JPS62187466A - ピロン−3−カルボキサミド化合物の製造方法 - Google Patents

ピロン−3−カルボキサミド化合物の製造方法

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JPS62187466A
JPS62187466A JP2817386A JP2817386A JPS62187466A JP S62187466 A JPS62187466 A JP S62187466A JP 2817386 A JP2817386 A JP 2817386A JP 2817386 A JP2817386 A JP 2817386A JP S62187466 A JPS62187466 A JP S62187466A
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幸久 後藤
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は4−オキソ−4日−ビラン−3−カルボキサ
ミド化合物の新規な製造方法にfilするものである。
この発明によって得られる化合物は医薬、農薬あるいは
それらの合成中間体として有用である。
(ロ)′従来の技術 この発明に係る4−オキソ−4日−ビラン−3−カルボ
キサミドを製造りる方法としては、従来いくつかの方法
が報告されている。
そのうち、ジケテンをイソシアナート類あるいは第1級
アミンまたはそのアセトアセチル体または、β−アミノ
クロトン酸アミド11体と反応させて、4−オキソ−4
日−ビラン−3−カルボキサミド化合物を得ている報告
例として、特公昭45−31663号;薬学9ft誌、
 87. 1212 (1967)  : Chem。
Pharm、  Bull、、  19. 1477(
1971)   :  Chell。
Phara+、 Bull、、 20. 133(19
72) ; Chew。
Pharm、 Bull、、 28.2129(198
0) :薬学雑誌。
101、40(1981)等がある。しかしながら、こ
れらの方法は、得られる4−オキソ−4日−ビラン−3
−カルボキサミド化合物が、ビラン環の2位及び6位が
ともにメチル基であるものに限られるため、一般的な方
法ではない。
また、β−ケトアミド誘導体の2m化によって、4−オ
キソ−4日−ビラン−3−カルボキサミド化合物を得る
方法も知られているが(J、0rlJ。
Chem、、 29.3548および3555 (19
64) ; Z esz。
Nauk、Uniw、Jagiellon、、Pr、C
hew、1976.21゜141、:  Zesz、N
auk、Uniw  、Jaoiellon、  : 
 Pr。
Chem、1980,25,7. )これらの方法で得
られる化合物は、ビラン環の2位及び6位の置換基がと
もに等しいものに限られるため、やはり一般的とはいえ
ない。
以上のように、従来4−オキソ−4日−ビラン−3−カ
ルボキサミドの一般的な製造法は知られていない。
一方、特開昭56−796138号は、β−ケトエステ
ル化合物と、β−ケトエステルのエナミン誘導体とを、
モレキュラーシープの存在下で加熱することによる1、
4−ジヒドロ−4=−オキソニコチンMLi導体の製造
法を開示している。本発明は、この方法と類似している
が、この方法から類I「される化合物とは全く異なる4
−オキソ−4日−ビラン−3−カルボキサミド化合物を
与える点で上記の方法と根本的に異なる。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 この発明は、4−オキソ−4日−ビラン−3−カルボキ
サミド化合物を製造するために、一般的応用可能な方法
を示すものである。
(ニ)問題点を解決するための手段 この発明によれば、一般式(I)または<I)R”  
 −C−Cト12cONl−IR2(I)R”−C=C
I−ICONI−IR2(I)’C式(I)および(I
)′中R1はCi〜C7,のアルキル基、低級アルケニ
ル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級アル
コキシアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、
核が置換されてもよいアラルキル基、ハロゲン化アルキ
ル3.1又は5もしくは6員の異1「口M基であり、R
2は置換基を有していてもよいアリール基または異項環
基であり、Roはジアルキルアミノ基であり、nは0〜
Gの整数を表わす。〕 で表わされる化合物と、一般式(IF)R3COCHR
’ GOOR’     (II)〔式(IF)中R3
は、C1〜C1,のアルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシア
ルキル基、置換されていてもよいフェニル基、核が置換
されてもよいアラルキル基、ハロゲン化アルキル基又は
5もしくは6員の異項環基であり、R4は水素原子、C
1〜C//のアルキル基、低級アルケニル基、低級アル
キニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル
基、置換されていてもよいフェニル基、核が置換されて
いてもよいアラルキル基又はハロゲン化アルキル基であ
り、R′は低級アルキル基を表わすか:あるいはR3及
びR4は一緒に−(C1lz ) m −(+eは3又
は4である)を表わす〕で表わされるβ−ケトエステル
とを、不活性溶剤中、モレキュラーシーブの存在下ぐ加
熱することからなる、式(1) 〔式中R1、R2、R’ 、R’は上記と同じ〕で表わ
されるピロン−3−カルボキサミド化合物を製造する方
法が提供される。
一般式(I)ないしく工)′にJ:って表わされる化合
物は、次式(1v)で現われされるβ−ケトアミド誘導
体と、 R”   G  G  H2CON  HR’    
       (IV  )(式中R1とR2は式(I
)、(I)′中の定義に同じ。〕 式(V)で表わされる化合物 R2N (CH2)n R”      (V)(式中
R6とnは式(I)、(1)′中の定義に同じ。〕 との脱水縮合反応によって得ら、れる生成物を意味して
おり、一般式(I)ないしく工)′の表現は、プロトト
ロピーによって相互に変換しうる異性体を意味するもの
で、式中のnおよびR8によってその存在比率が異なる
一般式(1’)、(I)’ 、(Ill)、(■)中の
R1はC1〜ciiのアルキル基、低級アルケニル基、
低級アルキニル基、シフΩアル1ニル基、低級アルコキ
シアルキル基、置換されていてもよいフェニル基、核が
置換されてもよいアラルキル縫、ハロゲン化アルキル基
又は5もしくは6Ωの異項環基を表わす。
C4〜C7,のアルキル基としては、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第3級
ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、オクチル
、デシル基などが挙げられる。
低級アルケニル基、低級アルキニル基としCは、ビニル
、アリル、イソプロペニル、2−ブテニル、1.3−ブ
タジェニル、2−ペンテニル、1.4−ペンタジェニル
、1,6−へブタジェニル、1−ヘキセニル、エチニル
、2−プロピニル基などが挙げられる。
シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロペ
ンチル、シクロヘキシル基などが挙げられる。
低級アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル、
エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル基
などが挙げられる。
置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル基
、並びに塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のようなハロゲン
原子、01〜C5の低級アルキル基及び01〜C5の低
級アルコキシ基の1〜2個で置PAされていてもよいフ
ェニル基が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル、2−フにルエチル、
3−フェニルプロピル、4−フェニルブチルMなどが挙
げられる。これらも上記フェニル基と同様にその核は前
記のごとき置換基の1〜2個で置換されていてもよい。
ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル、
り0ロメチル基などが挙げられる。
5もしくは6Ωの異項環基としては、窒素原子、硫黄原
子、酸素原子から選ばれた1〜3個の異原子を含有する
異項環基が含まれ、ことにフリル、テトラヒドロフリル
、チェニル、チアゾリル、イソチアゾリル、オキサシリ
ル、イソオキサシリル、ピラゾリルのような5員環の塁
、ピリジル、ごリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル
のような6員環の基が挙げられる。ここでの異項環基と
は、塩素原子、臭素原子、フッ素原子のようなハ[1ゲ
ン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チルのようなアルキル基、メトキシ、1トキシ、プロポ
キシのようなアルコキシ基、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニルのようなアルコキシカルボニル基、シア
ノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、フェニル基な
どの置換基を有するものを含む。フェニル基で置換され
た場合、環内の2つの炭素原子と結合して縮合環を形成
してもよい。縮合環を形成した場合の例としては、ベン
ゾデアゾリル、ベンゾフリル、キナゾリニル、キノキサ
リニル基などが挙げられる。
