JPH08321912A - 画像入力装置 - Google Patents
画像入力装置Info
- Publication number
- JPH08321912A JPH08321912A JP7151172A JP15117295A JPH08321912A JP H08321912 A JPH08321912 A JP H08321912A JP 7151172 A JP7151172 A JP 7151172A JP 15117295 A JP15117295 A JP 15117295A JP H08321912 A JPH08321912 A JP H08321912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reading
- switch
- switches
- line
- scanning means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 24
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Editing Of Facsimile Originals (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 縮小光学系を必要とせず、最高解像度が高い
密着型2次元センサにおいて、解像度の切り換えが可能
となる構造を得る。 【構成】 フォトダイオード1と薄膜トランジスタ2と
を接続して成る画素部を2次元状に配置した2次元画像
入力部と、前記各薄膜トランジスタ2のゲート電極を行
毎に接続するゲート線4と、前記各薄膜トランジスタ2
を列毎に接続するデータ線6とを有し、第1のマトリク
ス電極線走査手段17,第1のゲート線走査手段11及
び第1のデータ読取手段14で高解像度読み取りを行
い、第2のマトリクス電極線走査手段27,第2のゲー
ト線走査手段21及び第2のデータ読取手段24で実時
間読み取りを行う。そして、第1のマトリクス電極線走
査手段17と第2のマトリクス電極線走査手段27の駆
動を選択する駆動切替手段30を設けたものである。
密着型2次元センサにおいて、解像度の切り換えが可能
となる構造を得る。 【構成】 フォトダイオード1と薄膜トランジスタ2と
を接続して成る画素部を2次元状に配置した2次元画像
入力部と、前記各薄膜トランジスタ2のゲート電極を行
毎に接続するゲート線4と、前記各薄膜トランジスタ2
を列毎に接続するデータ線6とを有し、第1のマトリク
ス電極線走査手段17,第1のゲート線走査手段11及
び第1のデータ読取手段14で高解像度読み取りを行
い、第2のマトリクス電極線走査手段27,第2のゲー
ト線走査手段21及び第2のデータ読取手段24で実時
間読み取りを行う。そして、第1のマトリクス電極線走
査手段17と第2のマトリクス電極線走査手段27の駆
動を選択する駆動切替手段30を設けたものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スキャナ,ディジタル
複写機,ファクシミリ等の画像入力装置に係り、特に、
受光素子を2次元状に配置した密着型のイメージセンサ
に関する。
複写機,ファクシミリ等の画像入力装置に係り、特に、
受光素子を2次元状に配置した密着型のイメージセンサ
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、画像入力装置に使用されるイメー
ジセンサとしては、例えば、受光素子を主走査方向に配
列したCCD(チャージカップルドデバイス)センサ、
あるいはMOS型センサ等の1次元ICセンサ上に、読
み取り対象(以下、原稿と記す)の像を縮小結像させて
読み取る縮小型のイメージセンサが存在する。これらの
イメージセンサによれば、原稿幅(原稿の主走査方向の
長さ)をICのチップ長まで縮小結像させるため、長い
光路長が必要となる上、結像させるのに必要なレンズの
周縁部の収差等の問題があり、装置の小型軽量化を妨げ
る原因となっている。
ジセンサとしては、例えば、受光素子を主走査方向に配
列したCCD(チャージカップルドデバイス)センサ、
あるいはMOS型センサ等の1次元ICセンサ上に、読
み取り対象(以下、原稿と記す)の像を縮小結像させて
読み取る縮小型のイメージセンサが存在する。これらの
イメージセンサによれば、原稿幅(原稿の主走査方向の
長さ)をICのチップ長まで縮小結像させるため、長い
光路長が必要となる上、結像させるのに必要なレンズの
周縁部の収差等の問題があり、装置の小型軽量化を妨げ
る原因となっている。
【0003】縮小光学系に起因する上記問題は、原稿幅
と同じ長さの長尺状の1次元イメージセンサを用いる密
着型イメージセンサを用いることで解決できるが、副走
査方向に機械的にセンサを移動させる又は原稿を移動さ
せるための機械系を必要とし、装置の小型軽量化を妨げ
ていた。さらに、1次元イメージセンサでは、原稿から
の反射光である入射光を受光素子で電荷へ変換する光電
変換に割り当てられる時間(以下、蓄積時間と記す)
は、主走査方向の1ライン当たりの割当時間分だけであ
るため、高速に読み取ろうとすれば蓄積時間が短くなっ
て信号電荷量が少なくなるために、センサの出力信号の
ダイナミックレンジの低下を招き、逆にセンサの感度を
高く保つためには蓄積時間を長くせざるを得ないため
に、読み取り速度が低下するという問題があった。
と同じ長さの長尺状の1次元イメージセンサを用いる密
着型イメージセンサを用いることで解決できるが、副走
査方向に機械的にセンサを移動させる又は原稿を移動さ
せるための機械系を必要とし、装置の小型軽量化を妨げ
ていた。さらに、1次元イメージセンサでは、原稿から
の反射光である入射光を受光素子で電荷へ変換する光電
変換に割り当てられる時間(以下、蓄積時間と記す)
は、主走査方向の1ライン当たりの割当時間分だけであ
るため、高速に読み取ろうとすれば蓄積時間が短くなっ
て信号電荷量が少なくなるために、センサの出力信号の
ダイナミックレンジの低下を招き、逆にセンサの感度を
高く保つためには蓄積時間を長くせざるを得ないため
に、読み取り速度が低下するという問題があった。
【0004】これらの問題を解決するために、受光素子
を主走査方向と副走査方向の2次元状に配列した2次元
密着型イメージセンサ(以下、2次元センサと記す)が
提案されている(例えば特開昭64−62980号公報
参照)。2次元センサを用いる場合、副走査方向にも電
子的に走査するためセンサを移動させる又は原稿を移動
させるための機械系が不要となり、装置が小型軽量化す
る。さらに、蓄積時間が1フレーム時間分と長くなり信
号電荷量が増加するため、原稿1枚あたりの読み取り時
間を増加させることなくセンサの出力信号のダイナミッ
クレンジを大きくできるという効果があった。また、大
面積のガラス基板などに2次元センサを形成し、原稿と
同じサイズ(例えばA4)に設定することも可能であ
り、高解像度(例えば25.4mmあたり300〜60
0画素)での読み取りを高速に行うことが可能である。
を主走査方向と副走査方向の2次元状に配列した2次元
密着型イメージセンサ(以下、2次元センサと記す)が
提案されている(例えば特開昭64−62980号公報
参照)。2次元センサを用いる場合、副走査方向にも電
子的に走査するためセンサを移動させる又は原稿を移動
させるための機械系が不要となり、装置が小型軽量化す
る。さらに、蓄積時間が1フレーム時間分と長くなり信
号電荷量が増加するため、原稿1枚あたりの読み取り時
間を増加させることなくセンサの出力信号のダイナミッ
クレンジを大きくできるという効果があった。また、大
面積のガラス基板などに2次元センサを形成し、原稿と
同じサイズ(例えばA4)に設定することも可能であ
り、高解像度(例えば25.4mmあたり300〜60
0画素)での読み取りを高速に行うことが可能である。
【0005】同じように、原稿1枚あたりの読み取り時
間を増加させることなく蓄積時間を1フレーム時間分と
