JP3091582B2 - 無電解めっき方法及び装置 - Google Patents
無電解めっき方法及び装置Info
- Publication number
- JP3091582B2 JP3091582B2 JP04271039A JP27103992A JP3091582B2 JP 3091582 B2 JP3091582 B2 JP 3091582B2 JP 04271039 A JP04271039 A JP 04271039A JP 27103992 A JP27103992 A JP 27103992A JP 3091582 B2 JP3091582 B2 JP 3091582B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plating solution
- printed circuit
- tank
- overflow weir
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプリント基板上にめっき
を施すための無電解めっき方法及び装置に係り、特に、
プリント基板の上面と下面の回路の間にあけられた小孔
（スルーホール）を銅めっきで導通させるスルーホール
めっきに最適な無電解めっき方法及び装置に関する。
を施すための無電解めっき方法及び装置に係り、特に、
プリント基板の上面と下面の回路の間にあけられた小孔
（スルーホール）を銅めっきで導通させるスルーホール
めっきに最適な無電解めっき方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、無電解めっき法（化学めっき方
法）は、金属塩、還元剤、ｐＨ調整剤、錯化剤及び安定
剤等の成分を含むめっき液中に被めっき物を浸潰し、前
記金属塩のイオンを還元剤の作用によって被めっき物上
に析出させるようにしたものである。
法）は、金属塩、還元剤、ｐＨ調整剤、錯化剤及び安定
剤等の成分を含むめっき液中に被めっき物を浸潰し、前
記金属塩のイオンを還元剤の作用によって被めっき物上
に析出させるようにしたものである。
【０００３】この無電解めっき法は、電気めっき法に比
較して析出が均一に行われるので欠陥が少なく、硬度、
耐食性、耐摩耗性、磁気特性、ハンダ付け性等に優れて
いると共に、整流器等が不要である等の利点を有してい
るために、近年多くの分野で用いられるようになってき
ている。例えば、電子デバイス製造分野においては、ガ
ラス基板やセラミック基板上に形成された透明導電膜
（ＩＴＯ膜、酸化インジウム膜、酸化スズ膜等）上に金
めっきを施す場合の下地材等に利用されている。
較して析出が均一に行われるので欠陥が少なく、硬度、
耐食性、耐摩耗性、磁気特性、ハンダ付け性等に優れて
いると共に、整流器等が不要である等の利点を有してい
るために、近年多くの分野で用いられるようになってき
ている。例えば、電子デバイス製造分野においては、ガ
ラス基板やセラミック基板上に形成された透明導電膜
（ＩＴＯ膜、酸化インジウム膜、酸化スズ膜等）上に金
めっきを施す場合の下地材等に利用されている。
【０００４】ところで、無電解銅めっき法（化学銅めっ
き方法）は、プラスチックの下地めっきとしても使われ
るが、無電解銅めっき法では小孔の内面に所定のめっき
層を形成できるので、現在ではプリント基板の製造に不
可欠なものとなっている。今後プリント配線板に高密度
化が要求された場合、多層化、小径化のいずれの手段を
用いても、板厚／孔径比、すなわちアスペクト比は従来
のプリント基板のアスペクト比に比べ２倍以上となる。
き方法）は、プラスチックの下地めっきとしても使われ
るが、無電解銅めっき法では小孔の内面に所定のめっき
層を形成できるので、現在ではプリント基板の製造に不
可欠なものとなっている。今後プリント配線板に高密度
化が要求された場合、多層化、小径化のいずれの手段を
用いても、板厚／孔径比、すなわちアスペクト比は従来
のプリント基板のアスペクト比に比べ２倍以上となる。
【０００５】そのため従来の無電解銅めっき法を用いた
場合には、スルーホール内へのめっきつきまわり性が極
端に低下してしまい、スルーホール内に均一なめっき層
を形成することが困難となる。
場合には、スルーホール内へのめっきつきまわり性が極
端に低下してしまい、スルーホール内に均一なめっき層
を形成することが困難となる。
【０００６】そこで、無電解銅めっき法を用いた場合に
おいて、スルーホール内に均一なめっき層を形成するこ
とを目的とした発明には、特開昭５９−１６１８９５号
公報、特開昭６３−８３２８２号公報、特開昭６３−３
１２９８３号公報、特開平１−２６３２７８号公報など
に開示されたものがある。
おいて、スルーホール内に均一なめっき層を形成するこ
とを目的とした発明には、特開昭５９−１６１８９５号
公報、特開昭６３−８３２８２号公報、特開昭６３−３
１２９８３号公報、特開平１−２６３２７８号公報など