一般式(I)、<I>’ 、(1)、NV)中のR2は
置換基を有していてもよいアリール基または異項環ヰで
ある。
アリール基としてはフェニルまたはナフチル基が含まれ
る。異項環基としてはR1における例示と同じものが含
まれる。
なお、アリール基の置換基としては、異項環基に含まれ
つる種々の置換基が適用できる。
一般式(I)、(I)’ 、(V)中のR6は、ジアル
キルアミノ基を表わす。アルキル基は、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル、ブチルなどのアルキル基を
意味する。2つのアルキル基は、共に結合して、シクロ
プロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルのようなシ
フ[1アルキル基を形成してもよい。また、2つのアル
キル基は、それらが結合するアミノ基の窒素原子および
場合により他の異原子と共に、異項環基を形成してもよ
い。このような異項環基の具体例としては、ビ0リジン
環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環などが
挙げられる。
一般式(I>、(I)’ 、(V)中のnは、O〜Gの
整数を表わし、0の場合は(I)または(1)′の化合
物の分子内にヒドラジノ結合を形成する。
一般式(I)または(I)′の化合物を形成するのに用
いる式(V)の化合物としては、N、N−ジメチルヒド
ラジン、N、N−ジエチルヒドラジン、N−アミノピロ
リジン、N−アミノピペリジン、N−アミノモルホリン
、1−アミノ−4−メヂルビベラジン、N、N−ジメチ
ルエチレンジアミン、N、N−ジエチルエチレンジアミ
ン、N−(2−アミノエチル)ピロリジン、N−(・2
−アミノエチル)ピペリジン、N、−(2−アミノ1チ
ル)モリホリン、N−(3−アミノプロピル)モルホリ
ン、N−(6−アミノヘキシル)モルホリンなどが挙げ
られる。
一般式(I)ないしく工)′で表わされる化合物の反応
相手は、一般式(II)で表わされるβ−ケトエステル
である。
一般式(II)および([1)におけろR3はC1〜C
1,のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置
換されていてもよいフェニル基、核が置換されてもよい
アラルキル基、ハロゲン化アルキル基又は、5もしくは
6員の異項環基である。これらはR1における例示と同
じものが含まれる。
、 一般式(II)および(1)におけるR4は、水素
原子、C1〜cn のアルキル基、低級アルケニル基、
低級アルキニ、ル基、シクロアルキル基、低級アルコキ
シアルキル基、置換されていてもよいフェニル7J、核
が置換されていてもよいアラキル基、又は、ハロゲン化
アルキル基である。
これらはR1における例示と同じものが含まれる。
また、R3とR4は一緒に−(CH2)m−(mは3又
は4)を形成してもよい。
一般式(I)におけるRf′は低級アルキル基であり、
特にメチル基、エチル基などが好ましい。
一般式(I)あるいは(■)′で表わされる化合物と一
般式(II)で表わされる化合物との反応は、不活性溶
剤中、モレキュラーシーブの存在下で好都合に進行され
る。好ましい不活性溶剤の例として、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ジ
フェニルエーテルなどが挙げられる。反応温度としては
、通常80〜300℃程度の温度が用いられる。モレキ
ュラーシーブとしては、例えば、3A14A、  5A
、13Xなどが使用できる。生成した式(1)の化合物
は、たとえば抽出、再結晶、カラムクロマトグラフィー
、蒸留等により分離精製することかできる。
(ホ)実施例 以下実施例によって、この発明をさらに具体的に説明す
る。
実施例1 N−(2−エチルフェニル) −2,5,6−ドリメチ
ルー4−オキソ−4H−ピラン−3−カルボキサミド N−(2−エチルフェニル)−3−オキソ−醋酸アミF
 2.21g(10,8a+mol) 、N、 N−ジ
メチルヒドラジン0.96g (16,0mll1ol
 )およびトルエン301!の混合物を60℃′c8時
間撹拌下に加熱した侵、反応混合物をd温して未反応の
N、N−ジメチルヒドラジンおよび生成した水を常圧に
て約12 ′11のトルエンと共に系外に留去し、さら
に反応混合物を減圧下L」−タリーエバポレーターを用
いて乾固まで溶媒を除去した。得られた残漬に、2−メ
チル−3−オキソ−醋酸エチル2.10g (14,5
mmof )、モレキュラーシーブ5A  10oおよ
びキシレン30Vを加え、8時間遠流させた。さらに、
モレキュラーシーブ5Aを1017加えて、1時間遠流
させた。
反応混合物をろ過した後ろ液を約10〃まで濃縮し、室
温に放置した。生成した結晶をろ過、洗浄乾燥すると、
m2化合物1,891J (収率62%)がj!lられ
た。
融点:119〜182℃ IR(KBrディスク):1650.1692c11−
’NMR(CDCρ 3  ) δ 値 :   1.
26   (t、  3H)  、1.95   (S
、   3H)   、   2.26   (s、 
  3H)   、   2.15(q、2H)、2.
79  (s、 31−1 )、6.70−8.20(
−、4N )  、 12.20  (br、、  1
)1 )  、実施例2 2.6−ダニチル−4−オキソ−N−フェニル−4H−
ピラン−3−カルボキザミド 3−オキソーN−フェニル−吉草酸アミド5.16g 
(27,0amof) 、N 、 N−ジメチルヒドラ
ジン2.25<1 (37,5mmol )およびトル
エン30w1の混合物を60℃で8時間撹拌下に加熱し
た後、反応混合物を5[して未反応のN、N−ジメチル
ヒドラジンおよび生成した水を常圧にて約121!のト
ルエンと共に系外に留去し、さらに反応混合物を減圧下
口−タリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を除去
した。得られた残渣に、3−オキソ−吉草酸メチル6,
559 (50,311101)モレキュラーシーブ5
A  20gおよびキシレン50ν!を加え、8.5時
間遠流させた後、さらに、モレキュラーシーブ5Aを2
0(l加えて7時間遠流させた。反応混合液をろ過した
後減圧下に溶媒を除去し、得られた残渣をシリカゲルカ
ラムクロマ1−グラフィーにJ、って処理し、さらに酢
酸エチルとへキサンの混合物から晶析させることによっ
て、m2化合物2.94g(収率40%)が得られた。
融点:  114.5〜116℃ IR(KBrディスク):1652.16983−’N
 M R(CD CQ a )δ値:  1,21 (
t、 3H)、1.30  (t、 3H)、2.54
  (q、 2H)、3.27(4,2H)、6.17
  (s、 IH)、6.70− 7.90(1,5H
) 、12.02  (br、、 1N >、実施例3 N−(2,6−ジニチルフエニル)−2−メチル−4−
オキソ−6−フェニル−4H−ピラン−3−カルボキサ
ミド 2.6−ジニチルア117+〜アセトアニリド23,3
(](100mmof ) 、N 、 N−ジメチルヒ
ドラジン12.0g  (20On+iol )および
トルエン125 yslの混合物を60℃で8時間加熱
撹拌した後、反応混合物を胃温して未反応のN、N−ジ
メチルヒドラジンおよび生成した水を常温にて約201
!の1〜ルエンと共に系外に留去し、さらに反応混合物
を減圧下ロータリーエバポレーターを用いて乾固まで溶
媒を除去した。得られた固体残漬をヘキサンを用いて常
法に従って晶析するとN−(2,6−ジニチルフ1ニル
)−3−(N、N−ジメチルヒドラジノ)酪酸アミドが
融点107〜108.5℃の無色結晶として得られた。
収量25.60 、収率93%であった。11マ(KB
rディスク) : l、)C= 0 16423−’、
NMR(CDCQ3)δ値:  1,16 (t、 6
1−1>、2.10  (s、 3H)、2.48  
(s、 6N >、2.55(q、4H)、3.33 
 (s )および3.52  (S )、積分比的1=
1(計28)、6.85−7.35  (m。
3H)、8.20−9.10  (IH)。
得られたN−(2,6−ジニチルフエニル)−3−(N
、N−ジメチルヒドラジノ)酪酸アミド13.70g 
(49,7mmol )に、ベンゾイル酢酸エチル19
.22g (100n+5ol) 、モレキュラーシー
ブ5A409およびキシレン100 xiを加えて8.
5時間還流させた後、さらにモレキュラーシー140(
+を加えて、1.5時間還流させた。反応混合物をろ過
した俊、減圧下に溶媒を除去し、得られた残渣をシリカ
ゲルクロマトグラフィーによって処理し、さらにへキサ
ンとシクロヘキサンの混合液から晶析ぎせることによっ
て、m2化合物10.76g (収率60%)が得られ
た。
融点:114〜118℃ IR(K[3rデイスク):1610.1640゜16
73C11−’ N M R(CD CQ 3)δ値:  1,19 (
t、 6l−1)、2.63  (0,4H)、2.9
2  (s、 3H)、6.82(s、IH)、6.9
0− 8.10  (m、 81−1 > 、11.1
2(br、、 IH)、 実施例4 N−(2,6−ジJチルフエニル) −5,6,7,8
−テトラヒドロ−2−メチル−4−オキソ−aH−クロ
メン−3−カルボキ1ナミド N−(2,6−ジニチルフエニル)−3−(N。
N−ジメチルヒドラジノ)酪酸アミド8.26(J (
30m+1101)、シクロへキサノン−2−カルボン
酸エチル10.21(1(60mmof ) 、モレキ
ュラーシーブ5A25(Jおよびキシレン601!の混
合物を6時間加熱還流させた。反応混合物をろ過した後
、減圧下に溶媒を除去し、得られた残渣をシリカゲルク
ロマトグラフィーによって処理し、ざらにヘキサンから
晶析させることによって、m2化合物5.40(1(収
率53%)が得られた。
融点:115〜111℃ IR(KBrディスク):1655.16773−’N
MR(CDCρ3)δ値:  1,16 (t、 6H
)、1.40−2.85  (m、 8H)、2.59
  (Q、 4H)、2.76  (s、 3H)、7
.01  (s、 3H) 、11.23(br、、 
IH)、 (へ)発明の効果 この発明の方法により、多種多様な置換基を任愈の位置
に有する4−オキソ−4日−ピラン−3−カルボ」:サ
ミド化合物が、入手しやすい原料を用い簡単な操作によ
って、収率良く得ることが可能になった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式( I )または( I )′ ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I )′ 〔式( I )および( I )′中R^1はC_1〜C_1
    _1のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
    基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置
    換されていてもよいフェニル基、核が置換されていても
    よいアラルキル基、ハロゲン化アルキル基又は5もしく
    は6員の異項環基であり、R^2は置換基を有していて
    もよいアリール基または異項環基であり、R^6はジア
    ルキルアミノ基であり、nは0〜6の整数を表わす。〕 で表わされる化合物と、一般式(II) R^3COCHR^4COOR^5(II) 〔式(II)中R^3は、C_1〜C_1_1のアルキル
    基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロアル
    キル基、低級アルコキシアルキル基、置換されていても
    よいフェニル基、核が置換されていてもよいアラルキル
    基、ハロゲン化アルキル基又は5もしくは6員の異項環
    基であり、R^4は水素原子、C_1〜C_1_1のア
    ルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シク
    ロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換されて
    いてもよいフェニル基、核が置換されていてもよいアラ
    ルキル基又はハロゲン化アルキル基であり、R^5は低
    級アルキル基を表わすか;あるいはR^3及びR^4は
    一緒に−(CH_2)m−(mは3又は4である)を表
    わす〕 で表わされるβ−ケトエステルとを、不活性溶剤中、モ
    レキュラーシーブの存在下で加熱することからなる、式
    (III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中R^1、R^2、R^3、R^4は上記と同じ〕
    で表わされるピロン−3−カルボキサミド化合物の製造
    方法。 2、式( I )又は式( I )′の−(CH_2)nR^
    6がジメチルアミノ基である特許請求の範囲第1項記載
    の方法。
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JPH068287B2 (ja) 1994-02-02

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