JPH0678113A - コンタクト映像センサのモジュール - Google Patents
コンタクト映像センサのモジュールInfo
- Publication number
- JPH0678113A JPH0678113A JP4344394A JP34439492A JPH0678113A JP H0678113 A JPH0678113 A JP H0678113A JP 4344394 A JP4344394 A JP 4344394A JP 34439492 A JP34439492 A JP 34439492A JP H0678113 A JPH0678113 A JP H0678113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- image sensor
- block
- line
- unit cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- CYNAPIVXKRLDER-LBPRGKRZSA-N (2s)-2-benzamido-3-(4-hydroxy-3-nitrophenyl)propanoic acid Chemical compound C([C@@H](C(=O)O)NC(=O)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=C(O)C([N+]([O-])=O)=C1 CYNAPIVXKRLDER-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 208000003251 Pruritus Diseases 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000063 preceeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 リニア−コンタクト映像センサでのマトリッ
クス回路方式で問題となるデータメタルライン間及びデ
ータメタルライン相互間のクロスオーバを除去して高画
質を得る。 【構成】 各々、１つのスイッチング素子と１つの光電
変換素子とからなる複数のユニットセルを含み、光電変
換する複数のブロックと、各ブロック毎に１つの共通ラ
インが複数のユニットセル中、該当するユニットセルの
スイッチング手段とそのユニットセルの以前のユニット
セルの光電変換素子に連結される複数の共通ラインＣＬ
と、この共通ラインに光電変換素子の駆動電圧を印加し
ながら、順次に各々の複数の共通ラインにスイッチング
素子の駆動電圧を所定時間のまま印加する駆動回路と、
スイッチング素子が駆動される時、このスイッチング素
子に該当する光電変換素子から出力される映像データを
電送するブロック別データライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）
と、そのデータの読出回路とを備える。
クス回路方式で問題となるデータメタルライン間及びデ
ータメタルライン相互間のクロスオーバを除去して高画
質を得る。 【構成】 各々、１つのスイッチング素子と１つの光電
変換素子とからなる複数のユニットセルを含み、光電変
換する複数のブロックと、各ブロック毎に１つの共通ラ
インが複数のユニットセル中、該当するユニットセルの
スイッチング手段とそのユニットセルの以前のユニット
セルの光電変換素子に連結される複数の共通ラインＣＬ
と、この共通ラインに光電変換素子の駆動電圧を印加し
ながら、順次に各々の複数の共通ラインにスイッチング
素子の駆動電圧を所定時間のまま印加する駆動回路と、
スイッチング素子が駆動される時、このスイッチング素
子に該当する光電変換素子から出力される映像データを
電送するブロック別データライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）
と、そのデータの読出回路とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリまたはパ
ーソナルコンピュータなどにおける文書上の文字や画像
を読出すコンタクト映像センサのモジュール（Contact
image sensormodule）に関し、特に、マトリックス回路
配線方式の難点であるメタルライン間のクロスオーバー
（cross over）を完全に除去した高画質（High qualit
y）のコンタクト映像センサのモジュールに関する。
ーソナルコンピュータなどにおける文書上の文字や画像
を読出すコンタクト映像センサのモジュール（Contact
image sensormodule）に関し、特に、マトリックス回路
配線方式の難点であるメタルライン間のクロスオーバー
（cross over）を完全に除去した高画質（High qualit
y）のコンタクト映像センサのモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、コンタクト映像センサは、主に
ファクシミリにおいて文書内容を送受信する場合、文書
上の文字や画像を感知するために使用されるデバイス
で、どの位速い信号処理時間でノイズがない正確な信号
を出力できるかによってその性能が左右される。
ファクシミリにおいて文書内容を送受信する場合、文書
上の文字や画像を感知するために使用されるデバイス
で、どの位速い信号処理時間でノイズがない正確な信号
を出力できるかによってその性能が左右される。
【０００３】近年、情報化時代に応じた集中的な開発が
なされている薄膜素子で構成されるマトリックス配線方
式のリニアーコンタクト映像センサは、１つのリードア
ウト（Read Out）用ＩＣだけでデータをリードすること
ができ、コンパクトなシステムが作れるので、センサの
コスト節減ができ、かつスループットの向上ができた。
図１は、従来、主に使用された並列リードアウト（Pa
rallel read out ）方式のリニア−映像センサの回路図
である。
なされている薄膜素子で構成されるマトリックス配線方
式のリニアーコンタクト映像センサは、１つのリードア
ウト（Read Out）用ＩＣだけでデータをリードすること
ができ、コンパクトなシステムが作れるので、センサの
コスト節減ができ、かつスループットの向上ができた。
図１は、従来、主に使用された並列リードアウト（Pa
rallel read out ）方式のリニア−映像センサの回路図
である。
【０００４】符号ＵＣは、単位セルで、文書から反射さ
れて入いる光を受けて光電荷（Photo charge）を発生さ
せるための光感知手段であるフォトダイオード（ＰＤ）
と、この前記フォトダイオード（ＰＤ）で発生した光電
荷を通過させるためのスイッチング手段である薄膜トラ
ンジスタ（Thin Film Transister:TFT）（ＴＲ）とから
なる。単位セル（ＵＣ）において符号Ｃi は、フォトダ
イオード（ＰＤ）の内部キャパシタンス(capacitance)
を等価回路的に示したものである。
れて入いる光を受けて光電荷（Photo charge）を発生さ
せるための光感知手段であるフォトダイオード（ＰＤ）
と、この前記フォトダイオード（ＰＤ）で発生した光電
荷を通過させるためのスイッチング手段である薄膜トラ
ンジスタ（Thin Film Transister:TFT）（ＴＲ）とから
なる。単位セル（ＵＣ）において符号Ｃi は、フォトダ
イオード（ＰＤ）の内部キャパシタンス(capacitance)
を等価回路的に示したものである。
【０００５】並列リードアウト方式のリニア−映像セン
サは、各々ｍ個の単位セル（ＵＣ1−ＵＣm ）を有す
る、連続的に線形配列された画像認識用複数のブロック
