JPH079068B2 - 基板の無電解メッキ方法 - Google Patents
基板の無電解メッキ方法Info
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- JPH079068B2 JPH079068B2 JP15351390A JP15351390A JPH079068B2 JP H079068 B2 JPH079068 B2 JP H079068B2 JP 15351390 A JP15351390 A JP 15351390A JP 15351390 A JP15351390 A JP 15351390A JP H079068 B2 JPH079068 B2 JP H079068B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- plating
- plating solution
- electroless plating
- substrates
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- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、プリント基板やコンパクトディスクなどの基
板の上に無電解メッキを施す基板の無電解メッキ方法に
関する。
板の上に無電解メッキを施す基板の無電解メッキ方法に
関する。
（従来の技術） 従来、例えばプリント基板のメッキ装置としては、無電
解メッキ液をポンプで循環するとともに、その循環経路
中にメッキ槽を設け、メッキ槽で消費されるメッキ液成
分を補給するものが知られている。
解メッキ液をポンプで循環するとともに、その循環経路
中にメッキ槽を設け、メッキ槽で消費されるメッキ液成
分を補給するものが知られている。
そして、この装置では、メッキ槽内に複数のプリント基
板を平行に並べて浸漬し、その各プリント基板の板面に
沿う方向に無電解メッキ液を流しながら各プリント基板
の表面に無電解メッキを施すようにしている。
板を平行に並べて浸漬し、その各プリント基板の板面に
沿う方向に無電解メッキ液を流しながら各プリント基板
の表面に無電解メッキを施すようにしている。
（発明が解決しようとする課題） ところが、このようなメッキ方法では、無電解メッキ液
は、被メッキ物である各プリント基板の板面に沿って流
れ、プリント基板の先端部（上流側）に最初に触れたメ
ッキ液中の金属イオンは、途中で消費されながらプリン
ト基板の後端部（下流側）に向けて流れていく。そのた
め、無電解メッキ液は、その流れにともなって徐々に金
属イオン濃度の低下やその組成変化を生じるので、金属
メッキ膜の成長速度はプリント基板の各位置によって差
異を生じ、プリント基板全体に均一の厚さのメッキ膜を
形成することが困難であるという問題があった。
は、被メッキ物である各プリント基板の板面に沿って流
れ、プリント基板の先端部（上流側）に最初に触れたメ
ッキ液中の金属イオンは、途中で消費されながらプリン
ト基板の後端部（下流側）に向けて流れていく。そのた
め、無電解メッキ液は、その流れにともなって徐々に金
属イオン濃度の低下やその組成変化を生じるので、金属
メッキ膜の成長速度はプリント基板の各位置によって差
異を生じ、プリント基板全体に均一の厚さのメッキ膜を
形成することが困難であるという問題があった。
特に、厚付けする高速無電解メッキにおいて上記の問題
は顕著であり、プリント基板の縦および横の長さがそれ
ぞれ1mというように大きく、しかも数10枚のプリント基
板を所定の間隔で密に並べて無電解メッキする場合に
は、無電解メッキ液がプリント基板の先端部（上流側）
から流入してその後端部（下流側）へ抜け出るまでに４
分前後の時間がかかるので、金属イオン濃度の変化は許
容範囲（管理値）をはるかに越え、品質の面でも問題と
なっていた。
は顕著であり、プリント基板の縦および横の長さがそれ
ぞれ1mというように大きく、しかも数10枚のプリント基
板を所定の間隔で密に並べて無電解メッキする場合に
は、無電解メッキ液がプリント基板の先端部（上流側）
から流入してその後端部（下流側）へ抜け出るまでに４
分前後の時間がかかるので、金属イオン濃度の変化は許
容範囲（管理値）をはるかに越え、品質の面でも問題と
なっていた。
そこで、本発明は、これらの問題を解消し、プリント基
板やコンパクトディスクなどの基板の表面全体に均一な
金属メッキ層を形成できる無電解メッキ方法を提供する
ことを目的とする。
板やコンパクトディスクなどの基板の表面全体に均一な
金属メッキ層を形成できる無電解メッキ方法を提供する
ことを目的とする。
（課題を解決するための手段） かかる目的を達成するために、本発明は以下のような方
法を採用した。
法を採用した。
すなわち、本発明は、メッキ槽内に複数の基板を平行に
並べ、前記メッキ槽内に無電解メッキ液を、基板の高さ
の1.5倍以上の深さになるよう充填し、この無電解メッ
キ液を基板の板面に沿って横方向に流しながら前記各基
板に無電解メッキするとともに、 前記基板を、無電解メッキ液の基板横断時間にほぼ等し
い周期で、基板の高さの1/2以上離間した２点間を上下
に往復動することを特徴とする。
並べ、前記メッキ槽内に無電解メッキ液を、基板の高さ
の1.5倍以上の深さになるよう充填し、この無電解メッ
キ液を基板の板面に沿って横方向に流しながら前記各基
板に無電解メッキするとともに、 前記基板を、無電解メッキ液の基板横断時間にほぼ等し
い周期で、基板の高さの1/2以上離間した２点間を上下
に往復動することを特徴とする。
（作用） 無電解メッキ液は、メッキ槽内をたとえば左から右とい
ったように横方向に流れ続けている。一方、複数の基板
は、基板の高さの1/2以上離間した２点間を一点から他
点に向け往復動する。この往復動の周期は、無電解メッ
キ液が基板の一端から他端へ流れるのに要する時間すな
わち基板横断時間にほぼ等しく、この間に基板に接して
いない部分で無電解メッキ液がすべて入れ替っている。
ったように横方向に流れ続けている。一方、複数の基板
は、基板の高さの1/2以上離間した２点間を一点から他
点に向け往復動する。この往復動の周期は、無電解メッ
キ液が基板の一端から他端へ流れるのに要する時間すな
わち基板横断時間にほぼ等しく、この間に基板に接して
いない部分で無電解メッキ液がすべて入れ替っている。
したがって、このような往復動を繰り返すことにより、
各基板は、濃度が一定かつ均一のメッキ液に所定時間ご
とに浸漬を繰り返すことと等価になる。その結果、各基
板は、その部位にかかわらず同一濃度のメッキ液に接触
することになり、その表面全体に均一なメッキ槽が形成
される。
各基板は、濃度が一定かつ均一のメッキ液に所定時間ご
とに浸漬を繰り返すことと等価になる。その結果、各基
板は、その部位にかかわらず同一濃度のメッキ液に接触
することになり、その表面全体に均一なメッキ槽が形成
される。
複数の基板の移動距離は、基板の高さと同一程度にする
と、基板が移動するまでに基板に接するすべてのメッキ
液が入れ替るが、基板の高さの1/2以上であれば、基板
は上半部と下半部とが交互に一定濃度のメッキ液中に浸
漬を繰り返えして均一な厚さのメッキが施されることに
なり、実用上何等差し支えない。
と、基板が移動するまでに基板に接するすべてのメッキ
液が入れ替るが、基板の高さの1/2以上であれば、基板
は上半部と下半部とが交互に一定濃度のメッキ液中に浸
漬を繰り返えして均一な厚さのメッキが施されることに
なり、実用上何等差し支えない。
（実施例） 以下、図面を参照して本発明実施例について説明する。
まず、本発明方法を実施するための無電解メッキ装置の
一例について、第１図および第２図を参照して説明す
る。
一例について、第１図および第２図を参照して説明す
る。
図において、１は無電解メッキ液を収容して無電解メッ
キを行うメッキ槽であり、このメッキ槽１の排出口と供
給口との間には、メッキ液を循環させるための循環路２
を接続する。
キを行うメッキ槽であり、このメッキ槽１の排出口と供
給口との間には、メッキ液を循環させるための循環路２
を接続する。
循環路２の途中には、無電解メッキ液を循環するポンプ
３、および無電解メッキ液中の消費されたメッキ液成分
を自動的に補給する補給装置４を、それぞれ介在する。
３、および無電解メッキ液中の消費されたメッキ液成分
を自動的に補給する補給装置４を、それぞれ介在する。
プリント基板などの基板５は、所定間隔ごとに複数枚平
行に並んでおり、従来のものと同様に保持してメッキ槽
１内のメッキ液中に浸漬する。そして、これら複数の基
板５は、所定の周期で昇降動作を繰り返す昇降装置６に
接続し、後述のように上下に往復動できるように構成す
る。
行に並んでおり、従来のものと同様に保持してメッキ槽
１内のメッキ液中に浸漬する。そして、これら複数の基
板５は、所定の周期で昇降動作を繰り返す昇降装置６に
接続し、後述のように上下に往復動できるように構成す
る。
なお、基板５がプリント基板のときには、その大きさは
例えば500mm×600mm程度とし、同時に浸漬する枚数は20
枚程度とする。
例えば500mm×600mm程度とし、同時に浸漬する枚数は20
枚程度とする。
次に、このように構成するメッキ装置を使用する本発明
のメッキ方法の一例を、図面を参照して説明する。
のメッキ方法の一例を、図面を参照して説明する。
いま、ポンプ３が駆動を開始すると、メッキ槽１内の無
電解メッキ液は、循環路２を経由して再びメッキ槽１内
に戻されて循環するとともに、メッキ槽１内を左から右
に向けて流れていく。この際に、メッキ槽内には常に無
電解メッキが基板の高さの約２倍以上の量になるよう充
填されている。
電解メッキ液は、循環路２を経由して再びメッキ槽１内
に戻されて循環するとともに、メッキ槽１内を左から右
に向けて流れていく。この際に、メッキ槽内には常に無
電解メッキが基板の高さの約２倍以上の量になるよう充
填されている。
この循環中に、メッキ槽１では基板５にメッキが施され
るので、無電解メッキ液中の成分が消費される。しか
し、その消費された成分は、補給装置４により補給され
るので、メッキ槽１内には一定濃度の無電解メッキ液が
常時充填されていることになる。
るので、無電解メッキ液中の成分が消費される。しか
し、その消費された成分は、補給装置４により補給され
るので、メッキ槽１内には一定濃度の無電解メッキ液が
常時充填されていることになる。
一方、複数の基板５は、昇降装置６により無電解メッキ
液の流れに対して直交方向のメッキ槽の上半部と、その
下半部との間を往復動する。
液の流れに対して直交方向のメッキ槽の上半部と、その
下半部との間を往復動する。
したがって、基板５がメッキ槽１の下半部側にあるきは
（第３図参照）、各基板５は均一かつ所定の濃度のメッ
キ液に浸漬されてメッキが施されることになり、その下
半部側の無電解メッキ液の濃度は徐々に低下していく。
この間に、メッキ槽１の上半部側は、基板５が存在しな
いために無電解メッキ液は比較的早い速度で移動し、メ
ッキ液は均一かつ所定の濃度のものと短時間で入れ替わ
る。
（第３図参照）、各基板５は均一かつ所定の濃度のメッ
キ液に浸漬されてメッキが施されることになり、その下
半部側の無電解メッキ液の濃度は徐々に低下していく。
この間に、メッキ槽１の上半部側は、基板５が存在しな
いために無電解メッキ液は比較的早い速度で移動し、メ
ッキ液は均一かつ所定の濃度のものと短時間で入れ替わ
る。
次に、メッキ液が入れ替わったことを条件に、基板５が
メッキ槽１の下半部側から上半部側に移動すると（第４
図参照）、基板５はその全体が均一かつ所定の濃度のメ
ッキ液の中に浸漬された状態となり、メッキが施され
る。この間には、メッキ槽１の下半部側は、基板５が存
在しないために無電解メッキ液が比較的早い速度で移動
し、いったん濃度の低下したメッキ液は均一かつ所定の
濃度のものに短時間で入れ替わる。
メッキ槽１の下半部側から上半部側に移動すると（第４
図参照）、基板５はその全体が均一かつ所定の濃度のメ
ッキ液の中に浸漬された状態となり、メッキが施され
る。この間には、メッキ槽１の下半部側は、基板５が存
在しないために無電解メッキ液が比較的早い速度で移動
し、いったん濃度の低下したメッキ液は均一かつ所定の
濃度のものに短時間で入れ替わる。
このような基板５の往復動を繰り返すことにより、各基
板５は、濃度が一定かつ均一のメッキ液に所定時間ごと
に浸漬を繰り返すことと等価になる。その結果、各基板
５は、その部位にかかわらず同一濃度のメッキ液に接触
することになり、その表面全体に均一なメッキ層が形成
される。
板５は、濃度が一定かつ均一のメッキ液に所定時間ごと
に浸漬を繰り返すことと等価になる。その結果、各基板
５は、その部位にかかわらず同一濃度のメッキ液に接触
することになり、その表面全体に均一なメッキ層が形成
される。
ところで、例えば基板５の横の長さを600mm、メッキ槽
１内の基板５の存在しない領域におけるメッキ液の流速
を51mm/sとすれば、メッキ液が基板５の左端から右端ま
で移動するのに要する時間は、およそ11.8秒となる。
１内の基板５の存在しない領域におけるメッキ液の流速
を51mm/sとすれば、メッキ液が基板５の左端から右端ま
で移動するのに要する時間は、およそ11.8秒となる。
したがて、この時間を経過すれば、メッキ槽１内のいっ
たん濃度の低下した下半部または上半部におけるメッキ
液は、濃度が一定かつ均一なメッキ液に入れ替わる。よ
って、複数の基板５を昇降装置６により上下に往復動す
る時間間隔（周期）は、上記11.8秒より僅かに長い12秒
程度が好適となる。
たん濃度の低下した下半部または上半部におけるメッキ
液は、濃度が一定かつ均一なメッキ液に入れ替わる。よ
って、複数の基板５を昇降装置６により上下に往復動す
る時間間隔（周期）は、上記11.8秒より僅かに長い12秒
程度が好適となる。
以上説明したメッキ方法では、複数の基板５の移動距離
を、第３図および第４図に示すように、所定時間ごとに
濃度が一定かつ均一のメッキ液に浸漬させるため、基板
５の高さと同一程度にすると、基板が移動するまでに基
板に接するすべてのメッキ液が入れ替るので好ましい。
しかし、その距離は、基板５の高さの1/2以上であれば
良い。
を、第３図および第４図に示すように、所定時間ごとに
濃度が一定かつ均一のメッキ液に浸漬させるため、基板
５の高さと同一程度にすると、基板が移動するまでに基
板に接するすべてのメッキ液が入れ替るので好ましい。
しかし、その距離は、基板５の高さの1/2以上であれば
良い。
たとえば、基板５の移動量を、第５図に示すように、第
３図および第４図の場合に比べて1/2にすると、基板５
は上半部と下半部とが交互に一定濃度のメッキ液中に浸
漬を繰り返えして均一な厚さのメッキがされることにな
り、実用上は何等差し支えない。この方法によれば、メ
ッキ槽１に充填するメッキ液の量は基板の高さの約1.5
倍で足り、従って基板５に対してメッキ槽１の大きさに
制約があるときのような場合には、好適である。
３図および第４図の場合に比べて1/2にすると、基板５
は上半部と下半部とが交互に一定濃度のメッキ液中に浸
漬を繰り返えして均一な厚さのメッキがされることにな
り、実用上は何等差し支えない。この方法によれば、メ
ッキ槽１に充填するメッキ液の量は基板の高さの約1.5
倍で足り、従って基板５に対してメッキ槽１の大きさに
制約があるときのような場合には、好適である。
（発明の効果） このように本発明では、メッキ槽内に浸漬した複数の基
板を、無電解メッキ液が基板の一端から他端へ移動する
時間すなわち基板横断時間にほぼ等しい周期で、基板の
高さの1/2以上離間した２点間を往復動するようにし
た。
板を、無電解メッキ液が基板の一端から他端へ移動する
時間すなわち基板横断時間にほぼ等しい周期で、基板の
高さの1/2以上離間した２点間を往復動するようにし
た。
したがって、本発明では、各基板は、濃度が一定かつ均
一のメッキ液に所定時間ごとに浸漬を繰り返すこと等価
になり、その部位にかかわらず同一濃度のメッキ液に接
触することになるので、表面全体に均一な金属メッキ層
が形成される。
一のメッキ液に所定時間ごとに浸漬を繰り返すこと等価
になり、その部位にかかわらず同一濃度のメッキ液に接
触することになるので、表面全体に均一な金属メッキ層
が形成される。
また本発明では、複数の基板の移動距離を、必要に応じ
て基板の高さの1/2まで減少することができるので、基
板が大きくメッキ層の大きさに制約があるような場合で
あっても好適である。
て基板の高さの1/2まで減少することができるので、基
板が大きくメッキ層の大きさに制約があるような場合で
あっても好適である。
第１図は本発明方法を実施するための無電解メッキ装置
の構成を示す図、第２図はメッキ槽の平面図、第３図、
第４図および第５図はそれぞれメッキ方法の実施例を説
明する図である。 １はメッキ槽、５は基板、６は昇降装置である。
の構成を示す図、第２図はメッキ槽の平面図、第３図、
第４図および第５図はそれぞれメッキ方法の実施例を説
明する図である。 １はメッキ槽、５は基板、６は昇降装置である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栗山 豊治 東京都渋谷区東１丁目27番９号 株式会社 プランテックス内 (56)参考文献 特開 昭53−93126（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−196398（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】メッキ槽内に複数の基板を平行に並べ、前
記メッキ槽内に無電解メッキ液を、基板の高さの1.5倍
以上の深さになるよう充填し、この無電解メッキ液を基
板の板面に沿って横方向に流しながら前記各基板に無電
解メッキするとともに、 前記基板を、無電解メッキ液の基板の横断時間にほぼ等
しい周期で、基板の高さの1/2以上離間した２点間を上
下に往復動することを特徴とする基板の無電解メッキ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15351390A JPH079068B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 基板の無電解メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15351390A JPH079068B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 基板の無電解メッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445279A JPH0445279A (ja) | 1992-02-14 |
| JPH079068B2 true JPH079068B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=15564184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15351390A Expired - Lifetime JPH079068B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 基板の無電解メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079068B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69535768D1 (de) * | 1994-12-01 | 2008-07-24 | Ibiden Co Ltd | Mehrschichtige leiterplatte und verfahren für deren herstellung |
| CN112159977A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-01 | 山东宏旺实业有限公司 | 一种采用水镀黑钛制作镀钛不锈钢的方法及装置 |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP15351390A patent/JPH079068B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0445279A (ja) | 1992-02-14 |
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