JP3251273B2

JP3251273B2 - 光電変換装置

Info

Publication number: JP3251273B2
Application number: JP2000-102591A
Authority: JP
Inventors: 誠二橋本
Original assignee: キヤノン株式会社
Filing date: 1986-09-30
Publication date: 2002-01-28
Anticipated expiration: 2017-01-28

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換素子を有
する光電変換セルからの信号を読み出す光電変換装置に
係り、特に暗信号のバラツキや駆動ノイズ等の不要成分
を除去することを企図した光電変換装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１０は、従来の光電変換装置の一例を
示す概略的構成図である。

【０００３】同図において、光センサＳ₁〜Ｓ_nからの読
出し信号は蓄積用コンデンサＣ₁〜Ｃ_nに一旦蓄積され
る。そして走査回路１０１の動作タイミングに従ってト
ランジスタＱ_s1〜Ｑ_snが順次ＯＮ状態になることで、各
読出し信号は順次出力ライン１０２に現われ、アンプ１
０３を通して外部へ出力される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例では、光センサの暗信号や駆動ノイズ等の不
要成分が読出し信号に含まれて出力されるという同題点
を有していた。

【０００５】ここで駆動ノイズとは、光センサを駆動し
て信号を読出す時に発生するノイズであり、素子形状等
の製造上のバラツキに起因するノイズや素子分離等に起
因し光照射量に依存するスミア等をいう。

【０００６】また、暗信号とは光センサの暗電流である
が、そのバラツキは光センサの蓄積時間および温度に大
きく依存している。

【０００７】このような駆動ノイズや暗信号等の不要信
号は、特に低照度撮像時に問題となる。低照度撮像時に
おいては撮像による情報信号レベルが低くなるために、
結果的にＳＮ比が低下し、画質を劣化させるからであ
る。したがって、画質を改善するためには、上記不要信
号を低減させることが必要となる。

【０００８】しかしながら、上述したように、暗信号は
温度や蓄積時間の依存性が大きく、駆動ノイズはその依
存性が小さいために、これら不要信号を除去しようとす
れば、両信号を分離して補正係数を定めることが必要と
なり、そのためには多大のメモリを必要とする。その結
果、信号処理の複雑化、コストの上昇、撮像装置の大型
化という問題を生じさせていた。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明による光電変換装
置は、増幅用のトランジスタを含む光電変換セルを複数
有する光電変換装置であって、前記光電変換セル内で光
電変換によって生じた信号を前記増幅用のトランジスタ
から読み出す第１のモードと、前記光電変換セル内の前
記増幅用のトランジスタの入力側をリセットした後の信
号を前記増幅用のトランジスタから読み出す第２のモー
ドとを制御する制御部と、前記第１のモードによって読
み出された信号と前記第２のモードによって読み出され
た信号との差分処理を行うための差分処理手段と、一ラ
イン分の前記光電変換セルに含まれる前記増幅用トラン
ジスタの入力側を同一のタイミングでリセットするため
のリセット手段と、前記第１のモード及び前記第２のモ
ードにおいて、それぞれ一ライン分の前記光電変換セル
に含まれる前記増幅用トランジスタから信号を同一のタ
イミングで読み出す読み出し手段と、を有することを特
徴とする。

【００１０】［作用］本発明による光電変換装置は、前
記各光電変換セル毎の前記増幅用のトランジスタの入力
側のバラツキに起因するノイズを残存信号として、読出
し信号からリフレッシュ後の残存信号を差し引くことに
よって、光電変換素子の暗信号や駆動ノイズ等の不要成
分を読出し信号から除去することができる。さらに、増
幅用トランジスタの入力側を同一のタイミングでリフレ
ッシュするので、時間的なずれが発生せず、信号の書き
込み時間及び読み出し時間も少なくとも一ライン同一の
タイミングで実行され得るので、読み出し画像の不自然
さを少なくすることができる。

【００１１】この光電変換セル内の光電変換素子として
は、ＭＯＳ型、静電誘導型、ベース蓄積型等の各種光セ
ンサを用いることができ、特にベース蓄積型によるベー
スに蓄積された光電荷と残存信号とを増幅して読み出す
方式を以下の実施形態の光電変換素子として説明する。

【００１２】また、光電変換セルのリフレッシュとは、
光電変換セルの光情報の消去を意味する。光センサの種
類によって、読出しと同時に光情報が消去されるもの、
読出しによっては、光情報が消去されず繰返し読出し可
能なものがある。

【００１３】

【発明の実施の形態】まず、本実施形態で使用される光
電変換素子について説明する。

【００１４】図１１（Ａ）は、特開昭６０−１２７５９
号公報〜特開昭６０−１２７６５号公報に記載されてい
る光電変換セルの概略的断面図、図１１（Ｂ）は、その
等価回路図である。

【００１５】両図において、ｎ⁺シリコン基板１上に光
電変換セルが形成され配列されており、各光電変換セル
はＳｉ０₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、又はポリシリコン等より成る素
子分離領域２によって隣接する元電変換セルから電気的
に絶縁されている。

【００１６】各光電変換セルは次のような構成を有す
る。

【００１７】エピタキシャル技術等で形成される不純物
濃度の低いｎ^-領域３上にはｐタイプの不純物をドーピ
ングすることでｐ領域４が形成され、ｐ領域４には不純
物拡散技術又はイオン注入技術等によってｎ⁺領域５が
形成されている。ｐ領域４およびｎ⁺領域５は、各々バ
イポーラトランジスタのベ一スおよびエミッタであり、
トランジスタの増幅回路を構成する。

【００１８】このように各領域が形成されたｎ^-領域３
上には酸化膜６が形成され、酸化膜６上に所定の面積を
有するキャパシタ電極７が形成されている。キャパシタ
電極７は酸化膜６を挟んでｐ領域４と対向し、キャパシ
タ電極７にパルス電圧を印加することで浮遊状態にされ
たｐ領域４の電位を制御する。

【００１９】その他に、ｎ⁺領域５に接続されたエミッ
タ電極８、基板１の裏面に不純物濃度の高いｎ⁺領域１
１、およびバイポーラトランジスタのコレクタに電位を
与えるためのコレクタ電極１２がそれぞれ形成されてい
る。

【００２０】次に、基本的な動作を説明する。まず、バ
イポーラトランジスタのぺ一スであるｐ領域４は負電位
の初期状態にあるとする。このｐ領域４側から光１３が
入射し、入射光によって発生した電子・正孔対のうちの
正孔がｐ領域４に蓄積され、蓄積された正孔によってｐ
領域４の電位が正方向に上昇する（蓄積動作）。

【００２１】続いて、キャパシタ電極７に読出し用の正
電圧パルスが印加され、蓄積動作時のベ一ス電位変化分
に対応した読出し信号が浮遊状態にしたエミッタ電極８
から出力される（読出し動作）。ただし、ベ一スである
ｐ領域４の蓄積電荷量はほとんど減少しないために、読
出し動作の繰出しが可能である。

【００２２】また、ｐ領域４に蓄積された正孔を除去す
るには、エミッタ電極８を接地し、キャパシタ電極７に
正電圧のリフレッシュパルスを印加する。このパルスを
印加することでｐ領域４はｎ⁺領域５に対して順方向に
バイアスされ、蓄積された正孔が除去される。そして、
リフレッシュパルスが立下がった時点でｐ領域４は負電
位の初期状態に復帰する（リフレッシュ動作）。以後、
同様に蓄積、読出し、リフレッシュという各動作が繰り
返される。

【００２３】しかしながら、リフレッシュ動作によって
ｐ領域４の電位を初期状態に復帰させるには、十分長い
パルス幅のリフレッシュパルスを必要とする。このため
に高速動作を達成するには、リフレッシュパルス幅を短
かくすることが必要である。しかし、リフレッシュパル
ス幅を短かくすると、完全なリフレッシュ動作が行われ
ないために、残像に暗信号や駆動ノイズ等の不要成分も
加わってくる。

【００２４】図１２は、上記光電変換セルに印加するリ
フレッシュパルス幅ｔとリフレッシュ後の光電変換セル
出力との関係を示すグラフである。

【００２５】同グラフにおいて、ｔ＝０の時の出力は蓄
積動作後の読出し信号であり、入射光の照度に対応した
レベルの読出し信号が示されている。

【００２６】このような光電変換セルの出力レべルはリ
フレッシュ動作によって低下するが、その低下の様子
も、またリフレッシュ後の残存信号のレベルも入射光の
照度によって異なっている。

【００２７】すなわち、同一リフレッシュ動作を行った
場合に、残存信号レベルが一定値とはならず、高照度側
ほど残存信号レベルが高くなっている。すなわち、残像
があることを示している。

【００２８】また、高照度の場合では、残存信号レベル
は低照度の場合より高いが、初期の読出し信号に比べて
大幅に低下しており、実質的には読出し信号に含まれる
不要成分の割合が低いことを示している。それに対して
低照度の場合は、残存信号レベルは低くなっているが、
初期の読出し信号レベルに比べると低下の幅は小さいた
めに、読出し信号に含まれる不要成分の割合が高くなっ
ている。

【００２９】このような特性を有する上記光電変換セル
であっても、次に詳述するように、初期の読出し信号か
らリフレッシュ後の残存信号を差し引くことによって、
上記特有の残像成分だけではなく、前述した暗信号や駆
動ノイズ等の不要成分をも同時に除去することができ
る。以下、本発明の実施形態を説明する。

【００３０】図１は、本発明による光電変換装置の一実
施形態の基本構成を説明するための回路図である。

【００３１】図１において、光電変換セルＳのエミッタ
電極８は垂直ラインＶＬに接続され、トランジスタＱr
を介して接地される。また垂直ラインＶＬはトランジス
タＱt ₁およびＱt₂を介して蓄積用コンデンサＣt₁および
Ｃt₂にそれぞれ接続され、コンデンサＣt₁およびＣt₂は
トランジスタＱs₁およびＱs₂を介して出力ライン２１お
よび２２に各々接続される。出力ライン２１および２２
は、差動アンプ２３の入力端子に接続されている。

【００３２】また、トランジスタＱs₁およびＱs₂のゲー
ト電極には走査回路からパルスφが印加され、トランジ
スタＱt₁およびＱt₂のゲート電極にはパルスφt₁および
φt₂が各々印加される。さらに、トランジスタＱrのゲ
ート電極にはパルスφvcが印加され、光電変換セルＳの
キャパシタ電極７には読出し又はリフレッシュパルスφ
rcが印加される。

【００３３】次に、動作を説明する。

【００３４】図２は、図１に示す回路の動作を説明する
ためのタイミングチャートである。

【００３５】まず、パルスφt₁、φt₂およびφvcによっ
てトランジスタＱt₁、Ｑt₂およびＱrをＯＮ状態にし
て、コンデンサＣt₁およびＣt₂をクリアする（期間
Ｔ₁）。

【００３６】続いて、トランジスタＱt₁をＯＮにしたま
まで、パルスφrcをキャパシタ電極７に印加すること
で、光電変換セルＳの読出し信号がコンデンサＣt₁に蓄
積される（期間Ｔ₂）。

【００３７】続いて、パルスφrcを印加したままで、ト
ランジスタＱt₁をＯＦＦにした後、パルスφvcによって
トランジスタＱrをＯＮにする。このパルスφvcのパル
ス幅によって光電変換セルＳのリフレッシュ動作が行わ
れる（期間Ｔ₃）。

【００３８】リフレッシュ動作が終了すると、パルスφ
rcを印加したままで、パルスφt₂によりトランジスタＱ
t₂をＯＮとする。これによって、光電変換セルＳの残存
信号がコンデンサＣt₂に蓄積される（期間Ｔ₄）。

【００３９】こうしてコンデンサＣt₁およびＣt₂に読出
し信号および残存信号が蓄積されると、パルスφによっ
てトランジスタＱs₁およびＱs₂をＯＮにし、読出し信号
および残存信号を出力ライン２１および２２を通して差
動アンプ２３に入力する。そして、差動アンブ２３から
は、読出し信号と残存信号との差に比例した信号Ｓout
が出力される（期間Ｔ₅）。

【００４０】すでに述べたように、信号Ｓoutは暗信号
や駆動ノイズ等の不要成分および残像成分が除去された
信号であり、入射光の照度に正確に対応したものとなっ
ている。特に、低照度側での不要成分除去が効果的であ
り、Ｓ／Ｎ向上に寄与している。

【００４１】図３は、本実施形態の回路図である。

【００４２】本実施形態は、図１に示す回路がｎ個配列
された構成となっている。

【００４３】同図において、光電変換セルＳ１〜Ｓｎの
エミッタ電極８は垂直ラインＶＬ_l〜ＶＬ_nに各々接続さ
れ、各垂直ラインには図１と同様の回路が接続されてい
る。各垂直ラインのトランジスタＱrのゲート電極は共
通に接続され、パルスφvcが印加される。また、各トラ
ンジスタＱt₁のゲート電極および各トランジスタＱt₂の
ゲート電極も共通に接続され、それぞれパルスφt₁およ
びφt₂が印加される。

【００４４】各光電変換セルに対応するトランジスタＱ
s₁およびＱs₂のゲート電極は共に走査回路２４の並列出
力端子に接続され、それぞれパルスφ₁〜φ_nが印加され
る。また各トランジスタＱs₁は出力ライン２１に、各ト
ランジスタＱs₂は出力ライン２２に各々接続され、両出
力ラインは各々トランジスタＱrhを介して接地されてい
る。トランジスタＱrhのゲート電極には共にリセットパ
ルスφrhが印加される。

【００４５】このような構成を有する本実施形態の動作
を図４を参照して簡単に説明する。

【００４６】図４は、本実施形態の動作を説明するため
のタイミングチャートである。

【００４７】すでに説明したように、期間Ｔ₁において
各光電変換セルに対応するコンデンサＣｔ₁およびＣｔ₂
をクリアし、期間Ｔ₂において各コンデンサＣｔ₁に各光
電変換セルの読出し信号を蓄積する。続いて、期間Ｔ₃
において各光電変換セルをリフレッシュし、期間Ｔ₄に
おいてリフレッシュ後の各光電変換セルの残存信号を各
コンデンサＣｔ₂に蓄積する。

【００４８】こうして各光電変換セルの読出し信号およ
び残存信号を蓄積した後、走査回路２４からパルスφ₁
がトランジスタＱs₁およびＱs₂のゲート電極に印加さ
れ、コンデンサＣt₁およびＣt₂に蓄積された光電変換セ
ルＳ₁の読出し信号および残存信号が出力ライン２１お
よび２２に各々現われ、差動アンブ２３で差分処理され
て出力される。出力ライン２１に現われた読出し信号に
は不要成分が含まれているが、差動アンプ２３によって
不要成分が除去され、出力信号Ｓoutを得る。

【００４９】光電変換セルＳ₁の信号が出力されると、
パルスφrhによってトランジスタＱrhがＯＮとなり、出
力ライン２１および２２に残留している電荷が除去され
る。

【００５０】以下同様にして、パルスφ₂〜φ_nにより、
光電変換セルＳ₂〜Ｓ_nの読出し信号および残存信号が各
々コンデンサＣt₁およびＣt₂から出力ライン２１および
２２に取り出され、差動アンプ２３を通して信号Ｓout
として順次出力される。

【００５１】図５は、本実施形態を用いた撮像装置の概
略的ブロック図である。

【００５２】同図において、ライン状又はエリア状の撮
像素子５０１が図３に示す本実施形態に相当する。撮像
素子５０１の出力信号ＳoutはＡＧ等の信号処理を行う
信号処理回路５０２を通してＮＴＳＣ信号等の標準テレ
ビジョン信号として出力される。

【００５３】また、撮像素子５０１を駆動するための上
記各種パルスはドライバ５０３から供給され、ドライバ
５０３は制御部５０４からの制御信号に従ってパルスを
出力する。また、制御部５０４は露出制御手段５０５を
制御して撮像素子５０１に入射する光量を定める。

【００５４】上述したように、本実施形態である撮像素
子５０１は、読出し信号から残存信号を差し引くことに
よって入射光の照度に正確に対応した出力信号Ｓoutを
得ることができるために、信号処理回路５０２によって
適切なゲインが設定されるとともに、ノイズ成分がすで
に除去されていることで信号処理も簡単となる。

【００５５】なお、上記実施形態では図３に示す方式の
光センサの場合を説明したが、本発明は光センサの特定
の方式に限定されるものではない。

【００５６】また、本発明は複数水平ライン信号処理方
式のカラー撮像装置にも応用することができる。

【００５７】図６は、本発明の他の実施形態の回路図、
図７は、本実施形態における読出し回路Ｒiの具体的回
路図である。なお、本実施形態では２水平ライン信号処
理方式の場合を説明するが、３水平ライン以上の信号処
理方式であっても本質的には同じである。

【００５８】図６において、光センサＳはｍ×ｎ個エリ
ア状に配列され、センサ表面にはモザイク状のＲＧＢ色
フィルタが配置されている。

【００５９】光センサの出力は、列ごとに垂直ラインＶ
Ｌ₁〜ＶＬ_nを通して読出し回路Ｒ₁〜Ｒ_nへ入力する。

【００６０】図７に示すように、任意の読出し回路Ｒi
（ｉ＝１，２，…，ｎ）において、垂直ラインＶＬiは
トランジスタＱt₁〜Ｑt₄を介して蓄積用コンデンサＣt₁
〜Ｃt ₄に接続され、コンデンサＣt₁〜Ｃt₄はトランジス
タＱs₁〜Ｑs₄を介して出力ライン６０１〜６０４に各々
接続されている。本実施形態では２水平ライン信号処理
方式であるために、読出し信号を蓄積するコンデンサと
残存信号を蓄積するコンデンサとが各々２個ずつ設けら
れている。

【００６１】トランジスタＱt₁〜Ｑt₄の各ゲート電極
は、読出し回路Ｒ₁〜Ｒ_nを通して各々共通に接続され、
各ゲート電極にはパルスφt₁〜φt₄が印加される。

【００６２】また、読出し回路ＲiのトランジスタＱs₁
〜Ｑs₄のゲート電極には、水平走査回路２４からパルス
φｉが印加され、トランジスタＱs₁〜Ｑs₄は同時にＯＮ
／ＯＦＦ動作を行う。

【００６３】出力ライン６０１および６０２と出力ライ
ン６０３および６０４は、各々差動アンプ６０５と差動
アンプ６０６の入力端子に接続され、各差動アンプから
信号ＯＵＴ１とＯＵＴ２が各々出力される。

【００６４】また、垂直走査回路６０７およびインタレ
ース回路６０８によってフィールドが選択されるととも
に、そのフィールドにおける２水平ラインが順次選択さ
れ、選択された２水平ラインに光センサを駆動するため
のパルスがインタレース回路６０８に入力するパルスＶ
r₁およびＶr₂のタイミングで順次印加される。

【００６５】次に、本実施形態の動作を図８を参照しな
がら説明する。

【００６６】図８は、本実施形態の動作を説明するため
のタイミングチャートである。

【００６７】本実施形態では、２水平ラインにおける各
光センサの読出し信号および残存信号を水平ブランキン
グ（ＨＢＬＫ）期間に各読出し回路Ｒ₁〜Ｒ_nの蓄積コン
デンサに転送する。２水平ラインのうち第１水平ライン
についての転送は期間ＴａにパルスＶr₁のタイミング
で、第２水平ラインについての転送は期間Ｔｂにパルス
Ｖr₂のタイミングで各々行われる。

【００６８】転送動作は図３に示す実施形態の場合とほ
ぼ同様であるが、ＨＢＬＫ期間内に転送を行うために、
１水平ライン方式の場合に比べて転送時間が短かくな
る。そこで、残存信号を蓄積するコンデンサのクリアと
残存信号の蓄積とをほぼ同一の期間Ｔ₃’およびＴ₃”で
行っている。また、信号転送時に発生するスミアは転送
時間に比例するために、Ｔ₂（Ｔ₂’）、Ｔ₃’（Ｔ₃”）
を短かくすることでスミアを抑制することもできる。

【００６９】まず、期間Ｔａにおける期間Ｔ₁でコンデ
ンサＣt₁およびＣt₂がクリアされた後、期間Ｔ₂でパル
スＶr₁によってパルスφrc₁が第１水平ラインに印加さ
れ、第１水平ラインの各光センサの読出し信号が読出し
回路Ｒ₁〜Ｒnの各コンデンサＣt₁に蓄積される。続い
て、期間Ｔ₃’において、第１水平ラインの光センサが
リフレッシュされ、リフレッシュ終了後の残存信号がコ
ンデンサＣt₂に蓄積される。

【００７０】続いて期間Ｔｂにおいて、第２水平ライン
についての転送がパルスＶr₂によるパルスφrc₂の出力
によって第１水平ラインと同様に行われ、第２水平ライ
ンの各光センサの読出し信号および残存信号が各々コン
デンサＣt₃およびＣt₄に蓄積される。

【００７１】こうして第１および第２水平ラインの読出
し信号および残存信号が読出し回路Ｒ₁〜Ｒ_nの各コンデ
ンサＣt₁〜Ｃt₄に蓄積されると、水平走査回路２４から
パルスφ₁〜φ_nが読出し回路Ｒ₁〜Ｒ_nに順次出力され、
差動アンブ６０５からＲ，Ｇの点順次信号ＯＵＴ１が、
差動アンプ６０６からＧ，Ｂの点順次信号ＯＵＴ２がそ
れぞれ不要成分が除去されて出力される。ただし、次の
フィールドではＯＵＴ１がＧ，Ｂの点順次信号、ＯＵＴ
２がＲ，Ｇの点順次信号となる。

【００７２】図９は、本実施形態を用いた撮像装置の概
略的ブロック図である。

【００７３】同図において、撮像素子９０１は図６及び
図７に示す光電変換装置である。撮像素子９０１の出力
信号ＯＵＴ１およびＯＵＴ２は、サンプルホールド回路
９０２を経て信号処理回路９０３によってＮＴＳＣ信号
が形成され出力される。

【００７４】撮像素子９０１を駆動する各パルスはドラ
イバ９０４から供給され、ドライバ９０４は制御部９０
５によって制御されている。また、制御部９０５は露出
制御手段９０６を制御して撮像素子９０１に入射する光
量を定める。

【００７５】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
る光電変換装置は、光電変換セルの読出し信号からリフ
レッシュ後の残存信号を差し引くことによって、光電変
換素子の暗信号や駆動ノイズ等の不要成分を読出し信号
から除去するという簡単な方法で、高ＳＮ比の映像信号
を得ることができるようになったために、光電変換装置
を低コストかつコンパクトに製造することができる。

【００７６】また、リフレッシュタイミングを少なくと
も一ライン分を同一のタイミングで行うので、各光電変
換セルの残存ノイズのばらつきを小さくでき、読み出し
画像の不自然さを感じないようにすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光電変換装置の一実施形態の基本
構成を説明するための回路図。

【図２】図１に示す回路の動作を説明するためのタイミ
ングチャート。

【図３】本実施形態の回路図。

【図４】本実施形態の動作を説明するためのタイミング
チャート。

【図５】本実施形態を用いた撮像装置の概略的ブロック
図。

【図６】本発明の他の実施形態の回路図。

【図７】本実施形態における読出し回路Ｒｉの具体的回
路図。

【図８】本実施形態の動作を説明するためのタイミング
チャート。

【図９】本実施形態を用いた撮像装置の概略的ブロック
図。

【図１０】従来の光電変換装置の一例を示す概略的構成
図。

【図１１】（Ａ）は、特開明６０−１２７５９号公報〜
特開明６０−１２７６５号公報に記載されている光電変
換セルの概略的断面図、（Ｂ）は、その等価回路図。

【図１２】上記光電変換セルに印加するリフレッシュパ
ルス幅ｔとリフレッシュ後の光電変換セル出力との関係
を示すグラフである。

【符号の説明】

１基板３ｎ^-エピタキシャル層４ｐベ一ス領域５ｎ⁺エミッタ領域７キャパシタ電極８エミッタ電極１２コレクタ電極２１，２２出力ライン２３差動アンプＳ₁〜Ｓ_n 光電変換セルＣt₁，Ｃt₂ 蓄積用コンデンサ

Claims

(57)【特許請求の範囲】１．増幅用のトランジスタを含む光電変換セルを複数有
する光電変換装置であって、前記光電変換セル内で光電変換によって生じた信号を前
記増幅用のトランジスタから読み出す第１のモードと、
前記光電変換セル内の前記増幅用のトランジスタの入力
側をリセットした後の信号を前記増幅用のトランジスタ
から読み出す第２のモードとを制御する制御部と、前記第１のモードによって読み出された信号と前記第２
のモードによって読み出された信号との差分処理を行う
ための差分処理手段と、一ライン分の前記光電変換セルに含まれる前記増幅用ト
ランジスタの入力側を同一のタイミングでリセットする
ためのリセット手段と、前記第１のモード及び前記第２のモードにおいて、それ
ぞれ一ライン分の前記光電変換セルに含まれる前記増幅
用トランジスタから信号を同一のタイミングで読み出す
読み出し手段と、を有することを特徴とする光電変換装置。２．請求項１に記載の光電変換装置において、前記差分
処理手段から出力された信号を処理する信号処理回路
と、光電変換セルに入射する光量を制御する露光制御手
段とを有することを特徴とする光電変換装置。