に開示されたものがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開昭５９−１６１８９５号公報に開示された発明は、温
度および濃度が一定の無電解銅めっき液をめっき槽中の
基板に対して平行に流すことにより基板全面におけるめ
っき液の流速を均等にし、これにより基板全面における
めっき液の温度および濃度分布を平均化して、スルーホ
ール内のめっき槽を均一の厚さに形成しようとするもの
である。
開昭５９−１６１８９５号公報に開示された発明は、温
度および濃度が一定の無電解銅めっき液をめっき槽中の
基板に対して平行に流すことにより基板全面におけるめ
っき液の流速を均等にし、これにより基板全面における
めっき液の温度および濃度分布を平均化して、スルーホ
ール内のめっき槽を均一の厚さに形成しようとするもの
である。
【０００８】また、特開昭６３−８３２８２号公報に開
示された発明は、酸化銅添加により硫酸ナトリウムが化
学銅めっき液中に蓄積するのを防止し、めっき液の寿命
延長を可能ならしめる銅イオン補給方法を確立し、併せ
て槽壁への銅異常析出や液の分解を防止する円滑な銅イ
オン補給方法である。
示された発明は、酸化銅添加により硫酸ナトリウムが化
学銅めっき液中に蓄積するのを防止し、めっき液の寿命
延長を可能ならしめる銅イオン補給方法を確立し、併せ
て槽壁への銅異常析出や液の分解を防止する円滑な銅イ
オン補給方法である。
【０００９】また、特開昭６３−３１２９８３号公報に
開示された発明は、微細回路を有するアディティブ法プ
リント配線板の無電解銅めっき法として、めっき液中に
気泡径０．５mm以下の酸素含有ガスを分散して、無電解
銅めっき槽内の溶存酸素濃度を局所的に均一かつ一定に
保ち、微細かつ高密の配線パターンのめっきを行う際の
めっき反応の停止やめっきの異常な析出を抑制しようと
するものである。
開示された発明は、微細回路を有するアディティブ法プ
リント配線板の無電解銅めっき法として、めっき液中に
気泡径０．５mm以下の酸素含有ガスを分散して、無電解
銅めっき槽内の溶存酸素濃度を局所的に均一かつ一定に
保ち、微細かつ高密の配線パターンのめっきを行う際の
めっき反応の停止やめっきの異常な析出を抑制しようと
するものである。
【００１０】また、特開平１−２６３２７８号公報に開
示された発明は、従来のめっき液にはめっき作業中、あ
るいは保存中に、わずかずつ分解反応が進行して１〜２
週間後にはめっき槽壁等への銅の析出が著しくなること
があるので、これらを防ぐために自己分解反応を抑制
し、安定性を向上せしめ、長期にわたって支障なく使用
することができ、しかもすぐれためっき皮膜を形成し得
る無電解銅めっき液を提供しようとするものである。
示された発明は、従来のめっき液にはめっき作業中、あ
るいは保存中に、わずかずつ分解反応が進行して１〜２
週間後にはめっき槽壁等への銅の析出が著しくなること
があるので、これらを防ぐために自己分解反応を抑制
し、安定性を向上せしめ、長期にわたって支障なく使用
することができ、しかもすぐれためっき皮膜を形成し得
る無電解銅めっき液を提供しようとするものである。
【００１１】しかしながら、上記公報に開示された発明
は、いずれも循環するめっき液の外部循環流量と内部循
環流量との割合やその流速については全く配慮されてい
なかったために、従来の無電解銅めっき法を用いた場合
には、めっき液の攪拌が均一になされずに、５μｍ／ｈ
ｒ程度の析出速度の場合でも膜厚が一様にならないし、
プリント基板のスルーホール内の液の流れが悪くハイア
スペスト比の基板では表面に比べスルーホール内の膜厚
が薄くなる欠点があり、まためっき液の循環が完全でな
いためにめっき槽内で液が滞留する部分が発生し、その
液が滞留する部分でめっき液中に生じる銅粉やごみなど
がプリント基板に付着して、その表面にざらつきが発生
するという問題があった。
は、いずれも循環するめっき液の外部循環流量と内部循
環流量との割合やその流速については全く配慮されてい
なかったために、従来の無電解銅めっき法を用いた場合
には、めっき液の攪拌が均一になされずに、５μｍ／ｈ
ｒ程度の析出速度の場合でも膜厚が一様にならないし、
プリント基板のスルーホール内の液の流れが悪くハイア
スペスト比の基板では表面に比べスルーホール内の膜厚
が薄くなる欠点があり、まためっき液の循環が完全でな
いためにめっき槽内で液が滞留する部分が発生し、その
液が滞留する部分でめっき液中に生じる銅粉やごみなど
がプリント基板に付着して、その表面にざらつきが発生
するという問題があった。
【００１２】そこで、本発明者らが無電解めっき槽内の
循環するめっき液を均一になるように外部循環流と内部
循環流を形成させ、その割合やその流速に着目して研究
を重ねた結果、それらの流量の割合やその流速を特定の
値にし、かつ気泡流を併用することによって、スルーホ
ール内に均一なめっき層が形成でき、さらにめっき液中
に生じる銅粉やごみなどがプリント基板に付着するのを
防止でき、表層回路の高密度化が可能となることが判っ
た。
循環するめっき液を均一になるように外部循環流と内部
循環流を形成させ、その割合やその流速に着目して研究
を重ねた結果、それらの流量の割合やその流速を特定の
値にし、かつ気泡流を併用することによって、スルーホ
ール内に均一なめっき層が形成でき、さらにめっき液中
に生じる銅粉やごみなどがプリント基板に付着するのを
防止でき、表層回路の高密度化が可能となることが判っ
た。
【００１３】本発明は上記知見に基づくものであり、無
電解めっき槽内の循環するめっき液の外部循環流量と内
部循環流量との割合やその流速を特定の値に保ち、かつ
気泡流を併用することによって、スルーホール内に均一
なめっき層が形成でき、かつ必要以上の厚さの銅めっき
層が基板表層に析出せずに均一なめっき層が形成でき、
その上にめっき液中に生じる銅粉やごみなどがプリント
基板に付着するのを防止できて、表層回路の高密度化が
可能となる無電解めっき方法及び装置を提供することを
目的としている。
電解めっき槽内の循環するめっき液の外部循環流量と内
部循環流量との割合やその流速を特定の値に保ち、かつ
気泡流を併用することによって、スルーホール内に均一
なめっき層が形成でき、かつ必要以上の厚さの銅めっき
層が基板表層に析出せずに均一なめっき層が形成でき、
その上にめっき液中に生じる銅粉やごみなどがプリント
基板に付着するのを防止できて、表層回路の高密度化が
可能となる無電解めっき方法及び装置を提供することを
目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、循環するめっき液中の金属イオンを還
元剤の作用により還元してプリント基板上に析出させる
ことにより該プリント基板上にめっきを施す無電解めっ
き方法において、無電解めっき槽内に懸架されて多数並
べられた前記プリント基板に対して該めっき槽内下方か
ら多数の微細気泡からなる気泡流を供給すると共に、前
記めっき槽に設けたオーバーフロー堰により前記めっき
液の外部循環量に対し内部循環量を５〜１０％に調整す
ることを特徴とした無電解めっき方法である。
達成するために、循環するめっき液中の金属イオンを還
元剤の作用により還元してプリント基板上に析出させる
ことにより該プリント基板上にめっきを施す無電解めっ
き方法において、無電解めっき槽内に懸架されて多数並
べられた前記プリント基板に対して該めっき槽内下方か
ら多数の微細気泡からなる気泡流を供給すると共に、前
記めっき槽に設けたオーバーフロー堰により前記めっき
液の外部循環量に対し内部循環量を５〜１０％に調整す
ることを特徴とした無電解めっき方法である。
【００１５】また、本発明は循環するめっき液中の金属
イオンを還元剤の作用により還元してプリント基板上に
析出させることにより該プリント基板上にめっきを施す
無電解めっき装置において、無電解めっき槽内に前記プ
リント基板を多数並べて懸架し、該プリント基板に対し
て前記めっき槽内下方から多数の微細気泡からなる気泡
流を供給する複数のエアレーションパイプを外部循環流
路から該めっき槽へ戻るめっき液供給口より上の位置に
設け、かつ該めっき槽の外部循環用オーバーフロー堰よ
り低い内部循環用オーバーフロー堰を設けたことを特徴
とする無電解めっき装置である。
イオンを還元剤の作用により還元してプリント基板上に
析出させることにより該プリント基板上にめっきを施す
無電解めっき装置において、無電解めっき槽内に前記プ
リント基板を多数並べて懸架し、該プリント基板に対し
て前記めっき槽内下方から多数の微細気泡からなる気泡
流を供給する複数のエアレーションパイプを外部循環流
路から該めっき槽へ戻るめっき液供給口より上の位置に
設け、かつ該めっき槽の外部循環用オーバーフロー堰よ
り低い内部循環用オーバーフロー堰を設けたことを特徴
とする無電解めっき装置である。
【００１６】
【作用】次に、本発明の作用について説明すると、めっ
き液の入った無電解めっき槽に外部循環用オーバーフロ
ー堰よりも低い内部循環用オーバーフロー堰を設け、一
方多数の微細気泡からなる気泡流を供給する複数のエア
レーションパイプをめっき液が清浄化されて外部循環流
路からめっき槽へ戻るめっき液供給口より上の位置に設
けてエアレーションを行ない、同時に槽内のめっき液を
ポンプ装置により循環させながら前記めっき液中にプリ
ント基板を多数並べて懸架する。そして、めっき液の循
環用ポンプ装置を調節して、めっき槽に設けた外部循環
用オーバーフロー堰を越えて外部循環流路へ流れるめっ
き液の量に対して、内部循環用オーバーフロー堰を越え
て内部循環流路内からめっき槽内へ戻るめっき液の量が
５〜１０％になるように調整する。この結果、めっき液
中に生じる銅粉やごみなどがプリント基板に付着せず、
またスルーホール内に均一なめっき層が形成さる。
き液の入った無電解めっき槽に外部循環用オーバーフロ
ー堰よりも低い内部循環用オーバーフロー堰を設け、一
方多数の微細気泡からなる気泡流を供給する複数のエア
レーションパイプをめっき液が清浄化されて外部循環流
路からめっき槽へ戻るめっき液供給口より上の位置に設
けてエアレーションを行ない、同時に槽内のめっき液を
ポンプ装置により循環させながら前記めっき液中にプリ
ント基板を多数並べて懸架する。そして、めっき液の循
環用ポンプ装置を調節して、めっき槽に設けた外部循環
用オーバーフロー堰を越えて外部循環流路へ流れるめっ
き液の量に対して、内部循環用オーバーフロー堰を越え
て内部循環流路内からめっき槽内へ戻るめっき液の量が
５〜１０％になるように調整する。この結果、めっき液
中に生じる銅粉やごみなどがプリント基板に付着せず、
またスルーホール内に均一なめっき層が形成さる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本実施例の縦断面図であり、図２は
その上面図である。本実施例はめっき液を満たした無電
解めっき槽１内に外部循環用オーバーフロー堰２を設
け、この外部循環用オーバーフロー堰２よりも低い内部
循環用オーバーフロー堰３をその内側に設け、外部循環
用オーバーフロー堰２を越えためっき液は、循環ポンプ
４に連通した外部循環流路５に導かれ、循環ポンプ４に
よってフィルター６を通った後、前記めっき槽１へ戻る
外部循環戻り流路７のめっき液供給口８からめっき槽の
底部に循環される。また内部循環用オーバーフロー堰３
と外部循環用オーバーフロー堰２との間で形成される内
部循環流路９に内部循環用オーバーフロー堰３を越えた
めっき液が流れ込む。
て説明する。図１は本実施例の縦断面図であり、図２は
その上面図である。本実施例はめっき液を満たした無電
解めっき槽１内に外部循環用オーバーフロー堰２を設
け、この外部循環用オーバーフロー堰２よりも低い内部
循環用オーバーフロー堰３をその内側に設け、外部循環
用オーバーフロー堰２を越えためっき液は、循環ポンプ
４に連通した外部循環流路５に導かれ、循環ポンプ４に
よってフィルター６を通った後、前記めっき槽１へ戻る
外部循環戻り流路７のめっき液供給口８からめっき槽の
底部に循環される。また内部循環用オーバーフロー堰３
と外部循環用オーバーフロー堰２との間で形成される内
部循環流路９に内部循環用オーバーフロー堰３を越えた
めっき液が流れ込む。
【００１８】また一方、図示しない圧縮機によって造ら
れた圧搾空気により多数の微細気泡からなる気泡流を発
生させるための複数のエアレーションパイプ１０を上記
めっき槽１の底部で、めっき液がめっき槽１へ戻る外部
循環戻り流路７のめっき液供給口８より上の位置に設け
る。なお、本実施例においては前記外部循環流路５と外
部循環戻り流路７とはそれぞれ３本ずつとしてある。
れた圧搾空気により多数の微細気泡からなる気泡流を発
生させるための複数のエアレーションパイプ１０を上記
めっき槽１の底部で、めっき液がめっき槽１へ戻る外部
循環戻り流路７のめっき液供給口８より上の位置に設け
る。なお、本実施例においては前記外部循環流路５と外
部循環戻り流路７とはそれぞれ３本ずつとしてある。
【００１９】次に、本実施例の効果を確かめるために行
った基礎実験について説明する。第１の実験は、内外循
環用オーバーフロー堰を設けた場合において、無電解め
っき槽１内のめっき液の流れを均一にするために無電解
めっき槽１内に設ける２つのオーバーフロー堰の高さに
関する相互関連性を調べた実験である。なお、この実験
には透明な実験槽を作成して観察した。図３は内外循環
用オーバーフロー堰２，３の高さを等しくした場合のめ
っき液の流れの状況を示しており、無電解めっき槽１内
のめっき液の流れは良いが、液面が２つのオーバーフロ
ー堰２，３の間で段ができ、無電解めっき中にめっき槽
内に生じる銅粉やごみなどの排出にはやや問題がある。
った基礎実験について説明する。第１の実験は、内外循
環用オーバーフロー堰を設けた場合において、無電解め
っき槽１内のめっき液の流れを均一にするために無電解
めっき槽１内に設ける２つのオーバーフロー堰の高さに
関する相互関連性を調べた実験である。なお、この実験
には透明な実験槽を作成して観察した。図３は内外循環
用オーバーフロー堰２，３の高さを等しくした場合のめ
っき液の流れの状況を示しており、無電解めっき槽１内
のめっき液の流れは良いが、液面が２つのオーバーフロ
ー堰２，３の間で段ができ、無電解めっき中にめっき槽
内に生じる銅粉やごみなどの排出にはやや問題がある。
【００２０】図４は内循環用オーバーフロー堰３を外循
環用オーバーフロー堰２より高くした場合のめっき液の
流れの状況を示しており、この場合には液面が２つのオ
ーバーフロー堰２，３の間で段ができ、しかも内部循環
流路９内に逆流が発生したために無電解めっき槽１内の
めっき液の流れに停滞や逆流が発生し、無電解めっきに
は適さないことが判った。
環用オーバーフロー堰２より高くした場合のめっき液の
流れの状況を示しており、この場合には液面が２つのオ
ーバーフロー堰２，３の間で段ができ、しかも内部循環
流路９内に逆流が発生したために無電解めっき槽１内の
めっき液の流れに停滞や逆流が発生し、無電解めっきに
は適さないことが判った。
【００２１】図５は内循環用オーバーフロー堰３を外循
環用オーバーフロー堰２より低くした場合のめっき液の
流れの状況を示しており、この場合には液面が平らに形
成され、無電解めっき槽１内のめっき液の流れが良好
で、めっき液の流れに停滞や逆流が発生しにくいことが
判った。この場合には液面が平らで２つのオーバーフロ
ー堰２，３の間にも段ができないため、無電解めっき中
にめっき槽内に生じる銅粉やごみなどの排出も良好であ
った。
環用オーバーフロー堰２より低くした場合のめっき液の
流れの状況を示しており、この場合には液面が平らに形
成され、無電解めっき槽１内のめっき液の流れが良好
で、めっき液の流れに停滞や逆流が発生しにくいことが
判った。この場合には液面が平らで２つのオーバーフロ
ー堰２，３の間にも段ができないため、無電解めっき中
にめっき槽内に生じる銅粉やごみなどの排出も良好であ
った。
【００２２】第２の実験は、内外循環用オーバーフロー
堰を設けた場合に無電解めっき槽１内に設けるエアレー
ションパイプの位置についての実験であり、外部循環戻
り流路７のめっき液供給口８に対するエアレーションパ
イプ１０の位置に関する相互関連性を調べた実験であ
る。図６は戻り流路７のめっき液供給口８に対してエア
レーションパイプ１０を低く設けた場合のめっき液の流
れの状況を示しており、この場合にはめっき槽１に供給
されためっき液はエアレーションパイプ１０からのエア
レーションの上昇力が強すぎてめっき槽１の奥まで届か
ないために、槽１内のめっき液の流れは均一にならない
ことが判った。
堰を設けた場合に無電解めっき槽１内に設けるエアレー
ションパイプの位置についての実験であり、外部循環戻
り流路７のめっき液供給口８に対するエアレーションパ
イプ１０の位置に関する相互関連性を調べた実験であ
る。図６は戻り流路７のめっき液供給口８に対してエア
レーションパイプ１０を低く設けた場合のめっき液の流
れの状況を示しており、この場合にはめっき槽１に供給
されためっき液はエアレーションパイプ１０からのエア
レーションの上昇力が強すぎてめっき槽１の奥まで届か
ないために、槽１内のめっき液の流れは均一にならない
ことが判った。
【００２３】図７は戻り流路７のめっき液供給口８とエ
アレーションパイプ１０とを同じ高さに設けた場合のめ
っき液の流れの状況を示しており、この場合にもめっき
槽１に供給されためっき液はエアレーションパイプ１０
からのエアレーションの上昇力が強すぎてめっき槽１の
奥まで届かないために、槽１内のめっき液の流れは均一
にならないことが判った。
アレーションパイプ１０とを同じ高さに設けた場合のめ
っき液の流れの状況を示しており、この場合にもめっき
槽１に供給されためっき液はエアレーションパイプ１０
からのエアレーションの上昇力が強すぎてめっき槽１の
奥まで届かないために、槽１内のめっき液の流れは均一
にならないことが判った。
【００２４】図８は戻り流路７のめっき液供給口８に対
してエアレーションパイプ１０を高く設けた場合のめっ
き液の流れの状況を示しており、この場合にはめっき槽
１に供給されためっき液はエアレーションパイプ１０の
下を通ってめっき槽１の奥まで届くために、槽１内のめ
っき液の流れは均一に上昇することが判った。
してエアレーションパイプ１０を高く設けた場合のめっ
き液の流れの状況を示しており、この場合にはめっき槽
１に供給されためっき液はエアレーションパイプ１０の
下を通ってめっき槽１の奥まで届くために、槽１内のめ
っき液の流れは均一に上昇することが判った。
【００２５】次に、以上の第１および第２の基礎的実験
結果を基として本発明の効果を明らかにするための実験
について説明する。図９は本発明の実施例を示してお
り、図１０は比較例を示している。本実験に使用しため
っき液はＫＣ−５００（日鉱）であり、その内容はＣｕ
ＳＯ4・５Ｈ2Ｏ １０ｇ／ｌ，ＥＤＴＡ ２８ｇ／ｌ，
ホルマリン ２ml／ｌ，ＰＨ １２．５，添加剤 適量
であり、 めっき液温は７２℃に設定した。
結果を基として本発明の効果を明らかにするための実験
について説明する。図９は本発明の実施例を示してお
り、図１０は比較例を示している。本実験に使用しため
っき液はＫＣ−５００（日鉱）であり、その内容はＣｕ
ＳＯ4・５Ｈ2Ｏ １０ｇ／ｌ，ＥＤＴＡ ２８ｇ／ｌ，
ホルマリン ２ml／ｌ，ＰＨ １２．５，添加剤 適量
であり、 めっき液温は７２℃に設定した。
【００２６】図９に示した本実施例はめっき槽１内に多
数のプリント基板１１を上から懸架して設置し、内循環
用オーバーフロー堰３を外循環用オーバーフロー堰２よ
り低くしてめっき槽１の外部循環用オーバーフロー堰２
を越えて外部循環流路５へ流れるめっき液の量に対し
て、内部循環用オーバーフロー堰３を越えて内部循環流
路９内からめっき槽内へ戻るめっき液の量が５〜１０％
になるように外循環用オーバーフロー堰２の高さより内
循環用オーバーフロー堰３の高さを１０ｃｍ低く調整し
た。また外部循環流路５から戻るめっき液の量を毎分７
５０リッタとし、戻り流路７のめっき液供給口８の高さ
に対して、エアレーションパイプ１０を高い位置に設置
し、図示しない圧縮機により圧搾空気を送り、エアレー
ションを行った。
数のプリント基板１１を上から懸架して設置し、内循環
用オーバーフロー堰３を外循環用オーバーフロー堰２よ
り低くしてめっき槽１の外部循環用オーバーフロー堰２
を越えて外部循環流路５へ流れるめっき液の量に対し
て、内部循環用オーバーフロー堰３を越えて内部循環流
路９内からめっき槽内へ戻るめっき液の量が５〜１０％
になるように外循環用オーバーフロー堰２の高さより内
循環用オーバーフロー堰３の高さを１０ｃｍ低く調整し
た。また外部循環流路５から戻るめっき液の量を毎分７
５０リッタとし、戻り流路７のめっき液供給口８の高さ
に対して、エアレーションパイプ１０を高い位置に設置
し、図示しない圧縮機により圧搾空気を送り、エアレー
ションを行った。
【００２７】一方、図１０に示す比較例は従来のめっき
槽を使用し、本実施例と同様にめっき槽１内に多数のプ
リント基板１１を上から懸架して設置し、図の右側から
めっき液を入れ、図の左側から排出させて循環させた。
また、エアレーションパイプ１０はめっき槽の底部近く
に設置して図示しない圧縮機により圧搾空気を送り、エ
アレーションを行った。本実施例と比較例との上記実験
結果を表１に示す。
槽を使用し、本実施例と同様にめっき槽１内に多数のプ
リント基板１１を上から懸架して設置し、図の右側から
めっき液を入れ、図の左側から排出させて循環させた。
また、エアレーションパイプ１０はめっき槽の底部近く
に設置して図示しない圧縮機により圧搾空気を送り、エ
アレーションを行った。本実施例と比較例との上記実験
結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】上記表１中のスローイングパワーとはプリ
ント基板の表面に形成されるめっき膜の厚さａとスルー
ホール内のめっき膜の厚さｂとの比であり、すなわちス
ローイングパワー＝ｂ／ａ×１００で示されるものであ
るから、この値は高い方がよい。また表面の膜厚差とは
プリント基板の表面に形成されるめっき膜の最大値と最
小値との差であるから、これは低い方がより均一なめっ
き層が形成されたことになる。また、比較例ではめっき
液の循環による液の上昇のほかにエアーによるめっき液
の巻き上げがかなり多く、この巻き上げられためっき液
は行き場所を失い、槽の底方向に移動し、液溜りとなる
ことが観察された。
ント基板の表面に形成されるめっき膜の厚さａとスルー
ホール内のめっき膜の厚さｂとの比であり、すなわちス
ローイングパワー＝ｂ／ａ×１００で示されるものであ
るから、この値は高い方がよい。また表面の膜厚差とは
プリント基板の表面に形成されるめっき膜の最大値と最
小値との差であるから、これは低い方がより均一なめっ
き層が形成されたことになる。また、比較例ではめっき
液の循環による液の上昇のほかにエアーによるめっき液
の巻き上げがかなり多く、この巻き上げられためっき液
は行き場所を失い、槽の底方向に移動し、液溜りとなる
ことが観察された。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、め
っき液の入った無電解めっき槽に外部循環用オーバーフ
ロー堰よりも低い内部循環用オーバーフロー堰を設け、
多数の微細気泡からなる気泡流を供給する複数のエアレ
ーションパイプをめっき液が清浄化されて外部循環流路
からめっき槽へ戻るめっき液供給口より上の位置に設
け、外部循環用オーバーフロー堰を越えて外部循環流路
へ流れるめっき液の量に対して、内部循環用オーバーフ
ロー堰を越えて内部循環流路内からめっき槽内へ流れる
めっき液の量が５〜１０％になるように調整するから、
めっき槽内のめっき液の流れが槽内のどこでも一定流速
になるためスルーホール内に均一なめっき層が形成で
き、かつ必要以上の厚さの銅めっき層が基板表層に析出
せずに均一なめっき層が形成でき、しかもめっき液中に
生じる銅粉やごみなどがエアーとともに浮上し、外部循
環流路内に流れフィルターによって捕獲されてプリント
基板に付着するのを防止できる効果がある。
っき液の入った無電解めっき槽に外部循環用オーバーフ
ロー堰よりも低い内部循環用オーバーフロー堰を設け、
多数の微細気泡からなる気泡流を供給する複数のエアレ
ーションパイプをめっき液が清浄化されて外部循環流路
からめっき槽へ戻るめっき液供給口より上の位置に設
け、外部循環用オーバーフロー堰を越えて外部循環流路
へ流れるめっき液の量に対して、内部循環用オーバーフ
ロー堰を越えて内部循環流路内からめっき槽内へ流れる
めっき液の量が５〜１０％になるように調整するから、
めっき槽内のめっき液の流れが槽内のどこでも一定流速
になるためスルーホール内に均一なめっき層が形成で
き、かつ必要以上の厚さの銅めっき層が基板表層に析出
せずに均一なめっき層が形成でき、しかもめっき液中に
生じる銅粉やごみなどがエアーとともに浮上し、外部循
環流路内に流れフィルターによって捕獲されてプリント
基板に付着するのを防止できる効果がある。
【図１】本実施例の縦断面説明図である。
【図２】本実施例の平面図である。
【図３】第１の実験状態を示す縦断面図である。
【図４】第１の実験状態を示す縦断面図である。
【図５】第１の実験状態を示す縦断面図である。
【図６】第２の実験状態を示す縦断面図である。
【図７】第２の実験状態を示す縦断面図である。
【図８】第２の実験状態を示す縦断面図である。
【図９】本実施例の実験状態を示す縦断面図である。
【図１０】比較例の実験状態を示す縦断面図である。
１ 無電解めっき槽 ２ 外部循環用オーバーフロー堰 ３ 内部循環用オーバーフロー堰 ４ 循環ポンプ ５ 外部循環流路 ６ フィルター ７ 外部循環戻り流路 ８ めっき液供給口 ９ 内部循環流路 １０ エアレーションパイプ １１ プリント基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鳥羽 律司 神奈川県秦野市掘山下１番地 株式会社 日立製作所 神奈川工場内 (56)参考文献 実開 昭56−95577（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/18 C23C 18/31
Claims (2)
- 【請求項１】 循環するめっき液中の金属イオンを還元
剤の作用により還元してプリント基板上に析出させるこ
とにより該プリント基板上にめっきを施す無電解めっき
方法において、無電解めっき槽内に懸架されて多数並べ
られた前記プリント基板に対して該めっき槽内下方から
多数の微細気泡からなる気泡流を供給すると共に、前記
めっき槽に設けたオーバーフロー堰により前記めっき液
の外部循環量に対し内部循環量を５〜１０％に調整する
ことを特徴とした無電解めっき方法。 - 【請求項２】 循環するめっき液中の金属イオンを還元
剤の作用により還元してプリント基板上に析出させるこ
とにより該プリント基板上にめっきを施す無電解めっき
装置において、無電解めっき槽内に前記プリント基板を
多数並べて懸架し、該プリント基板に対して該めっき槽
内下方から多数の微細気泡からなる気泡流を供給する複
数のエアレーションパイプを外部循環流路から該めっき
槽へ戻るめっき液供給口より上の位置に設け、かつ該め
っき槽の外部循環用オーバーフロー堰より低い内部循環
用オーバーフロー堰を設けたことを特徴とする無電解め
っき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04271039A JP3091582B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 無電解めっき方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04271039A JP3091582B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 無電解めっき方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697631A JPH0697631A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3091582B2 true JP3091582B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=17494555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04271039A Expired - Fee Related JP3091582B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 無電解めっき方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3091582B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3986743B2 (ja) * | 2000-10-03 | 2007-10-03 | 株式会社日立製作所 | 配線基板とその製造方法及びそれに用いる無電解銅めっき液 |
| JP2007177257A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | メッキ方法及びメッキ装置並びにシリコンデバイスの製造方法 |
| JP5066046B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2012-11-07 | 株式会社日立製作所 | 湿式処理方法，無電解銅めっき方法およびプリント配線板 |
| JP6914073B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2021-08-04 | 上村工業株式会社 | 表面処理装置 |
| CN110445042B (zh) * | 2019-08-29 | 2020-06-16 | 永升建设集团有限公司 | 箱式变电站 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP04271039A patent/JP3091582B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697631A (ja) | 1994-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1264918B1 (en) | Electrolytic copper plating method | |
| TW404156B (en) | Process for selective application of solder to circuit packages | |
| US6024856A (en) | Copper metallization of silicon wafers using insoluble anodes | |
| EP1300488B1 (en) | Plating path and method for depositing a metal layer on a substrate | |
| US5051154A (en) | Additive for acid-copper electroplating baths to increase throwing power | |
| US20040222100A1 (en) | Process and system for providing electrochemical processing solution with reduced oxygen and gas content | |
| CN107313085B (zh) | 一种高密度电路板中微细盲孔的铜电镀填充方法 | |
| US20030168343A1 (en) | Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications | |
| US3798136A (en) | Method for completely filling small diameter through-holes with large length to diameter ratio | |
| US6761814B2 (en) | Via filling method | |
| EP1330146A2 (en) | Via filling method | |
| EP3196339B1 (en) | Method for manufacturing wiring substrate | |
| JP3091582B2 (ja) | 無電解めっき方法及び装置 | |
| JP2004363481A (ja) | メッキ装置および電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法 | |
| JP2006111896A (ja) | 貫通孔へのメッキ埋め込み方法及びメッキ装置 | |
| JPH0697632A (ja) | 無電解めっき液への酸素供給方法及び装置 | |
| JP6854364B2 (ja) | 浸漬スズめっき溶液中のｈ２ｓの除去 | |
| JP2000017480A (ja) | めっき方法 | |
| JP3400278B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US20040118691A1 (en) | Electroplating method | |
| EP1323850A1 (en) | Electroplating method of printed circuit with pulsed current density | |
| JP2757708B2 (ja) | 無電解錫・鉛合金めっき方法 | |
| JP3351989B2 (ja) | スルーホール基板 | |
| JPS6217029B2 (ja) | ||
| JPH09167883A (ja) | 表面実装用プリント配線板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080721 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090721 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |