は置
換基を有していてもよいアリール基または異項環基であ
る。
換基を有していてもよいアリール基または異項環基であ
る。
アリール基としてはフェニルまたはナフチル基が含まれ
る。異項環基としてはＲ1における例示と同じものが含
まれる。
る。異項環基としてはＲ1における例示と同じものが含
まれる。
なお、アリール基の置換基としては、異項環基に含まれ
うる種々の置換基が適用できる。
うる種々の置換基が適用できる。
一般式（Ｉ）、（Ｉ）′、（Ｖ）中のＲ6は、ジアルキ
ルアミノ基を表わす。アルキル基は、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル基を意
味する。２つのアルキル基は、共に結合して、シクロプ
ロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルのようなシク
ロアルキル基を形成してもよい。また、２つのアルキル
基は、それらが結合するアミノ基の窒素原子および場合
により他の異原子と共に、異項環基を形成してもよい。
このような異項環基の具体例としては、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環などが挙げ
られる。
ルアミノ基を表わす。アルキル基は、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル基を意
味する。２つのアルキル基は、共に結合して、シクロプ
ロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルのようなシク
ロアルキル基を形成してもよい。また、２つのアルキル
基は、それらが結合するアミノ基の窒素原子および場合
により他の異原子と共に、異項環基を形成してもよい。
このような異項環基の具体例としては、ピロリジン環、
ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環などが挙げ
られる。
一般式（Ｉ）、（Ｉ）′、（Ｖ）中のｎは、０〜６の整
数を表わし、０の場合は（Ｉ）または（Ｉ）′の化合物
の分子内にヒドラジノ結合を形成する。
数を表わし、０の場合は（Ｉ）または（Ｉ）′の化合物
の分子内にヒドラジノ結合を形成する。
一般式（Ｉ）または（Ｉ）′の化合物を形成するのに用
いる式（Ｖ）の化合物としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒド
ラジン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドラジン、Ｎ−アミノピロ
リジン、Ｎ−アミノピペリジン、Ｎ−アミノモルホリ
ン、１−アミノ−４−メチルピペラジン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジア
ミン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピロリジン、Ｎ−（２
−アミノエチル）ピペリジン、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）モリホリン、Ｎ−（３−アミノプロピル）モルホリ
ン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）モルホリンなどが挙げ
られる。
いる式（Ｖ）の化合物としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒド
ラジン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドラジン、Ｎ−アミノピロ
リジン、Ｎ−アミノピペリジン、Ｎ−アミノモルホリ
ン、１−アミノ−４−メチルピペラジン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジア
ミン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピロリジン、Ｎ−（２
−アミノエチル）ピペリジン、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）モリホリン、Ｎ−（３−アミノプロピル）モルホリ
ン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）モルホリンなどが挙げ
られる。
一般式（Ｉ）ないし（Ｉ）′で表わされる化合物の反応
相手は、一般式（II）で表わされるβ−ケトエステルで
ある。
相手は、一般式（II）で表わされるβ−ケトエステルで
ある。
一般式（II）および（III）におけるＲ3はＣ1〜Ｃ11の
アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シ
クロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換され
ていてもよいフェニル基、核が置換されていてもよいア
ラルキル基、ハロゲン化アルキル基又は、５もしくは６
員の異項環基である。これらはＲ1における例示と同じ
ものが含まれる。
アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シ
クロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換され
ていてもよいフェニル基、核が置換されていてもよいア
ラルキル基、ハロゲン化アルキル基又は、５もしくは６
員の異項環基である。これらはＲ1における例示と同じ
ものが含まれる。
一般式（II）および（III）におけるＲ4は、水素原子、
Ｃ1〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アル
キニル基、シフロアルキル基、低級アルコキシアルキル
基、置換されていてもよいフェニル基、核が置換されて
いてもよいアラキル基、又は、ハロゲン化アルキル基で
ある。
Ｃ1〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アル
キニル基、シフロアルキル基、低級アルコキシアルキル
基、置換されていてもよいフェニル基、核が置換されて
いてもよいアラキル基、又は、ハロゲン化アルキル基で
ある。
これらはＲ1における例示と同じものが含まれる。
また、Ｒ3とＲ4は一緒に−（ＣＨ2）ｍ−（ｍは３又は
４）を形成してもよい。
４）を形成してもよい。
一般式（II）におけるＲ5は低級アルキル基であり、特
にメチル基、エチル基などが好ましい。
にメチル基、エチル基などが好ましい。
一般式（Ｉ）あるいは（Ｉ）′で表わされる化合物と一
般式（II）で表わされる化合物との反応は、不活性溶剤
中、モレキュラーシーブの存在下で好都合に進行され
る。好ましい不活性溶剤の例として、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ジ
フェニルエーテルなどが挙げられる。反応温度として
は、通常80〜300℃程度の温度が用いられる。モレキュ
ラーシーブとしては、例えば、3A、4A、5A、13Xなどが使用
できる。生成した式（III）の化合物は、たとえば抽
出、再結晶、カラムクロマトグラフィー、蒸留等により
分離精製することができる。
般式（II）で表わされる化合物との反応は、不活性溶剤
中、モレキュラーシーブの存在下で好都合に進行され
る。好ましい不活性溶剤の例として、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ジ
フェニルエーテルなどが挙げられる。反応温度として
は、通常80〜300℃程度の温度が用いられる。モレキュ
ラーシーブとしては、例えば、3A、4A、5A、13Xなどが使用
できる。生成した式（III）の化合物は、たとえば抽
出、再結晶、カラムクロマトグラフィー、蒸留等により
分離精製することができる。
（ホ）実施例 以下実施例によって、この発明をさらに具体的に説明す
る。
る。
実施例１ Ｎ−（２−エチルフェニル）−2,5,6−トリメチル−４
−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド Ｎ−（２−エチルフェニル）−３−オキソ−酪酸アミド
2.21g(10.8mmol)、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン0.96g(1
6.0mmol)およびトルエン30mの混合物を60℃で、８時
間撹拌下に加熱した後、反応混合物を昇温して未反応の
Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジンおよび生成した水を常圧に
て約12mのトルエンと共に系外に留去し、さらに反応
混合物を減圧下ロータリーエバポレーターを用いて乾固
まで溶媒を除去した。得られた残渣に、２−メチル−３
−オキソ−酪酸エチル2.10g(14.5mmol)、モレキュラー
シーブ5A10gおよびキシレン30mを加え、８時間還流さ
せた。さらに、モレキュラーシーブ5Aを10g加えて、７
時間還流させた。反応混合物をろ過した後ろ液を10m
まで濃縮し、室温に放置した。生成した結晶をろ過、洗
浄乾燥すると、題記化合物1.89g（収率62％）が得られ
た。
−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド Ｎ−（２−エチルフェニル）−３−オキソ−酪酸アミド
2.21g(10.8mmol)、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン0.96g(1
6.0mmol)およびトルエン30mの混合物を60℃で、８時
間撹拌下に加熱した後、反応混合物を昇温して未反応の
Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジンおよび生成した水を常圧に
て約12mのトルエンと共に系外に留去し、さらに反応
混合物を減圧下ロータリーエバポレーターを用いて乾固
まで溶媒を除去した。得られた残渣に、２−メチル−３
−オキソ−酪酸エチル2.10g(14.5mmol)、モレキュラー
シーブ5A10gおよびキシレン30mを加え、８時間還流さ
せた。さらに、モレキュラーシーブ5Aを10g加えて、７
時間還流させた。反応混合物をろ過した後ろ液を10m
まで濃縮し、室温に放置した。生成した結晶をろ過、洗
浄乾燥すると、題記化合物1.89g（収率62％）が得られ
た。
融点：179〜182℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク）：1650、1692cm-1 ＮＭＲ（ＣＤＣ3）δ値：1.26(t,3H)、1.95(s,3H)、2.2
6(s,3H)、2.75(q,2H)、2.79(s,3H)、6.70-8.20(m,4H)、12.2
0(br.,1H)、 実施例２ 2,6−ジエチル−４−オキソ−Ｎ−フェニル−４Ｈ−ピ
ラン−３−カルボキサミド ３−オキソ−Ｎ−フェニル−吉草酸アミド 5.16g(27.0mmol)、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン2.25g(3
7.5mmol)およびトルエン30mの混合物を60℃で８時間
撹拌下に加熱した後、反応混合物を昇温して未反応の
Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジンおよび生成した水を常圧に
て約12mのトルエンと共に系外に留去し、さらに反応
混合物を減圧下ロータリーエバポレーターを用いて乾固
まで溶媒を除去した。得られた残渣に、３−オキソ−吉
草酸メチル6.55g(50.3mmol)モレキュラーシーブ5A20gお
よびキシレン50mを加え、8.5時間還流させた後、さら
に、モレキュラーシーブ５Ａを20g加えて７時間還流さ
せた。反応混合液をろ過した後減圧下に溶媒を除去し、
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
よって処理し、さらに酢酸エチルとヘキサンの混合物か
ら晶析させることによって、題記化合物2.94g（収率40
％）が得られた。
6(s,3H)、2.75(q,2H)、2.79(s,3H)、6.70-8.20(m,4H)、12.2
0(br.,1H)、 実施例２ 2,6−ジエチル−４−オキソ−Ｎ−フェニル−４Ｈ−ピ
ラン−３−カルボキサミド ３−オキソ−Ｎ−フェニル−吉草酸アミド 5.16g(27.0mmol)、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン2.25g(3
7.5mmol)およびトルエン30mの混合物を60℃で８時間
撹拌下に加熱した後、反応混合物を昇温して未反応の
Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジンおよび生成した水を常圧に
て約12mのトルエンと共に系外に留去し、さらに反応
混合物を減圧下ロータリーエバポレーターを用いて乾固
まで溶媒を除去した。得られた残渣に、３−オキソ−吉
草酸メチル6.55g(50.3mmol)モレキュラーシーブ5A20gお
よびキシレン50mを加え、8.5時間還流させた後、さら
に、モレキュラーシーブ５Ａを20g加えて７時間還流さ
せた。反応混合液をろ過した後減圧下に溶媒を除去し、
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
よって処理し、さらに酢酸エチルとヘキサンの混合物か
ら晶析させることによって、題記化合物2.94g（収率40
％）が得られた。
融点：114.5〜116℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク）：1652、1698cm-1 ＮＭＲ（ＣＤＣ3）δ値：1.21(t,3H)、1.30(t,3H)、2.5
4(q,2H)、3.27(q,2H)、6.17(s,1H)、6.70−7.90(m,5H)、12.
02(br.,1H)、 実施例３ Ｎ−（2,6−ジエチルフェニル）−２−メチル−４−オ
キソ−６−フェニル−4H−ピラン−３−カルボキサミド 2,6−ジエチルアセトアセトアニリド23.3g（100mmo
l）、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン12.0ｇ（200mmol）お
よびトルエン125mの混合物を60℃で８時間加熱撹拌し
た後、反応混合物を昇温して未反応のＮ，Ｎ−ジメチル
ヒドラジンおよび生成した水を常温にて約20mのトル
エンと共に系外に留去し、さらに反応混合物を減圧下ロ
ータリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を除去し
た。得られた固体残渣をヘキサンを用いて常法に従って
晶析するとＮ−（2.6−ジエチルフェニル）−３−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾノ）酪酸アミドが融点107
〜108.5℃の無色結晶として得られた。収量25.6ｇ、収
率93％であった。ＩＲ（ＫＢｒディスク）：υｃ＝０16
42cm-1、 ＮＭＲ（ＣＤＣ3）δ値：1.16(t,6H)、2.10(s,3H)、2.4
8(s,6H)、2.55(q,4H)、3.33（ｓ）および3,52（ｓ）、積
分比約１：１（計２Ｈ）、6.85−7.35（ｍ，３Ｈ）、8.
