JPH03143159A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH03143159A JPH03143159A JP1282506A JP28250689A JPH03143159A JP H03143159 A JPH03143159 A JP H03143159A JP 1282506 A JP1282506 A JP 1282506A JP 28250689 A JP28250689 A JP 28250689A JP H03143159 A JPH03143159 A JP H03143159A
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- signal
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、原稿を縮小せずに読み取る小型ファクシミリ
等に用いる密着型イメージセンサに関するものである。
等に用いる密着型イメージセンサに関するものである。
密着型イメージセンサは縮小光学系を用いずに原稿を読
み取ることができるので光路長が短く、装置を小型化す
ることができる。このため近年、小型ファクシミリやバ
ーコードリーグ等の画像読み取り装置として広く使用さ
れている。
み取ることができるので光路長が短く、装置を小型化す
ることができる。このため近年、小型ファクシミリやバ
ーコードリーグ等の画像読み取り装置として広く使用さ
れている。
密着型イメージセンサには種々のものがあるが、以下で
説明する密着型イメージセンサは原稿からの光信号を光
電変換する多数のホトダイオードと、スイッチング素子
として各ホトダイオードに対応して設けられる多数のブ
ロッキングダイオードとをマトリックス状に接続し、ブ
ロッキングダイオードに駆動パルスを順次連続的に供給
することによって各ホトダイオードから電気信号を取り
出すものである。
説明する密着型イメージセンサは原稿からの光信号を光
電変換する多数のホトダイオードと、スイッチング素子
として各ホトダイオードに対応して設けられる多数のブ
ロッキングダイオードとをマトリックス状に接続し、ブ
ロッキングダイオードに駆動パルスを順次連続的に供給
することによって各ホトダイオードから電気信号を取り
出すものである。
また、密着型1次元イメージセンサでは、原稿を読み取
るために、原稿サイズと同一の長尺のセンサ素子、たと
えばA4サイズの原稿を読み取るには、8個/+++m
のセンサ素子を用いたとして、約2000個近いセンサ
素子が必要になる。そして、かかるセンサ素子の各々か
ら蓄積された情報を読み取るため、マトリックス駆動を
多用している。
るために、原稿サイズと同一の長尺のセンサ素子、たと
えばA4サイズの原稿を読み取るには、8個/+++m
のセンサ素子を用いたとして、約2000個近いセンサ
素子が必要になる。そして、かかるセンサ素子の各々か
ら蓄積された情報を読み取るため、マトリックス駆動を
多用している。
同様に、密着型2次元イメージセンサにおいても、更に
多数のセンサ素子の各々から蓄積された情報を読み取る
ため、マトリックス駆動を多用している。
多数のセンサ素子の各々から蓄積された情報を読み取る
ため、マトリックス駆動を多用している。
第5図は従来の密着型イメージセンサの光電変換回路を
示す図である。第5図に示すように、従来の密着型イメ
ージセンサのセンサ素子を横取するホトダイオード1と
ブロッキングダイオード2とは、互いのアノード側がハ
ック ツウ・バックに接続されており、ホトダイオード
lのカソードからの出力信号は演1γ増幅器3の反転入
力端子に(ハ給され反転増幅される。
示す図である。第5図に示すように、従来の密着型イメ
ージセンサのセンサ素子を横取するホトダイオード1と
ブロッキングダイオード2とは、互いのアノード側がハ
ック ツウ・バックに接続されており、ホトダイオード
lのカソードからの出力信号は演1γ増幅器3の反転入
力端子に(ハ給され反転増幅される。
ところで、密着型イメージセンサでは、マトリックス駆
動をするため、型棒回路と型棒回路とが交差する部分、
すなわちクロスオーバ部(非コンタクト部)が存在する
。そのクロスオーバ部の電極と電極との間にはシリコン
オキサイド等の絶縁物が介在しているので、クロスオー
バ部はコンデンサとして機能し、クロスオーバ部の1つ
1つが浮遊容量になる。このため、密着型イメージセン
サの光電変換回路は第5図に示すように、各センサ素子
間に)7遊容措によるコンデンサCcが挿入されている
のと同しになる。マトリックス駆動の密着型イメージセ
ンサでは、クロスオーバ部の数が多いので、クロスオー
バ部の浮遊容量によるクロスミー一りのため、演算増幅
器3の出力信号には、原稿からの光信号に基づく信号パ
ルスの他にノイズとなる不要な疑似信号が現れ、MTF
(ModulaLion Transfer Fun
ction)が低下するという問題があった。
動をするため、型棒回路と型棒回路とが交差する部分、
すなわちクロスオーバ部(非コンタクト部)が存在する
。そのクロスオーバ部の電極と電極との間にはシリコン
オキサイド等の絶縁物が介在しているので、クロスオー
バ部はコンデンサとして機能し、クロスオーバ部の1つ
1つが浮遊容量になる。このため、密着型イメージセン
サの光電変換回路は第5図に示すように、各センサ素子
間に)7遊容措によるコンデンサCcが挿入されている
のと同しになる。マトリックス駆動の密着型イメージセ
ンサでは、クロスオーバ部の数が多いので、クロスオー
バ部の浮遊容量によるクロスミー一りのため、演算増幅
器3の出力信号には、原稿からの光信号に基づく信号パ
ルスの他にノイズとなる不要な疑似信号が現れ、MTF
(ModulaLion Transfer Fun
ction)が低下するという問題があった。
本発明は、上記事情に基づいてなされたものであり、ク
ロスオーバ部のクロストークに起因して生しる出力信号
の不要な疑似信号を除去することができる密着型イメー
ジセンサを提供することを目的とするものである。
ロスオーバ部のクロストークに起因して生しる出力信号
の不要な疑似信号を除去することができる密着型イメー
ジセンサを提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するための本発明は、光信号を光電変換
するホトダイオードと、駆動パルスを受けて該ホトダイ
オードに蓄積された情報を読み出すブロンキングダイオ
ードとをマトリックス駆動する密着型イメージセンサに
43いて、前記ホトダイオードからの出力信号を積分す
る積分手段と、二亥積分手段を前記駆動パルスの開始タ
イミングに動作させ少なくとも前記駆動パルスの終了タ
イミングまでに該動作を終了するように制御する制御手
段とを設けたことを特徴とするものである。
するホトダイオードと、駆動パルスを受けて該ホトダイ
オードに蓄積された情報を読み出すブロンキングダイオ
ードとをマトリックス駆動する密着型イメージセンサに
43いて、前記ホトダイオードからの出力信号を積分す
る積分手段と、二亥積分手段を前記駆動パルスの開始タ
イミングに動作させ少なくとも前記駆動パルスの終了タ
イミングまでに該動作を終了するように制御する制御手
段とを設けたことを特徴とするものである。
本発明は前記の構成によって、クロスオーバ部におLJ
るクロスト−りに起因する疑似13号は、真のパルス状
の信号を微分した波形であるので、ホトダイオードの出
力信℃を積分手段によって積分することにより、該出カ
イ3℃から不要な疑似信号を除去する。
るクロスト−りに起因する疑似13号は、真のパルス状
の信号を微分した波形であるので、ホトダイオードの出
力信℃を積分手段によって積分することにより、該出カ
イ3℃から不要な疑似信号を除去する。
以下に本発明の一実施例を図面を参照しつつ説明する。
第2図はマトリックス状に接続された密着型イメージセ
