JPH0110881Y2 - - Google Patents
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- JPH0110881Y2 JPH0110881Y2 JP16842683U JP16842683U JPH0110881Y2 JP H0110881 Y2 JPH0110881 Y2 JP H0110881Y2 JP 16842683 U JP16842683 U JP 16842683U JP 16842683 U JP16842683 U JP 16842683U JP H0110881 Y2 JPH0110881 Y2 JP H0110881Y2
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- Japan
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- electrode
- conductive layer
- semiconductor ceramic
- ceramic substrate
- substrate
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- Expired
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Motor Or Generator Current Collectors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体磁器基板の主面に電極が形成
された板状バリスタに関する。
された板状バリスタに関する。
従来、小型直流モータの火花消去用のバリスタ
として第１図示のように半導体磁器基板ａの一主
面に該モータの整流子の整流子片にリード線ｂを
介して各接続される整流子片と同数の扇状の銀電
極ｃが形成されたものが知られている。しかしこ
のものは、該銀電極ｃにリード線ｂを半田付けし
た際、基板ａの半田付け部は例えばリード線ｂの
ウレタン被膜が除去できる温度（380゜〜400℃）
で急激に加熱され、該半田付け部と他の部分との
間に著しい温度差が生じるため基板ａにクラツク
が発生しバリスタが故障するという不都合が存し
た。
として第１図示のように半導体磁器基板ａの一主
面に該モータの整流子の整流子片にリード線ｂを
介して各接続される整流子片と同数の扇状の銀電
極ｃが形成されたものが知られている。しかしこ
のものは、該銀電極ｃにリード線ｂを半田付けし
た際、基板ａの半田付け部は例えばリード線ｂの
ウレタン被膜が除去できる温度（380゜〜400℃）
で急激に加熱され、該半田付け部と他の部分との
間に著しい温度差が生じるため基板ａにクラツク
が発生しバリスタが故障するという不都合が存し
た。
本考案はかかる不都合の無い板状バリスタを提
供することをその目的としたもので、半導体磁器
基板１の主面２に電極３が形成された板状バリス
タにおいて、該半導体磁器基板１の電極３が形成
された主面２に外部接続用導電層４が形成された
絶縁基板５を載置して固着すると共に該電極３と
外部接続用導電層４とを電気的に接続したことを
特徴とする。
供することをその目的としたもので、半導体磁器
基板１の主面２に電極３が形成された板状バリス
タにおいて、該半導体磁器基板１の電極３が形成
された主面２に外部接続用導電層４が形成された
絶縁基板５を載置して固着すると共に該電極３と
外部接続用導電層４とを電気的に接続したことを
特徴とする。
第２図及び第３図は直流モータの火花消去に用
いるのに適した本考案の一実施例を示す。
いるのに適した本考案の一実施例を示す。
図面において、半導体磁器基板１はSrTiO3系
磁器から成り例えば外径14.0mm、内径7.5mm、厚
み0.8mmのリング状に形成されたものであり、そ
の一主面２に直流モータの整流子片に各接続され
る扇形の３個の電極３を隣接する電極３との間隔
が例えば0.7mmになるように形成した。絶縁基板
５は、ガラスエポキシ樹脂、アルミナ磁器のよう
な絶縁性及び耐熱性の優れた材料で半導体磁器基
板１とほゞ同形状にかつ厚み0.15mmに形成され、
その外周縁をほぼ３等分する個所に弧状の凹欠部
６が形成されたもので、その表面には該凹欠部６
の縁部から外周縁を経て内周縁に延びる外部接続
用導電層４を３個形成した。該導電層４は、例え
ば絶縁基板の表面に接着された例えば0.018mmの
銅箔を化学エツチングにより形成するようにし
た。
磁器から成り例えば外径14.0mm、内径7.5mm、厚
み0.8mmのリング状に形成されたものであり、そ
の一主面２に直流モータの整流子片に各接続され
る扇形の３個の電極３を隣接する電極３との間隔
が例えば0.7mmになるように形成した。絶縁基板
５は、ガラスエポキシ樹脂、アルミナ磁器のよう
な絶縁性及び耐熱性の優れた材料で半導体磁器基
板１とほゞ同形状にかつ厚み0.15mmに形成され、
その外周縁をほぼ３等分する個所に弧状の凹欠部
６が形成されたもので、その表面には該凹欠部６
の縁部から外周縁を経て内周縁に延びる外部接続
用導電層４を３個形成した。該導電層４は、例え
ば絶縁基板の表面に接着された例えば0.018mmの
銅箔を化学エツチングにより形成するようにし
た。
この絶縁基板５は、第３図示のようにその裏面
に予め接着剤を塗布して凹欠部６が電極３のほゞ
中央にくるように半導体磁器基板１の主面２に重
ね合せて該基板１に仮止めをし、該基板１を150
℃まで除々に均一に加熱してから導電層４のラン
ド部４ａと電極３を250℃に加熱された半田ごて
により半田７付けし、該基板１の半田付け部とそ
の他の部分との間に著しい温度差が生じないよう
にした。
に予め接着剤を塗布して凹欠部６が電極３のほゞ
中央にくるように半導体磁器基板１の主面２に重
ね合せて該基板１に仮止めをし、該基板１を150
℃まで除々に均一に加熱してから導電層４のラン
ド部４ａと電極３を250℃に加熱された半田ごて
により半田７付けし、該基板１の半田付け部とそ
の他の部分との間に著しい温度差が生じないよう
にした。
かくて直流モータの各整流子片に接続するリー
ド線８を絶縁基板５の外部接続用導電層４の例え
ばランド部４ｂに400℃のような高温度で半田付
けした時、そこに発生する熱は絶縁基板５の熱容
量によつて該基板５に吸収され、また熱遮蔽され
るから半導体磁器基板１における温度勾配は急峻
にならず、その結果半導体磁器基板１にはクラツ
クの発生、それによるバリスタの故障が無くな
る。
ド線８を絶縁基板５の外部接続用導電層４の例え
ばランド部４ｂに400℃のような高温度で半田付
けした時、そこに発生する熱は絶縁基板５の熱容
量によつて該基板５に吸収され、また熱遮蔽され
るから半導体磁器基板１における温度勾配は急峻
にならず、その結果半導体磁器基板１にはクラツ
クの発生、それによるバリスタの故障が無くな
る。
第２図示の実施例では、絶縁基板５の周縁に凹
欠部６を設けて該凹欠部６を介して導電層４と電
極３とを半田７付けしたが、第４図及び第５図示
のように絶縁基板５の導電層４のランド部４ａに
スルーホール９を形成し、該スルーホール９を介
して導電層４と電極３とを半田７付けしてもよ
い。
欠部６を設けて該凹欠部６を介して導電層４と電
極３とを半田７付けしたが、第４図及び第５図示
のように絶縁基板５の導電層４のランド部４ａに
スルーホール９を形成し、該スルーホール９を介
して導電層４と電極３とを半田７付けしてもよ
い。
以上の実施例では半導体磁器基板１の一主面２
のみに電極３を形成したが、他面２に電極を付加
してもよい。
のみに電極３を形成したが、他面２に電極を付加
してもよい。
第６図は本考案の他の実施例を示す。
図面において、半導体磁器基板１はその両主面
２，２にそれぞれ電極３が形成され、両電極３，
３間でバリスタ特性を生ずるようにしたもので、
両手面２，２にそれぞれ導電層４が形成された絶
縁基板５を前記実施例と同じように載置して仮止
めし、該基板５の導電層４と電極３とを凹欠部６
を介して半田７付けした。
２，２にそれぞれ電極３が形成され、両電極３，
３間でバリスタ特性を生ずるようにしたもので、
両手面２，２にそれぞれ導電層４が形成された絶
縁基板５を前記実施例と同じように載置して仮止
めし、該基板５の導電層４と電極３とを凹欠部６
を介して半田７付けした。
以上の実施例では、導電層４と電極３の電気的
接続に半田を用いたが、導電性接着材を用いても
よく、場合によつては、導電層４を縁部あるいは
スルホールを介して下面まで延設し、圧接により
電極３に直接的に接続してもよい。
接続に半田を用いたが、導電性接着材を用いても
よく、場合によつては、導電層４を縁部あるいは
スルホールを介して下面まで延設し、圧接により
電極３に直接的に接続してもよい。
このように本考案によるときは、バリスタの半
導体磁器基板１の電極３が形成された主面２に外
部接続用導電層４が形成された絶縁基板５を載置
して固着すると共に、該電極３と外部接続用導電
層４とを電気的に接続したので、バリスタにリー
ド線を半田付けするとき、半導体磁器基板にクラ
ツクが発生することがない効果を有する。
導体磁器基板１の電極３が形成された主面２に外
部接続用導電層４が形成された絶縁基板５を載置
して固着すると共に、該電極３と外部接続用導電
層４とを電気的に接続したので、バリスタにリー
ド線を半田付けするとき、半導体磁器基板にクラ
ツクが発生することがない効果を有する。
第１図は従来の板状バリスタの斜視図、第２図
及び第３図は本考案の一実施例の分解斜視図及び
斜視図、第４図及び第５図は本考案の他の実施例
の斜視図及び第４図−線截断面図、第６図は
本考案の更に他の実施例の斜視図を示す。 １……半導体磁器基板、２……主面、３……電
極、４……外部接続用導電層、５……絶縁基板。
及び第３図は本考案の一実施例の分解斜視図及び
斜視図、第４図及び第５図は本考案の他の実施例
の斜視図及び第４図−線截断面図、第６図は
本考案の更に他の実施例の斜視図を示す。 １……半導体磁器基板、２……主面、３……電
極、４……外部接続用導電層、５……絶縁基板。
Claims (1)
- 半導体磁器基板１の主面２に電極３が形成され
た板状バリスタにおいて、該半導体磁器基板１の
電極３が形成された主面２に外部接続用導電層４
が形成された絶縁基板５を載置して固着すると共
に該電極３と外部接続用導電層４とを電気的に接
続したことを特徴とする板状バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16842683U JPS6078102U (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 板状バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16842683U JPS6078102U (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 板状バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6078102U JPS6078102U (ja) | 1985-05-31 |
| JPH0110881Y2 true JPH0110881Y2 (ja) | 1989-03-29 |
Family
ID=30368212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16842683U Granted JPS6078102U (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 板状バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6078102U (ja) |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP16842683U patent/JPS6078102U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6078102U (ja) | 1985-05-31 |
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