DE102017128439B3

DE102017128439B3 - Vorrichtung zur stromlosen Metallisierung einer Zieloberfläche wenigstens eines Werkstücks

Info

Publication number: DE102017128439B3
Application number: DE102017128439.7A
Authority: DE
Inventors: Jörg Hildebrand
Original assignee: Ap&s Int GmbH; AP&S International GmbH
Current assignee: Ap&s Int GmbH; AP&S International GmbH
Priority date: 2017-11-30
Filing date: 2017-11-30
Publication date: 2019-05-02
Anticipated expiration: 2037-12-01
Also published as: WO2019106137A1; US20200291526A1; CN111448338A; US11566329B2; EP3717677A1

Abstract

Anordnung zur stromlosen Metallisierung einer Zieloberfläche (11) wenigstens eines Werkstücks (10) mit- einem Behälter (13) zur Aufnahme einer Elektrolytlösung- einem im Boden (15) des Behälters (13) angeordneten Zulauf für die Elektrolytlösung, wobei der Zulauf (20) als ein Zulaufstutzen (91) mit einer Diffusorplatte (24) mit auf konzentrischen Kreisen angeordneten Einlassöffnungen (25) ausgebildet ist,- einen oberseitig an dem Behälter (13) angeordneten Ablauf (30),- einer Aufnahme zur Halterung des wenigstens einen Werkstücks (10), wobei die Diffusorplatte (24) als eine erste Anordnung (31) und eine, zu der ersten identische zweite Anordnung (32), aus jeweils einer Mehrzahl von Einlassöffnungen (25) ausgebildet ist, wobei sich die Anordnungen wenigstens teilweise, jedoch nicht vollständig überlappen und der Zulauf (20) wenigstens zwei Zulaufstutzen (21, 22) aufweist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Verbesserung der Homogenität einer abgeschiedenen Metallschicht bei der stromlosen Metallisierung einer Zieloberfläche wenigstens eines Werkstücks, z.B. mit Kupfer, Nickel, Palladium, Silber oder Gold sowie deren Legierungen, gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Solche Vorrichtungen sind z.B. aus JP-HO681 156 A sowie JP-H11 209 877 A bekannt.Die stromlose Metallabscheidung aus einer Elektrolytlösung ist in der Halbleiter-, Solar- und Nano-Technologie grundsätzlich bekannt. Die stromlose Metallisierung von Gegenständen, beispielsweise strukturierten Wafern hat gegenüber der galvanischen Metallisierung deutliche Vorteile, hinsichtlich der Beständigkeit sowie der Homogenität und Konformität der Abscheidungstechnologie und Eigenschaften der erzielbaren Schichten. Vorteilhaft ist, dass keine Vorrichtungen zur elektrischen Kontaktierung der zu beschichten Gegenstände notwendig ist. Auch die parallele Prozessierung von mehreren Gegenständen mittels Batch-Prozess ist ein entscheidender Vorteil zur Erhöhung des Produktionsdurchsatzes pro Zeiteinheit. Durch den rein chemischen Abscheidungsprozess wird nicht zwingend eine Startschicht (seed-layer) auf den Gegenständen benötigt.
Der Vorgang des stromlosen Abscheidens einer Metallschicht erfordert eine Metallplattierungslösung mit einem Reduktionsmittel, einer Metallquelle und ein komplex bildenden Mittel, wobei - zusätzlich zu der Kontrolle der Badzusammensetzung - auch Parameter wie der pH-Wert, die Temperatur und die Zusammensetzung der Metallplattierungslösung mit hoher Genauigkeit einzustellen sind, da das aktive in Gang setzen einer chemischen Reaktion mittels eines Katalysators, äußerst empfindlich auf die Prozesstemperatur reagiert. Die Reaktion kann sowohl autokatalytisch als auch als Austausch- oder Verdrängungsreaktion ablaufen.
Typischerweise kann die Betriebstemperatur der stromlosen Elektrolytlösung in einem Bereich nahe an der Autokatalyse-Temperatur für eine spontane Selbstzersetzung der stromlosen Elektrolytlösung liegen. Das Auftreten eines selbst in Gang gesetzten Zerfalls der stromlosen Elektrolytlösung führt zu einer Metallabscheidung nicht nur auf gewünschten Bereichen, d. h. der zu beschichtenden Substratoberfläche, sondern auch auf Oberflächen der Metallisierungsanlage, etwa der Reaktorzelle, dem Elektrolytlösungstank, den Zufuhrleitungen und dergleichen. In ausgeprägten Fällen von selbst initiiertem Zerfall wird im Wesentlichen der gesamte Metallinhalt des Elektrolyten rasch zu reinem Metall reduziert, wodurch möglicherweise eine Verstopfung aller Leitungen und Röhren und des Prozessbeckens verursacht wird. Als Folge davon ist großer Aufwand erforderlich, um die Metallisierungsanlage nasschemisch mit z.B. Salpetersäure und weiteren Chemikalien zu reinigen, wobei gleichzeitig die gesamten teuren Elektrolytkomponenten verloren gehen. Zudem muss der sich ergebende, unter Umständen toxische Abfall entsorgt werden was ferner deutlich zu den Betriebskosten des stromlosen Metallisierungsprozesses beigetragen wird.
Die aus dem Stand der Technik bekannten Vorrichtungen zur stromlosen Metallisierung werden zur Erhöhung des erzielbaren Durchsatzes nicht als Single-Wafer Anlagen, sondern für Batch-Prozesse ausgelegt. Um eine Mehrzahl von Wafern gleichzeitig prozessieren zu können, werden diese in Halterungen, sog. Carriern in ein Becken, in dem die Elektrolytlösung ist, eingebracht. Typischerweise sind die Wafer senkrecht stehend in den Carriern, wobei die Elektrolytlösung in dem Becken dauerhaft umgewälzt wird, um eine gleichmäßige Verteilung der Reaktionspartner innerhalb des Beckens zu gewährleisten.
Typischerweise wird die Elektrolytlösung von unten über einen zentralen Zulauf in das Becken eingebracht und kann an der Oberseite entnommen und der Umwälzung und Erwärmung zugeführt werden. Die Entnahme kann beispielsweise über einen einfachen Überlauf in ein Überlaufbecken realisiert werden.
Bei den aus dem Stand der Technik bekannten Anordnungen ist der Zulauf für die Elektrolytlösung im Boden des Behälters angeordnet, wobei der Zulauf als ein einziger Zulaufstutzen mit zusätzlicher Diffusorplatte ausgebildet ist. Diese Diffusorplatte hat strömungsoptimierte Einlassöffnungen in Form von konzentrischen Kreisen oder anders angeordneten Einlassöffnungen.
Bei den aus dem Stand der Technik bekannten Vorrichtungen wird es als nachteilig empfunden, dass die Schichtdicke des Abgeschiedenen Metalls über einen Wafer variiert und auch von Wafer zu Wafer innerhalb eines Batches Unterschiede bestehen. Grund dafür sind Variationen im Oberflächenpotential der Schaltkreise auf dem Wafer und der Hydrodynamik der Lösung zur Oberfläche, was zu einer Abnahme der Konzentration von reaktiven Elektrolytkomponenten über die Oberfläche der zu metallisierenden Gegenstände führt.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zur Batch-Prozessierung von Wafern zur Verfügung zu stellen, die insbesondere für große Wafer mit Durchmessern bis zu 300 mm eine gleichmäßigere Schichtabscheidung innerhalb eines Wafers sowie von Wafer zu Wafer für ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand abhängiger Ansprüche.
Eine erfindungsgemäße Anordnung zur stromlosen Metallisierung einer Zieloberfläche wenigstens eines Werkstücks mit einem Behälter zur Aufnahme einer Elektrolytlösung, einem im Boden des Behälters angeordneten Zulauf für die Elektrolytlösung, wobei der Zulauf als ein Zulaufstutzen mit zusätzlicher Diffusorplatte ausgebildet ist, mit einem oberseitig an dem Behälter angeordneten Ablauf für die Elektrolytlösung und einer Aufnahme zur Halterung des wenigstens einen Werkstücks zeichnet sich dadurch aus, dass die Diffusorplatte als eine erste Anordnung und eine zu der ersten identischen zweiten Anordnung aus jeweils einer Mehrzahl von kreisförmigen Einlassöffnungen ausgebildet ist, wobei sich die Anordnungen wenigstens teilweise, jedoch nicht vollständig überlappen und der Zulauf wenigstens zwei Zulaufstutzen aufweisen.
Der vorliegenden Erfindung liegt damit die Erkenntnis zu Grunde, dass durch ein Zuführen der Elektrolytlösung an mehreren voneinander unterschiedlichen Stellen mit ineinander übergehenden Diffusoren sowie durch die Verwendung mehrerer Zulaufstutzen eine bessere Zuführung der Elektrolytlösung zu den Werkstücken, insbesondere zu in der Anordnung angeordneten Wafern, erreicht werden kann, sodass eine homogenere Verteilung der reaktiven Elektrolytkomponenten (Konzentrationsverteilung) und damit eine auch über mehrere beispielsweise in einem Wafer-Carrier angeordnete senkrecht in dem Behälter stehende Wafer eine homogenere Schichtabscheidung erreicht werden kann.
Die erste Anordnung und die zweite Anordnung können beispielsweise entlang einer Längsachse des Behälters angeordnet sein, sodass eine verbesserte Einleitung über die längere der Seiten des Wafers, entlang derer typischerweise auch die Werkstücke aufgereiht sind, erreicht wird. Insgesamt ist es vorteilhaft, wenn die Diffusorplatte zentriert im Boden des Behälters angeordnet ist, sodass ein symmetrischer Aufbau erreicht wird. Auf diese Weise können die Strömungsbedingungen hin zur strukturierten Wafer-Oberfläche optimiert werden.
Der Zulauf kann zur Verbesserung der oben genannten Effekte ferner wenigstens drei Zulaufstutzen aufweisen, sodass eine weitere Verteilungs-Optimierung beim Einbringen der Elektrolytlösung erreicht werden kann.
Insbesondere kann ein erster Zulaufstutzen relativ zur Diffusorplatte zentriert ausgerichtet sein und ein zweiter Zulaufstutzen und ein dritter Zulaufstutzen können vorteilhafterweise jeweils relativ zu der ersten Anordnung und zu der zweiten Anordnung zentriert ausgerichtet sein.
Die Diffusorplatte kann im Bereich der Zulaufstutzen eine Prallplatte und/oder eine geringere Dichte von Einlassöffnungen aufweisen, sodass ein unmittelbares Ausströmen der frisch zugeführten Elektrolytlösung und damit eine lokale Konzentrationsüberhöhung vermieden wird. Auf diese Weise kann die Homogenität der Metallabscheidung über mehrere Werkstücke hinweg verbessert werden.
Durch die Verwendung individueller Pumpen pro Einlass kann eine weitere Optimierung der Strömungsverhältnisse erzielt werden.
Eine besonders einfache Ausgestaltung der Anordnung kann erreicht werden, wenn sämtliche Einlassöffnungen einen identischen Durchmesser aufweisen. Alternativ kann eine Konzentrationsverteilung durch unterschiedliche Durchmesser der Einlassöffnungen, beispielsweise mit einem Abstand von den Zulaufstutzen ausgehend stetig zunehmenden Durchmessern erreicht werden.
In einer bevorzugten Ausgestaltungsform beträgt eine Fläche der Diffusorplatte wenigstens 95 % einer Bodenfläche des Behälters und wenigstens 3 % geöffnete Fläche durch Einlassöffnungen relativ zur Gesamtfläche der Diffusorplatte.
Die Zulaufstutzen können entweder jeweils identische Querschnitte aufweisen oder der zweite Zulaufstutzen und der dritte Zulaufstutzen können eine Querschnittsfläche von 45 % einer Querschnittsfläche des ersten Zulaufstutzens aufweisen. Durch eine Veränderung der Querschnittsfläche der einzelnen Zulaufstutzen kann ebenfalls eine Konzentrationsverteilung innerhalb des Behälters beeinflusst werden.
Die Einlassöffnungen können beispielsweise auf konzentrischen Kreisen angeordnet oder auf einer spiralförmig verlaufenden Linie angeordnet sein.
Die Einlassöffnungen sind dabei auf beiden Seiten mit Fasen an den Bohrungen versehen um die Medienverteilung zusätzlich zu optimieren und um Störkanten zu vermeiden. Die Einlassöffnungen sind vertikal ausgerichtet.
Die Durchmesser der Einlassöffnungen sind dabei zunehmend und kreisförmig relativ zum Zentrum und/oder der Prallplatte der Diffusorplatte ausgeführt.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren eingehend erläutert. Es zeigen:

1 eine schematische Schnittdarstellung einer Anordnung zur stromlosen Metallisierung gemäß der vorliegenden Anmeldung,
2 eine perspektivische Ansicht der Anordnung aus 1,
3 eine schematische Draufsicht auf eine Diffusorplatte, wie sie in einer Anordnung gemäß den 1 und 2 zum Einsatz kommt,
4a ein Ausführungsbeispiel einer Diffusorplatte der 3 in Ansicht von unten,
4b eine Anordnung von drei Zulaufstutzen relativ zu der Diffusorplatte aus 4a,
5 die Diffusorplatte aus 4a in perspektivischer Ansicht und

1 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Anordnung zur stromlosen Metallisierung gemäß der vorliegenden Anmeldung.
In 1 ist in einem Längsschnitt ein Behälter 13 dargestellt, in dem senkrecht stehend eine Mehrzahl von zu beschichtenden Werkstücken 10, beispielsweise Halbleiter-Wafern in einem sogenannten Wafer-Carrier angeordnet sind. In einem Boden 15 des Behälters 13 sind im vorliegenden Ausführungsbeispiel entlang der Längsachse und zentrisch in Querrichtung ein erster Zulaufstutzen 21, ein zweiter Zulaufstutzen 22 sowie ein dritter Zulaufstutzen 23 angeordnet. Über die Zulaufstutzen 21, 22, 23 ist dem Behälter 13 eine Elektrolytlösung zur stromlosen Metallisierung der in dem Behälter 13 angeordneten Werkstücke 10 zuführbar. Um eine hinreichende Homogenität bei der Beschichtung der Werkstücke 10 zu erreichen, ist zwischen den Zulaufstutzen 21, 22, 23 und dem Abschnitt des Behälters 13, in dem die Werkstücke 10 angeordnet sind, ein Diffusor 24, der vorliegend als Diffusorplatte ausgebildet ist, angeordnet.
Die Diffusorplatte 24 ist dafür in einem unteren Viertel des Behälters 13 derart angeordnet, dass sie zwischen den Werkstücken 10 und einem durch die Zulaufstutzen 21, 22, 23 gebildeten Zulauf 20 angeordnet ist und somit eine Verteilung des über den Zulauf 20 zugeführten Mediums gewährleistet. Da die Elektrolytlösung, die vorliegend zur Metallisierung der Werkstücke 10 verwendet wird bei der Durchführung des Metallisierungsprozesses permanent umgewälzt wird, d. h. dass die Elektrolytlösung über einen oberen Rand des Behälters 13, der vorliegend einen Ablauf 30 bildet aus dem Behälter 13 herausläuft, aufgefangen wird und dem Behälter 13 über den am bodenseitig angeordneten Zulauf 20 wieder zugeführt wird, sorgt die Diffusorplatte 24 für eine möglichst homogene Konzentrationsverteilung der in der Elektrolytlösung enthaltenen Reaktanden, sodass eine homogene Metallabscheidung erfolgt.
In 2 ist die in 1 lediglich schematisch dargestellte Anordnung in einer perspektivischen Darstellung detaillierter dargestellt.
Zu erkennen ist, dass der Behälter 13, der im vorliegenden Ausführungsbeispiel als Quarzglasbehälter ausgeführt ist im Wesentlichen kubisch ausgestaltet, und von einem Umbehälter 14 zum Auffangen des über den als Ablauf 30 ausgebildeten oberen Rand ablaufenden Mediums, umgeben ist. Der Umbehälter 14 weist verschiedene Anschlussstutzen auf, die zur Führung der Elektrolytlösung oder als Anschlüsse zur Reinigung der Anordnung ausgebildet sind. Ferner sind an dem Umbehälter 14 auch verschiedene Anbauten zu erkennen, die beispielsweise zur Aufnahme oder Durchführung verschiedener Halterungen für die Werkstücke 10 ausgebildet sind.
In 3 ist schließlich eine schematische Draufsicht auf eine Diffusorplatte 24, wie sie in einer Anordnung gemäß den 1 und 2 zum Einsatz kommen kann, gezeigt.
Die Diffusorplatte 24 ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel im Wesentlichen rechteckig ausgebildet, wobei in der in 3 gezeigten Darstellung deutlich eine erste Anordnung 31 und eine zweite Anordnung 32 zu erkennen sind, die als abschnittsweise überlappende Kreise ausgeführt sind. Die im Mittelpunkte M₁ , M₂ der beiden Anordnungen 31, 32 sind derart auf der Längsachse L, die einer in Längsrichtung verlaufenden Symmetrieachse der Diffusorplatte 24 entspricht, angeordnet, dass sich die beiden Anordnungen 31, 32 abschnittsweise überlappen, wobei eine Gesamtheit der Anordnungen 31, 32 in Längsrichtung zentrisch auf der Diffusorplatte 24 angeordnet ist.
In der in 3 gezeigten Darstellung ist außerdem die Anordnung der Zulaufstutzen 21, 22, 23 relativ zu den Anordnungen 31, 32 zu erkennen. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist der zweite Zulaufstutzen 22 konzentrisch zu der ersten Anordnung 31 und der dritte Zulaufstutzen 23 konzentrisch zu der zweiten Anordnung 32 ausgerichtet. Der erste Zulaufstutzen 21 ist, wie auch die beiden anderen Zulaufstutzen 22, 23 entlang der Längsachse L vorliegend exakt zwischen dem zweiten Zulaufstutzen 22 und dem dritten Zulaufstutzen 23 angeordnet. Der erste Zulaufstutzen 21 ist damit zu den beiden anderen Zulaufstutzen jeweils gleich weit beabstandet angeordnet.
In 4a ist eine mögliche Ausgestaltungsform einer Diffusorplatte 24, wie sie in 3 nur schematisch dargestellt ist, gezeigt. Die Diffusorplatte 24 weist in diesem Ausführungsbeispiel eine Vielzahl von Einlassöffnungen 25 auf, die auf konzentrischen Kreisen angeordnet sind. Um eine optimale Verteilung des über die Zulaufstutzen 21, 22, 23 zugeführten Mediums zu erreichen, weisen die erste Anordnung 31 und die zweite Anordnung 32 in dem in 4a dargestellten Ausführungsbeispiel zentrisch angeordnete Prallplatten 27 auf, in deren Bereich keine Einlassöffnungen 25 angeordnet sind. Die Prallplatten sind also durch einen ausgehend vom jeweiligen Mittelpunkt der Anordnung 31, 32 bis zu einem ersten Radius r₁ ausgeführten öffnungsfreien Bereich ausgebildet. Durch die Prallplatten 27 wird eine verbesserte Verteilung des über den zweiten Zulaufstutzen 22 und den und dritten Zulaufstutzen 23 zugeführten Mediums erreicht.
Aus der in 4a dargestellten Ansicht der Diffusorplatte 24 ist ferner ersichtlich, dass die Diffusorplatte 24 umlaufend angefast ist. Dies führt dazu, dass bei einem Einlegen der Diffusorplatte 24 in den Behälter 13 auf korrespondierend ausgebildete Auflagen durch die umlaufende Phase eine Selbstzentrierung der Diffusorplatte relativ zu dem Behälter 13 erreicht wird. In 4a ist ferner zu erkennen, dass die Einlassöffnungen 25 unterschiedliche Durchmesser aufweisen können. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind in den Anordnungen 31, 32 jeweils die Einlassöffnungen 25 der beiden innersten Kreise von Einlassöffnungen 25 mit einem geringeren Durchmesser und damit mit einem geringeren Strömungsquerschnitt ausgebildet. Dies kann ebenfalls zur Einstellung der Konzentrationsverteilung innerhalb des Behälters 13 benutzt werden.
In 4b sind die Zulaufstutzen 21, 22, 23 sowie in Zusammenschau mit 4a deren Ausrichtung relativ zur Diffusorplatte 24 gezeigt.
In 5 ist die Diffusorplatte 24 aus 4a in einer perspektivischen Ansicht dargestellt. 5 zeigt eine perspektivische Ansicht von unten, aus der besonders gut die umlaufende Phase der Diffusorplatte 24 zu erkennen ist. Ferner ist aus den 4a und 5 ersichtlich, dass die erste Anordnung 31 und die zweite Anordnung 32 in Richtung der Längsachse L bis an den Rand der Diffusorplatte 24 geführt sind. In Querrichtung, d. h. in einer Richtung rechtwinklig zur Längsachse L reichen die Anordnungen 31, 32 ebenfalls bis an den Rand der Diffusorplatte - der angefaste Bereich ist ausgenommen - wobei die zu Grunde liegende Kreisform der Anordnungen 31, 32 eigentlich über den Rand der Diffusorplatte 24 hinausreichen würde. Die Einlassöffnungen 25 sind, wie bereits dargestellt, in konzentrischen Kreisen angeordnet.
Bezugszeichenliste

10: Werkstück/Wafer
11: Zieloberflächen
13: Behälter
14: Umbehälter
15: Boden
20: Zulauf
21: erster Zulaufstutzen
22: zweiter Zulaufstutzen
23: dritter Zulaufstutzen
24: Diffusor
25: Einlassöffnungen
27: Prallplatten
30: Ablauf
31: erste Anordnung
32: zweite Anordnung
90: Zulauf
91: Zulaufstutzen
L: Längsachse
d: Durchmesser
A_D: Fläche
A_B: Bodenfläche
A_Z: Querschnittsfläche

Claims

Anordnung zur stromlosen Metallisierung einer Zieloberfläche (11) wenigstens eines Werkstücks (10) mit - einem Behälter (13) zur Aufnahme einer Elektrolytlösung - einem im Boden (15) des Behälters (13) angeordneten Zulauf für die Elektrolytlösung, wobei behälterinnenseitig vor den Zulauf (20) eine Diffusorplatte (24) mit einer Mehrzahl von Einlassöffnungen (25) angeordnet ist, - einen oberseitig an dem Behälter (13) angeordneten Ablauf (30), - einer Aufnahme zur Halterung des wenigstens einen Werkstücks (10), dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusorplatte (24) als eine erste Anordnung (31) und eine, zu der ersten identische zweite Anordnung (32), aus jeweils einer Mehrzahl von Einlassöffnungen (25) ausgebildet ist, wobei sich die Anordnungen wenigstens teilweise, jedoch nicht vollständig überlappen und der Zulauf (20) wenigstens zwei Zulaufstutzen (22, 23) aufweist.
Anordnung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Anordnung (31) und die zweite Anordnung (32) entlang einer Längsachse (L) des Behälters (13) angeordnet sind.
Anordnung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusorplatte (24) zentriert bodenseitig in den Behälter (13) angeordnet ist.
Anordnung gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Zulauf (20) wenigstens drei Zulaufstutzen (21, 22, 23) aufweist.
Anordnung gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein erster Zulaufstutzen (21) relativ zur Diffusorplatte (24) zentriert ausgerichtet ist und ein zweiter Zulaufstutzen (22) und ein dritter Zulaufstutzen (23) je relativ zu der ersten Anordnung (31) und der zweiten Anordnung (32) zentriert ausgerichtet sind.
Anordnung gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusorplatte (24) im Bereich wenigstens eines der Zulaufstutzen (21, 22, 23) eine Prallplatte (27) und/oder eine geringere Dichte von Einlassöffnungen (25) aufweist.
Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sämtliche Einlassöffnungen (25) einen identischen Durchmesser (d) aufweisen.
Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einlassöffnungen (25) gleichverteilt angeordnet sind.
Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Fläche der Diffusorplatte (24) wenigstens 95 % einer Bodenfläche (A_B) des Behälters (13) beträgt.
Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zulaufstutzen (91) einer identischen Querschnittsfläche (A_Z) aufweisen.
Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Zulaufstutzen (22) und der dritte Zulaufstutzen (23) eine Querschnittsfläche (A_Z) von 45 % eines Querschnitts des ersten Zulaufstutzens (21) aufweisen.
Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Anordnung und die zweite Anordnung kreisförmig ausgebildet sind und die Einlassöffnungen (25) jeweils auf konzentrischen Kreisen angeordnet sind.
Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Einlass jeweils wenigstens eine Pumpe zugeordnet ist.
Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verteilung der in die Diffusorplatte (24) integrierten Einlassöffnungen (25) kreisförmig vom Zentrum des Zulaufstuzens des Prozessbeckens ist.
Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchmesser der Einlassöffnungen mit zunehmendem Radius r zunehmen und vorzugsweise mindestens 0,15 cm betragen.
Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusorplatte 24 wenigstens 248 Einlassöffnungen 25 aufweist und diese vorzugsweise 3 % der Gesamtfläche der Diffusorplatte 24 ausmachen.