JP2757708B2 - 無電解錫・鉛合金めっき方法 - Google Patents
無電解錫・鉛合金めっき方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無電解錫・鉛合金めっ
き皮膜の合金組成の均一性の向上を可能とした無電解錫
・鉛合金めっき方法に関する。
き皮膜の合金組成の均一性の向上を可能とした無電解錫
・鉛合金めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、ＳＭＴ対応のファインピッチプリント配線基板やＴ
ＡＢなどの小物部品に無電解錫−鉛合金めっき液を用い
て無電解錫−鉛合金めっきを施すことが行われている
が、最近では得られるめっき皮膜に対し、膜厚や錫−鉛
合金組成を可及的に均一化することの要求が一般と厳し
くなっている。
り、ＳＭＴ対応のファインピッチプリント配線基板やＴ
ＡＢなどの小物部品に無電解錫−鉛合金めっき液を用い
て無電解錫−鉛合金めっきを施すことが行われている
が、最近では得られるめっき皮膜に対し、膜厚や錫−鉛
合金組成を可及的に均一化することの要求が一般と厳し
くなっている。
【０００３】即ち、無電解錫・鉛合金めっき法は、電気
めっき法に比べ、被めっき物表面に電流分布の濃淡が生
じないため比較的均一なめっき皮膜が得られるものであ
るが、それでもなお被めっき物表面において膜厚や合金
組成にばらつきが生じるものであり、このようなばらつ
きを可及的になくすことが要望されている。
めっき法に比べ、被めっき物表面に電流分布の濃淡が生
じないため比較的均一なめっき皮膜が得られるものであ
るが、それでもなお被めっき物表面において膜厚や合金
組成にばらつきが生じるものであり、このようなばらつ
きを可及的になくすことが要望されている。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
膜厚や合金組成のばらつきが少なく、均一な無電解錫−
鉛合金めっき皮膜を得ることができる無電解錫・鉛合金
めっき方法を提供することを目的とする。
膜厚や合金組成のばらつきが少なく、均一な無電解錫−
鉛合金めっき皮膜を得ることができる無電解錫・鉛合金
めっき方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、無電解錫
・鉛合金めっきを行う場合に、めっき液の撹拌がめっき
皮膜の均一性に大きな影響を与え、無電解錫・鉛合金め
っき法においては、無電解錫・鉛合金めっき液が収容さ
れるめっき槽内の下部に上記被めっき物の下方に存して
多孔板を配設し、上記めっき液をめっき槽から連続的に
抜き出し、この抜き出しためっき液を上記めっき槽の底
面と多孔板との間に連続的に供給し、このめっき液を上
記多孔体の小孔を通して多孔板上方に返送するめっき液
連続循環を行うと共に、このめっき液連続循環速度を５
〜５０ｃｍ／分の面速度とすること、この際、５０〜３
００ｍ／分の速度のロッキングによる被めっき物の撹拌
を併用することにより、膜厚や合金組成にばらつきのな
い均一なめっき皮膜が得られることを知見した。
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、無電解錫
・鉛合金めっきを行う場合に、めっき液の撹拌がめっき
皮膜の均一性に大きな影響を与え、無電解錫・鉛合金め
っき法においては、無電解錫・鉛合金めっき液が収容さ
れるめっき槽内の下部に上記被めっき物の下方に存して
多孔板を配設し、上記めっき液をめっき槽から連続的に
抜き出し、この抜き出しためっき液を上記めっき槽の底
面と多孔板との間に連続的に供給し、このめっき液を上
記多孔体の小孔を通して多孔板上方に返送するめっき液
連続循環を行うと共に、このめっき液連続循環速度を５
〜５０ｃｍ／分の面速度とすること、この際、５０〜３
００ｍ／分の速度のロッキングによる被めっき物の撹拌
を併用することにより、膜厚や合金組成にばらつきのな
い均一なめっき皮膜が得られることを知見した。
【０００６】この場合、上記のような多孔板を用いず、
単にめっき液を循環撹拌するだけでは十分均一なめっき
皮膜が得られず、めっき液を多孔板の小孔を通して返送
すること、しかもめっき液の循環速度を面速度として５
〜５０ｃｍ／分にコントロールすることにより、プリン
ト配線基板へのめっきにおいて要求される厳しいめっき
皮膜均一性の課題に応え得ることを見い出し、本発明を
なすに至ったものである。
単にめっき液を循環撹拌するだけでは十分均一なめっき
皮膜が得られず、めっき液を多孔板の小孔を通して返送
すること、しかもめっき液の循環速度を面速度として５
〜５０ｃｍ／分にコントロールすることにより、プリン
ト配線基板へのめっきにおいて要求される厳しいめっき
皮膜均一性の課題に応え得ることを見い出し、本発明を
なすに至ったものである。
【０００７】以下、本発明につき図面を参照して更に詳
しく説明する。本発明で用いる無電解錫・鉛合金めっき
浴は、可溶性の第一錫塩と鉛塩とを含むが、この場合め
っき浴中に第一錫イオン（２価の錫イオン）を供給する
錫源としては、特に制限はなく種々選択し得、例えば酸
化錫、塩化錫、硫酸錫、有機スルホン酸錫、有機カルボ
ン酸錫、ホウフッ化錫等を挙げることができる。なお、
めっき浴中の第一錫イオン量は０．５〜５０ｇ／Ｌ、特
に１〜２０ｇ／Ｌとすることが好ましい。
しく説明する。本発明で用いる無電解錫・鉛合金めっき
浴は、可溶性の第一錫塩と鉛塩とを含むが、この場合め
っき浴中に第一錫イオン（２価の錫イオン）を供給する
錫源としては、特に制限はなく種々選択し得、例えば酸
化錫、塩化錫、硫酸錫、有機スルホン酸錫、有機カルボ
ン酸錫、ホウフッ化錫等を挙げることができる。なお、
めっき浴中の第一錫イオン量は０．５〜５０ｇ／Ｌ、特
に１〜２０ｇ／Ｌとすることが好ましい。
【０００８】また、鉛イオン源としては、塩化鉛、硫酸
鉛、有機スルホン酸鉛、ホウフッ化鉛、酸化鉛等を用い
ることができる。これらの鉛イオンの量は合金比率等に
応じて適宜選定されるが、通常は０．５〜５０ｇ／Ｌ、
特に０．５〜１０ｇ／Ｌ程度とすることができる。
鉛、有機スルホン酸鉛、ホウフッ化鉛、酸化鉛等を用い
ることができる。これらの鉛イオンの量は合金比率等に
応じて適宜選定されるが、通常は０．５〜５０ｇ／Ｌ、
特に０．５〜１０ｇ／Ｌ程度とすることができる。
【０００９】これら金属塩を溶解する酸成分としては、
有機スルホン酸、過塩素酸、ホウフッ酸、リン酸、ピロ
リン酸，ポリリン酸等の縮合リン酸、塩酸などが挙げら
れ、これらの１種又は２種以上を使用することができ
る。これらのうち有機スルホン酸としては、アルカンス
ルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、ナフタレンスルホン酸やこれらの水素原子の
一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシ
ル基、ニトロ基、メルカプト基、アミノ基、スルホン酸
基などで置換されたものが使用され、より具体的には、
本発明に好適に使用し得る有機スルホン酸として、メタ
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン
酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−
ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパ
ンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、２−ヒ
ドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシペン
タンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ酢酸、
２−又は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロ
ベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル
酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、ｐ−フェノールスル
ホン酸などを挙げることができる。なお、これら酸の使
用量は、特に制限されないが、５０〜２５０ｇ／Ｌ、特
に１００〜２００ｇ／Ｌとすることが好ましく、また酸
と金属イオンとの割合は重量比として１：１〜１：２
０、特に１：３〜１：１０とすることが好ましい。
有機スルホン酸、過塩素酸、ホウフッ酸、リン酸、ピロ
リン酸，ポリリン酸等の縮合リン酸、塩酸などが挙げら
れ、これらの１種又は２種以上を使用することができ
る。これらのうち有機スルホン酸としては、アルカンス
ルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、ナフタレンスルホン酸やこれらの水素原子の
一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、カルボキシ
ル基、ニトロ基、メルカプト基、アミノ基、スルホン酸
基などで置換されたものが使用され、より具体的には、
本発明に好適に使用し得る有機スルホン酸として、メタ
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン
酸、２−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−
ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパ
ンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、２−ヒ
ドロキシブタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシペン
タンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−スルホ酢酸、
２−又は３−スルホプロピオン酸、スルホコハク酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロ
ベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル
酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、ｐ−フェノールスル
ホン酸などを挙げることができる。なお、これら酸の使
用量は、特に制限されないが、５０〜２５０ｇ／Ｌ、特
に１００〜２００ｇ／Ｌとすることが好ましく、また酸
と金属イオンとの割合は重量比として１：１〜１：２
０、特に１：３〜１：１０とすることが好ましい。
【００１０】本発明のめっき浴にはチオ尿素又はその誘
導体を配合することができる。このチオ尿素又はチオ尿
素誘導体の配合量は特に制限されるものではないが、通
常めっき浴１リットル当り５０〜２００ｇ、特に５０〜
１５０ｇ程度とすることが好ましい。なお、チオ尿素誘
導体としては、チオホルムアミド，チオアセトアミド等
のチオアミド類が挙げられる。更に、このチオ尿素又は
チオ尿素誘導体と共に酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、Ｅ
ＤＴＡなどを錯化剤として併用することもできる。
導体を配合することができる。このチオ尿素又はチオ尿
素誘導体の配合量は特に制限されるものではないが、通
常めっき浴１リットル当り５０〜２００ｇ、特に５０〜
１５０ｇ程度とすることが好ましい。なお、チオ尿素誘
導体としては、チオホルムアミド，チオアセトアミド等
のチオアミド類が挙げられる。更に、このチオ尿素又は
チオ尿素誘導体と共に酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、Ｅ
ＤＴＡなどを錯化剤として併用することもできる。
【００１１】また、本発明めっき浴には還元剤が配合さ
れ得るが、この還元剤としては、次亜リン酸や次亜リン
酸ナトリウム，次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩な
どが好適に使用される。この還元剤の配合量は、通常量
とすることができ、具体的には３０〜３００ｇ／Ｌ、特
に５０〜２００ｇ／Ｌ程度とすることが好ましい。
れ得るが、この還元剤としては、次亜リン酸や次亜リン
酸ナトリウム，次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩な
どが好適に使用される。この還元剤の配合量は、通常量
とすることができ、具体的には３０〜３００ｇ／Ｌ、特
に５０〜２００ｇ／Ｌ程度とすることが好ましい。
【００１２】なお、上記各成分からなる錫・鉛合金めっ
き浴は酸性とされ、特にｐＨ０〜３であることが好まし
い。また、上記成分の他、通常使用される界面活性剤等
の添加剤を通常量添加することができる。
き浴は酸性とされ、特にｐＨ０〜３であることが好まし
い。また、上記成分の他、通常使用される界面活性剤等
の添加剤を通常量添加することができる。
【００１３】上記めっき浴を用いて無電解錫・鉛合金め
っきを行う場合は、このめっき浴に銅又は銅合金等の被
めっき物を浸漬することにより行われる。特に、本発明
のめっき方法は、プリント配線板等の電子部品のめっき
に好適に使用されるものであるが、その他の銅、銅合金
などの無電解めっきにも好適に使用し得るものである。
っきを行う場合は、このめっき浴に銅又は銅合金等の被
めっき物を浸漬することにより行われる。特に、本発明
のめっき方法は、プリント配線板等の電子部品のめっき
に好適に使用されるものであるが、その他の銅、銅合金
などの無電解めっきにも好適に使用し得るものである。
【００１４】本発明のめっき方法は、上記のように無電
解錫・鉛合金めっき液を用いて被めっき物の銅又は銅合
金部分上にめっき皮膜を形成するものであるが、この場
合、無電解錫・鉛合金めっき液が収容されるめっき槽内
の下部に上記被めっき物の下方に存して多孔板を配設
し、上記めっき液をめっき槽から連続的に抜き出し、こ
の抜き出しためっき液を上記めっき槽の底面と多孔板と
の間に連続的に供給し、このめっき液を上記多孔体の小
孔を通して多孔板上方に返送するめっき液連続循環を行