20−9.10（１Ｈ）。
4(q,2H)、3.27(q,2H)、6.17(s,1H)、6.70−7.90(m,5H)、12.
02(br.,1H)、 実施例３ Ｎ−（2,6−ジエチルフェニル）−２−メチル−４−オ
キソ−６−フェニル−4H−ピラン−３−カルボキサミド 2,6−ジエチルアセトアセトアニリド23.3g（100mmo
l）、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン12.0ｇ（200mmol）お
よびトルエン125mの混合物を60℃で８時間加熱撹拌し
た後、反応混合物を昇温して未反応のＮ，Ｎ−ジメチル
ヒドラジンおよび生成した水を常温にて約20mのトル
エンと共に系外に留去し、さらに反応混合物を減圧下ロ
ータリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を除去し
た。得られた固体残渣をヘキサンを用いて常法に従って
晶析するとＮ−（2.6−ジエチルフェニル）−３−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾノ）酪酸アミドが融点107
〜108.5℃の無色結晶として得られた。収量25.6ｇ、収
率93％であった。ＩＲ（ＫＢｒディスク）：υｃ＝０16
42cm-1、 ＮＭＲ（ＣＤＣ3）δ値：1.16(t,6H)、2.10(s,3H)、2.4
8(s,6H)、2.55(q,4H)、3.33（ｓ）および3,52（ｓ）、積
分比約１：１（計２Ｈ）、6.85−7.35（ｍ，３Ｈ）、8.
20−9.10（１Ｈ）。
得られたＮ−（2,6−ジエチルフェニル）−３−（Ｎ，
Ｎ−ジメチルヒドラゾノ）酪酸アミド13.70ｇ(49.7mmo
l)に、ベンゾイル酢酸エチル19.22ｇ(100mmol)、モレキ
ュラーシーブ5A40ｇおよびキシレン100mを加えて8.5
時間還流させた後、さらにモレキュラーシーブ40ｇを加
えて、7.5時間還流させた。反応混合物をろ過した後、
減圧下に溶媒を除去し、得られた残渣をシリカゲルクロ
マトグラフィーによって処理し、さらにヘキサンとシク
ロヘキサの混合液から晶析させることによって、題記化
合物10.76ｇ（収率60％）が得られた。
Ｎ−ジメチルヒドラゾノ）酪酸アミド13.70ｇ(49.7mmo
l)に、ベンゾイル酢酸エチル19.22ｇ(100mmol)、モレキ
ュラーシーブ5A40ｇおよびキシレン100mを加えて8.5
時間還流させた後、さらにモレキュラーシーブ40ｇを加
えて、7.5時間還流させた。反応混合物をろ過した後、
減圧下に溶媒を除去し、得られた残渣をシリカゲルクロ
マトグラフィーによって処理し、さらにヘキサンとシク
ロヘキサの混合液から晶析させることによって、題記化
合物10.76ｇ（収率60％）が得られた。
融点：114〜118℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク）：1610、1640 1673cm-1 ＮＭＲ（ＣＤＣ3）δ値：1.19(t,6H)、2.63(q,4H)、2.9
2(s,3H)、6.82(s,1H)、6.90−8.10(m,8H)、11.12(br.,1
H)、 実施例４ Ｎ−（2,6−ジエチルフェニル）−5,6,7,8−テトラヒド
ロ−２−メチル−４−オキソ−４Ｈ−クロメン−３−カ
ルボキサミド Ｎ−（2,6−ジエチルフェニル）−３−（Ｎ，Ｎ−ジメ
チルヒドラゾノ）酪酸アミド8.26ｇ（30mmol）、シクロ
ヘキサノン−２−カルボン酸エチル10.21ｇ（60mmo
l）、モレキュラーシーブ5A25ｇおよびキシレン60mの
混合物を６時間加熱還流させた。反応混合物をろ過した
後、減圧下に溶媒を除去し、得られた残渣をシリカゲル
クロマトグラフィーによって処理し、さらにヘキサンか
ら晶析させることによって、題記化合物5.40ｇ（収率53
％）が得られた。
2(s,3H)、6.82(s,1H)、6.90−8.10(m,8H)、11.12(br.,1
H)、 実施例４ Ｎ−（2,6−ジエチルフェニル）−5,6,7,8−テトラヒド
ロ−２−メチル−４−オキソ−４Ｈ−クロメン−３−カ
ルボキサミド Ｎ−（2,6−ジエチルフェニル）−３−（Ｎ，Ｎ−ジメ
チルヒドラゾノ）酪酸アミド8.26ｇ（30mmol）、シクロ
ヘキサノン−２−カルボン酸エチル10.21ｇ（60mmo
l）、モレキュラーシーブ5A25ｇおよびキシレン60mの
混合物を６時間加熱還流させた。反応混合物をろ過した
後、減圧下に溶媒を除去し、得られた残渣をシリカゲル
クロマトグラフィーによって処理し、さらにヘキサンか
ら晶析させることによって、題記化合物5.40ｇ（収率53
％）が得られた。
融点：115〜117℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク）：1655、1677cm-1 ＮＭＲ（ＣＤＣ3）δ値：1.16(t,6H)、1.40−2.85(m,8
H)、2.59(q,4H)、2.76(s,3H)、7.01(s,3H)、11.23(br.,1
H)、 （へ）発明の効果 この発明の方法により、多種多様な置換基を任意の位置
に有する４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミ
ド化合物が、入手しやすい原料を用いた簡単な操作によ
って、収率良く得ることが可能になった。
H)、2.59(q,4H)、2.76(s,3H)、7.01(s,3H)、11.23(br.,1
H)、 （へ）発明の効果 この発明の方法により、多種多様な置換基を任意の位置
に有する４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミ
ド化合物が、入手しやすい原料を用いた簡単な操作によ
って、収率良く得ることが可能になった。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式（Ｉ）または（Ｉ）′ 〔式（Ｉ）および（Ｉ）′中Ｒ1はＣ1〜Ｃ11のアルキル
基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロアル
キル基、低級アルコキシアルキル基、置換されていても
よいフェニル基、核が置換されていてもよいアラルキル
基、ハロゲン化アルキル基又は５もしくは６員の異項環
基であり、 Ｒ2は置換基を有していてもよいアリール基または異項
環基であり、Ｒ6はジアルキルアミノ基であり、ｎは０
〜６の整数を表わす。〕 で表わされる化合物と、一般式（II） Ｒ3ＣＯＣＨＲ4ＣＯＯＲ5 （II） 〔式（II）中Ｒ3は、Ｃ1〜Ｃ11のアルキル基、低級アル
ケニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級
アルコキシアルキル基、置換されていてもよいフェニル
基、核が置換されていてもよいアラルキル基、ハロゲン
化アルキル基又は５もしくは６員の異項環基であり、Ｒ
4は水素原子、Ｃ1〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル
基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコ
キシアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、核
が置換されていてもよいアラルキル基又はハロゲン化ア
ルキル基であり、Ｒ5は低級アルキル基を表わすか；あ
るいはＲ3及びＲ4は一緒に−（ＣＨ2）ｍ−（ｍは３又
は４である）を表わす〕 で表わされるβ−ケトエステルとを、不活性溶剤中、モ
レキュラーシーブの存在下で加熱することからなる、式
（III） 〔式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は上記と同じ〕で表わされる
ピロン−３−カルボキサミド化合物の製造方法。 - 【請求項２】式（Ｉ）又は式（Ｉ）′の−（ＣＨ2）nR6
がジメチルアミノ基である特許請求の範囲第１項記載の
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2817386A JPH068287B2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | ピロン−３−カルボキサミド化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2817386A JPH068287B2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | ピロン−３−カルボキサミド化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62187466A JPS62187466A (ja) | 1987-08-15 |
| JPH068287B2 true JPH068287B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=12241338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2817386A Expired - Lifetime JPH068287B2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | ピロン−３−カルボキサミド化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068287B2 (ja) |
-
1986
- 1986-02-12 JP JP2817386A patent/JPH068287B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62187466A (ja) | 1987-08-15 |
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