長くして信号電荷量を増加させることのできる技術とし
ては、2次元のCCDセンサを用いる手法がある。しか
しながらCCDセンサは、原稿と同程度の大面積基板上
に形成することは非常に困難であるため、縮小光学系を
用いた方法を採らざるを得ず、前記したように長い光路
長が必要となる上、結像させるのに必要なレンズの周縁
部の収差等の問題があり、装置の小型軽量化を妨げる原
因となっている。また、2次元センサに比べると、その
読み取り解像度にも制限があった。
間を増加させることなく蓄積時間を1フレーム時間分と
長くして信号電荷量を増加させることのできる技術とし
ては、2次元のCCDセンサを用いる手法がある。しか
しながらCCDセンサは、原稿と同程度の大面積基板上
に形成することは非常に困難であるため、縮小光学系を
用いた方法を採らざるを得ず、前記したように長い光路
長が必要となる上、結像させるのに必要なレンズの周縁
部の収差等の問題があり、装置の小型軽量化を妨げる原
因となっている。また、2次元センサに比べると、その
読み取り解像度にも制限があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】スキャナ,ディジタル
複写機,ファクシミリ等の画像入力装置を用いる場合、
画像データのメモリ容量を節約したい場合や、解像度を
犠牲にしても高速で読み取りたい場合があり、用途に応
じて読み取り解像度を切り換えて選択できることが望ま
れている。しかしながら、上記した2次元センサを用い
て読み取り解像度を切り換える構造は存在しなかった。
複写機,ファクシミリ等の画像入力装置を用いる場合、
画像データのメモリ容量を節約したい場合や、解像度を
犠牲にしても高速で読み取りたい場合があり、用途に応
じて読み取り解像度を切り換えて選択できることが望ま
れている。しかしながら、上記した2次元センサを用い
て読み取り解像度を切り換える構造は存在しなかった。
【0007】また、前記したCCD型のイメージセンサ
では、特開平5−75780号公報に開示されるよう
に、最高解像度の1/n(nは正の整数)の解像度で読
み取る場合には隣接するn個の画素の出力を加算合成し
て出力する手法が知られている。しかしながら、前記し
たように、最高解像度や装置の大きさに問題がある上、
加算合成のための回路を付け加える必要があり、装置が
更に大型化するという問題点があった。
では、特開平5−75780号公報に開示されるよう
に、最高解像度の1/n(nは正の整数)の解像度で読
み取る場合には隣接するn個の画素の出力を加算合成し
て出力する手法が知られている。しかしながら、前記し
たように、最高解像度や装置の大きさに問題がある上、
加算合成のための回路を付け加える必要があり、装置が
更に大型化するという問題点があった。
【0008】また、前記した1次元の密着型センサで
は、特開昭61−123358号公報に開示されるよう
に、デコーダ回路を用いて低解像読み取りの場合に複数
画素を同時に読み取る手法が知られているが、回路規模
が大きくなるという問題を有する上、前記したように、
副走査方向に機械的にセンサを移動させる又は原稿を移
動させるための機械系を必要とし、装置の小型軽量化を
妨げていた。さらに、センサの感度を高く保つために読
み取り速度が低下するという問題があった。
は、特開昭61−123358号公報に開示されるよう
に、デコーダ回路を用いて低解像読み取りの場合に複数
画素を同時に読み取る手法が知られているが、回路規模
が大きくなるという問題を有する上、前記したように、
副走査方向に機械的にセンサを移動させる又は原稿を移
動させるための機械系を必要とし、装置の小型軽量化を
妨げていた。さらに、センサの感度を高く保つために読
み取り速度が低下するという問題があった。
【0009】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
縮小光学系を必要とせず、最高解像度が高い密着型2次
元センサにおいて、解像度の切り換えが可能となる構造
を提供することを目的とする。
縮小光学系を必要とせず、最高解像度が高い密着型2次
元センサにおいて、解像度の切り換えが可能となる構造
を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、解像度の切り換えが可能な2次元センサと
し、実時間読み取り時と高解像度読み取り時で使用する
ゲート線走査手段及びデータ読取回路を切り換えて駆動
するものである。すなわち、請求項1及び請求項2の発
明は、受光素子と薄膜トランジスタとを接続して成る画
素部を2次元状に配置した2次元画像入力部と、前記各
薄膜トランジスタのゲート電極を行毎に接続するゲート
線と、前記各薄膜トランジスタを列毎に接続するデータ
線とを有し、第1のマトリクス電極線走査手段,第1の
ゲート線走査手段及び第1のデータ読取手段で高解像度
読み取りを行い、第2のマトリクス電極線走査手段,第
2のゲート線走査手段及び第2のデータ読取手段で実時
間読み取りを行う。そして、第1のマトリクス電極線走
査手段と第2のマトリクス電極線走査手段の駆動を選択
する駆動切換手段を設けたものである。
するため、解像度の切り換えが可能な2次元センサと
し、実時間読み取り時と高解像度読み取り時で使用する
ゲート線走査手段及びデータ読取回路を切り換えて駆動
するものである。すなわち、請求項1及び請求項2の発
明は、受光素子と薄膜トランジスタとを接続して成る画
素部を2次元状に配置した2次元画像入力部と、前記各
薄膜トランジスタのゲート電極を行毎に接続するゲート
線と、前記各薄膜トランジスタを列毎に接続するデータ
線とを有し、第1のマトリクス電極線走査手段,第1の
ゲート線走査手段及び第1のデータ読取手段で高解像度
読み取りを行い、第2のマトリクス電極線走査手段,第
2のゲート線走査手段及び第2のデータ読取手段で実時
間読み取りを行う。そして、第1のマトリクス電極線走
査手段と第2のマトリクス電極線走査手段の駆動を選択
する駆動切換手段を設けたものである。
【0011】請求項1においては、各ゲート線走査手
段,データ読取手段及びマトリクス電極線走査手段は次
のように構成される。第1のゲート線走査手段は、各ゲ
ート線に第1の走査スイッチを介して接続し、行毎の薄
膜トランジスタのオン・オフ制御を行うものである。第
2のゲート線走査手段は、所定の本数毎の各ゲート線に
第2の走査スイッチを介して接続し、所定の行毎の薄膜
トランジスタのオン・オフ制御を行うものである。第1
のデータ読取手段は、各データ線に高解像度読取用スイ
ッチ及び第1の転送スイッチを介して接続することによ
り、前記受光素子からの転送電荷を読み取るものであ
る。第2のデータ読取手段は、所定の本数毎の各データ
線に実時間読取用スイッチ及び第2の転送スイッチを介
して接続することにより、前記受光素子からの転送電荷
を読み取るものである。第1のマトリクス電極線走査手
段は、全ての前記第1の走査スイッチ及び高解像度読取
用スイッチを一斉にオン・オフ制御し、前記一斉オン制
御の後、前記第1の転送スイッチを複数個毎に順次オン
・オフ制御するものである。第2のマトリクス電極線走
査手段は、全ての前記第2の走査スイッチ及び実時間読
取用スイッチを一斉にオン・オフ制御し、前記一斉オン
制御の後、前記第2の転送スイッチを複数個毎に順次オ
ン・オフ制御するものである。
段,データ読取手段及びマトリクス電極線走査手段は次
のように構成される。第1のゲート線走査手段は、各ゲ
ート線に第1の走査スイッチを介して接続し、行毎の薄
膜トランジスタのオン・オフ制御を行うものである。第
2のゲート線走査手段は、所定の本数毎の各ゲート線に
第2の走査スイッチを介して接続し、所定の行毎の薄膜
トランジスタのオン・オフ制御を行うものである。第1
のデータ読取手段は、各データ線に高解像度読取用スイ
ッチ及び第1の転送スイッチを介して接続することによ
り、前記受光素子からの転送電荷を読み取るものであ
る。第2のデータ読取手段は、所定の本数毎の各データ
線に実時間読取用スイッチ及び第2の転送スイッチを介
して接続することにより、前記受光素子からの転送電荷
を読み取るものである。第1のマトリクス電極線走査手
段は、全ての前記第1の走査スイッチ及び高解像度読取
用スイッチを一斉にオン・オフ制御し、前記一斉オン制
御の後、前記第1の転送スイッチを複数個毎に順次オン
・オフ制御するものである。第2のマトリクス電極線走
査手段は、全ての前記第2の走査スイッチ及び実時間読
取用スイッチを一斉にオン・オフ制御し、前記一斉オン
制御の後、前記第2の転送スイッチを複数個毎に順次オ
ン・オフ制御するものである。
【0012】請求項2においては、各ゲート線走査手
段,データ読取手段及びマトリクス電極線走査手段は次
のように構成される。第1のゲート線走査手段は、各ゲ
ート線に第1の走査スイッチを介して接続し、行毎の薄
膜トランジスタのオン・オフ制御を行うものである。第
2のゲート線走査手段は、各ゲート線に第2の走査スイ
ッチを介して接続し、所定の複数行毎に薄膜トランジス
タのオン・オフ制御を行うものである。第1のデータ読
取手段は、各データ線に高解像度読取用スイッチ及び第
1の転送スイッチを介して接続することにより、前記受
光素子からの転送電荷を読み取るものである。第2のデ
ータ読取手段は、各データ線に実時間読取用スイッチを
接続し、所定の個数の実時間読取用スイッチをまとめて
更に第2の転送スイッチを介して接続することにより、
前記受光素子からの転送電荷を読み取るものである。第
1のマトリクス電極線走査手段は、全ての前記第1の走
査スイッチ及び高解像度読取用スイッチを一斉にオン・
オフ制御し、前記一斉オン制御の後、前記第1の転送ス
イッチを複数個毎に順次オン・オフ制御するものであ
る。第2のマトリクス電極線走査手段は、全ての前記第
2の走査スイッチ及び実時間読取用スイッチを一斉にオ
ン・オフ制御し、前記一斉オン制御の後、前記第2の転
送スイッチを複数個毎に順次オン・オフ制御するもので
ある。
段,データ読取手段及びマトリクス電極線走査手段は次
のように構成される。第1のゲート線走査手段は、各ゲ
ート線に第1の走査スイッチを介して接続し、行毎の薄
膜トランジスタのオン・オフ制御を行うものである。第
2のゲート線走査手段は、各ゲート線に第2の走査スイ
ッチを介して接続し、所定の複数行毎に薄膜トランジス
タのオン・オフ制御を行うものである。第1のデータ読
取手段は、各データ線に高解像度読取用スイッチ及び第
1の転送スイッチを介して接続することにより、前記受
光素子からの転送電荷を読み取るものである。第2のデ
ータ読取手段は、各データ線に実時間読取用スイッチを
接続し、所定の個数の実時間読取用スイッチをまとめて
更に第2の転送スイッチを介して接続することにより、
前記受光素子からの転送電荷を読み取るものである。第
1のマトリクス電極線走査手段は、全ての前記第1の走
査スイッチ及び高解像度読取用スイッチを一斉にオン・
オフ制御し、前記一斉オン制御の後、前記第1の転送ス
イッチを複数個毎に順次オン・オフ制御するものであ
る。第2のマトリクス電極線走査手段は、全ての前記第
2の走査スイッチ及び実時間読取用スイッチを一斉にオ
ン・オフ制御し、前記一斉オン制御の後、前記第2の転
送スイッチを複数個毎に順次オン・オフ制御するもので
ある。
【0013】
【作用】請求項1及び請求項2の画像入力装置によれ
ば、高解像度読み取りを行う場合においては、駆動切換
手段により第1のマトリクス電極線走査手段を選択す
る。第1のマトリクス電極線走査手段により、第1の走
査スイッチ及び高解像度読取用スイッチが一斉にオン状
態になり、第1のゲート線走査手段により画素部の薄膜
トランジスタが行毎に順次オン状態となり、各行の受光
素子に発生した電荷が各データ線の蓄積容量に蓄積され
る。続いて、第1のマトリクス電極線走査手段から第1
の転送スイッチを複数個毎に順次オンすることにより、
前記蓄積容量の電荷を付加容量に転送し、転送電荷が第
1のデータ読取手段により読み取られる。
ば、高解像度読み取りを行う場合においては、駆動切換
手段により第1のマトリクス電極線走査手段を選択す
る。第1のマトリクス電極線走査手段により、第1の走
査スイッチ及び高解像度読取用スイッチが一斉にオン状
態になり、第1のゲート線走査手段により画素部の薄膜
トランジスタが行毎に順次オン状態となり、各行の受光
素子に発生した電荷が各データ線の蓄積容量に蓄積され
る。続いて、第1のマトリクス電極線走査手段から第1
の転送スイッチを複数個毎に順次オンすることにより、
前記蓄積容量の電荷を付加容量に転送し、転送電荷が第
1のデータ読取手段により読み取られる。
【0014】請求項1の画像入力装置で実時間読み取り
を行う場合は、駆動切換手段により第2のマトリクス電
極線走査手段を選択する。第2のマトリクス電極線走査
手段により、第2の走査スイッチ及び実時間読取用スイ
ッチが一斉にオン状態になり、第2のゲート線走査手段
により画素部の薄膜トランジスタが所定の本数ごとの行
毎に順次オン状態となり、所定行の受光素子に発生した
電荷が所定の列毎の各データ線の蓄積容量に蓄積され
る。続いて、第2のマトリクス電極線走査手段から第2
の転送スイッチを複数個毎に順次オンすることにより、
前記蓄積容量の電荷を付加容量に転送し、転送電荷が第
2のデータ読取手段により読み取られる。したがって、
読み取るべき画素部を行方向及び列方向で省くことによ
り、読み取り時間が短い実時間読み取りを行うことがで
きる。
を行う場合は、駆動切換手段により第2のマトリクス電
極線走査手段を選択する。第2のマトリクス電極線走査
手段により、第2の走査スイッチ及び実時間読取用スイ
ッチが一斉にオン状態になり、第2のゲート線走査手段
により画素部の薄膜トランジスタが所定の本数ごとの行
毎に順次オン状態となり、所定行の受光素子に発生した
電荷が所定の列毎の各データ線の蓄積容量に蓄積され
る。続いて、第2のマトリクス電極線走査手段から第2
の転送スイッチを複数個毎に順次オンすることにより、
前記蓄積容量の電荷を付加容量に転送し、転送電荷が第
2のデータ読取手段により読み取られる。したがって、
読み取るべき画素部を行方向及び列方向で省くことによ
り、読み取り時間が短い実時間読み取りを行うことがで
きる。
【0015】請求項2の画像入力装置で実時間読み取り
を行う場合は、駆動切換手段により第2のマトリクス電
極線走査手段を選択する。第2のマトリクス電極線走査
手段により、第2の走査スイッチ及び実時間読取用スイ
ッチが一斉にオン状態になり、第2のゲート線走査手段
により画素部の薄膜トランジスタが所定の複数行毎(所
定の本数同時)に順次オン状態となり、所定の各行の受
光素子に発生した電荷が一括して所定の列毎の各データ
線の蓄積容量に蓄積される。続いて、第2のマトリクス
電極線走査手段から第2の転送スイッチを複数個毎に順
次オンすることにより、前記蓄積容量の電荷を付加容量
に転送し、転送電荷が第2のデータ読取手段により読み
取られる。したがって、所定の行及び列内に配置される
各画素部の受光素子で発生する電荷を一括して読み取る
ことにより、読み取り時間が短い実時間読み取りを行う
ことができる。
を行う場合は、駆動切換手段により第2のマトリクス電
極線走査手段を選択する。第2のマトリクス電極線走査
手段により、第2の走査スイッチ及び実時間読取用スイ
ッチが一斉にオン状態になり、第2のゲート線走査手段
により画素部の薄膜トランジスタが所定の複数行毎(所
定の本数同時)に順次オン状態となり、所定の各行の受
光素子に発生した電荷が一括して所定の列毎の各データ
線の蓄積容量に蓄積される。続いて、第2のマトリクス
電極線走査手段から第2の転送スイッチを複数個毎に順
次オンすることにより、前記蓄積容量の電荷を付加容量
に転送し、転送電荷が第2のデータ読取手段により読み
取られる。したがって、所定の行及び列内に配置される
各画素部の受光素子で発生する電荷を一括して読み取る
ことにより、読み取り時間が短い実時間読み取りを行う
ことができる。
【0016】
【実施例】本発明の画像入力装置の一実施例について、
図1を参照しながら説明する。図1は、実施例に係る画
像入力装置の等価回路図である。フォトダイオード(受
光素子)1と薄膜トランジスタ2とを接続して画素部を
形成し、この画像部を2次元状に配置して2次元画像入
力部を構成している。フォトダイオード1は、原稿に照
射された光の反射光が入射されてその光を電気信号に変
換するものであり、フォトダイオード1の一端はバイア
スライン3に接続され、このバイアスライン3の正の電
位によりフォトダイオード1が逆バイアス状態に設定さ
れ、光の照射量に応じた電流を流すようになっている。
また、フォトダイオード1は、それ自体が画素部容量4
としての機能を有しており、光の照射によって生じた電
流を1フレーム時間(薄膜トランジスタ2のゲート電極
が選択されてから信号電荷を読み出すまでの時間)の間
に積分して画像信号として蓄積する。
図1を参照しながら説明する。図1は、実施例に係る画
像入力装置の等価回路図である。フォトダイオード(受
光素子)1と薄膜トランジスタ2とを接続して画素部を
形成し、この画像部を2次元状に配置して2次元画像入
力部を構成している。フォトダイオード1は、原稿に照
射された光の反射光が入射されてその光を電気信号に変
換するものであり、フォトダイオード1の一端はバイア
スライン3に接続され、このバイアスライン3の正の電
位によりフォトダイオード1が逆バイアス状態に設定さ
れ、光の照射量に応じた電流を流すようになっている。
また、フォトダイオード1は、それ自体が画素部容量4
としての機能を有しており、光の照射によって生じた電
流を1フレーム時間(薄膜トランジスタ2のゲート電極
が選択されてから信号電荷を読み出すまでの時間)の間
に積分して画像信号として蓄積する。
【0017】各薄膜トランジスタ2のゲート電極は、行
毎に共通となる各ゲート線5に接続され、このゲート線
5によりオン・オフ状態が制御される。薄膜トランジス
タ2のドレイン電極側はフォトダイオード1に接続さ
れ、ソース電極側は列毎にデータ線6に接続されてい
る。各データ線6には、蓄積容量7が形成されている。
蓄積容量7は、主としてゲート線5とデータ線6との交
差部に必然的に形成される配線間容量で構成されるが、
容量値を大きくするため絶縁層を介して配置した蓄積容
量形成用電極8との間に付加的に形成してもよい。
毎に共通となる各ゲート線5に接続され、このゲート線
5によりオン・オフ状態が制御される。薄膜トランジス
タ2のドレイン電極側はフォトダイオード1に接続さ
れ、ソース電極側は列毎にデータ線6に接続されてい
る。各データ線6には、蓄積容量7が形成されている。
蓄積容量7は、主としてゲート線5とデータ線6との交
差部に必然的に形成される配線間容量で構成されるが、
容量値を大きくするため絶縁層を介して配置した蓄積容
量形成用電極8との間に付加的に形成してもよい。
【0018】具体的には、A4サイズよりもやや大きめ
のガラス基板上に、画素部,ゲート線5及びデータ線6
を形成し、24.5mmあたり600本のピッチで51
20本のゲート線5を配置し、24.5mmあたり60
0本のピッチで7168本のデータ線6を配置してい
る。
のガラス基板上に、画素部,ゲート線5及びデータ線6
を形成し、24.5mmあたり600本のピッチで51
20本のゲート線5を配置し、24.5mmあたり60
0本のピッチで7168本のデータ線6を配置してい
る。
【0019】各ゲート線5の一端(図1の左側)は、薄
膜トタンジスタで構成された第1の走査スイッチ10を
介して第1のゲート走査手段11に接続されている。し
たがって、第1のゲート走査手段11から各ゲート線5
に順次印加されるゲートライン選択信号に応じて、各画
素部容量4に蓄積された画像信号をデータ線6の蓄積容
量7に転送することができる。
膜トタンジスタで構成された第1の走査スイッチ10を
介して第1のゲート走査手段11に接続されている。し
たがって、第1のゲート走査手段11から各ゲート線5
に順次印加されるゲートライン選択信号に応じて、各画
素部容量4に蓄積された画像信号をデータ線6の蓄積容
量7に転送することができる。
【0020】4本毎(4行で1本)のゲート線5の他端
(図1の右側)は、薄膜トタンジスタで構成された第2
の走査スイッチ20を介して第2のゲート走査手段21
に接続されている。したがって、第2のゲート走査手段
21から所定の行毎(4本毎)のゲート線5に順次印加
されるゲートライン選択信号に応じて、行方向に4個の
画素部の内の1個の画素部容量4に蓄積された画像信号
をデータ線6に接続された蓄積容量7に転送することが
できる。尚、第1のゲート走査手段11と第2のゲート
走査手段21は第1の走査スイッチ10又は第2の走査
スイッチ20のどちらかがオン状態となることにより一
方のみが駆動されるように構成されている(詳細は後述
する)。
(図1の右側)は、薄膜トタンジスタで構成された第2
の走査スイッチ20を介して第2のゲート走査手段21
に接続されている。したがって、第2のゲート走査手段
21から所定の行毎(4本毎)のゲート線5に順次印加
されるゲートライン選択信号に応じて、行方向に4個の
画素部の内の1個の画素部容量4に蓄積された画像信号
をデータ線6に接続された蓄積容量7に転送することが
できる。尚、第1のゲート走査手段11と第2のゲート
走査手段21は第1の走査スイッチ10又は第2の走査
スイッチ20のどちらかがオン状態となることにより一
方のみが駆動されるように構成されている(詳細は後述
する)。
【0021】次に、高解像度で読み取るための構造につ
いて説明する。各データ線6(7168本)の一端(図
1の下側)は、それぞれ高解像度読取用スイッチ12及
び第1の転送スイッチ13を介して第1のデータ読取手
段14に接続されている。第1の転送スイッチ13と第
1のデータ読取手段14との間には、主としてデータ線
6と後述するマトリクス電極線19の交差部に必然的に
形成される配線間容量が存在するが、容量値を大きくす
るあるいは一定値に保つため、図中に示した付加容量1
5のように、絶縁層を介して配置した付加容量形成用電
極16との間に付加的に形成してもよい。
いて説明する。各データ線6(7168本)の一端(図
1の下側)は、それぞれ高解像度読取用スイッチ12及
び第1の転送スイッチ13を介して第1のデータ読取手
段14に接続されている。第1の転送スイッチ13と第
1のデータ読取手段14との間には、主としてデータ線
6と後述するマトリクス電極線19の交差部に必然的に
形成される配線間容量が存在するが、容量値を大きくす
るあるいは一定値に保つため、図中に示した付加容量1
5のように、絶縁層を介して配置した付加容量形成用電
極16との間に付加的に形成してもよい。
【0022】前記高解像度読取用スッチ12及び第1の
転送スイッチ13は、第1のマトリクス電極線走査手段
17によりオン・オフ制御がなされる。すなわち、第1
のマトリクス電極線走査手段17に接続される選択駆動
線(高解像度読取信号供給線)18に、全ての高解像度
読取用スイッチ12のゲート電極が接続され、また、前
記した第1の走査スイッチ10のゲート電極もこの選択
駆動線18に全て共通に接続されている。第1の転送ス
イッチ13のゲート電極は、ブロック毎にマトリクス電
極線19に接続され、このマトリクス電極線19には、
第1のマトリクス電極線走査手段17の選択駆動信号線
18を「H」レベルとして第1の走査スイッチ10及び
第1の転送スイッチ12をオン状態とした後、ブロック
毎に順次信号が印加され、蓄積容量7に蓄積された電荷
を付加容量15に転送し、転送電荷を第1のデータ読取
手段14で読み取るようになっている。この第1のデー
タ読取手段14は64か所の入力部を有し、各入力部が
各データ線6に接続されている。
転送スイッチ13は、第1のマトリクス電極線走査手段
17によりオン・オフ制御がなされる。すなわち、第1
のマトリクス電極線走査手段17に接続される選択駆動
線(高解像度読取信号供給線)18に、全ての高解像度
読取用スイッチ12のゲート電極が接続され、また、前
記した第1の走査スイッチ10のゲート電極もこの選択
駆動線18に全て共通に接続されている。第1の転送ス
イッチ13のゲート電極は、ブロック毎にマトリクス電
極線19に接続され、このマトリクス電極線19には、
第1のマトリクス電極線走査手段17の選択駆動信号線
18を「H」レベルとして第1の走査スイッチ10及び
第1の転送スイッチ12をオン状態とした後、ブロック
毎に順次信号が印加され、蓄積容量7に蓄積された電荷
を付加容量15に転送し、転送電荷を第1のデータ読取
手段14で読み取るようになっている。この第1のデー
タ読取手段14は64か所の入力部を有し、各入力部が
各データ線6に接続されている。
【0023】すなわち、データ線6は、第1のデータ読
取手段14の入力部の数64本毎に112個のデータラ
インブロックを形成している。各データラインブロック
数に対応して112本のマトリクス電極線19が設けら
れている。第1のデータラインブロックに含まれるデー
タ線6に接続された第1の転送スイッチ13は、全て共
通のマトリクス電極線19に接続される。同様に、第X
(Xは1から112)のデータラインブロックに含まれ
るデータ線6に接続された第1の転送スイッチ13は全
て共通のマトリクス電極線19に接続される。112本
のマトリクス電極線19は、マトリクス電極線走査手段
17に接続され、そこから供給される選択信号に応じて
接続された第1の転送スイッチ13をブロック毎に順次
オン・オフ制御する。
取手段14の入力部の数64本毎に112個のデータラ
インブロックを形成している。各データラインブロック
数に対応して112本のマトリクス電極線19が設けら
れている。第1のデータラインブロックに含まれるデー
タ線6に接続された第1の転送スイッチ13は、全て共
通のマトリクス電極線19に接続される。同様に、第X
(Xは1から112)のデータラインブロックに含まれ
るデータ線6に接続された第1の転送スイッチ13は全
て共通のマトリクス電極線19に接続される。112本
のマトリクス電極線19は、マトリクス電極線走査手段
17に接続され、そこから供給される選択信号に応じて
接続された第1の転送スイッチ13をブロック毎に順次
オン・オフ制御する。
【0024】次に、実時間で読み取るための構造につい
て説明する。3本おきに選択された1792本のデータ
線6の他端(図1の上側)に実時間読取用スイッチ22
及び第2の転送スイッチ23を介して第2のデータ読取
手段24を接続する。第2のデータ読取手段と第2の転
送スイッチ23との間には、主としてデータ線6と後述
するマトリクス電極線29の交差部に必然的に形成され
る配線間容量が存在するが、容量値を大きくするあるい
は一定値に保つため、図中に示した付加容量25のよう
に、絶縁層を介して配置した付加容量形成用電極26と
の間に付加的に形成してもよい。
て説明する。3本おきに選択された1792本のデータ
線6の他端(図1の上側)に実時間読取用スイッチ22
及び第2の転送スイッチ23を介して第2のデータ読取
手段24を接続する。第2のデータ読取手段と第2の転
送スイッチ23との間には、主としてデータ線6と後述
するマトリクス電極線29の交差部に必然的に形成され
る配線間容量が存在するが、容量値を大きくするあるい
は一定値に保つため、図中に示した付加容量25のよう
に、絶縁層を介して配置した付加容量形成用電極26と
の間に付加的に形成してもよい。
【0025】前記実時間読取用スイッチ22及び第2の
転送スイッチ23は、第2のマトリクス電極線走査手段
27によりオン・オフ制御がなされる。すなわち、第2
のマトリクス電極線走査手段27に接続される選択駆動
線(実時間読取信号供給線)28に、全ての実時間読取
用スイッチ22のゲート電極が接続され、また、前記し
た第2の走査スイッチ20のゲート電極もこの選択駆動
線28に全て共通に接続されている。
転送スイッチ23は、第2のマトリクス電極線走査手段
27によりオン・オフ制御がなされる。すなわち、第2
のマトリクス電極線走査手段27に接続される選択駆動
線(実時間読取信号供給線)28に、全ての実時間読取
用スイッチ22のゲート電極が接続され、また、前記し
た第2の走査スイッチ20のゲート電極もこの選択駆動
線28に全て共通に接続されている。
【0026】データ線6は、第2のデータ読取手段24
の入力部の数64本毎に28個のデータラインブロック
を形成する。各データラインブロック数に対応して28
本のマトリクス電極線29が設けられる。第1のデータ
ラインブロックに含まれるデータ線6に接続された第2
の転送スイッチ23は全て共通のマトリクス電極線29
に接続される。同様に、第X(Xは1から28)のデー
タラインブロックに含まれるデータ線6に接続された第
2の転送スイッチ23は全て共通のマトリクス電極線2
9に接続される。28本のマトリクス電極線29は、マ
トリクス電極線走査手段27に接続され、そこから供給
される選択信号に応じて接続された第2の転送スイッチ
23をブロック毎に順次オン・オフ制御する。
の入力部の数64本毎に28個のデータラインブロック
を形成する。各データラインブロック数に対応して28
本のマトリクス電極線29が設けられる。第1のデータ
ラインブロックに含まれるデータ線6に接続された第2
の転送スイッチ23は全て共通のマトリクス電極線29
に接続される。同様に、第X(Xは1から28)のデー
タラインブロックに含まれるデータ線6に接続された第
2の転送スイッチ23は全て共通のマトリクス電極線2
9に接続される。28本のマトリクス電極線29は、マ
トリクス電極線走査手段27に接続され、そこから供給
される選択信号に応じて接続された第2の転送スイッチ
23をブロック毎に順次オン・オフ制御する。
【0027】第1のマトリクス電極線走査手段17と第
2のマトリクス電極線走査手段27は、駆動切換手段3
0によりどちらかの駆動を選択するようになっている。
すなわち、駆動切換手段30に設けたスイッチ等(この
スイッチは例えば画像入力装置の操作パネル上に形成さ
れている)により、高解像度読み取りモード又は実時間
読み取りモードを選択し、それに応じて第1のマトリク
ス電極線走査手段17又は第2のマトリクス電極線走査
手段27の一方が駆動される。
2のマトリクス電極線走査手段27は、駆動切換手段3
0によりどちらかの駆動を選択するようになっている。
すなわち、駆動切換手段30に設けたスイッチ等(この
スイッチは例えば画像入力装置の操作パネル上に形成さ
れている)により、高解像度読み取りモード又は実時間
読み取りモードを選択し、それに応じて第1のマトリク
ス電極線走査手段17又は第2のマトリクス電極線走査
手段27の一方が駆動される。
【0028】上記構成において、第1のゲート線走査手
段11,第2のゲート線走査手段21,第1のマトリク
ス電極線走査手段17及び第2のマトリクス電極線走査
手段27は、通常の回路構成を有するシフトレジスタで
構成され、このシフトレジスタを構成する各トランジス
タ,画素部の薄膜トランジスタ2,第1の走査スイッチ
10,第2の走査スイッチ20,高解像度読取用スイッ
チ12,第1の転送スイッチ13,実時間読取用スイッ
チ22,第2の転送スイッチ23は、画素部が形成され
たガラス基板と同一の基板上に一体的に形成された多結
晶シリコン薄膜トランジスタで構成されている。
段11,第2のゲート線走査手段21,第1のマトリク
ス電極線走査手段17及び第2のマトリクス電極線走査
手段27は、通常の回路構成を有するシフトレジスタで
構成され、このシフトレジスタを構成する各トランジス
タ,画素部の薄膜トランジスタ2,第1の走査スイッチ
10,第2の走査スイッチ20,高解像度読取用スイッ
チ12,第1の転送スイッチ13,実時間読取用スイッ
チ22,第2の転送スイッチ23は、画素部が形成され
たガラス基板と同一の基板上に一体的に形成された多結
晶シリコン薄膜トランジスタで構成されている。
【0029】次に、画像入力装置の動作について、図3
のタイミングチャートを参照しながら説明する。先ず、
実時間読み取りを行う場合について説明する。実時間読
み取りの場合、1画面の読み取りを1秒間に10回行
う。すると、図3中に示したフレーム時間は100ms
ecとなり、さらにゲート線数M=5120/4=12
80でフレーム時間を割った78μsecが各ゲート線
5への割当時間となる。ゲート割当時間のうちゲート線
選択時間に8μsec、残りの70μsecを1からJ
(この場合はJ=28)番目のマトリクス割当時間に均
等に配分して、マトリクス割当時間を2.5μsecと
した。
のタイミングチャートを参照しながら説明する。先ず、
実時間読み取りを行う場合について説明する。実時間読
み取りの場合、1画面の読み取りを1秒間に10回行
う。すると、図3中に示したフレーム時間は100ms
ecとなり、さらにゲート線数M=5120/4=12
80でフレーム時間を割った78μsecが各ゲート線
5への割当時間となる。ゲート割当時間のうちゲート線
選択時間に8μsec、残りの70μsecを1からJ
(この場合はJ=28)番目のマトリクス割当時間に均
等に配分して、マトリクス割当時間を2.5μsecと
した。
【0030】駆動切換手段30により第2のマトリクス
電極線走査手段27の駆動を選択し、第2のマトリクス
電極線走査手段27の選択駆動線28に信号が供給され
ると、全ての第2の走査スイッチ20及び実時間読取用
スイッチ22がオン状態となる。この時、第1のマトリ
クス電極線走査手段17の選択駆動線18を介して第1
の走査スイッチ10及び高解像度読取用スイッチ12は
全てオフ状態としている。すると画像信号は、第2のゲ
ート線走査手段21から供給されるゲートライン選択信
号にしたがって、ゲートライン選択時間の間に順次デー
タ線6を通してフォトダイード1で発生した電荷が蓄積
容量7に蓄積される。蓄積容量7に蓄積された画像信号
は、第2のマトリクス線走査手段27からマトリクス電
極線29に供給されるマトリクスライン選択信号にした
がって、マトリクスライン選択時間の間にブロック毎に
順次付加容量25に転送され、この転送電荷が第2のデ
ータ読取手段24で読み取られる。
電極線走査手段27の駆動を選択し、第2のマトリクス
電極線走査手段27の選択駆動線28に信号が供給され
ると、全ての第2の走査スイッチ20及び実時間読取用
スイッチ22がオン状態となる。この時、第1のマトリ
クス電極線走査手段17の選択駆動線18を介して第1
の走査スイッチ10及び高解像度読取用スイッチ12は
全てオフ状態としている。すると画像信号は、第2のゲ
ート線走査手段21から供給されるゲートライン選択信
号にしたがって、ゲートライン選択時間の間に順次デー
タ線6を通してフォトダイード1で発生した電荷が蓄積
容量7に蓄積される。蓄積容量7に蓄積された画像信号
は、第2のマトリクス線走査手段27からマトリクス電
極線29に供給されるマトリクスライン選択信号にした
がって、マトリクスライン選択時間の間にブロック毎に
順次付加容量25に転送され、この転送電荷が第2のデ
ータ読取手段24で読み取られる。
【0031】第2のデータ読取手段24において、64
か所の入力部から並列に転送された画像信号は、マトリ
クス割当時間の間に第2のデータ読取手段24内の回路
で増幅され、シリアルなデータ列に変換されて外部へ転
送される。第2のデータ読取手段24に要求される動作
周波数は25.6MHzであるが、これは現在の技術で
十分対応できる速度である。
か所の入力部から並列に転送された画像信号は、マトリ
クス割当時間の間に第2のデータ読取手段24内の回路
で増幅され、シリアルなデータ列に変換されて外部へ転
送される。第2のデータ読取手段24に要求される動作
周波数は25.6MHzであるが、これは現在の技術で
十分対応できる速度である。
【0032】次に、高解像読み取りを行う場合について
説明する。駆動切換手段30により第1のマトリクス電
極線走査手段17の駆動を選択し、第1のマトリクス電
極線走査手段17の選択駆動線18に信号が供給される
と、全ての第1の走査スイッチ10及び高解像度読取用
スイッチ12がオン状態となる。この時、第2のマトリ
クス電極線走査手段27の選択駆動線28を介して第2
の走査スイッチ20及び実時間読取用スイッチ22は全
てオフ状態としている。すると画像信号は、第1のゲー
ト線走査手段10から供給される選択信号にしたがっ
て、順次データ線6を通してフォトダイード1で発生し
た電荷が蓄積容量7に蓄積される。蓄積容量7に蓄積さ
れた画像信号は、第1のマトリクス線走査手段17から
マトリクス電極線19に供給されるマトリクスライン選
択信号にしたがって、マトリクスライン選択時間の間に
ブロック毎に順次付加容量15に転送され、この転送電
荷が第1のデータ読取手段14で読み取られる。
説明する。駆動切換手段30により第1のマトリクス電
極線走査手段17の駆動を選択し、第1のマトリクス電
極線走査手段17の選択駆動線18に信号が供給される
と、全ての第1の走査スイッチ10及び高解像度読取用
スイッチ12がオン状態となる。この時、第2のマトリ
クス電極線走査手段27の選択駆動線28を介して第2
の走査スイッチ20及び実時間読取用スイッチ22は全
てオフ状態としている。すると画像信号は、第1のゲー
ト線走査手段10から供給される選択信号にしたがっ
て、順次データ線6を通してフォトダイード1で発生し
た電荷が蓄積容量7に蓄積される。蓄積容量7に蓄積さ
れた画像信号は、第1のマトリクス線走査手段17から
マトリクス電極線19に供給されるマトリクスライン選
択信号にしたがって、マトリクスライン選択時間の間に
ブロック毎に順次付加容量15に転送され、この転送電
荷が第1のデータ読取手段14で読み取られる。
【0033】第1のデータ読取手段14において、64
か所の入力部から並列に転送された画像信号は、マトリ
クス割当時間の間に第1のデータ読取手段14内の回路
で増幅され、シリアルなデータ列に変換されて外部へ転
送される。第1のデータ読取手段14にも前記第2のデ
ータ読取手段24と同じものを用いることができ、マト
リクス割当時間は実時間読み取りの場合と同様に2.5
μsecとした。高解像読み取りの場合はマトリクス電
極線19が112本あるので、ゲートライン選択時間を
実時間読み取りの場合と同様に8μsecとして、ゲー
ト割当時間は2.5μsec×112+8μsec=2
88μsecとなる。高解像読み取りの場合は全てのゲ
ート線5を用いるので、原稿1枚を読み取るのに要する
時間は288μsec×5120=1.5secとな
る。
か所の入力部から並列に転送された画像信号は、マトリ
クス割当時間の間に第1のデータ読取手段14内の回路
で増幅され、シリアルなデータ列に変換されて外部へ転
送される。第1のデータ読取手段14にも前記第2のデ
ータ読取手段24と同じものを用いることができ、マト
リクス割当時間は実時間読み取りの場合と同様に2.5
μsecとした。高解像読み取りの場合はマトリクス電
極線19が112本あるので、ゲートライン選択時間を
実時間読み取りの場合と同様に8μsecとして、ゲー
ト割当時間は2.5μsec×112+8μsec=2
88μsecとなる。高解像読み取りの場合は全てのゲ
ート線5を用いるので、原稿1枚を読み取るのに要する
時間は288μsec×5120=1.5secとな
る。
【0034】上記実施例の画像入力装置によれば、高解
像読み取りモードにおいては、解像度が24.5mmあ
たり600画素という高い解像度でA4サイズの原稿を
1.5秒で読み取ることが可能となった。また、同じ装
置を用いて、実時間読み取りモードにおいては、解像度
が24.5mmあたり150画素とやや粗くなるものの
1秒当たり10回という高速の読み取りが可能となっ
た。また、上記画像入力装置によれば、少ないアナログ
IC数で実時間読み取りと高解像読み取りとを実現する
小型軽量な2次元センサの構成とすることができる。
像読み取りモードにおいては、解像度が24.5mmあ
たり600画素という高い解像度でA4サイズの原稿を
1.5秒で読み取ることが可能となった。また、同じ装
置を用いて、実時間読み取りモードにおいては、解像度
が24.5mmあたり150画素とやや粗くなるものの
1秒当たり10回という高速の読み取りが可能となっ
た。また、上記画像入力装置によれば、少ないアナログ
IC数で実時間読み取りと高解像読み取りとを実現する
小型軽量な2次元センサの構成とすることができる。
【0035】本発明の他の実施例に係る画像入力装置に
ついて、図2を参照しながら説明する。図2は、第2の
実施例を示す画像入力装置の等価回路図である。図1の
実施例と異なるのは、ゲート線5の隣接する4本がそれ
ぞれ第2の走査スイッチ20を介してまとめて第2のゲ
ート線走査手段21に接続されている構成、及び、デー
タ線6の隣接する4本がそれぞれ実時間読取用スイッチ
22を介してまとめて第2の転送スイッチ23に接続
し、第2のデータ読取手段24に接続されている構成で
ある。したがって、第2のゲート走査手段21によっ
て、4行毎にゲート線5が走査され、列方向に4画素分
の信号電荷が蓄積容量7に蓄積される。また、データ線
6の隣接する4本がそれぞれ実時間読取用スイッチ22
を介してまとめて第2の転送スイッチ23に接続されて
いるので、付加容量25には、4列分の信号電荷が転送
されることになるので、16画素分に相当する信号電荷
が蓄積されることになる。
ついて、図2を参照しながら説明する。図2は、第2の
実施例を示す画像入力装置の等価回路図である。図1の
実施例と異なるのは、ゲート線5の隣接する4本がそれ
ぞれ第2の走査スイッチ20を介してまとめて第2のゲ
ート線走査手段21に接続されている構成、及び、デー
タ線6の隣接する4本がそれぞれ実時間読取用スイッチ
22を介してまとめて第2の転送スイッチ23に接続
し、第2のデータ読取手段24に接続されている構成で
ある。したがって、第2のゲート走査手段21によっ
て、4行毎にゲート線5が走査され、列方向に4画素分
の信号電荷が蓄積容量7に蓄積される。また、データ線
6の隣接する4本がそれぞれ実時間読取用スイッチ22
を介してまとめて第2の転送スイッチ23に接続されて
いるので、付加容量25には、4列分の信号電荷が転送
されることになるので、16画素分に相当する信号電荷
が蓄積されることになる。
【0036】上記構成によれば、高解像読み取りや実時
間読み取りに要する時間は図1の実施例と全く同様であ
る。しかしながら、図1の実施例と異なり、実時間読み
取りを行う際には、上記したように隣接する16画素の
画像信号が同時に第2のデータ読取手段24で読み取ら
れるので、信号電荷量は図1の実施例に比べて16倍と
なり出力信号のダイナミックレンジを大きくすることが
でき、読取手段の構成を簡略化することができる。
間読み取りに要する時間は図1の実施例と全く同様であ
る。しかしながら、図1の実施例と異なり、実時間読み
取りを行う際には、上記したように隣接する16画素の
画像信号が同時に第2のデータ読取手段24で読み取ら
れるので、信号電荷量は図1の実施例に比べて16倍と
なり出力信号のダイナミックレンジを大きくすることが
でき、読取手段の構成を簡略化することができる。
【0037】上記実施例においては、ゲート線5又はデ
ータ線6について、実時間読み取り時において4本毎又
は隣接する4本同時に選択する場合について説明した
が、これらの本数は実時間読み取り時に要求される解像
度あるいはアナログICの個数に応じて所望の本数に設
定することが可能である。
ータ線6について、実時間読み取り時において4本毎又
は隣接する4本同時に選択する場合について説明した
が、これらの本数は実時間読み取り時に要求される解像
度あるいはアナログICの個数に応じて所望の本数に設
定することが可能である。
【0038】
【発明の効果】本発明によれば、小型軽量が可能な2次
元センサで、実時間読み取りと高解像読み取りとを切り
換えて使用することが可能となる。
元センサで、実時間読み取りと高解像読み取りとを切り
換えて使用することが可能となる。
【図1】本発明の画像入力装置の一実施例を示す等価回
路図である。
路図である。
【図2】本発明の画像入力装置の他の実施例を示す等価
回路図である。
回路図である。
【図3】本発明の画像入力装置の動作を説明するための
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
1…フォトダイオード、 2…薄膜トランジスタ、 3
…バイアスライン、4…画素部容量、 5…ゲート線、
6…データ線、 7…蓄積容量、 8…蓄積容量形成
用電極、 10…第1の走査スイッチ、 11…第1の
ゲート走査手段、 12…高解像読取用スイッチ、 1
3…第1の転送スイッチ、 14…第1のデータ読取手
段、 15…付加容量、 16…付加容量形成用電極、
17…第1のマトリクス電極線走査手段、 18…選
択駆動線、 19…マトリクス電極線、 20…第2の
走査スイッチ、 21…第2のゲート走査手段、 22
…実時間読取用スイッチ、 23…第2の転送スイッ
チ、 24…第2のデータ読取手段、 25…付加容
量、 26…付加容量形成用電極、 27…第2のマト
リクス電極線走査手段、 28…選択駆動線、 29…
マトリクス電極線、30…駆動切換手段
…バイアスライン、4…画素部容量、 5…ゲート線、
6…データ線、 7…蓄積容量、 8…蓄積容量形成
用電極、 10…第1の走査スイッチ、 11…第1の
ゲート走査手段、 12…高解像読取用スイッチ、 1
3…第1の転送スイッチ、 14…第1のデータ読取手
段、 15…付加容量、 16…付加容量形成用電極、
17…第1のマトリクス電極線走査手段、 18…選
択駆動線、 19…マトリクス電極線、 20…第2の
走査スイッチ、 21…第2のゲート走査手段、 22
…実時間読取用スイッチ、 23…第2の転送スイッ
チ、 24…第2のデータ読取手段、 25…付加容
量、 26…付加容量形成用電極、 27…第2のマト
リクス電極線走査手段、 28…選択駆動線、 29…
マトリクス電極線、30…駆動切換手段
Claims (2)
- 【請求項1】受光素子と薄膜トランジスタとを接続して
成る画素部を2次元状に配置した2次元画像入力部と、 前記各薄膜トランジスタのゲート電極を行毎に接続する
ゲート線と、 前記各薄膜トランジスタを列毎に接続するデータ線と、 各ゲート線に第1の走査スイッチを介して接続し、行毎
の薄膜トランジスタのオン・オフ制御を行う第1のゲー
ト線走査手段と、 所定の本数毎の各ゲート線に第2の走査スイッチを介し
て接続し、所定の行毎の薄膜トランジスタのオン・オフ
制御を行う第2のゲート線走査手段と、 各データ線に高解像度読取用スイッチ及び第1の転送ス
イッチを介して接続することにより、前記受光素子から
の転送電荷を読み取る第1のデータ読取手段と、 所定の本数毎の各データ線に実時間読取用スイッチ及び
第2の転送スイッチを介して接続することにより、前記
受光素子からの転送電荷を読み取る第2のデータ読取手
段と、 全ての前記第1の走査スイッチ及び高解像度読取スイッ
チを一斉にオン・オフ制御し、前記一斉オン制御の後、
前記第1の転送スイッチを複数個毎に順次オン・オフ制
御する第1のマトリクス電極線走査手段と、 全ての前記第2の走査スイッチ及び実時間読取用スイッ
チを一斉にオン・オフ制御し、前記一斉オン制御の後、
前記第2の転送スイッチを複数個毎に順次オン・オフ制
御する第2のマトリクス電極線走査手段と、 第1のマトリクス電極線走査手段と第2のマトリクス電
極線走査手段の駆動を選択する駆動切換手段と、を有す
ることを特徴とする画像入力装置。 - 【請求項2】受光素子と薄膜トランジスタとを接続して
成る画素部を2次元状に配置した2次元画像入力部と、 前記各薄膜トランジスタのゲート電極を行毎に接続する
ゲート線と、 前記各薄膜トランジスタを列毎に接続するデータ線と、 各ゲート線に第1の走査スイッチを介して接続し、行毎
の薄膜トランジスタのオン・オフ制御を行う第1のゲー
ト線走査手段と、 各ゲート線に第2の走査スイッチを介して接続し、所定
の複数行毎に薄膜トランジスタのオン・オフ制御を行う
第2のゲート線走査手段と、 各データ線に高解像度読取用スイッチ及び第1の転送ス
イッチを介して接続することにより、前記受光素子から
の転送電荷を読み取る第1のデータ読取手段と、 各データ線に実時間読取用スイッチを接続し、所定の個
数の実時間読取用スイッチをまとめて第2の転送スイッ
チを介して接続することにより、前記受光素子からの転
送電荷を読み取る第2のデータ読取手段と、 全ての前記第1の走査スイッチ及び第1の転送スイッチ
を一斉にオン・オフ制御し、前記一斉オン制御の後、前
記第2の転送スイッチを複数個毎に順次オン・オフ制御
する第1のマトリクス電極線走査手段と、 全ての前記第2の走査スイッチ及び実時間読取用スイッ
チを一斉にオン・オフ制御し、前記一斉オン制御の後、
前記第2の転送スイッチを複数個毎に順次オン・オフ制
御する第2のマトリクス電極線走査手段と、 第1のマトリクス電極線走査手段と第2のマトリクス電
極線走査手段の駆動を選択する駆動切換手段と、を有す
ることを特徴とする画像入力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7151172A JPH08321912A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 画像入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7151172A JPH08321912A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 画像入力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08321912A true JPH08321912A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=15512893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7151172A Pending JPH08321912A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 画像入力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08321912A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999012339A1 (fr) * | 1997-09-01 | 1999-03-11 | Seiko Epson Corporation | Capteur d'images du type afficheur |
JP2003520541A (ja) * | 2000-01-24 | 2003-07-02 | フォトン ビジョン システムズ インコーポレーテッド | 高速多重解像度イメージャ用のビデオ・バスおよびその方法 |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP7151172A patent/JPH08321912A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999012339A1 (fr) * | 1997-09-01 | 1999-03-11 | Seiko Epson Corporation | Capteur d'images du type afficheur |
US6559433B1 (en) | 1997-09-01 | 2003-05-06 | Seiko Epson Corporation | Display type image sensor |
US6852965B2 (en) | 1997-09-01 | 2005-02-08 | Seiko Epson Corporation | Image sensor apparatus having additional display device function |
KR100558640B1 (ko) * | 1997-09-01 | 2006-03-14 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시 장치 겸용형 이미지 센서 장치 |
JP2003520541A (ja) * | 2000-01-24 | 2003-07-02 | フォトン ビジョン システムズ インコーポレーテッド | 高速多重解像度イメージャ用のビデオ・バスおよびその方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1728784B (zh) | 物理信息获取方法、物理信息获取设备和半导体器件 | |
US7592575B2 (en) | Photoelectric conversion device having plural pixel columns and independent readout wiring, multichip image sensor, contact image sensor, and image scanner | |
EP0819351B1 (en) | Read-out circuit for active matrix imaging arrays | |
JP4670386B2 (ja) | 固体撮像素子、および撮像装置 | |
US20020043674A1 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, image sensor apparatus having the same and image reader having the same | |
KR920000298B1 (ko) | 고체촬상장치 | |
JP3482795B2 (ja) | 画像読み取り装置 | |
JPH08321912A (ja) | 画像入力装置 | |
JPH06276352A (ja) | 画像入出力装置 | |
JPH11239299A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法、並びにカメラ | |
JP6602407B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JPH0678113A (ja) | コンタクト映像センサのモジュール | |
JP3057534B2 (ja) | リニアセンサ及びその駆動方法 | |
JP2007312047A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4499387B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3903047B2 (ja) | 光電変換装置及び密着型イメージセンサ | |
JP2000092292A (ja) | イメージセンサ及び画像読取装置 | |
JP2895941B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0595515A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0548842A (ja) | 原稿読み取り装置 | |
JP3481822B2 (ja) | 固体撮像装置およびカラーリニアイメージセンサ | |
JPH06276365A (ja) | 画像読み取り装置 | |
JPH07321299A (ja) | 集積回路及び薄膜集積回路 | |
JPH084128B2 (ja) | 画像読取装置 | |
JPH0897965A (ja) | 密着型イメージセンサ |