JPH0681156A - 無電解錫又は錫合金めっき方法 - Google Patents
無電解錫又は錫合金めっき方法Info
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- JPH0681156A JPH0681156A JP25414192A JP25414192A JPH0681156A JP H0681156 A JPH0681156 A JP H0681156A JP 25414192 A JP25414192 A JP 25414192A JP 25414192 A JP25414192 A JP 25414192A JP H0681156 A JPH0681156 A JP H0681156A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚や合金組成が均一な無電解錫又は錫合金
めっき皮膜を形成できる無電解錫又は錫合金めっき方法
を提供する。 【構成】 無電解錫又は錫合金めっき液中に被めっき物
を浸漬し、この被めっき物表面に無電解錫又は錫合金め
っき皮膜を形成するに際し、上記無電解錫又は錫合金め
っき液が収容されるめっき槽内の下部に上記被めっき物
の下方に存して多孔板を配設し、上記めっき液をめっき
槽から連続的に抜き出し、この抜き出しためっき液を上
記めっき槽の底面と多孔板との間に連続的に供給し、こ
のめっき液を上記多孔体の小孔を通して多孔板上方に返
送するめっき液連続循環を行うと共に、このめっき液連
続循環速度を５〜５０ｃｍ／分の面速度とする。
めっき皮膜を形成できる無電解錫又は錫合金めっき方法
を提供する。 【構成】 無電解錫又は錫合金めっき液中に被めっき物
を浸漬し、この被めっき物表面に無電解錫又は錫合金め
っき皮膜を形成するに際し、上記無電解錫又は錫合金め
っき液が収容されるめっき槽内の下部に上記被めっき物
の下方に存して多孔板を配設し、上記めっき液をめっき
槽から連続的に抜き出し、この抜き出しためっき液を上
記めっき槽の底面と多孔板との間に連続的に供給し、こ
のめっき液を上記多孔体の小孔を通して多孔板上方に返
送するめっき液連続循環を行うと共に、このめっき液連
続循環速度を５〜５０ｃｍ／分の面速度とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無電解錫又は錫合金め
っき皮膜の均一性の向上を可能とした無電解錫又は錫合
金めっき方法に関する。
っき皮膜の均一性の向上を可能とした無電解錫又は錫合
金めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、ＳＭＴ対応のファインピッチプリント配線基板やＴ
ＡＢなどの小物部品に無電解錫めっき液や無電解錫−鉛
合金めっき液を用いて無電解錫又は錫−鉛合金めっきを
施すことが行われているが、最近では得られるめっき皮
膜に対し、膜厚や錫−鉛合金めっきなどではその合金組
成を可及的に均一化することの要求が一般と厳しくなっ
ている。
り、ＳＭＴ対応のファインピッチプリント配線基板やＴ
ＡＢなどの小物部品に無電解錫めっき液や無電解錫−鉛
合金めっき液を用いて無電解錫又は錫−鉛合金めっきを
施すことが行われているが、最近では得られるめっき皮
膜に対し、膜厚や錫−鉛合金めっきなどではその合金組
成を可及的に均一化することの要求が一般と厳しくなっ
ている。
【０００３】即ち、無電解錫又は錫合金めっき法は、電
気めっき法に比べ、被めっき物表面に電流分布の濃淡が
生じないため比較的均一なめっき皮膜が得られるもので
あるが、それでもなお被めっき物表面において膜厚や合
金組成にばらつきが生じるものであり、このようなばら
つきを可及的になくすことが要望されている。
気めっき法に比べ、被めっき物表面に電流分布の濃淡が
生じないため比較的均一なめっき皮膜が得られるもので
あるが、それでもなお被めっき物表面において膜厚や合
金組成にばらつきが生じるものであり、このようなばら
つきを可及的になくすことが要望されている。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
膜厚や合金組成のばらつきが少なく、均一な無電解錫又
は錫−鉛合金めっき皮膜を得ることができる無電解錫又
は錫合金めっき方法を提供することを目的とする。
膜厚や合金組成のばらつきが少なく、均一な無電解錫又
は錫−鉛合金めっき皮膜を得ることができる無電解錫又
は錫合金めっき方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、無電解錫
又は錫合金めっきを行う場合に、めっき液の撹拌がめっ