（ＢＬ1 −ＢＬn ）と、各ゲートアドレスラインが前記
複数のブロック（ＢＬ1 −ＢＬn ）中、対応するブロッ
クを構成するｍ個の単位セル（ＵＣ1 −ＵＣm ）のｍ個
のＴＦＴ（ＴＲ1 −ＴＲm ）の共通接続されたゲートに
連結される、駆動回路（ＤＣ）から発生されたバイアス
をその対応するブロックに印加するための複数のゲート
アドレスライン（ＧＡＬ1 −ＧＡＬn ）と、各データラ
インが各ブロックのｎ個の単位セル（ＵＣ1 −ＵＣm ）
のＴＦＴ（ＴＲ1 −ＴＲm ）のドレーン端子に各々連結
される。複数のブロック（ＢＬ1 −ＢＬn ）中該当ブロ
ックから同時に出力されるデータを読出回路（ＲＣ）に
電送するための複数のデータライン（ＤＬ1 −ＤＬm ）
とからなる。
サは、各々ｍ個の単位セル（ＵＣ1−ＵＣm ）を有す
る、連続的に線形配列された画像認識用複数のブロック
（ＢＬ1 −ＢＬn ）と、各ゲートアドレスラインが前記
複数のブロック（ＢＬ1 −ＢＬn ）中、対応するブロッ
クを構成するｍ個の単位セル（ＵＣ1 −ＵＣm ）のｍ個
のＴＦＴ（ＴＲ1 −ＴＲm ）の共通接続されたゲートに
連結される、駆動回路（ＤＣ）から発生されたバイアス
をその対応するブロックに印加するための複数のゲート
アドレスライン（ＧＡＬ1 −ＧＡＬn ）と、各データラ
インが各ブロックのｎ個の単位セル（ＵＣ1 −ＵＣm ）
のＴＦＴ（ＴＲ1 −ＴＲm ）のドレーン端子に各々連結
される。複数のブロック（ＢＬ1 −ＢＬn ）中該当ブロ
ックから同時に出力されるデータを読出回路（ＲＣ）に
電送するための複数のデータライン（ＤＬ1 −ＤＬm ）
とからなる。
【０００６】上述の従来構造のコンタクト映像センサ
は、複数のブロック（ＢＬ1 −ＢＬn）の複数の単位セ
ル（ＵＣ1.1 −ＵＣn.m ）のフォトダイオード（ＰＤ）
は、文書から反射される光を感知して光電荷を発生す
る。この時、駆動回路（ＤＣ）から発生された複数のゲ
ートアドレスライン（ＧＡＬ1 −ＧＡＬn ）中、１つの
該当ゲートアドレスラインを介して複数のブロック（Ｂ
Ｌ1 −ＢＬn ）中、該当ブロックに印加される。
は、複数のブロック（ＢＬ1 −ＢＬn）の複数の単位セ
ル（ＵＣ1.1 −ＵＣn.m ）のフォトダイオード（ＰＤ）
は、文書から反射される光を感知して光電荷を発生す
る。この時、駆動回路（ＤＣ）から発生された複数のゲ
ートアドレスライン（ＧＡＬ1 −ＧＡＬn ）中、１つの
該当ゲートアドレスラインを介して複数のブロック（Ｂ
Ｌ1 −ＢＬn ）中、該当ブロックに印加される。
【０００７】したがって、例えば、ｉ番目のブロックに
ゲートバイアスが印加されると、ｉ番目のブロック（Ｂ
Ｌi ）のｍ個の単位セル（ＵＣi.1 −ＵＣi.m ）が同時
にアドレスされ、１つのブロック（ＢＬi ）からｍ個の
データが並列に出力され、ｍ個のデータライン（ＤＬ1
−ＤＬm ）を介して読出回路（ＲＣ）に電送され、読出
回路（ＲＣ）はデータライン（ＤＬ1 −ＤＬm ）を介し
て入力されるデータを処理する。
ゲートバイアスが印加されると、ｉ番目のブロック（Ｂ
Ｌi ）のｍ個の単位セル（ＵＣi.1 −ＵＣi.m ）が同時
にアドレスされ、１つのブロック（ＢＬi ）からｍ個の
データが並列に出力され、ｍ個のデータライン（ＤＬ1
−ＤＬm ）を介して読出回路（ＲＣ）に電送され、読出
回路（ＲＣ）はデータライン（ＤＬ1 −ＤＬm ）を介し
て入力されるデータを処理する。
【０００８】図１を参照すれば、フォトダイオード逆バ
イアス（ＶPD）がブロックの区分がなく１つのフォトダ
イオード逆バイアス印加ライン（ＰＢＬ）を介してｎ個
のブロックに同時に印加される。
イアス（ＶPD）がブロックの区分がなく１つのフォトダ
イオード逆バイアス印加ライン（ＰＢＬ）を介してｎ個
のブロックに同時に印加される。
【０００９】したがって、ｎ個のブロック（ＢＬ1 −Ｂ
Ｌn ）を構成する複数の単位セル（ＵＣ1.1 −Ｕ
Ｃn.m ）のフォトダイオード（ＰＤ1.1 −ＰＤn.m ）
は、全ての逆バイアス（ＶPD）が印加されておるので、
フォトダイオード（ＰＤ1.1 −ＰＤn. m ）は文書から反
射される光の強さにより光電荷を発生し、光電荷による
純粋な光電流のみを出力する。
Ｌn ）を構成する複数の単位セル（ＵＣ1.1 −Ｕ
Ｃn.m ）のフォトダイオード（ＰＤ1.1 −ＰＤn.m ）
は、全ての逆バイアス（ＶPD）が印加されておるので、
フォトダイオード（ＰＤ1.1 −ＰＤn. m ）は文書から反
射される光の強さにより光電荷を発生し、光電荷による
純粋な光電流のみを出力する。
【００１０】図１の並列リードアウト方式のリニア−映
像センサは、映像センサにおいて、データライン（Ｄ
Ｌ）間のクロスオーバ（ａ部分）が生じ、このようなク
ロスオーバによる寄生キャパシタンスによってデータラ
イン間のクロストーク（crosstalk：漏話）およびリー
ク(leak)原因になり、データ信号の歪曲およびノイズが
発生され、これにより正確なデータが得られないという
問題点があった。
像センサは、映像センサにおいて、データライン（Ｄ
Ｌ）間のクロスオーバ（ａ部分）が生じ、このようなク
ロスオーバによる寄生キャパシタンスによってデータラ
イン間のクロストーク（crosstalk：漏話）およびリー
ク(leak)原因になり、データ信号の歪曲およびノイズが
発生され、これにより正確なデータが得られないという
問題点があった。
【００１１】また、ゲートアドレスライン（ＧＡＬ）と
データライン（ＤＬ）の間のクロスオーバ（ｂ部分）が
発生して寄生キャパシタンスが存在することとなる。
データライン（ＤＬ）の間のクロスオーバ（ｂ部分）が
発生して寄生キャパシタンスが存在することとなる。
【００１２】ゲートアドレスライン（ＧＡＬ）とデータ
ライン（ＤＬ）間のクロスオーバによる寄生キャパシタ
ンスは、データ信号電荷の中、一部がデータラインを介
して読出回路へ伝達される途中吸収されて出力データが
不正確になる。
ライン（ＤＬ）間のクロスオーバによる寄生キャパシタ
ンスは、データ信号電荷の中、一部がデータラインを介
して読出回路へ伝達される途中吸収されて出力データが
不正確になる。
【００１３】しかも、このような中間で吸収された電荷
を、さらに放電させて読出回路（ＲＣ）へ伝達させるた
めには、ゲートバイアスがオフされた後、一定の電荷伝
達時間（Charge transfer time）を必要とするので、不
必要なデータ読出時間（Dataread out time）がかかる
問題点があった。
を、さらに放電させて読出回路（ＲＣ）へ伝達させるた
めには、ゲートバイアスがオフされた後、一定の電荷伝
達時間（Charge transfer time）を必要とするので、不
必要なデータ読出時間（Dataread out time）がかかる
問題点があった。
【００１４】図２は、従来の選択的リードアウト方式の
リニア−映像センサ回路図である。
リニア−映像センサ回路図である。
【００１５】図２の選択的なリードアウト（Alternativ
e Read out）方式のリニア−映像センサは、図１の並列
リードアウト方式のリニア−映像センサにおいて発生さ
れる問題点を改善させたセンサである。
e Read out）方式のリニア−映像センサは、図１の並列
リードアウト方式のリニア−映像センサにおいて発生さ
れる問題点を改善させたセンサである。
【００１６】図２の映像センサは、単位セル（ＵＣ）が
光感知用フォトダイオード（ＰＤ）およびスイッチング
用ＴＦＴ（ＴＲ）からなり、ｎ個の単位セル（ＵＣ1 −
ＵＣn ）を有するｍ個のブロック（ＢＬ1 −ＢＬm ）が
連続的に線形配列された構造を有する。
光感知用フォトダイオード（ＰＤ）およびスイッチング
用ＴＦＴ（ＴＲ）からなり、ｎ個の単位セル（ＵＣ1 −
ＵＣn ）を有するｍ個のブロック（ＢＬ1 −ＢＬm ）が
連続的に線形配列された構造を有する。
【００１７】図２のリニア−映像センサは、各ブロック
（ＢＬ1 −ＢＬm ）のｎ個の単位セル（ＵＣ1 −Ｕ
Ｃn ）に対応するｎ個のゲートアドレスライン（ＧＡＬ
1 −ＧＡＬn ）を有し、各ブロック（ＢＬ1 −ＢＬm ）
に対応するｍ個のデータライン（ＤＬ1 −ＤＬm ）を有
する。すなわち、各ブロック（ＢＬ1 −ＢＬm ）におい
て、ｉ番目に配列された単位セル（ＵＣi.1 −Ｕ
Ｃm.i ）のＴＦＴ（ＴＲi.1 −ＴＲm.i ）のゲート電極
が共通接続されてｎ個のゲートアドレスライン（ＧＡＬ
1−ＧＡＬn ）中、該当するゲートアドレスライン（Ｇ
ＡＬi ）に連結され、各ブロック毎にｎ個の単位セルの
ＴＦＴのドレーン電極が共通接続され、ｍ個のデータラ
イン（ＤＬ1 −ＤＬm ）中、該当データラインに連結さ
れる。
（ＢＬ1 −ＢＬm ）のｎ個の単位セル（ＵＣ1 −Ｕ
Ｃn ）に対応するｎ個のゲートアドレスライン（ＧＡＬ
1 −ＧＡＬn ）を有し、各ブロック（ＢＬ1 −ＢＬm ）
に対応するｍ個のデータライン（ＤＬ1 −ＤＬm ）を有
する。すなわち、各ブロック（ＢＬ1 −ＢＬm ）におい
て、ｉ番目に配列された単位セル（ＵＣi.1 −Ｕ
Ｃm.i ）のＴＦＴ（ＴＲi.1 −ＴＲm.i ）のゲート電極
が共通接続されてｎ個のゲートアドレスライン（ＧＡＬ
1−ＧＡＬn ）中、該当するゲートアドレスライン（Ｇ
ＡＬi ）に連結され、各ブロック毎にｎ個の単位セルの
ＴＦＴのドレーン電極が共通接続され、ｍ個のデータラ
イン（ＤＬ1 −ＤＬm ）中、該当データラインに連結さ
れる。
【００１８】このような構造の映像センサは、ｍ個のブ
ロック（ＢＬ1 −ＢＬm ）を構成する複数の単位セル
（ＵＣ1.1 −ＵＣm.n ）のフォトダイオード（ＰＤ1.1
−ＰＤm.n ）が文書から反射される光を感知して光電荷
を発生する。駆動回路（ＤＣ）により複数のゲートアド
レスライン（ＧＡＬ1 −ＧＡＬn ）中、１つのゲートア
ドレスラインが選択され、この選択されたゲートアドレ
スラインに対応する各ブロックの単位セルのＴＦＴがオ
ンされる。
ロック（ＢＬ1 −ＢＬm ）を構成する複数の単位セル
（ＵＣ1.1 −ＵＣm.n ）のフォトダイオード（ＰＤ1.1
−ＰＤm.n ）が文書から反射される光を感知して光電荷
を発生する。駆動回路（ＤＣ）により複数のゲートアド
レスライン（ＧＡＬ1 −ＧＡＬn ）中、１つのゲートア
ドレスラインが選択され、この選択されたゲートアドレ
スラインに対応する各ブロックの単位セルのＴＦＴがオ
ンされる。
【００１９】したがって、前記選択されたゲートアドレ
スラインに対応する各ブロックの単位セルからデータが
出力されるので、各ブロック当り１つのデータが選択的
に出力され、選択的に出力されたデータが各データライ
ン（ＤＬ1 −ＤＬm ）を介して読出回路（ＲＣ）に印加
されて処理される。
スラインに対応する各ブロックの単位セルからデータが
出力されるので、各ブロック当り１つのデータが選択的
に出力され、選択的に出力されたデータが各データライ
ン（ＤＬ1 −ＤＬm ）を介して読出回路（ＲＣ）に印加
されて処理される。
【００２０】一方、図２の映像センサにおいてもフォト
ダイオード逆バイアス（ＶPD）が１つのフォトダイオー
ド逆バイアス印加ライン（ＰＢＬ）を介してブロックの
区分がなくて全ての単位セル（ＵＣ1.1 −ＵＣm.n ）の
フォトダイオード（ＰＤ1.1−ＰＤm.n ）に共通に印加
される。
ダイオード逆バイアス（ＶPD）が１つのフォトダイオー
ド逆バイアス印加ライン（ＰＢＬ）を介してブロックの
区分がなくて全ての単位セル（ＵＣ1.1 −ＵＣm.n ）の
フォトダイオード（ＰＤ1.1−ＰＤm.n ）に共通に印加
される。
【００２１】図２の−映像センサは、各ブロック（ＢＬ
1 −ＢＬm ）を構成するｎ個の単位セル（ＵＣ1 −ＵＣ
n ）中、１つの選択されたゲートアドレスライン（ＧＡ
Ｌi）に対応する各ブロック当りのｉ番目の単位セル
（ＵＣ1.i −ＵＣn.i ）からデータが出力され、各ブロ
ックから出力されるデータが各ブロックのデータライン
を介して出力されるので、図１のようなデータライン
（ＤＬ）間のクロスオーバ（ａ部分）が発生しないの
で、これによる寄生キャパシタンスは存在しない。
1 −ＢＬm ）を構成するｎ個の単位セル（ＵＣ1 −ＵＣ
n ）中、１つの選択されたゲートアドレスライン（ＧＡ
Ｌi）に対応する各ブロック当りのｉ番目の単位セル
（ＵＣ1.i −ＵＣn.i ）からデータが出力され、各ブロ
ックから出力されるデータが各ブロックのデータライン
を介して出力されるので、図１のようなデータライン
（ＤＬ）間のクロスオーバ（ａ部分）が発生しないの
で、これによる寄生キャパシタンスは存在しない。
【００２２】しかし、図１と同様に、データライン（Ｄ
Ｌ）とゲートアドレスライン（ＧＡＬ）間のクロスオー
バ（図２のｃ部分）による寄生キャパシタンスが依然と
して存在してデータ信号にノイズが発生し、不必要なデ
ータの読出時間に遅延が招来する。
Ｌ）とゲートアドレスライン（ＧＡＬ）間のクロスオー
バ（図２のｃ部分）による寄生キャパシタンスが依然と
して存在してデータ信号にノイズが発生し、不必要なデ
ータの読出時間に遅延が招来する。
【００２３】一方、図１とは相異なり、ゲートアドレス
ライン（ＧＡＬ）間のクロスオーバ（図２ｄ′部分）に
よる寄生キャパシタンスが形成される。この寄生キャパ
シタンスはデータライン（ＤＬ）とは直接的に関連がな
く、短絡（Short failure ）発生がないだけデータ信号
には影響がない。
ライン（ＧＡＬ）間のクロスオーバ（図２ｄ′部分）に
よる寄生キャパシタンスが形成される。この寄生キャパ
シタンスはデータライン（ＤＬ）とは直接的に関連がな
く、短絡（Short failure ）発生がないだけデータ信号
には影響がない。
【００２４】図３は従来のMeander ライン方式のリニア
−映像センサの回路図である。Meander ライン方式のリ
ニア−映像センサは、ｍ個の単位セル（ＵＣ1 −Ｕ
Ｃm ）のＴＦＴ（ＴＲ1 −ＴＲm ）のゲートに共通接続
され、１つのゲートアドレスライン（ＧＡＬ）に接続さ
れる。
−映像センサの回路図である。Meander ライン方式のリ
ニア−映像センサは、ｍ個の単位セル（ＵＣ1 −Ｕ
Ｃm ）のＴＦＴ（ＴＲ1 −ＴＲm ）のゲートに共通接続
され、１つのゲートアドレスライン（ＧＡＬ）に接続さ
れる。
【００２５】したがって、１つのブロック当り１つのゲ
ートアドレスライン（ＧＡＬ）が連結されるので３８個
のゲートアドレスライン（ＧＡＬ1 −ＧＡＬ38）で構成
され、各ブロック（ＢＬ）を単位としてｍ個の単位セル
（ＵＣ1 −ＵＣm ）が同時にアドレスされる。
ートアドレスライン（ＧＡＬ）が連結されるので３８個
のゲートアドレスライン（ＧＡＬ1 −ＧＡＬ38）で構成
され、各ブロック（ＢＬ）を単位としてｍ個の単位セル
（ＵＣ1 −ＵＣm ）が同時にアドレスされる。
【００２６】他方、３８個のブロック（ＢＬ1 −Ｂ
Ｌ38）を各々構成するｍ個の単位セル（ＵＣ1.1 −ＵＣ
38.m）中で、１つのブロック当り１つの単位セルが選択
されて３８個の単位セル（ＵＣ）のＴＦＴ（ＴＲ）のド
レーン端子が共通接続され１つのデータライン（ＤＬ）
を形成する。
Ｌ38）を各々構成するｍ個の単位セル（ＵＣ1.1 −ＵＣ
38.m）中で、１つのブロック当り１つの単位セルが選択
されて３８個の単位セル（ＵＣ）のＴＦＴ（ＴＲ）のド
レーン端子が共通接続され１つのデータライン（ＤＬ）
を形成する。
【００２７】図３を参照すれば、Meander 構造のリニア
−映像センサは、２ブロック毎に同一位置に配列されて
いる単位セルのＴＦＴのドレーン端子が連結されてMean
der構造の１つのデータライン（ＤＬ）を形成し、１つ
のデータラインを形成する方法は、例えば第１データラ
イン（ＤＬ1 ）は第１ブロック（ＢＬ1 ）においては第
１単位セル（ＵＣ1.1 ）のＴＦＴ（ＴＲ1.1 ）、第２ブ
ロック（ＢＬ2 ）においては第ｍ単位セル（ＵＣ2.m ）
のＴＦＴ（ＴＲ2.m ）…第３ブロック（ＢＬ37）におい
ては第１単位セル（ＵＣ37.1）のＴＦＴ（ＴＲ37.1）お
よび第３８ブロック（ＢＬ38）においては第ｍ単位セル
（ＵＣ38.m）ＴＦＴ（ＴＲ38.m）のドレーン端子が順次
連結されてMeander 構造のデータラインを形成する。
−映像センサは、２ブロック毎に同一位置に配列されて
いる単位セルのＴＦＴのドレーン端子が連結されてMean
der構造の１つのデータライン（ＤＬ）を形成し、１つ
のデータラインを形成する方法は、例えば第１データラ
イン（ＤＬ1 ）は第１ブロック（ＢＬ1 ）においては第
１単位セル（ＵＣ1.1 ）のＴＦＴ（ＴＲ1.1 ）、第２ブ
ロック（ＢＬ2 ）においては第ｍ単位セル（ＵＣ2.m ）
のＴＦＴ（ＴＲ2.m ）…第３ブロック（ＢＬ37）におい
ては第１単位セル（ＵＣ37.1）のＴＦＴ（ＴＲ37.1）お
よび第３８ブロック（ＢＬ38）においては第ｍ単位セル
（ＵＣ38.m）ＴＦＴ（ＴＲ38.m）のドレーン端子が順次
連結されてMeander 構造のデータラインを形成する。
【００２８】一方、各ブロック（ＢＬ）を基準として見
ると、３８個のブロック（ＢＬ1 −ＢＬ38）を各々構成
するｍ個の単位セル（ＵＣ1.1 −ＵＣ38.m）のドレーン
端子がｍ個のデータライン（ＤＬ1 −ＤＬm ）に各々連
結される。例えば、第１ブロック（ＢＬ1 ）では第１単
位セル（ＵＣ1.1 ）に第１データライン（ＤＬ1 ）が、
第２単位セル（ＵＣ1.2 ）では第２データライン（ＤＬ
2 ）が…第m-1 単位セル（ＵＣ1.m-1 ）に第m-1 データ
ライン（ＤＬm-1 ）および第ｍ単位セル（ＵＣ1.m ）に
第ｍデータライン（ＤＬm ）が各々連結され、第２ブロ
ック（ＢＬ2 ）では第１ブロックとは逆順序で第１単位
セル（ＵＣ2.1 ）に第ｍデータライン（ＤＬm ）が、第
２単位セル（ＵＣ2.2 ）に第m-1 データライン（ＤＬ
m-1 ）…第m-1 単位セル（ＵＣ2.m-1 ）は第２データラ
イン（ＤＬ2 ）および第ｍ単位セル（ＵＣ2.m ）は第１
データライン（ＤＬ1 ）に各々連結される。
ると、３８個のブロック（ＢＬ1 −ＢＬ38）を各々構成
するｍ個の単位セル（ＵＣ1.1 −ＵＣ38.m）のドレーン
端子がｍ個のデータライン（ＤＬ1 −ＤＬm ）に各々連
結される。例えば、第１ブロック（ＢＬ1 ）では第１単
位セル（ＵＣ1.1 ）に第１データライン（ＤＬ1 ）が、
第２単位セル（ＵＣ1.2 ）では第２データライン（ＤＬ
2 ）が…第m-1 単位セル（ＵＣ1.m-1 ）に第m-1 データ
ライン（ＤＬm-1 ）および第ｍ単位セル（ＵＣ1.m ）に
第ｍデータライン（ＤＬm ）が各々連結され、第２ブロ
ック（ＢＬ2 ）では第１ブロックとは逆順序で第１単位
セル（ＵＣ2.1 ）に第ｍデータライン（ＤＬm ）が、第
２単位セル（ＵＣ2.2 ）に第m-1 データライン（ＤＬ
m-1 ）…第m-1 単位セル（ＵＣ2.m-1 ）は第２データラ
イン（ＤＬ2 ）および第ｍ単位セル（ＵＣ2.m ）は第１
データライン（ＤＬ1 ）に各々連結される。
【００２９】換言すれば、奇数番目のブロック（Ｂ
Ｌ1 ，ＢＬ3 …ＢＬ37）では、データライン（ＤＬ1 −
ＤＬm ）と単位セル（ＵＣ1 −ＵＣm ）が順次連結さ
れ、偶数番目のブロック（ＢＬ2 ，ＢＬ4 …ＢＬ38）で
は、データライン（ＤＬ1 −ＤＬm）と単位セル（ＵＣ
1 −ＵＣm ）が逆順に連結される。
Ｌ1 ，ＢＬ3 …ＢＬ37）では、データライン（ＤＬ1 −
ＤＬm ）と単位セル（ＵＣ1 −ＵＣm ）が順次連結さ
れ、偶数番目のブロック（ＢＬ2 ，ＢＬ4 …ＢＬ38）で
は、データライン（ＤＬ1 −ＤＬm）と単位セル（ＵＣ
1 −ＵＣm ）が逆順に連結される。
【００３０】したがって、奇数番目および偶数番目のブ
ロック（ＢＬ1 ，ＢＬ3 …ＢＬ37）（ＢＬ2 ，ＢＬ4 …
ＢＬ38）のデータを各々読出しするために、奇数番目お
よび偶数番目のブロック（ＢＬ1 ，ＢＬ3 …ＢＬ37）お
よび（ＢＬ2 ，ＢＬ4 …ＢＬ38）のデータライン（ＤＬ
1 −ＤＬ38）に各々読出されるＲＣ1 ，ＲＣ2 を装着し
なければならない。
ロック（ＢＬ1 ，ＢＬ3 …ＢＬ37）（ＢＬ2 ，ＢＬ4 …
ＢＬ38）のデータを各々読出しするために、奇数番目お
よび偶数番目のブロック（ＢＬ1 ，ＢＬ3 …ＢＬ37）お
よび（ＢＬ2 ，ＢＬ4 …ＢＬ38）のデータライン（ＤＬ
1 −ＤＬ38）に各々読出されるＲＣ1 ，ＲＣ2 を装着し
なければならない。
【００３１】したがって、奇数番目のブロック（Ｂ
Ｌ1 ，ＢＬ3 …ＢＬ37）のデータは、第１読出回路（Ｒ
Ｃ1 ）で読出し、偶数番目のブロック（ＢＬ2 ，ＢＬ4
…ＢＬ38）のデータは、第２読出回路（ＲＣ2 ）で読出
すことが正確なデータを読出すこととなる。
Ｌ1 ，ＢＬ3 …ＢＬ37）のデータは、第１読出回路（Ｒ
Ｃ1 ）で読出し、偶数番目のブロック（ＢＬ2 ，ＢＬ4
…ＢＬ38）のデータは、第２読出回路（ＲＣ2 ）で読出
すことが正確なデータを読出すこととなる。
【００３２】
【発明が解決しようとする課題】図３のMeander 構造の
リニア−映像センサでは、データライン（ＤＬ）とデー
タライン（ＤＬ）間のクロスオーバによる寄生キャパシ
タンスの発生は防止できるが、ゲートアドレスライン
（ＧＡＬ）とデータライン（ＤＬ）間のクロスオーバ
（ｅ部分）は依然として存在してデータ信号にノイズが
発生し、データ読出時間が不必要に遅延された。
リニア−映像センサでは、データライン（ＤＬ）とデー
タライン（ＤＬ）間のクロスオーバによる寄生キャパシ
タンスの発生は防止できるが、ゲートアドレスライン
（ＧＡＬ）とデータライン（ＤＬ）間のクロスオーバ
（ｅ部分）は依然として存在してデータ信号にノイズが
発生し、データ読出時間が不必要に遅延された。
【００３３】またフォトダイオード逆バイアス印加ライ
ン（ＰＢＬ）とデータ（ＤＬ）間のクロスオーバ（ｆ部
分）の寄生キャパシタンスが存在してデータラインを介
して読出回路に伝達される電荷を一部吸収してしまうの
で、データが不正確になり、ノイズが発生する問題点が
あった。
ン（ＰＢＬ）とデータ（ＤＬ）間のクロスオーバ（ｆ部
分）の寄生キャパシタンスが存在してデータラインを介
して読出回路に伝達される電荷を一部吸収してしまうの
で、データが不正確になり、ノイズが発生する問題点が
あった。
【００３４】一方、フォトダイオード逆バイアス印加ラ
イン（ＰＢＬ）とゲートアドレス印加ライン（ＧＡＬ）
間のクロスオーバ（ｇ部分）による寄生キャパシタンス
が存在するが、この寄生キャパシタンスも前記ゲートア
ドレスライン（ＧＡＬ）間の寄生キャパシタンスと同様
にデータライン（ＤＬ）には直接的に影響を及ぼさな
い。
イン（ＰＢＬ）とゲートアドレス印加ライン（ＧＡＬ）
間のクロスオーバ（ｇ部分）による寄生キャパシタンス
が存在するが、この寄生キャパシタンスも前記ゲートア
ドレスライン（ＧＡＬ）間の寄生キャパシタンスと同様
にデータライン（ＤＬ）には直接的に影響を及ぼさな
い。
【００３５】特に、このようなMeander 方式のリニア−
映像センサでは、全てのデータライン（ＤＬ1 −Ｄ
Ｌ38）が単位セルの間を通過するので、半導体基板上に
一定のピッチで配列されるフォトダイオードの大きさを
減少させることになって映像センサの実効面積（Effect
ive area）に該当する受光面積が減少することとなる。
映像センサでは、全てのデータライン（ＤＬ1 −Ｄ
Ｌ38）が単位セルの間を通過するので、半導体基板上に
一定のピッチで配列されるフォトダイオードの大きさを
減少させることになって映像センサの実効面積（Effect
ive area）に該当する受光面積が減少することとなる。
【００３６】したがって、素子の質を低下させるのみな
らず、高解像度（Higf resolution）用映像センサには
適用できない問題点があった。
らず、高解像度（Higf resolution）用映像センサには
適用できない問題点があった。
【００３７】本発明の目的は、リニア−コンタクト映像
センサにおいて問題になっているマトリックス回路方式
で発生されるデータメタルライン間のクロスオーバおよ
びデータメタルラインと他のデータメタルライン間のク
ロスオーバを除去した高画質のコンタクト映像センサを
提供することにある。
センサにおいて問題になっているマトリックス回路方式
で発生されるデータメタルライン間のクロスオーバおよ
びデータメタルラインと他のデータメタルライン間のク
ロスオーバを除去した高画質のコンタクト映像センサを
提供することにある。
【００３８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、各々、スイッチング手段および光感知
手段を有し、複数のブロックで区分される画像認識用複
数の単位セルと、複数のバイアスを発生する駆動回路
と、各バイアスを各ブロック内の対応する単位セルに印
加する複数の共通ラインと、バイアスが印加された単位
セルから出力されるデータを電送する複数のデータライ
ンと、前記複数のデータラインを介して印加されるデー
タを読み出す読出回路と、を備えたことを特徴とするも
のである。
めに、本発明は、各々、スイッチング手段および光感知
手段を有し、複数のブロックで区分される画像認識用複
数の単位セルと、複数のバイアスを発生する駆動回路
と、各バイアスを各ブロック内の対応する単位セルに印
加する複数の共通ラインと、バイアスが印加された単位
セルから出力されるデータを電送する複数のデータライ
ンと、前記複数のデータラインを介して印加されるデー
タを読み出す読出回路と、を備えたことを特徴とするも
のである。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の実施例を画面を参照して説明
する。図４は本発明のノン−クロシングメタルライン方
式のリニア−映像センサの回路図である。
する。図４は本発明のノン−クロシングメタルライン方
式のリニア−映像センサの回路図である。
【００４０】本発明のノン−クロシングメタルライン方
式のリニア−映像センサのモジュールは、文書画像を認
識するためのｍ個のブロックを有する。このｍ個のブロ
ックは各々スイッチング素子とcoupleされた光変換素子
とからなるｎ個のユニットセルで構成される。
式のリニア−映像センサのモジュールは、文書画像を認
識するためのｍ個のブロックを有する。このｍ個のブロ
ックは各々スイッチング素子とcoupleされた光変換素子
とからなるｎ個のユニットセルで構成される。
【００４１】また、本発明の映像センサは、各ブロック
のユニットセルに相応するｎ個の共通ライン（ＣＬ1 −
ＣＬn ）を有する。この各々の共通ライン（ＣＬ1 −Ｃ
Ｌn）は、該当ユニットセルのスイッチング素子のゲー
トおよび該当ユニットセルの直前のユニットセルの光電
変換素子のアノードに連結されている。例えば、ｉ番目
の共通ライン（ＣＬi ）は、各ブロックのｉ番目の単位
セルＵＣx.i （ここではｘは任意である）のスイッチン
グ素子のゲートおよびＵＣx.i-1 の光電変換素子のアノ
ードに連結されている。
のユニットセルに相応するｎ個の共通ライン（ＣＬ1 −
ＣＬn ）を有する。この各々の共通ライン（ＣＬ1 −Ｃ
Ｌn）は、該当ユニットセルのスイッチング素子のゲー
トおよび該当ユニットセルの直前のユニットセルの光電
変換素子のアノードに連結されている。例えば、ｉ番目
の共通ライン（ＣＬi ）は、各ブロックのｉ番目の単位
セルＵＣx.i （ここではｘは任意である）のスイッチン
グ素子のゲートおよびＵＣx.i-1 の光電変換素子のアノ
ードに連結されている。
【００４２】この時ＣＬ1 にはＵＣx.1 のスイッチング
素子およびＵＣx.n の光電変換素子に連結される。
素子およびＵＣx.n の光電変換素子に連結される。
【００４３】また、本発明の映像センサは、前記共通ラ
インを介して各ブロックのユニットセルに逆バイアス電
圧を印加したのち、スイッチング素子の駆動電圧（Ｇ1
−Ｇn ）を順次印加する駆動回路を有する。かつ、各ブ
ロック別に全てのスイッチング素子のドレーンが連結さ
れ、データラインをなし、各ブロック別のデータライン
は読出回路に連結されている。
インを介して各ブロックのユニットセルに逆バイアス電
圧を印加したのち、スイッチング素子の駆動電圧（Ｇ1
−Ｇn ）を順次印加する駆動回路を有する。かつ、各ブ
ロック別に全てのスイッチング素子のドレーンが連結さ
れ、データラインをなし、各ブロック別のデータライン
は読出回路に連結されている。
【００４４】ここで、図４を参照して本発明の動作を説
明する。駆動回路の各端子（Ｇ1 ／ＶPD.n−Ｇn ／Ｖ
PD.n-1）は、各々共通ライン（ＣＬ1 −ＣＬn ）に連結
されており、各共通ラインは該当ユニットセルのスイッ
チング素子のゲートおよび該当ユニットセルの以前（pr
eceeding）のユニットセルの光電変換素子のアノードに
連結されている。
明する。駆動回路の各端子（Ｇ1 ／ＶPD.n−Ｇn ／Ｖ
PD.n-1）は、各々共通ライン（ＣＬ1 −ＣＬn ）に連結
されており、各共通ラインは該当ユニットセルのスイッ
チング素子のゲートおよび該当ユニットセルの以前（pr
eceeding）のユニットセルの光電変換素子のアノードに
連結されている。
【００４５】この時、駆動回路の各端子（Ｇ1 ／ＶPD.n
−Ｇn ／ＶPD.n-1）は全て逆バイアス電圧を発生させ
る。
−Ｇn ／ＶPD.n-1）は全て逆バイアス電圧を発生させ
る。
【００４６】したがって、各ブロックのユニットセル
が、光電変換素子は受光される光に相応するフォトチャ
ージ（photo charge）を蓄積する。
が、光電変換素子は受光される光に相応するフォトチャ
ージ（photo charge）を蓄積する。
【００４７】このとき、駆動回路のＧ1 ／ＶPD.n端子で
所定値を有するスイッチング素子の駆動電圧が各ブロッ
クの該当共通ライン（ＣＬ1 ）が印加すると、各ブロッ
クの該当ユニットセルのスイッチング素子（ＴＲx.1 ）
がオンとなり、該当ユニットセルの光電変換素子（ＰＧ
x.1 ）で蓄積されたフォトチャージ（photo charge）
は、スイッチング素子（ＴＲx.1 ）を介して該当データ
ライン（ＤＬ1 −ＤＬn）に各々電送される。
所定値を有するスイッチング素子の駆動電圧が各ブロッ
クの該当共通ライン（ＣＬ1 ）が印加すると、各ブロッ
クの該当ユニットセルのスイッチング素子（ＴＲx.1 ）
がオンとなり、該当ユニットセルの光電変換素子（ＰＧ
x.1 ）で蓄積されたフォトチャージ（photo charge）
は、スイッチング素子（ＴＲx.1 ）を介して該当データ
ライン（ＤＬ1 −ＤＬn）に各々電送される。
【００４８】また各ブロックの該当ユニットセルの以前
（preceeding）のユニットセルの光電変換素子はＧ1 が
印加される間にオフ状態を維持する。
（preceeding）のユニットセルの光電変換素子はＧ1 が
印加される間にオフ状態を維持する。
【００４９】以後、ＣＬ2 −ＣＬn にスイッチング素子
の駆動電圧（Ｇ2 −Ｇn ）が順次印加されて上記のよう
な方法により画像データが読出回路へ電送される。
の駆動電圧（Ｇ2 −Ｇn ）が順次印加されて上記のよう
な方法により画像データが読出回路へ電送される。
【００５０】この時、ダイオード逆バイアス電圧（Ｖ
PD.1−ＶPD.n）およびスイッチング素子駆動電圧（Ｇ1
−Ｇn ）において、各添字は各ブロックの各ユニットセ
ルを区分するためのものであり、各逆バイアス電圧が互
に異なるとする意味はない（スイッチング素子の駆動電
圧（Ｇ1 −Ｇn ）の場合にも同様である。）図８は各ブ
ロックのｉ番目ユニットセルＵＣx.i （ｘは1-m ）の動
作を説明するタイミングチャートである。
PD.1−ＶPD.n）およびスイッチング素子駆動電圧（Ｇ1
−Ｇn ）において、各添字は各ブロックの各ユニットセ
ルを区分するためのものであり、各逆バイアス電圧が互
に異なるとする意味はない（スイッチング素子の駆動電
圧（Ｇ1 −Ｇn ）の場合にも同様である。）図８は各ブ
ロックのｉ番目ユニットセルＵＣx.i （ｘは1-m ）の動
作を説明するタイミングチャートである。
【００５１】ＵＣx.i の光電変換素子（ＰＤx.1 ）は逆
バイアス電圧が印加される間、入射光に相応するフォト
チャージを蓄積する。
バイアス電圧が印加される間、入射光に相応するフォト
チャージを蓄積する。
【００５２】ここで、ｔstはフォトチャージに蓄積され
る時間である（図８（Ａ）参照）。
る時間である（図８（Ａ）参照）。
【００５３】この時、駆動回路のＧi ／ＶPD.i-1の端子
においてスイッチング素子駆動電圧が発生すると、駆動
電圧（Ｇi ）は該当共通ライン（ＣＬi ）を介して各ブ
ロックのｉ番目ユニットセル（ＵＣx.i ）のスイッチン
グ素子（ＴＲi ）のゲートに印加され、前記駆動電圧
（Ｇi ）が印加される時間の間、ＴＲi が駆動される
（図８（Ｂ）参照）。この結果、前記フォトチャージが
読出回路のＣstへ移送される（図８（Ｄ）参照）。
においてスイッチング素子駆動電圧が発生すると、駆動
電圧（Ｇi ）は該当共通ライン（ＣＬi ）を介して各ブ
ロックのｉ番目ユニットセル（ＵＣx.i ）のスイッチン
グ素子（ＴＲi ）のゲートに印加され、前記駆動電圧
（Ｇi ）が印加される時間の間、ＴＲi が駆動される
（図８（Ｂ）参照）。この結果、前記フォトチャージが
読出回路のＣstへ移送される（図８（Ｄ）参照）。
【００５４】このとき、ｔtrans は前記ＴＲi が駆動さ
れる時間、すなわち、前記フォトチャージがＣstへ移送
される時間を意味する。
れる時間、すなわち、前記フォトチャージがＣstへ移送
される時間を意味する。
【００５５】その後、読出回路のスイッチ（ＳＷ1.x ）
がオンとなってＣstに蓄積された電荷、すなわちイメー
ジデータをリードすることとなる（図８（Ｅ）（Ｆ）参
照）。
がオンとなってＣstに蓄積された電荷、すなわちイメー
ジデータをリードすることとなる（図８（Ｅ）（Ｆ）参
照）。
【００５６】以後、スイッチ（ＳＷ1.x ）をオフし、sw
itch（ＳＷ2.x ）をonすれば残留電荷をディスチャージ
（discharge ）させる（図８（Ｇ）参照）。
itch（ＳＷ2.x ）をonすれば残留電荷をディスチャージ
（discharge ）させる（図８（Ｇ）参照）。
【００５７】ついでスイッチ（ＳＷ2.x ）がオフされ、
スイッチ（ＳＷ1.x ）がさらにオンとなりノイズデータ
をリードする。
スイッチ（ＳＷ1.x ）がさらにオンとなりノイズデータ
をリードする。
【００５８】これは１番目のデータリード時、ノイズが
含まれるので、ノイズのみを別にリードして１番目のデ
ータリードにおいて２番目のノイズリードを減らして純
粋なイメージデータを得るためである。
含まれるので、ノイズのみを別にリードして１番目のデ
ータリードにおいて２番目のノイズリードを減らして純
粋なイメージデータを得るためである。
【００５９】以後、各ブロックのｉ＋１番目のユニット
セルのスイッチング素子（ＴＲx.i+ 1 ）にｔtrans 時間
の間、スイッチング素子駆動電圧（Ｇi+1 ）が印加され
る。この時、直前に蓄積された電荷を生させた後スイッ
チング素子駆動電圧（Ｇi+1）が各ブロックのｉ番目の
ユニットセルの光電変換素子（ＰＤi ）に蓄積される光
電荷に微少な変化を及ぼす。
セルのスイッチング素子（ＴＲx.i+ 1 ）にｔtrans 時間
の間、スイッチング素子駆動電圧（Ｇi+1 ）が印加され
る。この時、直前に蓄積された電荷を生させた後スイッ
チング素子駆動電圧（Ｇi+1）が各ブロックのｉ番目の
ユニットセルの光電変換素子（ＰＤi ）に蓄積される光
電荷に微少な変化を及ぼす。
【００６０】その後、ＣＬ1+1 に逆バイアス電圧が印加
され始めると、ＰＤi は入射光に相応するように、フォ
トチャージを蓄積し始める（図８（Ａ）（Ｃ）参照）。
され始めると、ＰＤi は入射光に相応するように、フォ
トチャージを蓄積し始める（図８（Ａ）（Ｃ）参照）。
【００６１】しかし、電荷伝達時間（Ｔtrans ）はフォ
トダイオード（ＰＤ）が、このようなフォトチャージを
蓄積する時間（Ｔst）に比べて無視される短時間である
ので、このような微少な変化の時点が、ｉ番目の単位セ
ルのデータリードアウトされた直後であり、フォトダイ
オード（ＰＤ）に蓄積されるフォトチャージの量はチャ
ージ蓄積時間（ｔst）に依存しない。フォトダイオード
（ＰＤ）に入射する光の波長および強さに依存するの
で、ｉ番目のデータには全く影響を及ぼさない。
トダイオード（ＰＤ）が、このようなフォトチャージを
蓄積する時間（Ｔst）に比べて無視される短時間である
ので、このような微少な変化の時点が、ｉ番目の単位セ
ルのデータリードアウトされた直後であり、フォトダイ
オード（ＰＤ）に蓄積されるフォトチャージの量はチャ
ージ蓄積時間（ｔst）に依存しない。フォトダイオード
（ＰＤ）に入射する光の波長および強さに依存するの
で、ｉ番目のデータには全く影響を及ぼさない。
【００６２】図５は図４の任意のブロックの単位セルに
対するレイアウト構成図である。図５を、図４を参照し
て説明する。図４に示すように、ｉ番目の共通ライン
（ＣＬi ）は、ｉ番目のスイッチング素子（ＴＦＴ）の
ゲートおよびｉ−１番目の光電変換素子（フォトダイオ
ード）に連結されている。
対するレイアウト構成図である。図５を、図４を参照し
て説明する。図４に示すように、ｉ番目の共通ライン
（ＣＬi ）は、ｉ番目のスイッチング素子（ＴＦＴ）の
ゲートおよびｉ−１番目の光電変換素子（フォトダイオ
ード）に連結されている。
【００６３】したがって、図５中、共通ラインＣＬi と
いえば、このＣＬi に連結された中間のフォトダイオー
ドはｉ−１番目のフォトダイオード、すなわちＰＤi-1
であろう。
いえば、このＣＬi に連結された中間のフォトダイオー
ドはｉ−１番目のフォトダイオード、すなわちＰＤi-1
であろう。
【００６４】このＰＤi-1 の下部メタル電極（５０）に
連結されたものは、図４に示すように、ｉ−１番目のス
イッチング素子、すなわちＴＲi-1 のソース（６０）で
あろう。
連結されたものは、図４に示すように、ｉ−１番目のス
イッチング素子、すなわちＴＲi-1 のソース（６０）で
あろう。
【００６５】また、前記ＰＤi の上部ＩＴＯ透明電極
（７０）を介してＣＬi に連結されたｉ番目のＴＲ、す
なわちＴＲi のゲート（８０）であろう。
（７０）を介してＣＬi に連結されたｉ番目のＴＲ、す
なわちＴＲi のゲート（８０）であろう。
【００６６】図６は図５のＡ−Ａ′線断面を示したもの
である。図６はスイッチング素子（ＴＦＴ）（Ｔ
Ｒi-1 ）のソース（６０）がフォトダイオード（ＰＤ
i-1 ）の下部メタル電極（５０）が連結されるものと、
共通ライン（ＣＬi ）とフォトダイオード（ＰＤi-1 ）
の上部ＩＴＯ透明電極（７０）が連結されたものであ
る。
である。図６はスイッチング素子（ＴＦＴ）（Ｔ
Ｒi-1 ）のソース（６０）がフォトダイオード（ＰＤ
i-1 ）の下部メタル電極（５０）が連結されるものと、
共通ライン（ＣＬi ）とフォトダイオード（ＰＤi-1 ）
の上部ＩＴＯ透明電極（７０）が連結されたものであ
る。
【００６７】図７は図５のＡ−Ａ″線断面を示したもの
である。図７は１つのユニットセルのＴＦＴ（ＴＲi ）
のゲート電極（８０）が、以前のユニットセル（ＵＣ
i-1 ）のフォトダイオード（ＰＤi-1 ）の上部ＩＴＯ透
明電極（７０）に連結されたものと、共通ライン（ＣＬ
i ）とフォトダイオード（ＰＤi-1 ）の上部ＩＴＯ透明
電極（７０）が互いに連結されたものである。
である。図７は１つのユニットセルのＴＦＴ（ＴＲi ）
のゲート電極（８０）が、以前のユニットセル（ＵＣ
i-1 ）のフォトダイオード（ＰＤi-1 ）の上部ＩＴＯ透
明電極（７０）に連結されたものと、共通ライン（ＣＬ
i ）とフォトダイオード（ＰＤi-1 ）の上部ＩＴＯ透明
電極（７０）が互いに連結されたものである。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次のような効果が得られる。
次のような効果が得られる。
【００６９】既存の薄膜デバイスで構成されるマトリッ
クス配線方式のＴＦＴコンタクト映像センサにおいて、
マトリックスカイロ配線方式によっては難しいデータラ
イン間のクロスオーバおよびデータラインと他のメタル
ライン間のクロスオーバ部分を除去することにより、こ
のようなクロスオーバ部分で形成される寄生キャパシタ
ンスによるノイズ発生を除去することができ、かつ不必
要な読出時間の遅延を減らすことができ、これにより、
高画質のコンタクト映像センサを得られる効果がある。
クス配線方式のＴＦＴコンタクト映像センサにおいて、
マトリックスカイロ配線方式によっては難しいデータラ
イン間のクロスオーバおよびデータラインと他のメタル
ライン間のクロスオーバ部分を除去することにより、こ
のようなクロスオーバ部分で形成される寄生キャパシタ
ンスによるノイズ発生を除去することができ、かつ不必
要な読出時間の遅延を減らすことができ、これにより、
高画質のコンタクト映像センサを得られる効果がある。
【図１】従来の並列リードアウト方式のリニア映像セン
サの回路図である。
サの回路図である。
【図２】従来の選択的リードアウト方式のリニア映像セ
ンサの回路図である。
ンサの回路図である。
【図３】従来のMeander ライン方式のリニア映像センサ
の回路図である。
の回路図である。
【図４】本発明のノン−クロシングメタルライン方式の
リニア映像センサの回路図である。
リニア映像センサの回路図である。
【図５】図４の単位セルの回路レイアウト構成図であ
る。
る。
【図６】図５のＡ−Ａ′線断面図である。
【図７】図５のＡ−Ａ″線断面図である。
【図８】本発明の各ブロックのｉ番目の単位セルの信号
出力処理を示すタイミングチャートである。
出力処理を示すタイミングチャートである。
Claims (3)
- 【請求項１】各々、１つのスイッチング素子と１つの光
電変換素子とからなる複数のユニットセルを含み、光を
受けてイメージデータと変換する複数のブロックと、 各ブロック毎に１つの共通ラインが複数のユニットセル
中、該当するユニットセルのスイッチング手段と前記該
当するユニットセルの以前のユニットセルの光電変換素
子に連結される複数の共通ラインと、 前記複数の共通ラインに前記光電変換素子の駆動電圧を
印加しながら、順次に各々の複数の共通ラインに前記ス
イッチング素子の駆動電圧を所定時間のまま印加する駆
動回路と、 前記スイッチング素子が駆動される時、このスイッチン
グ素子に該当する光電変換素子から出力される映像デー
タを電送するブロック別データラインと、 前記ブロック別データラインを介して伝達されるデータ
を読み出す読出回路と、 を備えたことを特徴とするコンタクト映像センサのモジ
ュール。 - 【請求項２】光電変換素子は、フォトダイオードである
ことを特徴とする請求項１記載のコンタクト映像センサ
のモジュール。 - 【請求項３】スイッチング素子は、ＴＦＴであることを
特徴とする請求項１記載のコンタクト映像センサのモジ
ュール。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024473A KR940006933B1 (ko) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 콘택 영상 센서 |
| KR24473/1991 | 1991-12-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0678113A true JPH0678113A (ja) | 1994-03-18 |
| JP2930824B2 JP2930824B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=19326096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4344394A Expired - Fee Related JP2930824B2 (ja) | 1991-12-26 | 1992-12-24 | コンタクト映像センサのモジュール |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5363216A (ja) |
| JP (1) | JP2930824B2 (ja) |
| KR (1) | KR940006933B1 (ja) |
| DE (1) | DE4244160B4 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7408683B2 (en) | 2002-07-15 | 2008-08-05 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image sensor for reading image and image reading apparatus including the image sensor |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3416432B2 (ja) * | 1996-12-24 | 2003-06-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
| US6407418B1 (en) * | 1998-09-16 | 2002-06-18 | Nec Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, image sensor apparatus having the same and image reader having the same |
| US7034969B2 (en) * | 2000-08-01 | 2006-04-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Divided one-dimensional solid-state imaging device, method of controlling one-dimensional solid-state imaging device, and image reading apparatus and method using the same |
| JP2002101261A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Rohm Co Ltd | 画像読み取り装置 |
| US7589306B2 (en) * | 2008-02-12 | 2009-09-15 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with buried self aligned focusing element |
| US8183510B2 (en) * | 2008-02-12 | 2012-05-22 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with buried self aligned focusing element |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4453187A (en) * | 1981-06-25 | 1984-06-05 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Image sensor |
| JPH03143159A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Nippon Steel Corp | 密着型イメージセンサ |
| US5196721A (en) * | 1989-10-03 | 1993-03-23 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image reading device |
| JPH03120868A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-23 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ |
| JPH0822002B2 (ja) * | 1990-03-27 | 1996-03-04 | 富士ゼロックス株式会社 | イメージセンサ及びその駆動方法 |
| JPH0758769B2 (ja) * | 1990-08-20 | 1995-06-21 | 富士ゼロックス株式会社 | イメージセンサ |
-
1991
- 1991-12-26 KR KR1019910024473A patent/KR940006933B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-12-23 US US07/996,016 patent/US5363216A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-24 JP JP4344394A patent/JP2930824B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-24 DE DE4244160A patent/DE4244160B4/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7408683B2 (en) | 2002-07-15 | 2008-08-05 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image sensor for reading image and image reading apparatus including the image sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940006933B1 (ko) | 1994-07-29 |
| DE4244160A1 (en) | 1993-07-01 |
| KR930015633A (ko) | 1993-07-24 |
| US5363216A (en) | 1994-11-08 |
| DE4244160B4 (de) | 2005-08-25 |
| JP2930824B2 (ja) | 1999-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0168030B1 (en) | Contact type image sensor and driving method therefor | |
| EP0627847B1 (en) | Photoelectric conversion device | |
| US4575638A (en) | Thin film photoelectric converting device | |
| JPH022304B2 (ja) | ||
| JPH0568132A (ja) | 原稿読取り装置 | |
| US6583456B2 (en) | Image sensor with light receiving elements of differing areas and image reader both having semiconductor device | |
| JPH0678113A (ja) | コンタクト映像センサのモジュール | |
| EP0267591B1 (en) | Photoelectric converter | |
| NL8200719A (nl) | Foto-aftastinrichting. | |
| KR100264833B1 (ko) | 엠오에스 트랜지스터 및 이것을 사용한 전하검출장치 | |
| JPH06164924A (ja) | イメージセンサ | |
| JPH0380385B2 (ja) | ||
| US4916326A (en) | Long array photoelectric converting apparatus with reduced crosstalk | |
| JPH0548842A (ja) | 原稿読み取り装置 | |
| JPH04282953A (ja) | 密着型二次元イメージセンサ | |
| JPH0584971B2 (ja) | ||
| US8098315B2 (en) | Solid state imaging apparatus, solid state imaging device driving method and camera | |
| JPH06152856A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH084128B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH0897965A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JPS6143065A (ja) | 密着形イメージセンサ | |
| JPH0662175A (ja) | 密着型２次元イメージセンサ | |
| JPH0477171A (ja) | リニアイメージセンサ | |
| JPH07321299A (ja) | 集積回路及び薄膜集積回路 | |
| JP3251273B2 (ja) | 光電変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990413 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 10 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |