JPH06801Y2 - チツプ型正特性サ−ミスタ - Google Patents
チツプ型正特性サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPH06801Y2 JPH06801Y2 JP1987029163U JP2916387U JPH06801Y2 JP H06801 Y2 JPH06801 Y2 JP H06801Y2 JP 1987029163 U JP1987029163 U JP 1987029163U JP 2916387 U JP2916387 U JP 2916387U JP H06801 Y2 JPH06801 Y2 JP H06801Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- element body
- electrode
- contact electrode
- temperature coefficient
- positive temperature
- Prior art date
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- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案はチップ型正特性サーミスタに関する。
〈従来の技術〉 従来、チップ型正特性サーミスタ、たとえば角形チップ
の正特性サーミスタは、第7図の断面図に示すように、
角形チップ状の素体10の両端部の一方の主表面(図にお
いて上面)にそれぞれ、ニッケル等の銀を含まないオー
ム性材料により接触電極20,20を形成し、各接触電極20,
20の上から銀ペーストにより素体10の両端部の表面全体
を覆う表面電極30,30を形成したもので、素体10の上記
一方の主表面側においては、表面電極30,30どうしの対
向縁が接触電極20,20どうしの対向縁より端部側へ後退
している。
の正特性サーミスタは、第7図の断面図に示すように、
角形チップ状の素体10の両端部の一方の主表面(図にお
いて上面)にそれぞれ、ニッケル等の銀を含まないオー
ム性材料により接触電極20,20を形成し、各接触電極20,
20の上から銀ペーストにより素体10の両端部の表面全体
を覆う表面電極30,30を形成したもので、素体10の上記
一方の主表面側においては、表面電極30,30どうしの対
向縁が接触電極20,20どうしの対向縁より端部側へ後退
している。
〈考案が解決しようとする問題点〉 上記のチップ型正特性サーミスタでは、接触電極20が素
体10端部の各面のうち、一方の主表面にのみ形成されて
いて接触電極20の面積が小さいので、回路基板40等への
半田付け50時に表面電極30は半田くわれが生じた場合、
接触電極20と回路基板40のランド60との間の電気的接続
が不良になることがあり、信頼性に乏しい。これに対し
ては、表面電極30の厚みを充分に厚くすればよいが、そ
の場合は高価な電極材料の使用量が増大し、コストアッ
プを招来する。
体10端部の各面のうち、一方の主表面にのみ形成されて
いて接触電極20の面積が小さいので、回路基板40等への
半田付け50時に表面電極30は半田くわれが生じた場合、
接触電極20と回路基板40のランド60との間の電気的接続
が不良になることがあり、信頼性に乏しい。これに対し
ては、表面電極30の厚みを充分に厚くすればよいが、そ
の場合は高価な電極材料の使用量が増大し、コストアッ
プを招来する。
また、素体10の一方の主表面(図において上面)側にお
いては、表面電極30よりも突出している接触電極20の対
向縁に電荷が集中するので、表面電極30,30間にマイグ
レーションが発生しないが、素体10の他方の主表面(図
において下面)側においては、表面電極30内側に接触電
極がなく、表面電極30,30どうしが直接対向しているの
で、この対向縁間にはマイグレーションが生じやすい。
いては、表面電極30よりも突出している接触電極20の対
向縁に電荷が集中するので、表面電極30,30間にマイグ
レーションが発生しないが、素体10の他方の主表面(図
において下面)側においては、表面電極30内側に接触電
極がなく、表面電極30,30どうしが直接対向しているの
で、この対向縁間にはマイグレーションが生じやすい。
さらに、従来のチップ型正特性サーミスタでは、接触電
極20が存在する一方の主表面側が主たる発熱部位となる
ので、所定の特性を得るためには、回路基板40等への実
装の際、表裏を区別する必要があり、取り扱いが面倒で
ある。
極20が存在する一方の主表面側が主たる発熱部位となる
ので、所定の特性を得るためには、回路基板40等への実
装の際、表裏を区別する必要があり、取り扱いが面倒で
ある。
本考案は、上記の問題点に鑑み、半田付け時の接続不良
の発生や、マイグレーションの発生をなくし、信頼性の
向上を図るとともに、表裏等の区別を不要にして、実装
時の取り扱いを容易にすることを目的とする。
の発生や、マイグレーションの発生をなくし、信頼性の
向上を図るとともに、表裏等の区別を不要にして、実装
時の取り扱いを容易にすることを目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉 本考案は、上記の目的を達成するために、素体の両端部
にそれぞれ、銀を含まないオーム性の材料により素体の
少なくとも周囲面を覆う接触電極を形成するとともに、
銀を主成分とする材料により前記接触電極の上から素体
の端面および周囲面を覆う表面電極を形成し、表面電極
どうしの対向縁を接触電極どうしの対向縁より端部側へ
後退させてチップ型正特性サーミスタを構成した。
にそれぞれ、銀を含まないオーム性の材料により素体の
少なくとも周囲面を覆う接触電極を形成するとともに、
銀を主成分とする材料により前記接触電極の上から素体
の端面および周囲面を覆う表面電極を形成し、表面電極
どうしの対向縁を接触電極どうしの対向縁より端部側へ
後退させてチップ型正特性サーミスタを構成した。
〈作用〉 上記構成において、素体周囲のいずれの個所でも、接触
電極どうしの対向縁の方が表面電極どうしの対向縁より
も突出しているが、両電極間に電圧を印加した場合、電
荷が接触電極の対向縁に集中することになり、表面電極
の間ではマイグレーションが発生しない。
電極どうしの対向縁の方が表面電極どうしの対向縁より
も突出しているが、両電極間に電圧を印加した場合、電
荷が接触電極の対向縁に集中することになり、表面電極
の間ではマイグレーションが発生しない。
また、素体端部の周囲面に接触電極が形成されていて接
触電極の面積が広いから、回路基板等への半田付けの
際、表面電極に半田くわれが生じても、回路基板のラン
ドと接触電極との接続が充分に確保され、接続不良を生
じない。
触電極の面積が広いから、回路基板等への半田付けの
際、表面電極に半田くわれが生じても、回路基板のラン
ドと接触電極との接続が充分に確保され、接続不良を生
じない。
さらに、接触電極および表面電極の形状が、素体の表裏
や左右に関して対称であるから、発熱部位も対称とな
る。
や左右に関して対称であるから、発熱部位も対称とな
る。
〈実施例〉 以下、本考案を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第1図は本考案の一実施例に係る角形のチップ型正特性
サーミスタの一部切り欠いた斜視図、第2図はその断面
図である。
サーミスタの一部切り欠いた斜視図、第2図はその断面
図である。
この実施例のチップ型正特性サーミスタは、角形チップ
上の素体1と、1対の接触電極2,2と、1対の表面電
極3,3とを備える。
上の素体1と、1対の接触電極2,2と、1対の表面電
極3,3とを備える。
前記素体1は、たとえばチタン酸バリウム等の半導体セ
ラミックスで構成されている。接触電極2は、ニッケル
やアルミニウム等の銀を含まないオーム性材料で構成さ
れており、素体1の周囲4面(図において上面、下面お
よび幅方向両側面)と、素体1の端面とを覆っている。
したがって、この接触電極2は、上面被覆部2aと、下面
被覆部2bと、2つの側面被覆部2c,2cと、端面被覆部2d
とからなる。また、前記表面電極3は、銀を主成分とす
るもので、素体1の両端において接触電極2上に積層形
成されており、接触電極2の上から素体1の周囲4面と
素体1の端面とを覆っている。したがって、この表面電
極3も、上面被覆部3aと、下面被覆部3bと、2つの側面
被覆部3c,3cと、端面被覆部3dとからなる。そして、表
面電極3,3どうしの対向縁は、接触電極2,2どうし
の対向縁よりも所定の寸法sだけ素体1端部側に後退し
ている。
ラミックスで構成されている。接触電極2は、ニッケル
やアルミニウム等の銀を含まないオーム性材料で構成さ
れており、素体1の周囲4面(図において上面、下面お
よび幅方向両側面)と、素体1の端面とを覆っている。
したがって、この接触電極2は、上面被覆部2aと、下面
被覆部2bと、2つの側面被覆部2c,2cと、端面被覆部2d
とからなる。また、前記表面電極3は、銀を主成分とす
るもので、素体1の両端において接触電極2上に積層形
成されており、接触電極2の上から素体1の周囲4面と
素体1の端面とを覆っている。したがって、この表面電
極3も、上面被覆部3aと、下面被覆部3bと、2つの側面
被覆部3c,3cと、端面被覆部3dとからなる。そして、表
面電極3,3どうしの対向縁は、接触電極2,2どうし
の対向縁よりも所定の寸法sだけ素体1端部側に後退し
ている。
上記構成の実施例において、素体1周囲の上面、下面、
および側面のいずれの個所でも、接触電極2,2どうし
の対向縁の方が表面電極3,3どうしの対向縁よりも突
出しているから、電荷は接触電極2,2の対向縁に集中
することになり、表面電極3,3間のマイグレーション
は発生しない。また、素体1端部の表面全体に接触電極
2が形成されていて接触電極2の面積が広いから、回路
基板等への半田付けの際、表面電極3に半田つわれが生
じても、回路基板のランドとの間で接続不良を生じな
い。さらに、接触電極2および表面電極3の形状が、素
体1の表裏や左右に関して対称であるから、発熱部位も
対称となり、表裏を区別する必要がなくなる。
および側面のいずれの個所でも、接触電極2,2どうし
の対向縁の方が表面電極3,3どうしの対向縁よりも突
出しているから、電荷は接触電極2,2の対向縁に集中
することになり、表面電極3,3間のマイグレーション
は発生しない。また、素体1端部の表面全体に接触電極
2が形成されていて接触電極2の面積が広いから、回路
基板等への半田付けの際、表面電極3に半田つわれが生
じても、回路基板のランドとの間で接続不良を生じな
い。さらに、接触電極2および表面電極3の形状が、素
体1の表裏や左右に関して対称であるから、発熱部位も
対称となり、表裏を区別する必要がなくなる。
第3図は、本考案を丸形チップの正特性サーミスタに実
施した例を示す斜視図である。この実施例のチップ型正
特性サーミスタは、円柱形の素体4と、1対のニッケル
等の銀を含まないオーム性接触電極5,5と、銀を主成
分とする1対の表面電極6,6とを備える。接触電極5
は、素体4の円周に沿った周面と、素体4の端面とを被
覆している。表面電極6は、接触電極5の上から素体4
の周面と素体4の端面とを覆っている。5aは接触電極5
の周面被覆部、5bは接触電極5の端面被覆部、6aは表面
電極6の周面被覆部、6bは表面電極6の端面被覆部であ
る。そして、表面電極6,6どうしの対向縁は、接触電
極5,5どうしの対向縁よりも所定の寸法sだけ素体4
の端部側に後退している。この実施例のチップ型サーミ
スタにおいても、前記した角形のチップ型サーミスタの
場合と同様の作用が得られることは、いうまでもない。
施した例を示す斜視図である。この実施例のチップ型正
特性サーミスタは、円柱形の素体4と、1対のニッケル
等の銀を含まないオーム性接触電極5,5と、銀を主成
分とする1対の表面電極6,6とを備える。接触電極5
は、素体4の円周に沿った周面と、素体4の端面とを被
覆している。表面電極6は、接触電極5の上から素体4
の周面と素体4の端面とを覆っている。5aは接触電極5
の周面被覆部、5bは接触電極5の端面被覆部、6aは表面
電極6の周面被覆部、6bは表面電極6の端面被覆部であ
る。そして、表面電極6,6どうしの対向縁は、接触電
極5,5どうしの対向縁よりも所定の寸法sだけ素体4
の端部側に後退している。この実施例のチップ型サーミ
スタにおいても、前記した角形のチップ型サーミスタの
場合と同様の作用が得られることは、いうまでもない。
次に、上記各実施例のチップ型正特性サーミスタの製造
工程を説明する。
工程を説明する。
第4図の(A)〜(D)は、第1図および第2図に示した角形
のチップ型正特性サーミスタの製造工程の説明図であ
る。まず、同図(A)のように、半導体セラミックス製の
素体1を用意する。この素体1は、チップ型正特性サー
ミスタの単体に対応した素体である。そして、同図(B)
に示すように、素体1の表面各部のうち、接触電極2が
形成されない部位、すなわち素体1の中央部分の上面、
下面および両側面にメッキレジスト液7を塗布する。こ
のような素体1に全面的にニッケル等の銀を含まないオ
ーム性材料の無電解メッキを施す。そののち、溶剤中で
メッキレジスト膜7に超音波を当てる等の手段により、
メッキレジスト膜7を除去する。これによって、同図
(C)に示すように、両端に接触電極2となるメッキ膜が
残存した素体1が得られる。次に、同図(D)に示すよう
に、素体1の各端部を、一定深さの銀ペースト3L中に
浸漬し、接触電極2の表面に銀ペースト3Lを付着させ
る。この銀ペースト3Lを乾燥、焼成することによっ
て、接触電極2上に表面電極3が形成される。
のチップ型正特性サーミスタの製造工程の説明図であ
る。まず、同図(A)のように、半導体セラミックス製の
素体1を用意する。この素体1は、チップ型正特性サー
ミスタの単体に対応した素体である。そして、同図(B)
に示すように、素体1の表面各部のうち、接触電極2が
形成されない部位、すなわち素体1の中央部分の上面、
下面および両側面にメッキレジスト液7を塗布する。こ
のような素体1に全面的にニッケル等の銀を含まないオ
ーム性材料の無電解メッキを施す。そののち、溶剤中で
メッキレジスト膜7に超音波を当てる等の手段により、
メッキレジスト膜7を除去する。これによって、同図
(C)に示すように、両端に接触電極2となるメッキ膜が
残存した素体1が得られる。次に、同図(D)に示すよう
に、素体1の各端部を、一定深さの銀ペースト3L中に
浸漬し、接触電極2の表面に銀ペースト3Lを付着させ
る。この銀ペースト3Lを乾燥、焼成することによっ
て、接触電極2上に表面電極3が形成される。
第5図の(A)〜(D)は、第3図に示した丸形のチップ型正
特性サーミスタの製造工程の説明図である。これらの工
程は、同図(A)のチップ型正特性サーミスタの単体に対
応する素体4を用意する工程、同図(B)の素体4にメッ
キレジスト液7を塗布する工程、同図(C)の接触電極5
を形成する工程、および同図(C)の銀ペースト6Lによ
り表面電極6を形成する工程からなり、角形チプの正特
性サーミスタの場合と同じであるので、図示するにとど
め、詳細な説明は省略する。
特性サーミスタの製造工程の説明図である。これらの工
程は、同図(A)のチップ型正特性サーミスタの単体に対
応する素体4を用意する工程、同図(B)の素体4にメッ
キレジスト液7を塗布する工程、同図(C)の接触電極5
を形成する工程、および同図(C)の銀ペースト6Lによ
り表面電極6を形成する工程からなり、角形チプの正特
性サーミスタの場合と同じであるので、図示するにとど
め、詳細な説明は省略する。
なお、素体1,4の両端部にそれぞれ接触電極2,5を
形成するに当たっては、まず素体1,4の表面全面にオ
ーム性材料の電極膜を、たとえば無電解メッキにより形
成したのち、接触電極2,5が形成されない部位の電極
膜をサンドブラストやエッチングにより除去するように
してもよい。
形成するに当たっては、まず素体1,4の表面全面にオ
ーム性材料の電極膜を、たとえば無電解メッキにより形
成したのち、接触電極2,5が形成されない部位の電極
膜をサンドブラストやエッチングにより除去するように
してもよい。
なおまた、上記各実施例においては、接触電極2,5を
素体1,4の周囲面と端面とに形成したが、第6図に示
すように、端面被覆部を省略して、素体1,4の周囲面
のみを被覆するようにしてもよい。角形チップの正特性
サーミスタの場合、その接触電極2は、上記被覆部2a
と、下面被覆部2bと、両側面被覆部2c,2cとから構成さ
れる。また、丸形チップの正特性サーミスタの場合、そ
の接触電極5は、円周に沿った周面被覆部5aのみで構成
される。
素体1,4の周囲面と端面とに形成したが、第6図に示
すように、端面被覆部を省略して、素体1,4の周囲面
のみを被覆するようにしてもよい。角形チップの正特性
サーミスタの場合、その接触電極2は、上記被覆部2a
と、下面被覆部2bと、両側面被覆部2c,2cとから構成さ
れる。また、丸形チップの正特性サーミスタの場合、そ
の接触電極5は、円周に沿った周面被覆部5aのみで構成
される。
〈考案の効果〉 以上のように、本考案によれば、素体周囲で、接触電極
どうしの対向縁の方が表面電極どうしの対向縁よりも突
出しているから、素体周囲のいずれの個所においてもマ
イグレーションが発生せず、マイグレーションの発生を
確実に防止することができる。
どうしの対向縁の方が表面電極どうしの対向縁よりも突
出しているから、素体周囲のいずれの個所においてもマ
イグレーションが発生せず、マイグレーションの発生を
確実に防止することができる。
また、従来のチップ型正特性サーミスタに比べ、接触電
極の面積が広いから、回路基板等への半田付けの際、表
面電極に半田くわれが生じても、回路基板のランドと接
触電極との接続が充分に確保され、接続不良を生じな
い。
極の面積が広いから、回路基板等への半田付けの際、表
面電極に半田くわれが生じても、回路基板のランドと接
触電極との接続が充分に確保され、接続不良を生じな
い。
さらに、接触電極および表面電極の形状が素体の表裏や
左右に関して対称で、発熱部位も対称となるから、回路
基板等への実装の際、表裏等の向きを考慮する必要がな
くなり、常に所定の特性が得られ、取り扱いも容易にな
る。
左右に関して対称で、発熱部位も対称となるから、回路
基板等への実装の際、表裏等の向きを考慮する必要がな
くなり、常に所定の特性が得られ、取り扱いも容易にな
る。
第1図および第2図は本考案の一実施例に係り、第1図
は一部切り欠いた斜視図、第2図は断面図、第3図は本
考案の他の実施例の斜視図、第4図は第1図の実施例の
製造工程を示す説明図、第5図は第3図の実施例の製造
工程を示す説明図、第6図はさらに他の実施例の一部破
断した側面図である。第7図は従来例の断面図である。 1,4…素体、2,5…接触電極、3,6…表面電極。
は一部切り欠いた斜視図、第2図は断面図、第3図は本
考案の他の実施例の斜視図、第4図は第1図の実施例の
製造工程を示す説明図、第5図は第3図の実施例の製造
工程を示す説明図、第6図はさらに他の実施例の一部破
断した側面図である。第7図は従来例の断面図である。 1,4…素体、2,5…接触電極、3,6…表面電極。
Claims (1)
- 【請求項1】素体の両端部にそれぞれ、銀を含まないオ
ーム性の材料により素体の少なくとも周囲面を覆う接触
電極を形成するとともに、銀を主成分とする材料により
前記接触電極の上から素体の端面および周囲面を覆う表
面電極を形成し、表面電極どうしの対向縁を接触電極ど
うしの対向縁より端部側へ後退させたことを特徴とする
チップ型正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987029163U JPH06801Y2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | チツプ型正特性サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987029163U JPH06801Y2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | チツプ型正特性サ−ミスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63136302U JPS63136302U (ja) | 1988-09-07 |
JPH06801Y2 true JPH06801Y2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=30832805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1987029163U Expired - Lifetime JPH06801Y2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | チツプ型正特性サ−ミスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06801Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04218765A (ja) * | 1990-03-26 | 1992-08-10 | Toshiba Corp | 超音波プローブ |
JP2569936Y2 (ja) * | 1991-10-25 | 1998-04-28 | ティーディーケイ株式会社 | チップサーミスタ |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6348084Y2 (ja) * | 1981-04-13 | 1988-12-12 | ||
JPS61142434U (ja) * | 1985-02-22 | 1986-09-03 |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP1987029163U patent/JPH06801Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63136302U (ja) | 1988-09-07 |
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