JPH04282953A - 密着型二次元イメージセンサ - Google Patents
密着型二次元イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH04282953A JPH04282953A JP3046405A JP4640591A JPH04282953A JP H04282953 A JPH04282953 A JP H04282953A JP 3046405 A JP3046405 A JP 3046405A JP 4640591 A JP4640591 A JP 4640591A JP H04282953 A JPH04282953 A JP H04282953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- signal
- circuit
- contact type
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータへの画像
，文字入力、あるいは、ファクシミリへの画像，文字入
力、あるいは、その他の画像情報を扱うものへの画像情
報入力に用いられる、二次元画像入力装置に関わるもの
である。
，文字入力、あるいは、ファクシミリへの画像，文字入
力、あるいは、その他の画像情報を扱うものへの画像情
報入力に用いられる、二次元画像入力装置に関わるもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ファクシミリの使用あるいは、コンピュ
ータに対する画像の入力など、画像入力装置を使用する
ことが広く普及してきている。従来この画像入力装置と
して、半導体基板上に作られた撮像素子を使用していた
。撮像素子を使用すると、縮小光学系が必要となり、大
きく，高価なものとなっていた。その後、光学系を必要
としない密着型センサが作られたが、センサそのものは
、受光素子を一列に並べた一次元センサであり、原稿を
読み取るときには、何らかの機械的走査を必要としてい
た。この一次元密着型センサにおいては、機械部分を持
つために、大きくなってしまい、密着型センサに期待さ
れるコンパクト性という利点が最大限に利用できていな
かった。
ータに対する画像の入力など、画像入力装置を使用する
ことが広く普及してきている。従来この画像入力装置と
して、半導体基板上に作られた撮像素子を使用していた
。撮像素子を使用すると、縮小光学系が必要となり、大
きく，高価なものとなっていた。その後、光学系を必要
としない密着型センサが作られたが、センサそのものは
、受光素子を一列に並べた一次元センサであり、原稿を
読み取るときには、何らかの機械的走査を必要としてい
た。この一次元密着型センサにおいては、機械部分を持
つために、大きくなってしまい、密着型センサに期待さ
れるコンパクト性という利点が最大限に利用できていな
かった。
【０００３】密着型二次元センサは、光学系を必要とし
ないだけではなく、原稿を読み取る際に機械的走査をも
必要としない、電子的走査で原稿を読み取ることのでき
る画像入力装置である。
ないだけではなく、原稿を読み取る際に機械的走査をも
必要としない、電子的走査で原稿を読み取ることのでき
る画像入力装置である。
【０００４】「実開平２−８０５５ 」に記載の様に、
密着型二次元センサについての特許，実用新案は既にあ
るが、１画素内の内部構成あるいは、駆動電圧について
の記載にとどまり、読み出し方式についてはなんら明示
されていない。
密着型二次元センサについての特許，実用新案は既にあ
るが、１画素内の内部構成あるいは、駆動電圧について
の記載にとどまり、読み出し方式についてはなんら明示
されていない。
【０００５】従来、読み出し方式については、二次元の
撮像素子についての様々な技術があった。例えば、その
内の一つの例を図６を用いて説明する。図６にあるよう
に、撮像素子は、画素１０１，走査線３１，信号線４１
と、走査線３１を駆動する垂直走査回路２と、水平スイ
ッチ１２１〜１２５からなっている。画素１０１のなか
には、受光素子１６１と画素内スイッチ１１１がある。 画素の選択は、次のようにして行なう。まず、垂直走査
回路２により、選択した水平１ライン１１の画素内スイ
ッチ１１１〜１１５をＯＮにする。その後、水平スイッ
チ１２１により、水平１ライン１１の中から１つの画素
１０１を選択し、信号線４１を用いて信号を読みだす。 １つの画素１０１の信号を読みおわったら、該水平スイ
ッチ１２１をＯＦＦとし、隣の水平スイッチ１２２をＯ
Ｎとし、信号を同様に読みだす。この様にして、水平１
ライン１１を読み終れば、垂直走査線２により、ＯＮと
なっている画素内スイッチ１１１〜１１５をＯＦＦとし
、次の走査線３２を選択し、その１ライン１２を同様に
読みだす。これを繰り返していくのである。選択された
画素よりでる信号は、信号線により順番に処理回路へと
導かれる。
撮像素子についての様々な技術があった。例えば、その
内の一つの例を図６を用いて説明する。図６にあるよう
に、撮像素子は、画素１０１，走査線３１，信号線４１
と、走査線３１を駆動する垂直走査回路２と、水平スイ
ッチ１２１〜１２５からなっている。画素１０１のなか
には、受光素子１６１と画素内スイッチ１１１がある。 画素の選択は、次のようにして行なう。まず、垂直走査
回路２により、選択した水平１ライン１１の画素内スイ
ッチ１１１〜１１５をＯＮにする。その後、水平スイッ
チ１２１により、水平１ライン１１の中から１つの画素
１０１を選択し、信号線４１を用いて信号を読みだす。 １つの画素１０１の信号を読みおわったら、該水平スイ
ッチ１２１をＯＦＦとし、隣の水平スイッチ１２２をＯ
Ｎとし、信号を同様に読みだす。この様にして、水平１
ライン１１を読み終れば、垂直走査線２により、ＯＮと
なっている画素内スイッチ１１１〜１１５をＯＦＦとし
、次の走査線３２を選択し、その１ライン１２を同様に
読みだす。これを繰り返していくのである。選択された
画素よりでる信号は、信号線により順番に処理回路へと
導かれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、撮像素
子と密着型二次元イメージセンサでは、大きく異なる部
分が存在する。例えば、撮像素子は、大きいものでも対
角２／３インチ程度とその面積は小さく、また、駆動す
るための素子などは、全て単結晶Ｓｉ上に作られている
。一方、密着型イメージセンサは、密着型のため、Ａ４
の原稿を読み取るためには、Ａ４の面積を必要とする。 さらに、その様な大面積のデバイスを得るためには、半
導体層に移動度の低いａ−Ｓｉを用いることが必須であ
る。そのため、密着型二次元イメージセンサでは、撮像
素子と同様の読み出し方式では、画素選択用のスイッチ
素子のスイッチ時間が短くなるため、高速，高Ｓ／Ｎと
いう面で満足な性能を得ることはできなかった。
子と密着型二次元イメージセンサでは、大きく異なる部
分が存在する。例えば、撮像素子は、大きいものでも対
角２／３インチ程度とその面積は小さく、また、駆動す
るための素子などは、全て単結晶Ｓｉ上に作られている
。一方、密着型イメージセンサは、密着型のため、Ａ４
の原稿を読み取るためには、Ａ４の面積を必要とする。 さらに、その様な大面積のデバイスを得るためには、半
導体層に移動度の低いａ−Ｓｉを用いることが必須であ
る。そのため、密着型二次元イメージセンサでは、撮像
素子と同様の読み出し方式では、画素選択用のスイッチ
素子のスイッチ時間が短くなるため、高速，高Ｓ／Ｎと
いう面で満足な性能を得ることはできなかった。
【０００７】本発明の目的は、適切な読み取り技術を有
する密着型二次元イメージセンサを提供することである
。
する密着型二次元イメージセンサを提供することである
。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、以下のような手段を用いた。 １．密着型二次元イメージセンサの、信号処理回路につ
ながる信号線のそれぞれに、画素より読み取った信号を
並列に処理するような回路構成とした。 ２．密着型二次元イメージセンサの、信号処理回路につ
ながる信号線のそれぞれに、画素より読み取った信号を
パラレルに処理し、次の段階でパラレル−シリアル変換
を行ない、さらに次の段階で、シリアルに信号処理を行
なうようにした。 ３．密着型二次元イメージセンサにおいて、信号をシリ
アルに処理する部分については、結晶半導体を用いた回
路により、信号を処理することにした。
に、以下のような手段を用いた。 １．密着型二次元イメージセンサの、信号処理回路につ
ながる信号線のそれぞれに、画素より読み取った信号を
並列に処理するような回路構成とした。 ２．密着型二次元イメージセンサの、信号処理回路につ
ながる信号線のそれぞれに、画素より読み取った信号を
パラレルに処理し、次の段階でパラレル−シリアル変換
を行ない、さらに次の段階で、シリアルに信号処理を行
なうようにした。 ３．密着型二次元イメージセンサにおいて、信号をシリ
アルに処理する部分については、結晶半導体を用いた回
路により、信号を処理することにした。
【０００９】
【作用】１．スイッチで選択された画素からの信号を、
一つ一つ順番に処理せず、図１のように並列に処理する
回路により、水平の１ラインの処理を１度に行なえるよ
うにする。その結果として、従来一つの画素の処理にか
けていた時間で、１ラインの信号を処理できるため、画
像を読み取る時間を大幅に少なくすることができる。ま
た、従来処理回路が一つであったため、画素から処理回
路への経路の長さの違いでシェーディングが起きていた
が、信号を並列で処理する回路を取付けたため、画素か
ら処理回路までの経路の長さが、１ライン内では同じと
なったため、１ライン内のシェーディングの発生を少な
くすることができる。 ２．上記作用項１で示したものでは、密着型二次元イメ
ージセンサより送られる信号を受ける装置には、信号を
並列で受け取るインターフェースが必要となる。そこで
、図２のように並列処理回路で処理した後、パラレル−
シリアル変換を行ない、シリアル信号で出力するように
すると、密着型二次元イメージセンサが出力した信号を
受け取る装置は、シリアルのインターフェースを装備し
ていれば良いこととなる。さらに、信号を受け取る装置
の持つインターフェースにあわせて、密着型二次元イメ
ージセンサも、パラレル−シリアル変換の次の段階に、
直列の信号処理回路を備えれば、あらゆるインターフェ
ースに対応できる。
一つ一つ順番に処理せず、図１のように並列に処理する
回路により、水平の１ラインの処理を１度に行なえるよ
うにする。その結果として、従来一つの画素の処理にか
けていた時間で、１ラインの信号を処理できるため、画
像を読み取る時間を大幅に少なくすることができる。ま
た、従来処理回路が一つであったため、画素から処理回
路への経路の長さの違いでシェーディングが起きていた
が、信号を並列で処理する回路を取付けたため、画素か
ら処理回路までの経路の長さが、１ライン内では同じと
なったため、１ライン内のシェーディングの発生を少な
くすることができる。 ２．上記作用項１で示したものでは、密着型二次元イメ
ージセンサより送られる信号を受ける装置には、信号を
並列で受け取るインターフェースが必要となる。そこで
、図２のように並列処理回路で処理した後、パラレル−
シリアル変換を行ない、シリアル信号で出力するように
すると、密着型二次元イメージセンサが出力した信号を
受け取る装置は、シリアルのインターフェースを装備し
ていれば良いこととなる。さらに、信号を受け取る装置
の持つインターフェースにあわせて、密着型二次元イメ
ージセンサも、パラレル−シリアル変換の次の段階に、
直列の信号処理回路を備えれば、あらゆるインターフェ
ースに対応できる。
【００１０】３．密着型二次元イメージセンサにおいて
、半導体層にアモルファス半導体（例えばアモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ））を用いた場合、上記作用項２で
示したものにおいて、パラレル−シリアル変換の部分あ
るいは、その次の直列処理回路の部分にもアモルファス
半導体を使用した場合、回路の負担が大きく読み取りに
必要な時間も大きくなってしまう。そこで、パラレル−
シリアル変換回路以後の回路を結晶半導体で構成した。 その結果、高速の密着型二次元イメージセンサを得るこ
とができる。
、半導体層にアモルファス半導体（例えばアモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ））を用いた場合、上記作用項２で
示したものにおいて、パラレル−シリアル変換の部分あ
るいは、その次の直列処理回路の部分にもアモルファス
半導体を使用した場合、回路の負担が大きく読み取りに
必要な時間も大きくなってしまう。そこで、パラレル−
シリアル変換回路以後の回路を結晶半導体で構成した。 その結果、高速の密着型二次元イメージセンサを得るこ
とができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて説明する。図
１は、本発明の一実施例のブロック図である。本実施例
は、二次元イメージセンサアレイ１と垂直走査回路２と
並列処理回路３とでなっている。並列処理回路３は、ア
ンプ１３１〜１３５とバッファ１３により構成されてお
り、その並列処理回路３と、二次元イメージセンサアレ
イ１の詳細図を図３に示す。
１は、本発明の一実施例のブロック図である。本実施例
は、二次元イメージセンサアレイ１と垂直走査回路２と
並列処理回路３とでなっている。並列処理回路３は、ア
ンプ１３１〜１３５とバッファ１３により構成されてお
り、その並列処理回路３と、二次元イメージセンサアレ
イ１の詳細図を図３に示す。
【００１２】駆動方法は、次の通りである。まず、垂直
走査回路２により水平１ライン１１のアレイ内スイッチ
１１１〜１１５のゲートがＯＮとなり、水平１ライン１
１が選択される。次に、水平スイッチ１２１〜１２５が
ＯＮとなり、信号が画素１０１〜１０５より読みだされ
る。読みだされた信号は、アンプ１３１〜１３５により
増幅され、バッファ１３に蓄えられる。信号の読みだし
終了後、水平スイッチ１２１〜１２５がＯＦＦとされ、
選択された水平１ライン１１のアレイ内スイッチ１１１
〜１１５をＯＦＦとする。これで、１ライン分終了とな
る。これを各水平ラインに対し、順次繰り返す。
走査回路２により水平１ライン１１のアレイ内スイッチ
１１１〜１１５のゲートがＯＮとなり、水平１ライン１
１が選択される。次に、水平スイッチ１２１〜１２５が
ＯＮとなり、信号が画素１０１〜１０５より読みだされ
る。読みだされた信号は、アンプ１３１〜１３５により
増幅され、バッファ１３に蓄えられる。信号の読みだし
終了後、水平スイッチ１２１〜１２５がＯＦＦとされ、
選択された水平１ライン１１のアレイ内スイッチ１１１
〜１１５をＯＦＦとする。これで、１ライン分終了とな
る。これを各水平ラインに対し、順次繰り返す。
【００１３】図２は、本発明の別の実施例を示すブロッ
ク図である。本実施例は、二次元イメージセンサアレイ
１と垂直走査回路２と並列処理回路３とパラレル−シリ
アル変換回路４と直列信号処理回路５からなる。
ク図である。本実施例は、二次元イメージセンサアレイ
１と垂直走査回路２と並列処理回路３とパラレル−シリ
アル変換回路４と直列信号処理回路５からなる。
【００１４】本実施例の詳細図を図４に示す。
【００１５】本実施例の駆動方法は次の通りである。ま
ず、垂直走査回路２により水平１ライン１１のアレイ内
スイッチ１１１〜１１５のゲートがＯＮとなり、水平１
ライン１１が選択される。次に、水平スイッチ１２１〜
１２５がＯＮとなり、信号が画素１０１〜１０５より読
みだされる。読みだされた信号は、アンプ１３１〜１３
５により増幅され、バッファ１３に蓄えられる。信号の
読みだし終了後、水平スイッチ１２１〜１２５がＯＦＦ
となる。次に、シフトレジスタ１４を動作させ、第２の
水平スイッチ１４１〜１４５を順次ＯＮさせ、バッファ
１３に蓄えられた信号を順番に信号線２２に送る。直列
信号処理回路５では、信号線２２に入ってきた信号を必
要に応じて、電圧変換などの操作を行なう。バッファに
蓄えられた全ての信号を信号線２２に送った後、選択さ
れた水平１ライン１１のアレイ内スイッチ１１１〜１１
５をＯＦＦとする。これで、１ライン分終了となる。こ
れを各水平ラインに対し、順次繰り返す。
ず、垂直走査回路２により水平１ライン１１のアレイ内
スイッチ１１１〜１１５のゲートがＯＮとなり、水平１
ライン１１が選択される。次に、水平スイッチ１２１〜
１２５がＯＮとなり、信号が画素１０１〜１０５より読
みだされる。読みだされた信号は、アンプ１３１〜１３
５により増幅され、バッファ１３に蓄えられる。信号の
読みだし終了後、水平スイッチ１２１〜１２５がＯＦＦ
となる。次に、シフトレジスタ１４を動作させ、第２の
水平スイッチ１４１〜１４５を順次ＯＮさせ、バッファ
１３に蓄えられた信号を順番に信号線２２に送る。直列
信号処理回路５では、信号線２２に入ってきた信号を必
要に応じて、電圧変換などの操作を行なう。バッファに
蓄えられた全ての信号を信号線２２に送った後、選択さ
れた水平１ライン１１のアレイ内スイッチ１１１〜１１
５をＯＦＦとする。これで、１ライン分終了となる。こ
れを各水平ラインに対し、順次繰り返す。
【００１６】上記実施例の２例について、並列処理回路
３のなかは、信号のアンプ１３１〜１３５と信号保持用
のバッファ１３のみで構成されているが、必ずしもこの
様である必要はなく、例えば、アンプの次にＡ／Ｄコン
バータをいれ、アンプした信号をＡ／Ｄコンバータによ
りデジタル化して、デジタルデータをバッファに蓄える
ようにしても良いし、他の信号処理の回路を加えても良
い。
３のなかは、信号のアンプ１３１〜１３５と信号保持用
のバッファ１３のみで構成されているが、必ずしもこの
様である必要はなく、例えば、アンプの次にＡ／Ｄコン
バータをいれ、アンプした信号をＡ／Ｄコンバータによ
りデジタル化して、デジタルデータをバッファに蓄える
ようにしても良いし、他の信号処理の回路を加えても良
い。
【００１７】図５は、本発明の別の実施例を示す図であ
る。本実施例は、パラレル−シリアル変換回路と、それ
以後の処理回路を、外付けのＩＣ２０１の上で構成した
ものである。センサパネル２０２には接続のための端子
２０３を用意し、その端子２０３をクロムあるいは、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で作製し、
外付けＩＣ２０１にはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）のパッケージ型のものを使用
した。また、センサパネル２０２と外付けＩＣ２０１の
接続には、異方性導電膜２１１を利用した。
る。本実施例は、パラレル−シリアル変換回路と、それ
以後の処理回路を、外付けのＩＣ２０１の上で構成した
ものである。センサパネル２０２には接続のための端子
２０３を用意し、その端子２０３をクロムあるいは、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で作製し、
外付けＩＣ２０１にはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）のパッケージ型のものを使用
した。また、センサパネル２０２と外付けＩＣ２０１の
接続には、異方性導電膜２１１を利用した。
【００１８】本発明の並列処理回路３，パラレル−シリ
アル変換回路４，直列信号処理回路５は、全てを二次元
イメージセンサアレイ１と同じ基板の上に作製する必要
はなく、本実施例のように、上記回路の一部あるいは全
部を、外付けのＩＣ２０１などで構成しても構わない。 さらに、外付けＩＣ２０１は、必ずしもＴＡＢである必
要はなく、例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）によって取付けても良いし、他の方法であっても良
い。
アル変換回路４，直列信号処理回路５は、全てを二次元
イメージセンサアレイ１と同じ基板の上に作製する必要
はなく、本実施例のように、上記回路の一部あるいは全
部を、外付けのＩＣ２０１などで構成しても構わない。 さらに、外付けＩＣ２０１は、必ずしもＴＡＢである必
要はなく、例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）によって取付けても良いし、他の方法であっても良
い。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したごとく、本発明によれば、
密着型二次元イメージセンサにおいて、より高速で高Ｓ
／Ｎの密着型二次元イメージセンサを得ることが出来る
という効果がある。
密着型二次元イメージセンサにおいて、より高速で高Ｓ
／Ｎの密着型二次元イメージセンサを得ることが出来る
という効果がある。
【図１】本発明の読み出し方法のブロック図である。
【図２】本発明の読み出し方法−信号変換回路のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図３】本発明の読み出し方法の詳細図である。
【図４】本発明の読み出し方法−信号変換回路の詳細図
である。
である。
【図５】本発明の外付けＩＣの取り付け図である。
【図６】従来の読み出し方法の図である。
１…二次元イメージセンサアレイ、２…垂直走査回路、
３…並列処理回路、４…パラレル−シリアル変換回路、
５…直列信号処理回路、６…走査線、７…信号線、８…
第２の信号線、１１…水平１ライン、１２…水平１ライ
ン、１３…バッファ、１４…シフトレジスタ、２２…信
号線、３１…走査線、３２…走査線、４１…信号線、１
０１…画素、１１１…画素内スイッチ、１１２…画素内
スイッチ、１１３…画素内スイッチ、１１４…画素内ス
イッチ、１１５…画素内スイッチ、１２１…水平スイッ
チ、１２２…水平スイッチ、１２３…水平スイッチ、１
２４…水平スイッチ、１２５…水平スイッチ、１３１…
アンプ、１３２…アンプ、１３３…アンプ、１３４…ア
ンプ、１３５…アンプ、１４１…第２の水平スイッチ、
１４２…第２の水平スイッチ、１４３…第２の水平スイ
ッチ、１４４…第２の水平スイッチ、１４５…第２の水
平スイッチ、１５１…第２の水平スイッチのゲート線、
１５２…第２の水平スイッチのゲート線、１５３…第２
の水平スイッチのゲート線、１５４…第２の水平スイッ
チのゲート線、１５５…第２の水平スイッチのゲート線
、１６１…受光素子、２０１…外付けのＩＣ、２０２…
センサパネル、２０３…端子、２０４…外付ＩＣの端子
、２１１…異方性導電膜。
３…並列処理回路、４…パラレル−シリアル変換回路、
５…直列信号処理回路、６…走査線、７…信号線、８…
第２の信号線、１１…水平１ライン、１２…水平１ライ
ン、１３…バッファ、１４…シフトレジスタ、２２…信
号線、３１…走査線、３２…走査線、４１…信号線、１
０１…画素、１１１…画素内スイッチ、１１２…画素内
スイッチ、１１３…画素内スイッチ、１１４…画素内ス
イッチ、１１５…画素内スイッチ、１２１…水平スイッ
チ、１２２…水平スイッチ、１２３…水平スイッチ、１
２４…水平スイッチ、１２５…水平スイッチ、１３１…
アンプ、１３２…アンプ、１３３…アンプ、１３４…ア
ンプ、１３５…アンプ、１４１…第２の水平スイッチ、
１４２…第２の水平スイッチ、１４３…第２の水平スイ
ッチ、１４４…第２の水平スイッチ、１４５…第２の水
平スイッチ、１５１…第２の水平スイッチのゲート線、
１５２…第２の水平スイッチのゲート線、１５３…第２
の水平スイッチのゲート線、１５４…第２の水平スイッ
チのゲート線、１５５…第２の水平スイッチのゲート線
、１６１…受光素子、２０１…外付けのＩＣ、２０２…
センサパネル、２０３…端子、２０４…外付ＩＣの端子
、２１１…異方性導電膜。
Claims (5)
- 【請求項１】垂直走査回路と、信号処理回路と、該垂直
走査回路につながる複数の走査線と、該複数の走査線と
交差し、かつ該信号処理回路につながり、読み取った信
号を送る複数の信号線を有し、該走査線と該信号線の各
交点に画素を有し、該画素の中に、少なくとも光電変換
素子と画素選択用スイッチとを有し、該走査線と該信号
線をもって、一つの画素を選択するように基板上に配置
された密着型二次元イメージセンサであって、信号線の
それぞれに画素より読み取った信号を処理する回路を有
し、読み取った信号を水平の１ライン分同時に処理する
ことを特徴とする密着型二次元イメージセンサ。 - 【請求項２】垂直走査回路と、信号処理回路と、該垂直
走査回路につながる複数の走査線と、該複数の走査線と
交差し、かつ該信号処理回路につながり、読み取った信
号を送る複数の信号線を有し、該走査線と該信号線の各
交点に画素を有し、該画素の中に、少なくとも光電変換
素子と画素選択用スイッチとを有し、該走査線と該信号
線をもって、一つの画素を選択するように基板上に配置
された密着型二次元イメージセンサであって、信号線の
それぞれに画素より読み取った信号をパラレルに信号処
理を行なう信号処理回路を有し、次の段階において、パ
ラレル−シリアル変換回路により、パラレルに処理した
信号をパラレル−シリアル変換し、さらに次の段階にお
いて、シリアル信号処理を行なうことを特徴とする密着
型二次元イメージセンサ。 - 【請求項３】上記密着型二次元イメージセンサにおいて
、画素部及びパラレルに信号処理を行なう回路は、ａ−
Ｓｉを用いて構成された回路であり、パラレル−シリア
ル変換を行なう、あるいはシリアル信号処理を行なう回
路は、結晶シリコンで構成されていることを特徴とする
請求項２記載の密着型二次元イメージセンサ。 - 【請求項４】上記密着型二次元イメージセンサにおいて
、結晶シリコンは、ａ−Ｓｉを結晶化した結晶シリコン
であることを特徴とする請求項３記載の密着型二次元イ
メージセンサ。 - 【請求項５】上記密着型二次元イメージセンサにおいて
、結晶シリコンによる回路部分は、外付けの専用ＩＣで
あることを特徴とする請求項３記載の密着型二次元イメ
ージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3046405A JPH04282953A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 密着型二次元イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3046405A JPH04282953A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 密着型二次元イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04282953A true JPH04282953A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=12746244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3046405A Pending JPH04282953A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 密着型二次元イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04282953A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008048405A (ja) * | 1996-03-13 | 2008-02-28 | Canon Inc | 光電変換装置、ｘ線撮像装置、及び該装置を有するシステム |
| US7440017B2 (en) | 1996-03-13 | 2008-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system having the apparatus |
| US7737962B2 (en) | 2002-07-12 | 2010-06-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display device |
| JP2010263661A (ja) * | 1996-03-13 | 2010-11-18 | Canon Inc | 光電変換装置、ｘ線撮像装置、及び該装置を有するシステム |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP3046405A patent/JPH04282953A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008048405A (ja) * | 1996-03-13 | 2008-02-28 | Canon Inc | 光電変換装置、ｘ線撮像装置、及び該装置を有するシステム |
| US7440017B2 (en) | 1996-03-13 | 2008-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system having the apparatus |
| US7643077B2 (en) | 1996-03-13 | 2010-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system having the apparatus |
| JP2010263661A (ja) * | 1996-03-13 | 2010-11-18 | Canon Inc | 光電変換装置、ｘ線撮像装置、及び該装置を有するシステム |
| JP4597171B2 (ja) * | 1996-03-13 | 2010-12-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、ｘ線撮像装置、及び該装置を有するシステム |
| JP4654321B2 (ja) * | 1996-03-13 | 2011-03-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、ｘ線撮像装置、及び該装置を有するシステム |
| US8179469B2 (en) | 1996-03-13 | 2012-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system having the apparatus |
| US8488037B2 (en) | 1996-03-13 | 2013-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system having the apparatus |
| US7737962B2 (en) | 2002-07-12 | 2010-06-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100233320B1 (ko) | 화상 입출력 장치 | |
| JP2678062B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH022304B2 (ja) | ||
| JP4540280B2 (ja) | 光学走査装置 | |
| CN1184688C (zh) | 用于高速多分辨率成像器的视频总线及其方法 | |
| JPH04282953A (ja) | 密着型二次元イメージセンサ | |
| JP2000101803A (ja) | 光電変換装置、及びそれを用いたイメージセンサ／及びそれを用いた画像入力システム | |
| JPH022305B2 (ja) | ||
| JP2004153327A (ja) | 表示装置 | |
| JPH0678113A (ja) | コンタクト映像センサのモジュール | |
| KR960007914B1 (ko) | 밀착 영상 센서 | |
| JP3424360B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH01147972A (ja) | 電荷移送型固体撮像素子 | |
| JPH07142692A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3053721B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| TW200813926A (en) | Liquid crystal display | |
| JP2984437B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP2002199281A (ja) | 画像処理装置 | |
| JPH07115182A (ja) | メモリー機能付き光電変換素子および固体撮像装置 | |
| JPH0678136A (ja) | 画像の縮小処理方式 | |
| JPH022299B2 (ja) | ||
| JPH0584971B2 (ja) | ||
| JPS5945782A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6143065A (ja) | 密着形イメージセンサ | |
| JP2005159784A (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法並びにカメラシステム |