ンサの回路図、第3図はそのセンサ回路の詳細図である
。
ンサの回路図、第3図はそのセンサ回路の詳細図である
。
第2図においてA I−A a。は入力回路、B、〜B
、。はセンサ回路、C1〜C1は出力回路であり、更に
この出力回路C1〜C0に対応して16本のラインL
、〜L16が設けられている。また、センサ回路B1〜
n4゜は各々第3図に示すように16個のホトダイオー
ド1及びこれらに接続された16個のブロッキングダイ
オード2によって構成され、16個のホトダイオード1
はラインL、〜I56に一つづつ接続されている。した
がって、−本のラインにはセンサ回路の数に対応して4
0個のホトダイオード1が接続される。尚、第3図の点
線円内の電極の交差部がクロスオーバ部である。
、。はセンサ回路、C1〜C1は出力回路であり、更に
この出力回路C1〜C0に対応して16本のラインL
、〜L16が設けられている。また、センサ回路B1〜
n4゜は各々第3図に示すように16個のホトダイオー
ド1及びこれらに接続された16個のブロッキングダイ
オード2によって構成され、16個のホトダイオード1
はラインL、〜I56に一つづつ接続されている。した
がって、−本のラインにはセンサ回路の数に対応して4
0個のホトダイオード1が接続される。尚、第3図の点
線円内の電極の交差部がクロスオーバ部である。
入力回路A1〜A4゜からセンサ回v?; B l〜B
40のブロッキングダイオード2に、駆動パルス■〜■
4゜が供給されると、出力回路01〜C1hからは40
個連続した出力信号O7〜04が得られる。
40のブロッキングダイオード2に、駆動パルス■〜■
4゜が供給されると、出力回路01〜C1hからは40
個連続した出力信号O7〜04が得られる。
第1図は本発明の一実施例である密着型イメージセンサ
の光電変換回路を示す図である。本実施例の光電変換回
路は、ホトダイオード1、ブロッキングダイオード2、
積分器IO1積分器10に並列に接続されたスイッチS
W及び制御部20からなる。ここで、積分器10、スイ
ッチSW及び制御部20は、図示しないが出力回路C1
〜C1の各々に一組づつ設けられているものである。尚
、第5図に示す従来の光電変換回路と同・−の機能を有
するものには同一の符号を付することによりその詳細な
説明を省略する。
の光電変換回路を示す図である。本実施例の光電変換回
路は、ホトダイオード1、ブロッキングダイオード2、
積分器IO1積分器10に並列に接続されたスイッチS
W及び制御部20からなる。ここで、積分器10、スイ
ッチSW及び制御部20は、図示しないが出力回路C1
〜C1の各々に一組づつ設けられているものである。尚
、第5図に示す従来の光電変換回路と同・−の機能を有
するものには同一の符号を付することによりその詳細な
説明を省略する。
各積分、?H10は、演算増幅器11とコンデンサCと
からなる。
からなる。
また、各制御部20はブし1ノキングダイオード2に加
えられる駆動パルスの立ち下がり時(開始タイミング)
にスイッチSWをOFFにし、駆動パルスの立ち上がり
時(終了タイミング)よりも若干早くスイッチSWがO
Nにtl:るように制御する。
えられる駆動パルスの立ち下がり時(開始タイミング)
にスイッチSWをOFFにし、駆動パルスの立ち上がり
時(終了タイミング)よりも若干早くスイッチSWがO
Nにtl:るように制御する。
今、原稿がホトダイオード11に対応する箇所だけ白く
、他の部分は黒いものであるとすると、本来はホトダイ
オード11だけに信号が出力されるわけであるが、現実
にはクロスオーバ部のコンデンサCcにより他のホトダ
イオード12〜1.にも疑似信号が出力される。このホ
トダイオード12〜、の出力に現れる疑似信号は、回路
内の固有の抵抗R(第1図点線で示す)とコンデンサC
cとからなる微分回路によるものであり、微分波形をし
ているものと考察できる。実際に、発明者等がオン11
スコープを用いて測定した結果、ホトダイオード2−1
.の出力に現れる疑似信号は微分波形をしていた。
、他の部分は黒いものであるとすると、本来はホトダイ
オード11だけに信号が出力されるわけであるが、現実
にはクロスオーバ部のコンデンサCcにより他のホトダ
イオード12〜1.にも疑似信号が出力される。このホ
トダイオード12〜、の出力に現れる疑似信号は、回路
内の固有の抵抗R(第1図点線で示す)とコンデンサC
cとからなる微分回路によるものであり、微分波形をし
ているものと考察できる。実際に、発明者等がオン11
スコープを用いて測定した結果、ホトダイオード2−1
.の出力に現れる疑似信号は微分波形をしていた。
したがって、ホトダイオードlの出力信号を積分するこ
とにより、ホトダイオードの出力信8から不要な疑似信
号を除去することかできる。
とにより、ホトダイオードの出力信8から不要な疑似信
号を除去することかできる。
次に、光電変換回路の動作について第4図を参照して詳
細に説明する。第4図は光電変換回路のタイミングチャ
ートであり、同図(a)は駆動パルスの波形、同図(b
)は積分器の動作タイミング波形、同図(c)はホトダ
イオード11の従来の反転増幅による出力信号の波形、
同図(d)はホトダイオードIIの出力信号の積分波形
、同図(e)はホトダイオードエ1以外の他のホトダイ
オード1□〜1.の従来の反転増幅による出力波形、同
図(f)はホトダイオード12〜,6の出力信号の積分
波形を示す図である。第4図(a)に示す駆動パルス1
1がブロッキングダイオード2.〜。
細に説明する。第4図は光電変換回路のタイミングチャ
ートであり、同図(a)は駆動パルスの波形、同図(b
)は積分器の動作タイミング波形、同図(c)はホトダ
イオード11の従来の反転増幅による出力信号の波形、
同図(d)はホトダイオードIIの出力信号の積分波形
、同図(e)はホトダイオードエ1以外の他のホトダイ
オード1□〜1.の従来の反転増幅による出力波形、同
図(f)はホトダイオード12〜,6の出力信号の積分
波形を示す図である。第4図(a)に示す駆動パルス1
1がブロッキングダイオード2.〜。
に供給されると、各出力回路C1〜CI6に設けられた
制御部20は、その駆動パルスI、の立ち下がり時t1
↓こ積分器1(lこ並列に接続されたスイッチSWをO
FFとし、駆動パルス■、の立ち上がり時【2よりも若
干早い時i3にスイッチSWをONとする。スイッチS
WをONするタイミングを駆動パルスの終了タイミング
よりも若干早くするのは、次の駆動パルス12が送られ
てくる萌に、積分器10内のコンデンl) Cに蓄えら
れている電荷を放雷さセ、回路をリセットするためであ
る。
制御部20は、その駆動パルスI、の立ち下がり時t1
↓こ積分器1(lこ並列に接続されたスイッチSWをO
FFとし、駆動パルス■、の立ち上がり時【2よりも若
干早い時i3にスイッチSWをONとする。スイッチS
WをONするタイミングを駆動パルスの終了タイミング
よりも若干早くするのは、次の駆動パルス12が送られ
てくる萌に、積分器10内のコンデンl) Cに蓄えら
れている電荷を放雷さセ、回路をリセットするためであ
る。
駆動パルスI、がブロッキングダイオード2゜に供給さ
れると、ホトダイオードllの従来の反転増幅による出
力信号は同図(c)に示すようにパルス状の信号である
が、積分器10の出力信号0、は同図(d)に示す積分
波形になる。また、このときのホトダイオード1□〜よ
、の従来の反転増幅による出力波形は、同図(e)に示
すように同図(c)の微分波形になるが、積分器10.
〜1.の出力信号02〜1.は積分され同図(「〉に示
すように最終的にはゼロになる。
れると、ホトダイオードllの従来の反転増幅による出
力信号は同図(c)に示すようにパルス状の信号である
が、積分器10の出力信号0、は同図(d)に示す積分
波形になる。また、このときのホトダイオード1□〜よ
、の従来の反転増幅による出力波形は、同図(e)に示
すように同図(c)の微分波形になるが、積分器10.
〜1.の出力信号02〜1.は積分され同図(「〉に示
すように最終的にはゼロになる。
したがって、同図(f)の積分波形がゼロになる、たと
えば7時に出力信号を取り出すようにすれば、クロスオ
ーバ部のコンデンサCcに起因して生ずる不要な疑似信
号が除去され、真の信号成分のみを積分したものを出力
信号にすることができる。
えば7時に出力信号を取り出すようにすれば、クロスオ
ーバ部のコンデンサCcに起因して生ずる不要な疑似信
号が除去され、真の信号成分のみを積分したものを出力
信号にすることができる。
このようにホトダイオード1の出力信号を積分すること
により、クロスオーバ部のクロストークに起因する不要
な疑似(3号を除去することができる。また、従来はホ
トダイオードlの出力信号のピーク時をとらえて出力信
号をサンプルホールドしていたので、サンプルホールド
する際のタイミングがとりずらかったが、本実施例では
、積分値をサンプルホールドすればよいので、タイミン
グをとるのは極めて容易である。
により、クロスオーバ部のクロストークに起因する不要
な疑似(3号を除去することができる。また、従来はホ
トダイオードlの出力信号のピーク時をとらえて出力信
号をサンプルホールドしていたので、サンプルホールド
する際のタイミングがとりずらかったが、本実施例では
、積分値をサンプルホールドすればよいので、タイミン
グをとるのは極めて容易である。
発明者等が8 dots/s++wの素子密度で、セル
フォツクレンズを使用して、412 p/mvaの線密
度の原稿を読み取ったところ、従来例ではMTFが30
%であったものが、本実施例ではMTF G 0%にも
向上した。
フォツクレンズを使用して、412 p/mvaの線密
度の原稿を読み取ったところ、従来例ではMTFが30
%であったものが、本実施例ではMTF G 0%にも
向上した。
尚、上記の実施例ては、密着型1次元イメージセンサに
ついて説明したが、密着型2次元イメージセンサについ
ても同様に解像度の向L、を図ることができる。
ついて説明したが、密着型2次元イメージセンサについ
ても同様に解像度の向L、を図ることができる。
以り説明したように本発明によれば、ホトダイオードの
出力信号を積分することにより、クロスオーバ部のクロ
ストークに起因して生ずる不要な疑似13号を除去し、
解像度の向上を図ることができる密着型イメージセンサ
を提供することができる。
出力信号を積分することにより、クロスオーバ部のクロ
ストークに起因して生ずる不要な疑似13号を除去し、
解像度の向上を図ることができる密着型イメージセンサ
を提供することができる。
第1図は本発明の一実施例である密着型イメージセンサ
の光電変換回路を示す図、第2図は本発明の−・実施例
である密着型イメージセンサの回路図、第3図はそのセ
ンサ回路の詳細図、第4図はその光電変換回路のタイミ
ングチャート、第5図は従来の光電変換回路を示す図で
ある。 l・・・ホトダイオード、 2・・・ブロッキングダイオード、 10・・・積分器、20・・・制御部、SW・・・スイ
ッチ、A1〜A40・・・B■〜B40・・・センサ回
路、 C+−C+b・・・出力回路。 入力回路、
の光電変換回路を示す図、第2図は本発明の−・実施例
である密着型イメージセンサの回路図、第3図はそのセ
ンサ回路の詳細図、第4図はその光電変換回路のタイミ
ングチャート、第5図は従来の光電変換回路を示す図で
ある。 l・・・ホトダイオード、 2・・・ブロッキングダイオード、 10・・・積分器、20・・・制御部、SW・・・スイ
ッチ、A1〜A40・・・B■〜B40・・・センサ回
路、 C+−C+b・・・出力回路。 入力回路、
Claims (1)
- 光信号を光電変換するホトダイオードと、駆動パルス
を受けて該ホトダイオードに蓄積された情報を読み出す
ブロッキングダイオードとをマトリックス駆動する密着
型イメージセンサにおいて、前記ホトダイオードからの
出力信号を積分する積分手段と、該積分手段を前記駆動
パルスの開始タイミングに動作させ少なくとも前記駆動
パルスの終了タイミングまでに該動作を終了するように
制御する制御手段とを設けたことを特徴とする密着型イ
メージセンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1282506A JPH03143159A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 密着型イメージセンサ |
US07/982,419 US5335092A (en) | 1989-04-06 | 1992-11-27 | Contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1282506A JPH03143159A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03143159A true JPH03143159A (ja) | 1991-06-18 |
Family
ID=17653329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1282506A Pending JPH03143159A (ja) | 1989-04-06 | 1989-10-30 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03143159A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4244160B4 (de) * | 1991-12-26 | 2005-08-25 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Kontaktbildsensor-Modul |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP1282506A patent/JPH03143159A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4244160B4 (de) * | 1991-12-26 | 2005-08-25 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Kontaktbildsensor-Modul |
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