き皮膜の均一性に大きな影響を与え、無電解錫又は錫合
金めっき法においては、無電解錫又は錫合金めっき液が
収容されるめっき槽内の下部に上記被めっき物の下方に
存して多孔板を配設し、上記めっき液をめっき槽から連
続的に抜き出し、この抜き出しためっき液を上記めっき
槽の底面と多孔板との間に連続的に供給し、このめっき
液を上記多孔体の小孔を通して多孔板上方に返送するめ
っき液連続循環を行うと共に、このめっき液連続循環速
度を５〜５０ｃｍ／分の面速度とすること、この際、よ
り好ましくはロッキングによる被めっき物の撹拌を併用
することにより、膜厚や合金組成にばらつきのない均一
なめっき皮膜が得られることを知見した。
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、無電解錫
又は錫合金めっきを行う場合に、めっき液の撹拌がめっ
き皮膜の均一性に大きな影響を与え、無電解錫又は錫合
金めっき法においては、無電解錫又は錫合金めっき液が
収容されるめっき槽内の下部に上記被めっき物の下方に
存して多孔板を配設し、上記めっき液をめっき槽から連
続的に抜き出し、この抜き出しためっき液を上記めっき
槽の底面と多孔板との間に連続的に供給し、このめっき
液を上記多孔体の小孔を通して多孔板上方に返送するめ
っき液連続循環を行うと共に、このめっき液連続循環速
度を５〜５０ｃｍ／分の面速度とすること、この際、よ
り好ましくはロッキングによる被めっき物の撹拌を併用
することにより、膜厚や合金組成にばらつきのない均一
なめっき皮膜が得られることを知見した。
【０００６】この場合、上記のような多孔板を用いず、
単にめっき液を循環撹拌するだけでは十分均一なめっき
皮膜が得られず、めっき液を多孔板の小孔を通して返送
すること、しかもめっき液の循環速度を面速度として５
〜５０ｃｍ／分にコントロールすることにより、プリン
ト配線基板へのめっきにおいて要求される厳しいめっき
皮膜均一性の課題に応え得ることを見い出し、本発明を
なすに至ったものである。
単にめっき液を循環撹拌するだけでは十分均一なめっき
皮膜が得られず、めっき液を多孔板の小孔を通して返送
すること、しかもめっき液の循環速度を面速度として５
〜５０ｃｍ／分にコントロールすることにより、プリン
ト配線基板へのめっきにおいて要求される厳しいめっき
皮膜均一性の課題に応え得ることを見い出し、本発明を
なすに至ったものである。
【０００７】以下、本発明につき図面を参照して更に詳
しく説明する。本発明で用いる無電解錫・鉛合金めっき
浴は、可溶性の第一錫塩又は第一錫塩と鉛塩とを含む
が、この場合めっき浴中に第一錫イオン（２価の錫イオ
ン）を供給する錫源としては、特に制限はなく種々選択
し得、例えば酸化錫、塩化錫、硫酸錫、有機スルホン酸
錫、有機カルボン酸錫、ホウフッ化錫等を挙げることが
できる。なお、めっき浴中の第一錫イオン量は０．５〜
５０ｇ／Ｌ、特に１〜２０ｇ／Ｌとすることが好まし
い。
しく説明する。本発明で用いる無電解錫・鉛合金めっき
浴は、可溶性の第一錫塩又は第一錫塩と鉛塩とを含む
が、この場合めっき浴中に第一錫イオン（２価の錫イオ
ン）を供給する錫源としては、特に制限はなく種々選択
し得、例えば酸化錫、塩化錫、硫酸錫、有機スルホン酸
錫、有機カルボン酸錫、ホウフッ化錫等を挙げることが
できる。なお、めっき浴中の第一錫イオン量は０．５〜
５０ｇ／Ｌ、特に１〜２０ｇ／Ｌとすることが好まし
い。
【０００８】また、錫・鉛合金めっき浴とする場合の鉛
イオン源としては、塩化鉛、硫酸鉛、有機スルホン酸
鉛、ホウフッ化鉛、酸化鉛等を用いることができる。こ
れらの鉛イオンの量は合金比率等に応じて適宜選定され
るが、通常は０．５〜５０ｇ／Ｌ、特に０．５〜１０ｇ
／Ｌ程度とすることができる。
イオン源としては、塩化鉛、硫酸鉛、有機スルホン酸
鉛、ホウフッ化鉛、酸化鉛等を用いることができる。こ
れらの鉛イオンの量は合金比率等に応じて適宜選定され
るが、通常は０．５〜５０ｇ／Ｌ、特に０．５〜１０ｇ
／Ｌ程度とすることができる。
【０００９】これら金属塩を溶解する酸成分としては、
有機スルホン酸、過塩素酸、ホウフッ酸、リン酸、ピロ
リン酸，ポリリン酸等の縮合リン酸、塩酸などが挙げら
れ、これらの１種又は２種以上を使用することができ
る。これらのうち有機スルホン酸としては、アルカンス
ルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、ナフタレンスルホン酸やこれらの水素原子の
一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシ
ル基、ニトロ基、メルカプト基、アミノ基、スルホン酸
基などで置換されたものが使用され、より具体的には、
本発明に好適に使用し得る有機スルホン酸として、メタ
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン
酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−
ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパ
ンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、２−ヒ
ドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシペン
タンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ酢酸、
２−又は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロ
ベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル
酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、ｐ−フェノールスル
ホン酸などを挙げることができる。なお、これら酸の使
用量は、特に制限されないが、５０〜２５０ｇ／Ｌ、特
に１００〜２００ｇ／Ｌとすることが好ましく、また酸
と金属イオンとの割合は重量比として１：１〜１：２
０、特に１：３〜１：１０とすることが好ましい。
有機スルホン酸、過塩素酸、ホウフッ酸、リン酸、ピロ
リン酸，ポリリン酸等の縮合リン酸、塩酸などが挙げら
れ、これらの１種又は２種以上を使用することができ
る。これらのうち有機スルホン酸としては、アルカンス
ルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、ナフタレンスルホン酸やこれらの水素原子の
一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシ
ル基、ニトロ基、メルカプト基、アミノ基、スルホン酸
基などで置換されたものが使用され、より具体的には、
本発明に好適に使用し得る有機スルホン酸として、メタ
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン
酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−
ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパ
ンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、２−ヒ
ドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシペン
タンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ酢酸、
２−又は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロ
ベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル
酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、ｐ−フェノールスル
ホン酸などを挙げることができる。なお、これら酸の使
用量は、特に制限されないが、５０〜２５０ｇ／Ｌ、特
に１００〜２００ｇ／Ｌとすることが好ましく、また酸
と金属イオンとの割合は重量比として１：１〜１：２
０、特に１：３〜１：１０とすることが好ましい。
【００１０】本発明のめっき浴にはチオ尿素又はその誘
導体を配合することができる。このチオ尿素又はチオ尿
素誘導体の配合量は特に制限されるものではないが、通
常めっき浴１リットル当り５０〜２００ｇ、特に５０〜
１５０ｇ程度とすることが好ましい。なお、チオ尿素誘
導体としては、チオホルムアミド，チオアセトアミド等
のチオアミド類が挙げられる。更に、このチオ尿素又は
チオ尿素誘導体と共に酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、Ｅ
ＤＴＡなどを錯化剤として併用することもできる。
導体を配合することができる。このチオ尿素又はチオ尿
素誘導体の配合量は特に制限されるものではないが、通
常めっき浴１リットル当り５０〜２００ｇ、特に５０〜
１５０ｇ程度とすることが好ましい。なお、チオ尿素誘
導体としては、チオホルムアミド，チオアセトアミド等
のチオアミド類が挙げられる。更に、このチオ尿素又は
チオ尿素誘導体と共に酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、Ｅ
ＤＴＡなどを錯化剤として併用することもできる。
【００１１】また、本発明めっき浴には還元剤が配合さ
れ得るが、この還元剤としては、次亜リン酸や次亜リン
酸ナトリウム，次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩な
どが好適に使用される。この還元剤の配合量は、通常量
とすることができ、具体的には３０〜３００ｇ／Ｌ、特
に５０〜２００ｇ／Ｌ程度とすることが好ましい。
れ得るが、この還元剤としては、次亜リン酸や次亜リン
酸ナトリウム，次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩な
どが好適に使用される。この還元剤の配合量は、通常量
とすることができ、具体的には３０〜３００ｇ／Ｌ、特
に５０〜２００ｇ／Ｌ程度とすることが好ましい。
【００１２】なお、上記各成分からなる錫又は錫・鉛合
金めっき浴は酸性とされ、特にｐＨ０〜３であることが
好ましい。また、上記成分の他、通常使用される界面活
性剤等の添加剤を通常量添加することができる。
金めっき浴は酸性とされ、特にｐＨ０〜３であることが
好ましい。また、上記成分の他、通常使用される界面活
性剤等の添加剤を通常量添加することができる。
【００１３】上記めっき浴を用いて無電解錫又は錫・鉛
合金めっきを行う場合は、このめっき浴に銅又は銅合金
等の被めっき物を浸漬することにより行われる。特に、
本発明のめっき方法は、プリント配線板等の電子部品の
めっきに好適に使用されるものであるが、その他の銅、
銅合金などの無電解めっきにも好適に使用し得るもので
ある。
合金めっきを行う場合は、このめっき浴に銅又は銅合金
等の被めっき物を浸漬することにより行われる。特に、
本発明のめっき方法は、プリント配線板等の電子部品の
めっきに好適に使用されるものであるが、その他の銅、
銅合金などの無電解めっきにも好適に使用し得るもので
ある。
【００１４】本発明のめっき方法は、上記のように無電
解錫又は錫合金めっき液を用いて被めっき物の銅又は銅
合金部分上にめっき皮膜を形成するものであるが、この
場合、無電解錫又は錫合金めっき液が収容されるめっき
槽内の下部に上記被めっき物の下方に存して多孔板を配
設し、上記めっき液をめっき槽から連続的に抜き出し、
この抜き出しためっき液を上記めっき槽の底面と多孔板
との間に連続的に供給し、このめっき液を上記多孔体の
小孔を通して多孔板上方に返送するめっき液連続循環を
行うと共に、このめっき液連続循環速度を５〜５０ｃｍ
／分の面速度としたものである。
解錫又は錫合金めっき液を用いて被めっき物の銅又は銅
合金部分上にめっき皮膜を形成するものであるが、この
場合、無電解錫又は錫合金めっき液が収容されるめっき
槽内の下部に上記被めっき物の下方に存して多孔板を配
設し、上記めっき液をめっき槽から連続的に抜き出し、
この抜き出しためっき液を上記めっき槽の底面と多孔板
との間に連続的に供給し、このめっき液を上記多孔体の
小孔を通して多孔板上方に返送するめっき液連続循環を
行うと共に、このめっき液連続循環速度を５〜５０ｃｍ
／分の面速度としたものである。
【００１５】ここで、このような方法にてめっきを行う
場合に用いる装置としては、図面に示すような装置が好
適に用いられる。
場合に用いる装置としては、図面に示すような装置が好
適に用いられる。
【００１６】即ち、図中１は、無電解錫又は錫合金めっ
き液２が収容されるめっき槽で、このめっき槽１の一側
部にはめっき液２がオーバーフロー可能な仕切板３が立
設され、上記めっき槽１をめっき部１ａとオーバーフロ
ー部１ｂとに区画している。
き液２が収容されるめっき槽で、このめっき槽１の一側
部にはめっき液２がオーバーフロー可能な仕切板３が立
設され、上記めっき槽１をめっき部１ａとオーバーフロ
ー部１ｂとに区画している。
【００１７】４は、上記めっき槽１のめっき部１ａにそ
の内底面と所定間隔離間して配設された多孔板であり、
この多孔板には、直径１〜５ｍｍ、より好ましくは２〜
４ｍｍの小孔５がピッチ５〜３０ｍｍ、より好ましくは
７〜１５ｍｍにおいて形成されている。この場合、多孔
板４は、図２に示したように、このような小孔５が形成
されたプレート４ａ，４ａを２枚又はそれ以上、互にそ
の小孔５をずらした状態で所定間隔離間（好ましくは５
〜５０ｍｍ）して設け、めっき液が小孔５を通過する時
に直線状に流れないようにしたものを使用することが、
均一なめっき皮膜を得る点から好適である。
の内底面と所定間隔離間して配設された多孔板であり、
この多孔板には、直径１〜５ｍｍ、より好ましくは２〜
４ｍｍの小孔５がピッチ５〜３０ｍｍ、より好ましくは
７〜１５ｍｍにおいて形成されている。この場合、多孔
板４は、図２に示したように、このような小孔５が形成
されたプレート４ａ，４ａを２枚又はそれ以上、互にそ
の小孔５をずらした状態で所定間隔離間（好ましくは５
〜５０ｍｍ）して設け、めっき液が小孔５を通過する時
に直線状に流れないようにしたものを使用することが、
均一なめっき皮膜を得る点から好適である。
【００１８】また、６は、循環ポンプ７、フィルター
８、流量計９がそれぞれ介装されためっき液循環パイプ
で、このパイプ６の一端はめっき槽１のオーバーフロー
部１ｂの下部に連結されていると共に、他端側部分（噴
出部）６ａはめっき槽１のめっき部１ａ内底面と上記多
孔板４との間に挿入されている。このパイプ６の他端側
部分（噴出部）６ａには、図２に示したように、該噴出
部６ａの下部両側に複数列（図では２列）に亘って多数
の噴出孔１０，１０がそれぞれ互に所定間隔離間して形
成され、めっき液がこれら噴出孔１０，１０よりまずめ
っき槽底面１ｃに向かって噴出されるように構成されて
いる。なお、噴出孔１０の直径は１〜５ｍｍ、噴出孔１
０のピッチは２〜５０ｍｍとすることが好ましい。
８、流量計９がそれぞれ介装されためっき液循環パイプ
で、このパイプ６の一端はめっき槽１のオーバーフロー
部１ｂの下部に連結されていると共に、他端側部分（噴
出部）６ａはめっき槽１のめっき部１ａ内底面と上記多
孔板４との間に挿入されている。このパイプ６の他端側
部分（噴出部）６ａには、図２に示したように、該噴出
部６ａの下部両側に複数列（図では２列）に亘って多数
の噴出孔１０，１０がそれぞれ互に所定間隔離間して形
成され、めっき液がこれら噴出孔１０，１０よりまずめ
っき槽底面１ｃに向かって噴出されるように構成されて
いる。なお、噴出孔１０の直径は１〜５ｍｍ、噴出孔１
０のピッチは２〜５０ｍｍとすることが好ましい。
【００１９】更に、１１はロッキング装置で、このロッ
キング装置１１は、被めっき物１２が支持されるラック
１３を吊下するブスバー１４を往復動させることによ
り、被めっき物１２を往復動（ロッキング）させるもの
である。この場合、ロッキング速度は５０〜３００ｍ／
分であることが好ましい。
キング装置１１は、被めっき物１２が支持されるラック
１３を吊下するブスバー１４を往復動させることによ
り、被めっき物１２を往復動（ロッキング）させるもの
である。この場合、ロッキング速度は５０〜３００ｍ／
分であることが好ましい。
【００２０】なお、図中１５はめっき槽１のオーバーフ
ロー部１ｂ内に挿入されたヒーター、１６は温度センサ
ー、１７はこれらヒーター１５と温度センサー１６がそ
れぞれ接続された温度調節器である。
ロー部１ｂ内に挿入されたヒーター、１６は温度センサ
ー、１７はこれらヒーター１５と温度センサー１６がそ
れぞれ接続された温度調節器である。
【００２１】図面に示す如き装置を用いて無電解錫又は
錫合金めっきを行う場合は、めっき槽１のめっき部１ａ
から仕切板２をオーバーフローしてオーバーフロー部１
ｂに流入しためっき液２を循環ポンプ７の作動で循環パ
イプ６を通してその他端側部分の噴出部６ａの噴出孔１
０，１０より噴出させ、この噴出しためっき液２を多孔
板４の小孔５を通してめっき槽１のめっき部１ａに返送
するというめっき液の連続循環を行うと共に、ロッキン
グ装置１１を作動させ、被めっき物１２をロッキングさ
せながら、被めっき物１２をめっきするものである。
錫合金めっきを行う場合は、めっき槽１のめっき部１ａ
から仕切板２をオーバーフローしてオーバーフロー部１
ｂに流入しためっき液２を循環ポンプ７の作動で循環パ
イプ６を通してその他端側部分の噴出部６ａの噴出孔１
０，１０より噴出させ、この噴出しためっき液２を多孔
板４の小孔５を通してめっき槽１のめっき部１ａに返送
するというめっき液の連続循環を行うと共に、ロッキン
グ装置１１を作動させ、被めっき物１２をロッキングさ
せながら、被めっき物１２をめっきするものである。
【００２２】この場合、めっき液２は、多孔板４を通し
てめっき部１ａに返送されるため、流れが均一となり、
めっき液の撹拌が均一となって、めっき部１ａにおいて
液流動に不均一部分が生じることはない。また、上記の
ようにめっき部１ａのめっき液２をオーバーフローさ
せ、オーバーフロー部１ｂのめっき液２を循環ポンプ７
で吸引し、抜き出す場合は、めっき部１ａのめっき液２
を直接循環ポンプで抜き出す場合に生じる抜き出し位置
付近における不均一な液流動を生じさせるおそれもな
く、またオーバーフローによるめっき液液面の流動は、
めっき部１ａにおける液流動を乱すことがないものであ
る。
てめっき部１ａに返送されるため、流れが均一となり、
めっき液の撹拌が均一となって、めっき部１ａにおいて
液流動に不均一部分が生じることはない。また、上記の
ようにめっき部１ａのめっき液２をオーバーフローさ
せ、オーバーフロー部１ｂのめっき液２を循環ポンプ７
で吸引し、抜き出す場合は、めっき部１ａのめっき液２
を直接循環ポンプで抜き出す場合に生じる抜き出し位置
付近における不均一な液流動を生じさせるおそれもな
く、またオーバーフローによるめっき液液面の流動は、
めっき部１ａにおける液流動を乱すことがないものであ
る。
【００２３】このため、被めっき物１２は、その表面が
いずれの部分も均一にめっき液２に接触し、部分的にめ
っき液停滞が生じることもなく、析出皮膜が均一化され
るものである。この場合、めっき液２の循環速度は５〜
５０ｃｍ／分、より好ましくは１０〜３０ｃｍ／分の面
速度とすることが必要であり、循環速度が上記範囲外で
は皮膜の均一化が低下し、本発明の目的を達成し得な
い。
いずれの部分も均一にめっき液２に接触し、部分的にめ
っき液停滞が生じることもなく、析出皮膜が均一化され
るものである。この場合、めっき液２の循環速度は５〜
５０ｃｍ／分、より好ましくは１０〜３０ｃｍ／分の面
速度とすることが必要であり、循環速度が上記範囲外で
は皮膜の均一化が低下し、本発明の目的を達成し得な
い。
【００２４】また、上記のように被めっき物１２をロッ
キングすることにより、更に析出皮膜の均一化が向上す
る。この場合、ロッキング速度は、上述したように５０
〜３００ｍ／分とすることが好ましく、ロッキング速度
が小さいとロッキングの効果が十分発揮されず、ロッキ
ング速度が大きすぎるとかえってめっき皮膜の均一性が
阻害される。ここで、ロッキングに際しては、めっきが
施される部分がロッキングの往復動方向と直角方向に対
面するように被めっき物１２を配置することが、析出皮
膜の均一化の点から推奨される。
キングすることにより、更に析出皮膜の均一化が向上す
る。この場合、ロッキング速度は、上述したように５０
〜３００ｍ／分とすることが好ましく、ロッキング速度
が小さいとロッキングの効果が十分発揮されず、ロッキ
ング速度が大きすぎるとかえってめっき皮膜の均一性が
阻害される。ここで、ロッキングに際しては、めっきが
施される部分がロッキングの往復動方向と直角方向に対
面するように被めっき物１２を配置することが、析出皮
膜の均一化の点から推奨される。
【００２５】なお、めっき温度、その他のめっき条件
は、めっき液組成等により相違するが、通常めっき温度
は５０〜８０℃である。
は、めっき液組成等により相違するが、通常めっき温度
は５０〜８０℃である。
【００２６】
【発明の効果】本発明の無電解錫又は錫合金めっき方法
によれば、膜厚や合金組成のばらつきが小さい均一な錫
又は錫合金めっき皮膜を形成することができる。
によれば、膜厚や合金組成のばらつきが小さい均一な錫
又は錫合金めっき皮膜を形成することができる。
【００２７】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２８】〔実施例、比較例〕下記組成の無電解半田
めっき液Ｎｏ．１及びＮｏ．２を調製し、図面に示す如
き装置を用いて下記条件で５００×６００ｍｍサイズの
ＳＭＴプリント配線基板の銅配線部に無電解半田めっき
を施した。めっき液Ｎｏ．１ メタンスルフォン酸 ３０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸アンモニウム塩 ２０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸第一錫 ２０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸鉛 １３ｇ／Ｌ チオ尿素 ７５ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ８０ｇ／Ｌ クエン酸 １５ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ３ｇ／Ｌ ｐＨ ２．０めっき液Ｎｏ．２ ホウフッ化第一錫 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化鉛 １０ｇ／Ｌ ホウフッ酸 ２００ｇ／Ｌ チオ尿素 ５０ｇ／Ｌ 次亜リン酸アンモニウム塩 ３０ｇ／Ｌ 次亜リン酸 １５０ｇ／Ｌ ｐＨ ０．９ めっき条件 めっき温度 ７０℃ めっき槽浴量 １００Ｌ 液循環量（面速度） ２０ｃｍ／ｍｉｎ． （液循環量を３００Ｌ／Ｈｒ） ロッキング ２００ｃｍ／ｍｉｎ． （基板に面して前後にロッキングする） めっき時間 １０ｍｉｎ． 多孔板の構造 直径３ｍｍの小孔が孔ピッチ７ｍｍの間隔で形成された
２枚のプレートを１５ｍｍ離間させて図２に示すように
配設した。 循環パイプの噴出部の構造 噴出部の下部両側にそれぞれ直径３ｍｍの噴出孔をピッ
チ２０ｍｍの間隔で形成した。
めっき液Ｎｏ．１及びＮｏ．２を調製し、図面に示す如
き装置を用いて下記条件で５００×６００ｍｍサイズの
ＳＭＴプリント配線基板の銅配線部に無電解半田めっき
を施した。めっき液Ｎｏ．１ メタンスルフォン酸 ３０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸アンモニウム塩 ２０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸第一錫 ２０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸鉛 １３ｇ／Ｌ チオ尿素 ７５ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ８０ｇ／Ｌ クエン酸 １５ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ３ｇ／Ｌ ｐＨ ２．０めっき液Ｎｏ．２ ホウフッ化第一錫 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化鉛 １０ｇ／Ｌ ホウフッ酸 ２００ｇ／Ｌ チオ尿素 ５０ｇ／Ｌ 次亜リン酸アンモニウム塩 ３０ｇ／Ｌ 次亜リン酸 １５０ｇ／Ｌ ｐＨ ０．９ めっき条件 めっき温度 ７０℃ めっき槽浴量 １００Ｌ 液循環量（面速度） ２０ｃｍ／ｍｉｎ． （液循環量を３００Ｌ／Ｈｒ） ロッキング ２００ｃｍ／ｍｉｎ． （基板に面して前後にロッキングする） めっき時間 １０ｍｉｎ． 多孔板の構造 直径３ｍｍの小孔が孔ピッチ７ｍｍの間隔で形成された
２枚のプレートを１５ｍｍ離間させて図２に示すように
配設した。 循環パイプの噴出部の構造 噴出部の下部両側にそれぞれ直径３ｍｍの噴出孔をピッ
チ２０ｍｍの間隔で形成した。
【００２９】比較のため、上記めっき液Ｎｏ．１及びＮ
ｏ．２のめっき液を使用し、上記のように多孔板を通し
た液循環を行わず、多孔板を配設しない以外は図面と同
様の装置を使用し、液循環量３００Ｌ／Ｈｒで連続液循
環を行って同様のプリント配線基板に無電解半田めっき
を施した。
ｏ．２のめっき液を使用し、上記のように多孔板を通し
た液循環を行わず、多孔板を配設しない以外は図面と同
様の装置を使用し、液循環量３００Ｌ／Ｈｒで連続液循
環を行って同様のプリント配線基板に無電解半田めっき
を施した。
【００３０】次に、得られためっき皮膜について、テス
ト基板における面内での膜厚及び合金組成のばらつきを
調べた。結果を表１に示す。
ト基板における面内での膜厚及び合金組成のばらつきを
調べた。結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】 変動率（％）＝（標準偏差値／平均値）×１００ ばらつき（Ｓｎ％）＝最大値−最小値
【図１】本発明の実施に用いるめっき装置の一例を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】同装置のめっき部底面部における拡大断面図で
ある。
ある。
１ めっき槽 １ａ めっき部 １ｂ オーバーフロー部 ２ めっき液 ４ 多孔板 ５ 小孔 ６ 循環パイプ ６ａ 噴出部 １０ 噴出孔 １１ ロッキング装置 １２ 被めっき物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀田 輝幸 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 上玉利 徹 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 無電解錫又は錫合金めっき液中に被めっ
き物を浸漬し、この被めっき物表面に無電解錫又は錫合
金めっき皮膜を形成するに際し、上記無電解錫又は錫合
金めっき液が収容されるめっき槽内の下部に上記被めっ
き物の下方に存して多孔板を配設し、上記めっき液をめ
っき槽から連続的に抜き出し、この抜き出しためっき液
を上記めっき槽の底面と多孔板との間に連続的に供給
し、このめっき液を上記多孔体の小孔を通して多孔板上
方に返送するめっき液連続循環を行うと共に、このめっ
き液連続循環速度を５〜５０ｃｍ／分の面速度としたこ
とを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254141A JP2757708B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 無電解錫・鉛合金めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254141A JP2757708B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 無電解錫・鉛合金めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681156A true JPH0681156A (ja) | 1994-03-22 |
| JP2757708B2 JP2757708B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=17260793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4254141A Expired - Fee Related JP2757708B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 無電解錫・鉛合金めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757708B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017128439B3 (de) * | 2017-11-30 | 2019-05-02 | AP&S International GmbH | Vorrichtung zur stromlosen Metallisierung einer Zieloberfläche wenigstens eines Werkstücks |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62290876A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置 |
| JPH0368780A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-25 | Tokyo Kagaku Sochi Kk | 無電解ニッケルめっき方法 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4254141A patent/JP2757708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62290876A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置 |
| JPH0368780A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-25 | Tokyo Kagaku Sochi Kk | 無電解ニッケルめっき方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017128439B3 (de) * | 2017-11-30 | 2019-05-02 | AP&S International GmbH | Vorrichtung zur stromlosen Metallisierung einer Zieloberfläche wenigstens eines Werkstücks |
| US11566329B2 (en) | 2017-11-30 | 2023-01-31 | Ap & S International Gmbh | Device for electroless metallization of a target surface of at least one workpiece |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2757708B2 (ja) | 1998-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |