JP4304451B2 - 固体撮像素子及びその駆動方法 - Google Patents
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また、少なくとも第2のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部によって、垂直電荷転送部に転送された信号電荷を読み出しゲートによって読み出しが可能な位置まで転送することができる。
更に、第1のセンサ列に蓄積された信号電荷及び垂直電荷転送部によって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲートによって、第1のセンサ列に蓄積された信号電荷及び垂直電荷転送部によって転送された信号電荷を加算することができる。
また、読み出しゲートによって読み出された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部によって、読み出しゲートによって加算された信号電荷を出力部に転送することができる。
また、第2のセンサ列で撮像を行うことによって第2のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直電荷転送部に転送することによって、第2のセンサ列に蓄積された信号電荷を読み出しゲートによって読み出しが可能な位置まで転送することができる。
更に、第2のセンサ列で撮像を行ったラインと同一ラインを第1のセンサ列で撮像を行うことによって、第1のセンサ列に第2のセンサ列で撮像を行ったラインと同一ラインの撮像を行うことに基づく信号電荷を蓄積することができる。
また、第1のセンサ列で撮像を行うことにより第1のセンサ列に蓄積された信号電荷及び垂直電荷転送部に転送された第2のセンサ列で撮像を行うことにより蓄積された信号電荷を読み出しゲートによって読み出すことによって、第1のセンサ列に蓄積された信号電荷と第2のセンサ列に蓄積された信号電荷を加算することができる。
また、少なくとも所定ラインを第2のセンサ列で撮像を行うことによって第2のセンサ列に蓄積された信号電荷及び第2のセンサ列で撮像を行ったラインと同一ラインを第1のセンサ列で撮像を行うことによって第1のセンサ列に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷を読み出しゲートから水平電荷転送部に転送することによって、少なくとも第1のセンサ列で撮像を行うことにより第1のセンサ列に蓄積された信号電荷及び第2のセンサ列で撮像を行うことにより蓄積された信号電荷を加算して出力部に出力することができる。
また、垂直レジスタの第1の電極(以下、Vφ1と言う)8には垂直駆動パルスV1が、垂直レジスタの第2の電極(以下、Vφ2と言う)9には垂直駆動パルスV2が印加され、V1及びV2は各々Hレベル及びLレベルの2値をとり、これらにより信号電荷の読み出し及び転送が行われる。
更に、読み出しゲートには読み出しパルスφROGが印加され、φROGはHレベル及びLレベルの2値をとり、読み出しパルスがHレベルの際に読み出しゲートに信号電荷が読み出される。
水平レジスタに転送された信号電荷はφ1とφ2とを交互にHレベル、Lレベルとする通常のCCDレジスタ転送を行い、時刻t0及び時刻t1において図2中符号(1)で示す領域をスキャンした際に蓄積された信号電荷を加算して水平レジスタによってFD部に転送され、出力される。
即ち、時刻t6の後にV1をLレベルにした状態は、時刻t1の状態とCCDリニアセンサの位置が異なるだけの関係であり、時刻t1〜t6までの動作を繰り返し行うことによって、第1のセンサ列及び第2のセンサ列によって同一ラインのスキャンを行い、各々のセンサ列でスキャンを行うことにより蓄積された信号電荷を加算することができる。
水平レジスタに転送された信号電荷はφ1とφ2とを交互にHレベル、Lレベルとする通常のCCDレジスタ転送を行い、時刻t0、時刻t1及び時刻t2において図6中符号(1)で示す領域をスキャンした際に蓄積された信号電荷が加算され、水平レジスタによってFD部に転送され、出力される。
即ち、時刻t8の後にV1をLレベル、V2をHレベルにした状態は、時刻t2の状態とCCDリニアセンサの位置が異なるだけの関係であり、時刻t2〜t8までの動作を繰り返し行うことによって、第1のセンサ列、第2のセンサ列及び第3のセンサ列によって同一ラインのスキャンを行い、各々のセンサ列でスキャンを行うことにより得られた信号電荷を加算することができる。
2 第1のセンサ列
3 第2のセンサ列
4 垂直レジスタ
5 読み出しゲート
6 FD部
7 水平レジスタ
8 第1の電極
9 第2の電極
10 第3のセンサ列
11 第3の電極
12 第4の電極
13 第5の電極
14 第6の電極
15 第7の電極
Claims (2)
- 同一の分光感度を要する2以上のセンサ列を有する固体撮像素子において、
第1のセンサ列と、
該第1のセンサ列に隣接して設けられた第2のセンサ列と、
少なくとも前記第2のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、
前記第1のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記垂直電荷転送部によって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲートと、
該読み出しゲートによって読み出された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部を備える
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 第1のセンサ列と、該第1のセンサ列に隣接して設けられた前記第1のセンサ列と同一の分光感度を要する第2のセンサ列と、少なくとも前記第2のセンサ列に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記第1のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記垂直電荷転送部によって転送された信号電荷を読み出す読み出しゲートと、該読み出しゲートによって読み出された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部を備える固体撮像素子の駆動方法であって、
所定ラインを前記第2のセンサ列で撮像を行うステップと、
前記第2のセンサ列で撮像を行うことによって第2のセンサ列に蓄積された信号電荷を前記垂直電荷転送部に転送するステップと、
前記第2のセンサ列で撮像を行ったラインと同一ラインを前記第1のセンサ列で撮像を行うステップと、
前記第1のセンサ列で撮像を行うことにより第1のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記垂直電荷転送部に転送された前記第2のセンサ列で撮像を行うことにより蓄積された信号電荷を読み出しゲートによって読み出すステップと、
少なくとも前記第2のセンサ列に蓄積された信号電荷及び前記第1のセンサ列に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷を前記読み出しゲートから前記水平電荷転送部に転送するステップとを備える
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003330276A JP4304451B2 (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
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JP2003330276A JP4304451B2 (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005101752A JP2005101752A (ja) | 2005-04-14 |
JP4304451B2 true JP4304451B2 (ja) | 2009-07-29 |
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Family Applications (1)
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JP (1) | JP4304451B2 (ja) |
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2003
- 2003-09-22 JP JP2003330276A patent/JP4304451B2/ja not_active Expired - Fee Related
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