JPH0445279A - 基板の無電解メッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、プリント基板やコンパクトディスクなどの基
板の上に無電解メッキを施す基板の無電解メッキ方法に
関する。

（従来の技術） 従来、例えばプリント基板のメッキ装置としては、無電
解メッキ液をポンプで循環するとともに、その循環経路
中にメッキ槽を設け、メッキ槽で消費されるメッキ液成
分を補給するものが知られている。

そして、この装置では、メッキ槽内に複数のプリント基
板を平行に並べて浸漬し、その各プリント基板の板面に
沿う方向に無電解メッキ液を流しながら各プリント基板
の表面に無電解メッキを施すようにしている。

（発明が解決しようとする課題） ところが、このようなメッキ方法では、無電解メッキ液
は、被メッキ物である各プリント基板の板面に沿って流
れ、プリント基板の先端部に最初に触れたメッキ液中の
金属イオンは、途中で消費されながらプリント基板の後
端部に向けて流れていく。そのため、無電解メッキ液は
、その流れにともなって徐々に金属イオン濃度の低下や
その組プリント基板の各位置１こよって差異を生し、プ
リント基板全体に均一の厚さのメッキ膜を形成すること
が困難であるという問題があった。

特に、厚付けする高速無電解メッキにおいて上記の問題
は顕著であり、プリント基板の縦および横の長さがそれ
ぞれ１ｍというように大きく、しかも数１０枚のプリン
ト基板を所定の間隔で密に並べて無電解メッキする場合
には、無電解メッキ液がプリント基板の先端部から流入
してその後端部へ抜は出るまでに４分前後の時間がかか
るので、金属イオン濃度の変化は許容範囲（管理値）を
はるかに越え、品質の面でも問題となっていた。

そこで、本発明は、これらの問題を解消し、プリント基
板やコンパクトディスクなどの基板の表面全体に均一な
金属メッキ層を形成できる無電解メッキ方法を提供する
ことを目的とする。

（課題を解決するための手段） かかる目的を達成するために、本発明は以下のような方
法を採用した。

すなわち、本発明は、メッキ槽内に複数の基板を並べ、
前記メッキ槽内に無電解メッキ液を流しながら前記各基
板に無電解メッキするとともに、前記メッキ槽内の複数
の基板は、メッキ液の流れる方向に対して直交方向に離
れた２箇所の位置の間を往復動し、前記２箇所の位置の
距離は、前記基板の移動方向の長さの１／２以上である
ことを特徴とするものである。

（作用） このような本発明の作用について、第３図および第４図
を参照して説明する。

無電解メッキ液は、メッキ槽１を左から右に向けて流れ
ていく。一方、複数のプリント基板などの基板５は、こ
の無電解メッキ液の流れに対して直行方向のメッキ槽１
の上半部と、その下半部との間を往復動する。

いま、基板５がメッキ槽１の下半部側にあるときには、
各基板５は均一かつ所定の濃度のメッキ液に浸漬されて
メッキが施されることになり、その下半部側の無電解メ
ッキ液の濃度は徐々に低下していく。この間に、メッキ
槽１の上半部側は、基板５が存在しないために無電解メ
ッキ液が比較的早い速度で移動できるので、メッキ液は
均一かつ所定の濃度のものに入れ替わる。

次に、基板５がメッキ槽の下半分側から上半部側に移動
すると、各基板５はその全体が均一かつ所定の濃度のメ
ッキ液の中に浸漬された状態となり、メッキが施される
。この間には、メッキ槽１の下半部側は、基板１が存在
しないために無電解メッキ液が比較的早い速度で移動し
、いったん濃度の低下したメッキ液は、均一かつ所定の
濃度のものに比較的短時間で入れ替わる。

したがって、このような基板５の往復動を繰り返すこと
により、各基板５は、濃度が一定かつ均一のメッキ液に
所定時間ごとに浸漬を繰り返すことと等価になる。その
結果、各基板５は、その部位にかかわらず同一濃度のメ
ッキ液に接触することになり、その表面全体に均一なメ
ッキ層が形成される。

ところで、本発明では、複数の基板５の移動距離を、第
３図および第４図に示すように、基板５の移動方向の長
さと同一程度にするのが好ましい。

しかし、その距離は、基板５の移動方向の長さの１／２
以上であれば、実用上筒等差し支えない。

なお、第３図および第４図の例では、各基板５の配列方
向をメッキ液の流れと同一方向としたが、各基板５の配
列方向はこれに限定されるものではない。

（実施例） 以下、図面を参照して本発明実施例について説明する。

まず、本発明方法を実施するための無電解メッキ装置の
一例について、第１図および第２図を参照して説明する
。

図において、１は無電解メッキ液を収容して無電解メッ
キを行うメッキ槽であり、このメッキ槽１の排出口と供
給口との間には、メッキ液を循環させるための循環路２
を接続する。

循環路２の途中には、無電解メッキ液を循環するポンプ
３、および無電解メッキ液中の消費されたメッキ液成分
を自動的に補給する補給装置４を、それぞれ介在する。

メッキ槽１には、プリント基板などの基板５を所定間隔
ごとに複数枚平行に並べて浸漬する。そして、これら複
数の基板５は、昇降装置６により後述のように上下に往
復動できるように構成する。

なお、基板５がプリント基板のときには、その大きさは
例えば５００ｍｍＸ６００ｍｍ程度とし、同時に浸漬す
る枚数は２０枚程度とする。

次に、このように構成するメッキ装置を使用する本発明
のメッキ方法の一例を、図面を参照して説明する。

いま、ポンプ３が駆動を開始すると、メッキ槽１内の無
電解メッキ液は、循環路２を経由して再びメッキ槽１内
に戻されて循環するとともに、メッキ槽１内を左から右
に向けて流れていく。

この循環中に、メッキ槽１では基板５にメッキが施され
るので、無電解メッキ液中の成分が消費される。しかし
、その消費された成分は、補給装置４により補給される
ので、メッキ槽１内には一定濃度の無電解メッキ液が常
時供給される。

一方、複数の基板５は、昇降装置６により無電解メッキ
液の流れに対して直行方向のメッキ槽の上半部と、その
下半部との間を往復動する。

したがって、基板５がメッキ槽１の下半部側にあるとき
には（第３図参照）、各基板５は均一かつ所定の濃度の
メッキ液に浸漬されてメッキが施されることになり、そ
の下半部側の無電解メッキ液の濃度は徐々に低下してい
く。この間に、メッキ槽１の上半部側は、基板５が存在
しないために無電解メッキ液は比較的早い速度で移動し
、メッキ液は均一かつ所定の濃度のものと短時間で入れ
替わる。

次に、メッキ液が入れ替わったことを条件に、基板５が
メッキ槽１の下半分側から上半部側に移動すると（第４
図参照）、基板５はその全体が均一かつ所定の濃度のメ
ッキ液の中に浸漬された状態となり、メッキが施される
。この間には、メッキ槽１の下半部側は、基板５が存在
しないために無電解メッキ液が比較的早い速度で移動し
、いったん濃度の低下したメッキ液は均一かつ所定の濃
度のものに短時間で入れ替わる。

このような基板５の往復動を繰り返すことにより、各基
板５は、濃度が一定かつ均一のメッキ液に所定時間ごと
に浸漬を繰り返すことと等価になる。その結果、各基板
５は、その部位にかかわらず同一濃度のメッキ液に接触
することになり、その表面全体に均一なメッキ層が形成
される。

ところで、例えば基板５の横の長さを６００ｍｍ１メッ
キ槽１内の基板５の存在しない領域におけるメッキ液の
流速を５１ｍｍ／ｓとすれば、メッキ液が基板５の左端
から右端まで移動するのに要する時間は、およそ１１，
８秒となる。

したがって、この時間を経過すれば、メッキ槽１のいっ
たん濃度の低下した下半部または上半部におけるメッキ
液は、濃度が一定かつ均一なメッキ液に入れ替わる。よ
って、複数の基板５を昇降装置６により上下に往復動す
る時間間隔は、１２秒程度が好適となる。

なお、第３図および第４図の例では、各基板５の配列方
向をメッキ液の流れと同一方向としたが、各基板５の配
列方向はこれに限定されるものではない。

以上説明したメッキ方法では、複数の基板５の移動距離
を、第３図および第４図に示すように、基板５の移動方
向の長さと同一程度にするのが好ましい。しかし、その
距離は、基板５の移動方向の長さの１／２以上であれば
良い。

たとえば、基板５の移動量を、第５図に示すように、第
３図および第４図の場合に比べて１／２にすると、基板
５は上半部と下半部とが交互に一定濃度のメッキ液中に
浸漬を繰り返えして均一な厚さのメッキがされることに
なり、実用上は何等差し支えない。したがって、この方
法によれば、基板５に対してメッキ槽１の大きさに制約
があるときのような場合には、好適である。

次に、本発明の他のメッキ方法について、第６図を参照
して説明する。

このメッキ方法は、いままで説明したのとは異なり、メ
ッキ槽１内の複数の基板５を、メッキ液の流れる方向と
同一方向に往復動するものである。

すなわち、複数の基板５が、往復動装置（図示せず）に
より無電解メッキ液の流れに対して同一方向に、メッキ
槽１の左半部と、その右半部との間を往復動する（第６
図参照）。

したがって、基板５が第６図の実線で示すようにメッキ
槽ｌの左半部側にあるときには、各基板５は均一かつ所
定の濃度のメッキ液に浸漬されてメッキが施されること
になり、その左半部側の無電解メッキ液の濃度は徐々に
低下していく。この間に、メッキ槽１の右半部側は、基
板５が存在しないために無電解メッキ液は比較的早い速
度で移動し、メッキ液は均一かつ所定の濃度のものと短
時間で入れ替わる。

次に、メッキ液が入れ替わったことを条件に、基板５が
第６図の破線で示すようにメッキ槽１の左半分側から右
半部側に移動すると、基板５はその全体が均一かつ所定
の濃度のメッキ液の中に浸漬された状態となり、メッキ
が施される。この間には、メッキ槽１の左半部側は、基
板５が存在しないために無電解メッキ液が比較的早い速
度で移動し、いったん濃度の低下したメッキ液は均一か
つ所定の濃度のものに短時間で入れ替わる。

このような基板５の往復動を繰り返すことにより、各基
板５は、濃度が一定かつ均一のメッキ液に所定時間ごと
に浸漬を繰り返すことと等価になる。その結果、各基板
５は、その部位にかかわらず同一濃度のメッキ液に接触
することになり、その表面全体に均一なメッキ層が形成
される。

この様なメッキ方法では、基板５の移動距離を、第６図
に示すように基板５の移動方向の長さよりもやや長くす
るのが好ましい。しかし、その距離を、第７図に示すよ
うに基板５の移動方向の長さの１／２程度まで減少して
も実用上回等差し支えない。

（発明の効果） このように本発明では、メッキ槽内に浸漬した複数の基
板を、メッキ液の流れる方向に対して直交方向に離れた
２箇所の位置の間を往復動するようにした。

したがって、本発明では、各基板は、濃度が一定かつ均
一のメッキ液に所定時間ごとに浸漬を繰り返すことと等
価になり、その部位にかかわらず同一濃度のメッキ液に
接触することになるので、表面全体に均一な金属メッキ
層が形成される。

また本発明では、複数の基板の移動距離を、必要に応じ
て基板の移動方向の長さの１／２まで減少することがで
きるので、基板が大きくメッキ槽の大きさに制約がある
ような場合であっても好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法を実施するための無電解メッキ装置
の構成を示す図、第２図はメッキ槽の平面図、第３図、
第４図および第５図はそれぞれメッキ方法の実施例を説
明する図、第６図および第７図はそれぞれメッキ方法の
他の実施例を説明する図である。 １はメッキ槽、５は基板、６は昇降装置である。 特許出願人　　株式会社　プランテックス代理人　　　
　牧　舌部　（他３名） 第 図 コ 第 図 弔 図 弔 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　メッキ槽内に複数の基板を並べ、前記メッキ槽内に無
   電解メッキ液を流しながら前記各基板に無電解メッキす
   るとともに、 前記メッキ槽内の複数の基板は、メッキ液の流れる方向
   に対して直交方向に離れた２箇所の位置の間を往復動し
   、前記２箇所の位置の距離は、前記基板の移動方向の長
   さの１／２以上であることを特徴とする基板の無電解メ
   ッキ方法。