うと共に、このめっき液連続循環速度を５〜５０ｃｍ／
分の面速度としたものである。
解錫・鉛合金めっき液を用いて被めっき物の銅又は銅合
金部分上にめっき皮膜を形成するものであるが、この場
合、無電解錫・鉛合金めっき液が収容されるめっき槽内
の下部に上記被めっき物の下方に存して多孔板を配設
し、上記めっき液をめっき槽から連続的に抜き出し、こ
の抜き出しためっき液を上記めっき槽の底面と多孔板と
の間に連続的に供給し、このめっき液を上記多孔体の小
孔を通して多孔板上方に返送するめっき液連続循環を行
うと共に、このめっき液連続循環速度を５〜５０ｃｍ／
分の面速度としたものである。
【００１５】ここで、このような方法にてめっきを行う
場合に用いる装置としては、図面に示すような装置が好
適に用いられる。
場合に用いる装置としては、図面に示すような装置が好
適に用いられる。
【００１６】即ち、図中１は、無電解錫・鉛合金めっき
液２が収容されるめっき槽で、このめっき槽１の一側部
にはめっき液２がオーバーフロー可能な仕切板３が立設
され、上記めっき槽１をめっき部１ａとオーバーフロー
部１ｂとに区画している。
液２が収容されるめっき槽で、このめっき槽１の一側部
にはめっき液２がオーバーフロー可能な仕切板３が立設
され、上記めっき槽１をめっき部１ａとオーバーフロー
部１ｂとに区画している。
【００１７】４は、上記めっき槽１のめっき部１ａにそ
の内底面と所定間隔離間して配設された多孔板であり、
この多孔板には、直径１〜５ｍｍ、より好ましくは２〜
４ｍｍの小孔５がピッチ５〜３０ｍｍ、より好ましくは
７〜１５ｍｍにおいて形成されている。この場合、多孔
板４は、図２に示したように、このような小孔５が形成
されたプレート４ａ，４ａを２枚又はそれ以上、互にそ
の小孔５をずらした状態で所定間隔離間（好ましくは５
〜５０ｍｍ）して設け、めっき液が小孔５を通過する時
に直線状に流れないようにしたものを使用することが、
均一なめっき皮膜を得る点から好適である。
の内底面と所定間隔離間して配設された多孔板であり、
この多孔板には、直径１〜５ｍｍ、より好ましくは２〜
４ｍｍの小孔５がピッチ５〜３０ｍｍ、より好ましくは
７〜１５ｍｍにおいて形成されている。この場合、多孔
板４は、図２に示したように、このような小孔５が形成
されたプレート４ａ，４ａを２枚又はそれ以上、互にそ
の小孔５をずらした状態で所定間隔離間（好ましくは５
〜５０ｍｍ）して設け、めっき液が小孔５を通過する時
に直線状に流れないようにしたものを使用することが、
均一なめっき皮膜を得る点から好適である。
【００１８】また、６は、循環ポンプ７、フィルター
８、流量計９がそれぞれ介装されためっき液循環パイプ
で、このパイプ６の一端はめっき槽１のオーバーフロー
部１ｂの下部に連結されていると共に、他端側部分（噴
出部）６ａはめっき槽１のめっき部１ａ内底面と上記多
孔板４との間に挿入されている。このパイプ６の他端側
部分（噴出部）６ａには、図２に示したように、該噴出
部６ａの下部両側に複数列（図では２列）に亘って多数
の噴出孔１０，１０がそれぞれ互に所定間隔離間して形
成され、めっき液がこれら噴出孔１０，１０よりますめ
っき槽底面１ｃに向かって噴出されるように構成されて
いる。なお、噴出孔１０の直径は１〜５ｍｍ、噴出孔１
０のピッチは２〜５０ｍｍとすることが好ましい。
８、流量計９がそれぞれ介装されためっき液循環パイプ
で、このパイプ６の一端はめっき槽１のオーバーフロー
部１ｂの下部に連結されていると共に、他端側部分（噴
出部）６ａはめっき槽１のめっき部１ａ内底面と上記多
孔板４との間に挿入されている。このパイプ６の他端側
部分（噴出部）６ａには、図２に示したように、該噴出
部６ａの下部両側に複数列（図では２列）に亘って多数
の噴出孔１０，１０がそれぞれ互に所定間隔離間して形
成され、めっき液がこれら噴出孔１０，１０よりますめ
っき槽底面１ｃに向かって噴出されるように構成されて
いる。なお、噴出孔１０の直径は１〜５ｍｍ、噴出孔１
０のピッチは２〜５０ｍｍとすることが好ましい。
【００１９】更に、１１はロッキング装置で、このロッ
キング装置１１は、被めっき物１２が支持されるラック
１３を吊下するブスバー１４を往復動させることによ
り、被めっき物１２を往復動（ロッキング）させる。こ
の場合、ロッキング速度は５０〜３００ｍ／分であるこ
とが好ましい。
キング装置１１は、被めっき物１２が支持されるラック
１３を吊下するブスバー１４を往復動させることによ
り、被めっき物１２を往復動（ロッキング）させる。こ
の場合、ロッキング速度は５０〜３００ｍ／分であるこ
とが好ましい。
【００２０】なお、図中１５はめっき槽１のオーバーフ
ロー部１ｂ内に挿入されたヒーター、１６は温度センサ
ー、１７はこれらヒーター１５と温度センサー１６がそ
れぞれ接続された温度調節器である。
ロー部１ｂ内に挿入されたヒーター、１６は温度センサ
ー、１７はこれらヒーター１５と温度センサー１６がそ
れぞれ接続された温度調節器である。
【００２１】図面に示す如き装置を用いて無電解錫・鉛
合金めっきを行う場合は、めっき槽１のめっき部１ａか
ら仕切板２をオーバーフローしてオーバーフロー部１ｂ
に流入しためっき液２を循環ポンプ７の作動で循環パイ
プ６を通してその他端側部分の噴出部６ａの噴出孔１
０，１０より噴出させ、この噴出しためっき液２を多孔
板４の小孔５を通してめっき槽１のめっき部１ａに返送
するというめっき液の連続循環を行うと共に、ロッキン
グ装置１１を作動させ、被めっき物１２をロッキングさ
せながら、被めっき物１２をめっきするものである。
合金めっきを行う場合は、めっき槽１のめっき部１ａか
ら仕切板２をオーバーフローしてオーバーフロー部１ｂ
に流入しためっき液２を循環ポンプ７の作動で循環パイ
プ６を通してその他端側部分の噴出部６ａの噴出孔１
０，１０より噴出させ、この噴出しためっき液２を多孔
板４の小孔５を通してめっき槽１のめっき部１ａに返送
するというめっき液の連続循環を行うと共に、ロッキン
グ装置１１を作動させ、被めっき物１２をロッキングさ
せながら、被めっき物１２をめっきするものである。
【００２２】この場合、めっき液２は、多孔板４を通し
てめっき部１ａに返送されるため、流れが均一となり、
めっき液の撹拌が均一となって、めっき部１ａにおいて
液流動に不均一部分が生じることはない。また、上記の
ようにめっき部１ａのめっき液２をオーバーフローさ
せ、オーバーフロー部１ｂのめっき液２を循環ポンプ７
で吸引し、抜き出す場合は、めっき部１ａのめっき液２
を直接循環ポンプで抜き出す場合に生じる抜き出し位置
付近における不均一な液流動を生じさせるおそれもな
く、またオーバーフローによるめっき液液面の流動は、
めっき部１ａにおける液流動を乱すことがないものであ
る。
てめっき部１ａに返送されるため、流れが均一となり、
めっき液の撹拌が均一となって、めっき部１ａにおいて
液流動に不均一部分が生じることはない。また、上記の
ようにめっき部１ａのめっき液２をオーバーフローさ
せ、オーバーフロー部１ｂのめっき液２を循環ポンプ７
で吸引し、抜き出す場合は、めっき部１ａのめっき液２
を直接循環ポンプで抜き出す場合に生じる抜き出し位置
付近における不均一な液流動を生じさせるおそれもな
く、またオーバーフローによるめっき液液面の流動は、
めっき部１ａにおける液流動を乱すことがないものであ
る。
【００２３】このため、被めっき物１２は、その表面が
いずれの部分も均一にめっき液２に接触し、部分的にめ
っき液停滞が生じることもなく、析出皮膜が均一化され
るものである。この場合、めっき液２の循環速度は５〜
５０ｃｍ／分、より好ましくは１０〜３０ｃｍ／分の面
速度とすることが必要であり、循環速度が上記範囲外で
は皮膜の均一化が低下し、本発明の目的を達成し得な
い。
いずれの部分も均一にめっき液２に接触し、部分的にめ
っき液停滞が生じることもなく、析出皮膜が均一化され
るものである。この場合、めっき液２の循環速度は５〜
５０ｃｍ／分、より好ましくは１０〜３０ｃｍ／分の面
速度とすることが必要であり、循環速度が上記範囲外で
は皮膜の均一化が低下し、本発明の目的を達成し得な
い。
【００２４】また、上記のように被めっき物１２をロッ
キングすることにより、更に析出皮膜の均一化が向上す
る。この場合、ロッキング速度は、上述したように５０
〜３００ｍ／分とするもので、ロッキング速度が小さい
とロッキングの効果が十分発揮されず、ロッキング速度
が大きすぎるとかえってめっき皮膜の均一性が阻害され
る。ここで、ロッキングに際しては、めっきが施される
部分がロッキングの往復動方向と直角方向に対面するよ
うに被めっき物１２を配置することが、析出皮膜の均一
化の点から推奨される。
キングすることにより、更に析出皮膜の均一化が向上す
る。この場合、ロッキング速度は、上述したように５０
〜３００ｍ／分とするもので、ロッキング速度が小さい
とロッキングの効果が十分発揮されず、ロッキング速度
が大きすぎるとかえってめっき皮膜の均一性が阻害され
る。ここで、ロッキングに際しては、めっきが施される
部分がロッキングの往復動方向と直角方向に対面するよ
うに被めっき物１２を配置することが、析出皮膜の均一
化の点から推奨される。
【００２５】なお、めっき温度、その他のめっき条件
は、めっき液組成等により相違するが、通常めっき温度
は５０〜８０℃である。
は、めっき液組成等により相違するが、通常めっき温度
は５０〜８０℃である。
【００２６】
【発明の効果】本発明の無電解錫・鉛合金めっき方法に
よれば、膜厚や合金組成のばらつきが小さい均一な錫・
鉛合金めっき皮膜を形成することができる。
よれば、膜厚や合金組成のばらつきが小さい均一な錫・
鉛合金めっき皮膜を形成することができる。
【００２７】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２８】〔実施例、比較例〕 下記組成の無電解半田めっき液Ｎｏ．１及びＮｏ．２を
調製し、図面に示す如き装置を用いて下記条件で５００
×６００ｍｍサイズのＳＭＴプリント配線基板の銅配線
部に無電解半田めっきを施した。めっき液Ｎｏ．１ メタンスルフォン酸 ３０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸アンモニウム塩 ２０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸第一錫 ２０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸鉛 １３ｇ／Ｌ チオ尿素 ７５ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ８０ｇ／Ｌ クエン酸 １５ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ３ｇ／Ｌ ｐＨ ２．０めっき液Ｎｏ．２ ホウフッ化第一錫 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化鉛 １０ｇ／Ｌ ホウフッ酸 ２００ｇ／Ｌ チオ尿素 ５０ｇ／Ｌ 次亜リン酸アンモニウム塩 ３０ｇ／Ｌ 次亜リン酸 １５０ｇ／Ｌ ｐＨ ０．９めっき条件 めっき温度 ７０℃ めっき槽浴量 １００Ｌ 液循環量（面速度） ２０ｃｍ／ｍｉｎ． （液循環量を３００Ｌ／Ｈｒ） ロッキング ２００ｃｍ／ｍｉｎ． （基板に面して前後にロッキングする） めっき時間 １０ｍｉｎ． 多孔板の構造 直径３ｍｍの小孔が孔ピッチ７ｍｍの間隔で形成された
２枚のプレートを１５ｍｍ離間させて図２に示すように
配設した。循環パイプの噴出部の構造噴出部の下部両側
にそれぞれ直径３ｍｍの噴出孔をピッチ２０ｍｍの間隔
で形成した。
調製し、図面に示す如き装置を用いて下記条件で５００
×６００ｍｍサイズのＳＭＴプリント配線基板の銅配線
部に無電解半田めっきを施した。めっき液Ｎｏ．１ メタンスルフォン酸 ３０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸アンモニウム塩 ２０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸第一錫 ２０ｇ／Ｌ メタンスルフォン酸鉛 １３ｇ／Ｌ チオ尿素 ７５ｇ／Ｌ 次亜リン酸ナトリウム ８０ｇ／Ｌ クエン酸 １５ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ３ｇ／Ｌ ｐＨ ２．０めっき液Ｎｏ．２ ホウフッ化第一錫 ２０ｇ／Ｌ ホウフッ化鉛 １０ｇ／Ｌ ホウフッ酸 ２００ｇ／Ｌ チオ尿素 ５０ｇ／Ｌ 次亜リン酸アンモニウム塩 ３０ｇ／Ｌ 次亜リン酸 １５０ｇ／Ｌ ｐＨ ０．９めっき条件 めっき温度 ７０℃ めっき槽浴量 １００Ｌ 液循環量（面速度） ２０ｃｍ／ｍｉｎ． （液循環量を３００Ｌ／Ｈｒ） ロッキング ２００ｃｍ／ｍｉｎ． （基板に面して前後にロッキングする） めっき時間 １０ｍｉｎ． 多孔板の構造 直径３ｍｍの小孔が孔ピッチ７ｍｍの間隔で形成された
２枚のプレートを１５ｍｍ離間させて図２に示すように
配設した。循環パイプの噴出部の構造噴出部の下部両側
にそれぞれ直径３ｍｍの噴出孔をピッチ２０ｍｍの間隔
で形成した。
【００２９】比較のため、上記めっき液Ｎｏ．１及びＮ
ｏ．２のめっき液を使用し、上記のように多孔板を通し
た液循環を行わず、多孔板を配設しない以外は図面と同
様の装置を使用し、液循環量３００Ｌ／Ｈｒで連続液循
環を行って同様のプリント配線基板に無電解半田めっき
を施した。
ｏ．２のめっき液を使用し、上記のように多孔板を通し
た液循環を行わず、多孔板を配設しない以外は図面と同
様の装置を使用し、液循環量３００Ｌ／Ｈｒで連続液循
環を行って同様のプリント配線基板に無電解半田めっき
を施した。
【００３０】次に、得られためっき皮膜について、テス
ト基板における面内での膜厚及び合金組成のばらつきを
調べた。結果を表１に示す。
ト基板における面内での膜厚及び合金組成のばらつきを
調べた。結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】 変動率（％）＝（標準偏差値／平均値）×１００ ばらつき（Ｓｎ％）＝最大値−最小値
【図１】本発明の実施に用いるめっき装置の一例を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】同装置のめっき部底面部における拡大断面図で
ある。
ある。
１ めっき槽 １ａ めっき部 １ｂ オーバーフロー部 ２ めっき液 ４ 多孔板 ５ 小孔 ６ 循環パイプ ６ａ 噴出部 １０ 噴出孔 １１ ロッキング装置 １２ 被めっき物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀田 輝幸 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村 工業株式会社 中央研究所内 (72)発明者 上玉利 徹 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村 工業株式会社 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平３−68780（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−290876（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 18/31
Claims (1)
- 【請求項１】 無電解錫・鉛合金めっき液中に被めっき
物を浸漬し、この被めっき物表面に無電解錫・鉛合金め
っき皮膜を形成するに際し、上記無電解錫・鉛合金めっ
き液が収容されるめっき槽内の下部に上記被めっき物の
下方に存して多孔板を配設し、上記めっき液をめっき槽
から連続的に抜き出し、この抜き出しためっき液を上記
めっき槽の底面と多孔板との間に連続的に供給し、この
めっき液を上記多孔体の小孔を通して多孔板上方に返送
するめっき液連続循環を行うと共に、このめっき液連続
循環速度を５〜５０ｃｍ／分の面速度とし、かつ被めっ
き物を５０〜３００ｍ／分の速度でロッキングして、錫
・鉛合金組成の均一な錫・鉛合金めっき皮膜を得ること
を特徴とする無電解錫・鉛合金めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254141A JP2757708B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 無電解錫・鉛合金めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254141A JP2757708B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 無電解錫・鉛合金めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681156A JPH0681156A (ja) | 1994-03-22 |
| JP2757708B2 true JP2757708B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=17260793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4254141A Expired - Fee Related JP2757708B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 無電解錫・鉛合金めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757708B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017128439B3 (de) | 2017-11-30 | 2019-05-02 | AP&S International GmbH | Vorrichtung zur stromlosen Metallisierung einer Zieloberfläche wenigstens eines Werkstücks |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62290876A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置 |
| JPH0368780A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-25 | Tokyo Kagaku Sochi Kk | 無電解ニッケルめっき方法 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4254141A patent/JP2757708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0681156A (ja) | 1994-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |