JP3481822B2 - 固体撮像装置およびカラーリニアイメージセンサ - Google Patents

固体撮像装置およびカラーリニアイメージセンサ

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JP3481822B2
JP3481822B2 JP16004397A JP16004397A JP3481822B2 JP 3481822 B2 JP3481822 B2 JP 3481822B2 JP 16004397 A JP16004397 A JP 16004397A JP 16004397 A JP16004397 A JP 16004397A JP 3481822 B2 JP3481822 B2 JP 3481822B2
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inter
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井 誠 物
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Toshiba Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置およ
びカラーリニアイメージセンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、カラースキャナやカラー複写機の
画像入力素子として、3ラインのCCDリニアイメージ
センサが広く使用されている。このようなリニアイメー
ジセンサの一例を図8を参照して説明する。
【0003】図8は3ラインCCDリニアイメージセン
サの構造を概略的に示す模式図であり、互いに平行に配
設された感光画素列11 、12 、13 は、図示しない光
学系を介して投影される画像の光量に応じた一走査相当
の信号電荷群を発生する。各感光画素列の上方には異な
る色フィルタが形成される。例えば、感光画素列11
上方には赤(R)フィルタが形成され、感光画素列12
の上方には緑(G)フィルタが形成され、感光画素列1
3 の上方には青(B)フィルタが形成されている。この
結果、感光画素列11 、12 、13 からはそれぞれ画像
の赤色成分、緑色成分、青色成分が取り出される。この
ように、各感光画素列は、走査の1ラインに相当する画
像についてRGBのうちのいずれかの色の出力を発生す
る。
【0004】また、発生した信号電荷を転送するCCD
レジスタ31 〜33 がそれぞれ対応する感光画素列11
〜13 に平行に配設されており、対応する感光画素列と
CCDレジスタとの間には感光画素列からCCDレジス
タへの信号電荷を移送させるシフト部21 〜23 がそれ
ぞれ設けられている。
【0005】また、各CCDレジスタ31 〜33 の転送
方向の先端部には、CCDレジスタ31 〜33 の出力電
荷を電気信号に変換し、RGBの画像信号として出力す
るアンプ41 〜43 が設けられている。
【0006】このような構成において、図示しない光学
系の走査、あるいは原稿等の読み取り対象物の移動によ
って感光画素列11 〜13 上に二次元画像が投影される
と、各感光画素列の感光画素には信号電荷が蓄積され
る。所定の蓄積時間の後、感光画素列の各感光画素に蓄
積された信号電荷はシフト部21 〜23 によりCCDレ
ジスタ31 〜33 に移送され、さらにCCDレジスタ3
1 〜33 内を順次転送され、アンプ41 〜43 から出力
される。このような移送、転送、出力動作は図示しない
制御部から与えられるクロック信号およびこのクロック
信号をもとに作られた転送パルスに同期して行われ、走
査の1ラインに相当する一定時間ごとに一定動作が繰り
返される。
【0007】このような構成のRGB出力の3ラインセ
ンサでは、各ラインが感光画素列、シフト部、CCDレ
ジスタを有しているため副走査方向(感光画素列に直交
する方向)の画素列間の寸法が大きく、画像の同一位置
に各ラインセンサが達する時刻が異なることから、各ラ
インからの読出しタイミングを調整する必要がある。
【0008】すなわち、求めるカラー画像のR画像信
号、G画像信号、B画像信号の3つの信号は同一位置の
ものである必要があるため、各画像信号の時間軸上の位
置を一致させるために、各画像信号を逐次画像メモリに
記憶しておき、各画像メモリからの読出しタイミングを
調整することによってRGB画像信号のライン情報を一
致させている。
【0009】このように、図8に示す構成の3ラインの
CCDセンサでは、感光画素列間の位置差を補正するた
めに、画像処理を行うシステム側にメモリが必要であ
り、しかも広範囲の補正を行うためにはそのメモリ容量
は極めて大きいものが必要であった。
【0010】近年そのメモリ量を少なくするために感光
画素列間の距離を狭くした、ライン近接型の構成が提案
されている。図9は、このような例を示す模式図であ
る。図9において、図8と対応する部分には同一符号を
付し、かかる部分の説明は省略する。この構成では、感
光画素列11 〜13 を隣接して配置し、第2の感光画素
列12 と第3の感光画素列13 との間にシフト部22
配置する構成としている。感光画素列11 、12 、13
の上にはそれぞれ赤、緑、青等の色フィルタが形成され
ている。なお、各シフト部およびCCDレジスタには図
示しない制御部から駆動電圧パルス等が適宜印加され
る。
【0011】次に、図10の信号タイミング図を参照し
て図9に示す装置の読取り動作について説明する。
【0012】まず、時刻T1 においてシフト部21 に駆
動電圧パルスV21が印加され、感光画素列11 で発生し
た1ライン相当の信号電荷は、シフト部21 を介してC
CDレジスタ31 に移される。時刻T2 においてシフト
部23 に駆動電圧パルスV23が印加され、感光画素列1
3 で発生した1ライン相当の信号電荷は、シフト部23
を介してCCDレジスタ32 に移される。時刻T3 にお
いて、シフト部24に駆動電圧パルスV24が印加され、
CCDレジスタ32 の信号電荷はシフト部24 を介して
CCDレジスタ33 に移される。時刻T4 において、シ
フト部22に駆動電圧パルスV22が印加され、感光画素
列12 の1ライン相当の信号電荷は、シフト部22 を介
して感光画素列13 に移される。時刻T5 において、シ
フト部23 に駆動電圧パルスV23が印加され、感光画素
列13 に移された1ライン相当の信号電荷は、シフト部
3 を介してCCDレジスタ32 に移される。
【0013】CCDレジスタ31 〜33 にそれぞれ保持
された1ライン相当の信号電荷は同時にあるいは適宜に
アンプ(出力部)41 、42 及び43 へ転送され、R、
G及びBの各画像信号が出力される。
【0014】図9に示す構成によれば、図8に示す、感
光画素列間にCCDレジスタが配置される従来の構成に
比べて、3つの感光画素列間にはシフト部22 だけがあ
れば良いので感光画素列間の距離を小さくできる。従っ
て、R、G及びBの感光画素列の位置が離れているため
に生じるR、G及びBの各画像信号の時間軸調整に使用
するメモリ量を減らすことが可能となる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】ところで、画像読取り
装置で読取り画像の拡大/縮小あるいは読み取り精度の
変更を行えるようにしたものがある。このような装置で
は、こうした変更に対応して副走査方向における解像度
を切替える場合がある。
【0016】しかしながら、一般的な3ラインセンサで
は、通常、感光画素列間の距離は画素幅の整数倍に固定
されている。ここで、例えば画素幅および感光画素列間
のピッチが10μmであるセンサについて考える。具体
的に解像度を通常の300DPIから200DPIに切
替える場合に、全体の走査時間を節約するため信号電荷
の蓄積時間は変えず走査速度を1.5倍に上げて読取り
画像の等倍ではない15μmの副走査を行うと、各感光
画素列が同一の位置の画像を読み取るための制御が困難
となる。
【0017】図11から図14を参照してその理由を説
明する。
【0018】図11(a),図11(b)は、原稿上を
画素開口が副走査方向Xに動く様子を示している。図1
1(a)の上部に記載されたスケールは原稿上の位置を
示しており、光学系の倍率(縮小率)をAとすると図1
1(b)に示されるように10Aμmごと走査されるこ
とになる。
【0019】T1 、T2 、T3 はタイミングで、図示さ
れた平行四辺形の形状は通常の走査速度での画素開口の
位置の変化を示している。また、図中の最下部に示され
た線分は画素開口が動くべき範囲を示している。図11
(a)から明らかなように、この通常走査の場合には各
画素開口の位置変化は全て画素開口が動くべき範囲のど
れかに一致している。
【0020】したがって、図12に示すように、各色に
対するシフトパルスSHR 、SHG、SHB のタイミン
グは全て一致する。
【0021】次に、図13に、解像度を粗くして1.5
倍の走査を行った時の画素開口の位置の変化を示す。こ
の場合にはRの読み取り範囲は常に正しいが、G、B画
素開口は画素が本来動くべき範囲からずれており、R、
G、Bが同一の範囲を読み取っていない。しかもこうし
た問題は、感光画素列間の距離が、画素幅の等倍ではな
く所定の整数倍である場合にも全く同様に生じるもので
ある。
【0022】そこで、図8に示される構成では、感光画
素列11 、12 、13 からシフト部21 、22 、23
読み出すタイミングを図14に示すようにずらすことに
より、各感光画素列が同一箇所を読めるようにしてい
る。
【0023】ところが、図9に示すライン近接型センサ
では、感光画素列12 の信号電荷は必ず感光画素列13
を通るため、読出しタイミングを自由に変えることが出
来ず、センサの解像度変換ができないという問題が生じ
る。
【0024】よって、本発明の目的は、近接した複数ラ
インを有し、各感光画素列における積分期間の開始点を
独立に制御できるようにしたカラーリニアイメージセン
サを提供することを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の手段に
より上記目的の解決を図る。
【0026】 即ち、本発明によれば、並列に配置され
た複数の読取り画素列と、一連の信号電荷を直列に転送
するために前記複数の読取り画素列の一群の外側で前記
読取り画素列と略平行に設けられる複数の電荷転送部
と、前記複数の読取り画素列の各々に発生した一連の信
号電荷を対応する電荷転送部に移動するために前記読取
り画素列と前記電荷転送部との間に配置される複数のシ
フト部と、前記読取り画素列間に配置されて、一方の読
取り画素列の一連の信号電荷を取込んで一時蓄積し、か
つ、蓄積した信号電荷を他方の読取り画素列に転送する
画素間転送部と、を備え、前記シフト部を開いて前記シ
フト部に隣接する読取り画素列から信号電荷を読出すタ
イミングと、前記画素間転送部を開いて前記画素間転送
部に隣接する読取り画素列から信号電荷を読出すタイミ
ングとの間には、副走査方向における解像度の切替えに
応じて前記解像度の変更分に対応した期間が設けられ
る、固体撮像装置が提供される。
【0027】また、本発明によれば、互いに並列に配置
されて、各々が保持信号電荷を直列に転送する第1及び
第2の電荷転送部と、前記第1及び第2の電荷転送部間
に該電荷転送部と略平行に複数配列されて、各々が受光
光量に応じた1ライン相当の信号電荷を発生する第1乃
至第3の読取り画素列と、前記第1の読取り画素列と前
記第1の電荷転送部間に配置されて、前記第1の読取り
画素列の信号電荷を前記第1の電荷転送部に移す第1の
シフト部と、前記第3の読取り画素列と前記第2の電荷
転送部間に配置されて、前記第3の読取り画素列の信号
電荷を前記第2の電荷転送部に移す第2のシフト部と、
前記第2及び第3の読取り画素列間に配置されて、前記
第2の読取り画素列の信号電荷を取込んで一旦保持し、
これを第3の読取り画素列に転送する画素間転送部と、
を備え、前記第2のシフト部を開いて前記第2のシフト
部に隣接する前記第3の読取り画素列から信号電荷を読
出すタイミングと、前記画素間転送部を開いて前記画素
間転送部に隣接する前記第2の読取り画素列から信号電
荷を読出すタイミングとの間には、副走査方向における
解像度の切替えに応じて前記解像度の変更分に対応した
期間が設けられる、固体撮像装置が提供される。
【0028】 また、本発明によれば、互いに略平行に
近接して配置され、それぞれ異なる色についての信号電
荷を発生する第1、第2、第3の感光画素列と、前記第
1の感光画素列に略平行に配設され、前記第1の感光画
素列で発生した一連の信号電荷を転送する第1の電荷転
送部と、前記第3の感光画素列に略平行に配設され、前
記第2の感光画素列で発生した信号電荷を転送する第2
の電荷転送部と、前記第1の感光画素列と前記第1の電
荷転送部との間に配置され、前記第1の感光画素列で発
生した信号電荷を前記第1の電荷転送部へ移送する第1
のシフト部と、前記第3の感光画素列と前記第2の電荷
転送部との間に配置され、前記第2の感光画素列で発生
した信号電荷を前記第3の感光画素列を介して前記第2
の電荷転送部へ移送する第2のシフト部と、前記第2の
感光画素列と前記第3の感光画素列との間に設けられ、
前記第2の感光画素列で発生した信号電荷を取込んで保
持し、かつ、保持した信号電荷を前記第3の感光画素列
に移送する画素間転送部とを備え、前記第2のシフト部
を開いて前記第2のシフト部に隣接する前記第3の感光
画素列から信号電荷を読出すタイミングと、前記画素間
転送部を開いて前記画素間転送部に隣接する前記第2の
感光画素列から信号電荷を読出すタイミングとの間に
は、副走査方向における解像度の切替えに応じて前記解
像度の変更分に対応した期間が設けられる、カラーリニ
アイメージセンサが提供される。
【0029】 前記画素間転送部は、前記第2の感光画
素列で発生した信号電荷を移送する第1の画素間シフト
部と、前記第1の画素間シフト部により移送された前記
信号電荷を保持する保持部と、前記保持部で保持された
前記信号電荷を前記第3の感光画素列に移送する第2の
画素間シフト部とを備えることが好ましい。
【0030】前記カラーイメージセンサは、前記第1の
画素間シフト部、前記保持部、前記第2の画素間シフト
部にそれぞれ対応して半導体基板上に絶縁膜を介して形
成された第1、第2、第3の電極を備えるとよい。
【0031】さらに、前記第1および第3の電極には移
送時に移送パルスが、前記第2の電極には定電位が印加
されるとよい。
【0032】前記第1及び第2の画素間シフト部は、半
導体基板表面の移送方向前方に形成されたポテンシャル
の深い不純物拡散領域を備えるとよい。
【0033】また、前記不純物拡散領域は、前記半導体
基板と逆導電型であるとよい。
【0034】前記画素間転送部は、前記第2の感光画素
列で発生した信号電荷を保持して移送する第1の画素間
シフト部と、前記第1の画素間シフト部で保持された信
号電荷を前記第3の感光画素列に移送する第2の画素間
シフト部とを備えることが好ましい。
【0035】前記第1及び第2の画素間シフト部は、半
導体基板表面の移送方向前方に形成されたポテンシャル
の深い不純物拡散領域を有するとともに、半導体基板上
に絶縁膜を介して形成された第1および第2の電極を備
えるとよい。
【0036】また、前記不純物拡散領域は、前記半導体
基板と逆導電型であるとよい。
【0037】さらに、前記第1および第2の電極、また
は前記第1および前記第3の電極にはそれぞれ第1およ
び第2の移送パルスが印加され、前記第2の感光画素列
から前記第1の電極に信号電荷を読み出すタイミング
は、前記第1の画素間シフト部が有する前記ポテンシャ
ルの深い不純物拡散領域に信号電荷が蓄積されるように
調整され、前記第1の電極から前記第2または前記第3
の電極に信号電荷を読出すタイミングは、前記第2の画
素間シフト部が有する前記ポテンシャルの深い不純物拡
散領域に信号電荷が蓄積されるように調整されることが
好ましい。
【0038】前記第1、第2、第3の感光画素列上に
は、それぞれ赤、青、緑から選択された互いに異なる色
のフィルタが形成されているとよい。
【0039】また、前記第1および第2の電荷転送部
は、それぞれCCDレジスタからなるとよい。
【0040】前記カラーリニアイメージセンサは、前記
第2の電荷転送部に略平行に配置された第3の電荷転送
部と、前記第2および第3の電荷転送部の間に配置され
た第3のシフト部とをさらに備えることが望ましい。
【0041】また、前記第3の電荷転送部は、前記第3
の感光画素列で発生した信号電荷を転送するとよい。
【0042】さらに、前記第3の電荷転送部は、CCD
レジスタからなるとよい。
【0043】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0044】図1は、本発明にかかるカラーリニアセン
サの第1の実施の形態を示す模式図であって、図9と対
応する部分には同一符号を付している。
【0045】図9の場合と同様に、この3ラインCCD
リニアイメージセンサは互いに平行に配設された感光画
素列11 、12 、13 と、各感光画素列の上方に形成さ
れた異なる色フィルタ(図示せず)を有している。ここ
では、感光画素列11 の上方には赤(R)フィルタが形
成され、感光画素列12 の上方には緑(G)フィルタが
形成され、感光画素列13 の上方には青(B)フィルタ
が形成されているものとし、この結果、図示しない光学
系を介して投影される画像の光量に応じて、感光画素列
1 、12 、13 は一走査相当の信号電荷群を発生し、
それぞれ画像の赤色成分、緑色成分、青色成分が取り出
される。
【0046】各感光画素列で発生した信号電荷を転送す
るため、CCDレジスタ31 〜33が設けられており、
図1においては、感光画素列11 の感光画素列12 とは
反対側にCCDレジスタ31 が平行に配設され、感光画
素列12 および13 の感光画素列11 とは反対側に2本
のCCDレジスタ32 および33 が平行に配設されてい
る。
【0047】感光画素列11 とCCDレジスタ31 との
間にはシフト部21 が設けられ、感光画素列13 とCC
Dレジスタ32 との間にはシフト部23 が設けられ、C
CDレジスタ32 とCCDレジスタ33 との間にはシフ
ト部24 が設けられている。
【0048】各CCDレジスタ31 〜33 の転送方向の
先端部には、CCDレジスタ31 〜33 の出力電荷を電
気信号に変換し、RGBの画像信号として出力するアン
プ41 〜43 が設けられている。
【0049】感光画素列12 と13 との間には、図9の
場合と異なって、画素間転送部10が設けられている。
この画素間転送部10は、感光画素列12 から信号電荷
を取込む転送電極によって構成されるシフト部101
取込んだ信号電荷を保持する電極によって構成される保
持部102 、保持部102 に保持した信号電荷を感光画
素列13 に転送する転送電極によって構成されるシフト
部103 により構成されている。
【0050】図2は図1におけるA−A’断面を示す素
子断面図であって、画素間転送部の詳細を示すものであ
る。p型半導体基板20の表面の感光画素列12 ,13
の部分にはn型不純物拡散領域21,22がそれぞれ設
けられ、フォトダイオードを形成している。また、基板
の画素間転送部10の部分の上には、ポリシリコンでな
る電極23、24、25が絶縁膜26を介して所定の間
隔で形成されており、電極23および25の下の基板表
面には転送先側のほぼ半分の部分にn型不純物拡散領域
27、28がそれぞれ設けられている。
【0051】このような構造において感光画素列で発生
した信号電荷を転送する様子を図3のポテンシャル図に
示す。
【0052】電極23と25にはレベルの変化するパル
スが移送パルスとして図示しない制御部から印加される
が、これらの下にはその一部にn領域が設けられている
ため、図3に示すようなポテンシャル変化が生ずる。ま
た、保持部の電極24には適当な定電圧V2 が印加され
ており、そのポテンシャルの深さは常に一定となってい
る。この結果、電極23に印加された移送パルスV1
より感光画素21から保持部102 に信号電荷が移送さ
れ、別のタイミングで電極25に印加された移送パルス
3 により感光画素22に移送される。
【0053】このように、電極23と25に印加される
移送パルスを独立に制御することにより、まず感光画素
列12 で発生した信号電荷をシフト部101 により保持
部102 に移送して保持し、適当な保持時間の後、シフ
ト部103 により感光画素列13 へ移送することができ
る。
【0054】図4は本発明によるカラーリニアイメージ
センサにおける動作を示すタイミングチャートである。
【0055】まず、時刻T1 において、図示しない制御
部から駆動電圧パルスV21がシフト部21 に印加され、
感光画素列11 に発生した信号電荷はシフト部21 を介
してCCDレジスタ31 に移される。時刻T2 におい
て、駆動電圧パルスV101 がシフト部101 に印加さ
れ、感光画素列12 に発生した信号電荷は保持部102
に移され、必要な時間保持される。時刻T3 において、
駆動電圧パルスV23がシフト部23 に印加され、感光画
素列13 に発生した信号電荷はシフト部23 を介してC
CDレジスタ32 に移される。時刻T4 において、駆動
電圧パルスV24がシフト部24 に印加され、CCDレジ
スタ32 に保持されている信号電荷をシフト部24 を介
してCCDレジスタ33 に移す。時刻T5 において、駆
動電圧パルスV103 がシフト部103 に印加され、保持
部102 に保持されている信号電荷をシフト部103
介して感光画素列13 に移す。時刻T6 において、駆動
電圧パルスV23がシフト部23 に印加され、感光画素列
3 に保持されている信号電荷をシフト部23 を介して
CCDレジスタ32 に移す。
【0056】従って、CCDレジスタ31 には感光画素
列11 の信号電荷が保持され、CCDレジスタ32 には
感光画素列12 の信号電荷が保持され、CCDレジスタ
3 には感光画素列13 の信号電荷が保持される。各C
CDレジスタに保持された信号電荷は適宜なタイミング
でアンプを介して出力される。更に、時刻T1 ’、
2 ’、…の駆動電圧パルスの発生を繰返し、読取り画
像を出力する。ここで、感光画素列11 における信号蓄
積時間t1 は、t1 =T1 −T1 ’、感光画素列12
おける信号蓄積時間t2 は、t2 =T2 −T2 ’、感光
画素列13 における信号蓄積時間t3 は、t3 =T3
3 ’、となる。t1 =t2 、t3 はt2 に近似する値
である。
【0057】図5は図11(a)に対応する図であり、
原稿上を画素開口が副走査方向Xに移動する様子を示す
模式図である。この図においては、1.5倍の走査を行
った上にタイミングを1/3周期ずつずらすようにして
おり、このことにより各画素の動く範囲は下部に示す本
来動くべき範囲に一致しており、同一の場所を3色の画
素が読み取ることになる。
【0058】このように、画素間転送部10を備えたこ
とにより、時刻T2 及びT3 における駆動電圧パルス相
互間の間隔を任意に設定することができ、特に時刻
1 、T2 、T3 に相当すべき各パルス位置を別々に設
定して時間軸上における信号電荷蓄積期間t1 〜t3
位置を独立に定め、かつ信号蓄積時間を概略等しく設定
することも可能となる。より具体的には時刻T2 〜T5
間に相当する感光画素列12 で発生した信号電荷の画素
間転送部10における保持時間を、感光画素列間のピッ
チと走査速度から定まる適切な各感光画素列の信号蓄積
期間t1 〜t3 の位置に応じて決定することで、各感光
画素列による読み取り位置を略一致させるができる。
【0059】画素間転送部10は図6のような断面構造
を有するように構成することもできる。この例では図2
における保持部102 を省略した構成を有しているが、
電極23および25の下の基板表面には転送先側のほぼ
半分の部分にn+ 領域27、28がそれぞれ設けられて
いるので、図7のポテンシャル図に示すように、ポテン
シャルの深い部分に信号電荷を蓄積することにより、信
号電荷の保持を行うとともにシフトを行うことが可能と
なる。
【0060】以上の実施の形態ではG画像信号およびB
画像信号を取り出すのに独立した第2および第3のCC
Dレジスタを用いているが、タイミングを調整すること
により第2のCCDレジスタ1本のみで、2つの感光画
素列からの信号を転送することもできる。また、例えば
オーバーフロードレイン構造からなるリセット部を設
け、余剰の信号電荷を所望のタイミングでリセット部に
排出する動作を行なってもよいことは勿論である。
【0061】以上のように、本発明では互いに近接した
感光画素列間に画素間転送部を備えているので、各感光
画素列が信号電荷を蓄積する蓄積期間の時間軸上の位置
を独立に制御することが可能となる。これは、副走査方
向における解像度変更を可能とするから、拡大/縮小機
能を有する画像読取り装置に好適である。
【0062】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置およびカラーリニアイメージセンサにおいては、ラ
イン近接型センサにおいて、読取り画素列(ラインセン
サ)間に信号電荷を一時保持し得る画素間転送部を設け
る構成としているので、各読取り画素列が信号電荷を蓄
積する蓄積期間の時間軸上の位置を独立に制御すること
が可能になる。これは、副走査方向における解像度変更
を可能とするから、拡大/縮小機能を有する画像読取り
装置に用いて好ましい特性である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の固体撮像装置の実施の形態を説明する
模式図である。
【図2】図1に示す固体撮像装置の主要部の構成を示す
素子断面図である。
【図3】画素間転送部における信号電荷の移動の様子を
示すポテンシャル図である。
【図4】本発明における読み出し動作を示すタイミング
チャートである。
【図5】本発明における積分開始時点の調整動作を説明
する模式図である。
【図6】画素間転送部の他の例を示す素子断面図であ
る。
【図7】図6における転送動作を示すポテンシャル図で
ある。
【図8】従来の3ラインセンサの例を示す模式図であ
る。
【図9】従来のライン近接型センサの例を示す模式図で
ある。
【図10】図9のライン近接型センサの動作を説明する
信号タイミング図である。
【図11】図11(a), 図11(b)は、それぞれ原
稿上を画素開口が副走査方向に移動する様子を示す模式
図である。
【図12】読み出しタイミングを示すタイミングチャー
トである。
【図13】図11の場合の1.5倍の走査を行った場合
の画素開口の移動の様子を示す模式図である。
【図14】図13の場合の読み出しタイミングを示すタ
イミングチャートである。
【符号の説明】
1 ,12 ,13 感光画素列 21 ,22 ,23 ,101 ,103 シフト部 31 ,32 ,33 CCDレジスタ 41 ,42 ,43 アンプ 10 画素間転送部 102 保持部 20 p型半導体領域 23,24,25 電極 26 絶縁膜 27,28 n型不純物拡散領域 A 光学系の倍率(縮小率) T1 ,T2 ,T3 ,T1 ’,T2 ’,T3 ’ 時刻 t1 感光画素列11 における信号蓄積時間 t2 感光画素列12 における信号蓄積時間 t3 感光画素列13 における信号蓄積時間 V21,V23,V24,V101 ,V103 駆動電圧パルス X 副走査方向
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H04N 9/07 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 1/028 H01L 21/339 H01L 27/148 H01L 29/762 H04N 1/04 H04N 9/07

Claims (17)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】並列に配置された複数の読取り画素列と、 一連の信号電荷を直列に転送するために前記複数の読取
    り画素列の一群の外側で前記読取り画素列と略平行に設
    けられる複数の電荷転送部と、 前記複数の読取り画素列の各々に発生した一連の信号電
    荷を対応する電荷転送部に移動するために前記読取り画
    素列と前記電荷転送部との間に配置される複数のシフト
    部と、 前記読取り画素列間に配置されて、一方の読取り画素列
    の一連の信号電荷を取込んで一時蓄積し、かつ、蓄積し
    た信号電荷を他方の読取り画素列に転送する画素間転送
    部と、 を備え、 前記シフト部を開いて前記シフト部に隣接する読取り画
    素列から信号電荷を読出すタイミングと、前記画素間転
    送部を開いて前記画素間転送部に隣接する読取り画素列
    から信号電荷を読出すタイミングとの間には、副走査方
    向における解像度の切替えに応じて前記解像度の変更分
    に対応した期間が設けられる、 固体撮像装置。
  2. 【請求項2】互いに並列に配置されて、各々が保持信号
    電荷を直列に転送する第1及び第2の電荷転送部と、 前記第1及び第2の電荷転送部間に該電荷転送部と略平
    行に複数配列されて、各々が受光光量に応じた1ライン
    相当の信号電荷を発生する第1乃至第3の読取り画素列
    と、 前記第1の読取り画素列と前記第1の電荷転送部間に配
    置されて、前記第1の読取り画素列の信号電荷を前記第
    1の電荷転送部に移す第1のシフト部と、 前記第3の読取り画素列と前記第2の電荷転送部間に配
    置されて、前記第3の読取り画素列の信号電荷を前記第
    2の電荷転送部に移す第2のシフト部と、 前記第2及び第3の読取り画素列間に配置されて、前記
    第2の読取り画素列の信号電荷を取込んで一旦保持し、
    これを第3の読取り画素列に転送する画素間転送部と、 を備え、 前記第2のシフト部を開いて前記第2のシフト部に隣接
    する前記第3の読取り画素列から信号電荷を読出すタイ
    ミングと、前記画素間転送部を開いて前記画素間転送部
    に隣接する前記第2の読取り画素列から信号電荷を読出
    すタイミングとの間には、副走査方向における解像度の
    切替えに応じて前記解像度の変更分に対応した期間が設
    けられる、 固体撮像装置。
  3. 【請求項3】互いに略平行に近接して配置され、それぞ
    れ異なる色についての信号電荷を発生する第1、第2、
    第3の感光画素列と、 前記第1の感光画素列に略平行に配設され、前記第1の
    感光画素列で発生した一連の信号電荷を転送する第1の
    電荷転送部と、 前記第3の感光画素列に略平行に配設され、前記第2の
    感光画素列で発生した信号電荷を転送する第2の電荷転
    送部と、 前記第1の感光画素列と前記第1の電荷転送部との間に
    配置され、前記第1の感光画素列で発生した信号電荷を
    前記第1の電荷転送部へ移送する第1のシフト部と 前記第3の感光画素列と前記第2の電荷転送部との間に
    配置され、前記第2の感光画素列で発生した信号電荷を
    前記第3の感光画素列を介して前記第2の電荷転送部へ
    移送する第2のシフト部と、 前記第2の感光画素列と前記第3の感光画素列との間に
    設けられ、前記第2の感光画素列で発生した信号電荷を
    取込んで保持し、かつ、保持した信号電荷を前記第3の
    感光画素列に移送する画素間転送部とを備え、 前記第2のシフト部を開いて前記第2のシフト部に隣接
    する前記第3の感光画素列から信号電荷を読出すタイミ
    ングと、前記画素間転送部を開いて前記画素間転送部に
    隣接する前記第2の感光画素列から信号電荷を読出すタ
    イミングとの間には、副走査方向における解像度の切替
    えに応じて前記解像度の変更分に対応した期間が設けら
    れる、 カラーリニアイメージセンサ。
  4. 【請求項4】前記画素間転送部は、 前記第2の感光画素列で発生した信号電荷を移送する第
    1の画素間シフト部と、前記 第1の画素間シフト部により移送された前記信号電
    荷を保持する保持部と、 前記保持部で保持された前記信号電荷を前記第3の感光
    画素列に移送する第2の画素間シフト部とを備えたこと
    を特徴とする請求項3に記載のカラーリニアイメージセ
    ンサ。
  5. 【請求項5】前記第1の画素間シフト部、前記保持部、
    前記第2の画素間シフト部にそれぞれ対応して半導体基
    板上に絶縁膜を介して形成された第1、第2、第3の電
    極を備えたことを特徴とする請求項4に記載のカラーリ
    ニアイメージセンサ。
  6. 【請求項6】前記第1および第3の電極には移送時に移
    送パルスが、前記第2の電極には定電位が印加されるこ
    とを特徴とする請求項5に記載のカラーリニアイメージ
    センサ。
  7. 【請求項7】前記第1及び第2の画素間シフト部は、半
    導体基板表面の移送方向前方に形成されたポテンシャル
    の深い不純物拡散領域を備えたことを特徴とする請求項
    5に記載のカラーリニアイメージセンサ。
  8. 【請求項8】前記不純物拡散領域は、前記半導体基板と
    逆導電型であることを特徴とする請求項7に記載のカラ
    ーリニアイメージセンサ。
  9. 【請求項9】前記画素間転送部は、 前記第2の感光画素列で発生した信号電荷を保持して移
    送する第1の画素間シフト部と、 前記第1の画素間シフト部で保持された信号電荷を前記
    第3の感光画素列に移送する第2の画素間シフト部とを
    備えたことを特徴とする請求項3に記載のカラーリニア
    イメージセンサ。
  10. 【請求項10】前記第1及び第2の画素間シフト部は、
    半導体基板表面の移送方向前方に形成されたポテンシャ
    ルの深い不純物拡散領域を有するとともに、半導体基板
    上に絶縁膜を介して形成された第1および第2の電極を
    備えたことを特徴とする請求項9に記載のカラーリニア
    イメージセンサ。
  11. 【請求項11】前記不純物拡散領域は、前記半導体基板
    と逆導電型であることを特徴とする請求項10に記載の
    カラーリニアイメージセンサ。
  12. 【請求項12】前記第1および第2の電極、または前記
    第1および前記第3の電極にはそれぞれ第1および第2
    の移送パルスが印加され、前記第2の感光画素列から前
    記第1の電極に信号電荷を読み出すタイミングは、前記
    第1の画素間シフト部が有する前記ポテンシャルの深い
    不純物拡散領域に信号電荷が蓄積されるように調整さ
    れ、前記第1の電極から前記第2または前記第3の電極
    に信号電荷を読出すタイミングは、前記第2の画素間シ
    フト部が有する前記ポテンシャルの深い不純物拡散領域
    に信号電荷が蓄積されるように調整されることを特徴と
    する請求項5または10に記載のカラーリニアイメージ
    センサ。
  13. 【請求項13】前記第1、第2、第3の感光画素列上に
    はそれぞれ赤、青、緑から選択された互いに異なる色の
    フィルタが形成されたことを特徴とする請求項3に記載
    のカラーリニアイメージセンサ。
  14. 【請求項14】前記第1および第2の電荷転送部は、そ
    れぞれCCDレジスタからなることを特徴とする請求項
    3に記載のカラーリニアイメージセンサ。
  15. 【請求項15】前記第2の電荷転送部に略平行に配置さ
    れた第3の電荷転送部と、 前記第2および第3の電荷転送部の間に配置された第3
    のシフト部とをさらに備えたことを特徴とする請求項3
    に記載のカラーリニアイメージセンサ。
  16. 【請求項16】前記第3の電荷転送部は、前記第3の感
    光画素列で発生した信号電荷を転送することを特徴とす
    る請求項15に記載のカラーリニアイメージセンサ。
  17. 【請求項17】前記第3の電荷転送部は、CCDレジス
    タからなることを特徴とする請求項15に記載のカラー
    リニアイメージセンサ。
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