JPH0677807A - 出力バッファ回路 - Google Patents

出力バッファ回路

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JPH0677807A
JPH0677807A JP4338834A JP33883492A JPH0677807A JP H0677807 A JPH0677807 A JP H0677807A JP 4338834 A JP4338834 A JP 4338834A JP 33883492 A JP33883492 A JP 33883492A JP H0677807 A JPH0677807 A JP H0677807A
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JP
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terminal
gate
pull
transistor
signal
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JP4338834A
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Inventor
Jong-Sok Lee
鍾錫 李
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SK Hynix Inc
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Hyundai Electronics Industries Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018521Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00361Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ノイズ制御用出力バッファ回路を提供する。 【構成】 Nチャンネルトランジスタのゲート端子とド
レイン端子をともに接続させて、ソース電圧がVcc−V
T 電圧に維持される特性を利用して、プルダウントラン
ジスタのゲート端子に初期からVcc電圧を印加するので
はなく、初期にはVcc−VT 電圧を印加した後にVcc
圧を印加して、出力が“ハイ”から“ロー”に落ちると
き発生するノイズを抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
出力バッファ回路に関するものであり、特に、出力バッ
ファ回路自体にて発生するノイズを低減させるための手
段が提供された出力バッファ回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路装置で出力バッファ回路
は、データを外部に出すために使用されるものである
が、一般的にその出力端子には、ハイレベルの電圧(V
cc)端子と連結されたPチャンネルプルアップ(Pul
l−up)トランジスタと、ローレベルの電圧(Vss
端子と連結されたNチャンネルプルダウン(Pull−
down)トランジスタでなされた1対のトランジスタ
が具備され、プルアップおよびプルダウントランジスタ
のドレイン端子がお互いに接続された接合点にて出力バ
ッファ回路の出力端子が引出される。
【0003】上記プルアップおよびプルダウントランジ
スタは、出力バッファ回路が動作しないときには、みな
オフ(off)状態となり、出力バッファ回路をイネー
ブル(enable)させる制御信号が入力されて出力
バッファ回路が動作中には、入力されるデータにより一
方がオン(on)となれば、他方はオフ、またはこれと
逆になるように構成されている。
【0004】出力バッファ回路が動作中の際、たとえば
プルアップトランジスタがオンとなり、プルダウントラ
ンジスタがオフとなれば、プルアップトランジスタを通
してハイレベルの電圧(Vcc)が出力バッファ回路の出
力端子に入り込み、この際プルダウントランジスタはオ
フ状態にあるため出力バッファ回路は“ハイ”(Hig
h)レベル信号を出力させることになる。その後入力デ
ータレベルが変動されプルダウントランジスタがオンと
なれば(もちろんこのときにプルアップトランジスタは
オフである)、出力端子に充電されていた電荷がプルダ
ウントランジスタを通してVss端子に抜け出され、出力
バッファ回路の出力状態はロー(Low)レベルに変動
される。ところが、上記プルダウントランジスタを通し
て放電される電荷は一般的に大変大きな値を持つため、
多量の電荷がプルダウントランジスタを通して一時的に
ss端子に放電されることによりVss電圧がダンピング
(Damping)され、ノイズが誘発される問題があ
った。
【0005】まず、従来の出力バッファを簡単に説明す
れば、図1に示すように、出力バッファ回路に入り込む
データ(Din)がナンドゲート(NAND1 )とノアゲ
ート(NOR1 )が各々の1つの端子に印加され、か
つ、出力バッファ回路の作動関係を調節するための制御
信号φOEがナンドゲート(NAND1 )の他の1つの
端子に印加され、上記制御信号φOEがインバータ(I
NV1 )を経てノアゲート(NOR1 )の他の1つの端
子に印加される。
【0006】上記ノアゲート(NOR1 )よりの信号は
インバータ(INV2 )を経てPチャンネルプルアップ
トランジスタ(P1 )のゲート端子に印加され、上記ナ
ンドゲート(NAND1 )よりの信号はインバータ(I
NV3 )を経てNチャンネルプルダウントランジスタ
(N1 )のゲート端子に印加され、上記プルアップトラ
ンジスタ(P1 )のドレイン端子とプルダウントランジ
スタ(N1 )のドレイン端子はお互いに接続されて出力
端子を形成する。
【0007】次に、図1に示す従来の出力バッファ回路
の信号波形を示す図2を参照して、図1の出力バッファ
回路の動作を説明する。
【0008】まず、出力バッファの作動を制御するため
の制御信号φOEが“ロー”状態であれば、ナンドゲー
ト(NAND1 )の出力は“ハイ”となりインバータ
(INV3 )の出力は“ロー”となるので、Nチャンネ
ルプルダウントランジスタ(N 1 )のゲート端子に“ロ
ー”信号が印加され、上記プルダウントランジスタ(N
1 )は“オフ”となる。かつ、上記制御信号(φOE)
がインバータ(INV1)を経て“ハイ”状態にノアゲ
ート(NOR1 )の1つの端子に印加され、入力データ
(Din)に関係なくノアゲート(NOR1 )の出力は
“ロー”となるので、インバータ(INV2 )を通過し
た“ハイ”信号がPチャンネルプルアップトランジスタ
(P1 )のゲート端子に印加され上記プルアップトラン
ジスタ(P1)もやはりオフ状態となる。したがって、
プルアップおよびプルダウントランジスタ(P1
1 )が“オフ”となり、出力端子(Dout )は浮動状
態となり出力は発生されない。
【0009】次に、制御信号φOEが“ハイ”となれ
ば、このときから出力バッファ回路は動作することにな
る。入力データ(Din)が“ロー”の場合、ノアゲート
(NOR1 )とインバータ(INV1 )を経てPチャン
ネルプルアップトランジスタ(P1 )のゲート端子には
“ロー”信号が入力され、ナンドゲート(NAND1
とインバータ(INV3 )を経てNチャンネルプルダウ
ントランジスタ(N1 )のゲート端子にも“ロー”信号
が入力されるので、Nチャンネルプルダウントランジス
タ(N1 )はオフとなりPチャンネルプルアップトラン
ジスタ(P1 )はオンとなって出力端子(Dout )は
“ハイ”に充電される。
【0010】その後、入力データ(Din)が“ハイ”に
変えられるならば、プルアップトランジスタ(P1 )の
ゲート端子は“ハイ”となり、プルダウントランジスタ
(N 1 )のゲート端子も“ハイ”となってプルアップト
ランジスタ(P1 )はオフとなり、プルダウントランジ
スタ(N1 )はオンとなって、出力端子に充電されてい
た電荷がトランジスタ(N1 )を通してVss端子に放電
される。この際、プルダウントランジスタ(N1 )を通
して流れる大きな電流によりVss電圧が揺られてノイズ
を誘発させるという問題があった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな従来技術の出力バッファ回路で発生するVssノイズ
を減少させるための方法として、Nチャンネルのプルダ
ウントランジスタをオンとさせるため、そのゲート端子
に印加する電圧をはじめからハイレベルの電圧(Vcc
にせず、初期にはVcc電圧レベルよりは低いがプルダウ
ントランジスタをオンにすることのできる程度の電圧、
たとえばVcc−VT (VT はしきい電圧)電圧を印加し
て出力端子の電圧をある程度落とし、一定の時間が遅延
された後完全なVcc電圧を印加させるようにして急激な
電荷放電によるノイズの発生を減少させた出力バッファ
回路を提供することをその目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の出力バッファ回
路は、1つの端子に入力データ(Din)が入り込み、他
の1つの端子に回路の作動を調節するための制御信号φ
OEがインバータ(INV4 )を通して入力されるノア
ゲート(NOR2 )と、1つの端子に上記の入力データ
(Din)が、他の1つの端子に制御信号φOEが入力さ
れるナンドゲート(NAND2 )と、上記ノアゲート
(NOR2 )を通過した信号がインバータ(INV5
を経てゲート端子に入力されて、そのソース端子にハイ
レベルの電圧(Vcc)が印加されるPチャンネルプルア
ップトランジスタ(P4 )と、上記プルアップトランジ
スタ(P4 )のドレイン端子と自己のドレイン端子が結
合されて出力端子となり、ソース端子はVss端子と連結
されているNチャンネルのプルダウントランジスタ(N
4 )と、プルダウントランジスタ(N4 )のゲート端子
と、上記ナンドゲート(NAND2 )の出力端子の間に
配置されプルダウントランジスタ(N4 )のゲート端子
に印加される電圧レベルを調節する論理回路(1)とを
具備し、上記論理回路(1)は、NANDゲート(NA
ND2 )の出力信号の入力を受けプルダウントランジス
タ(N4 )のゲート端子に信号を送り与えるPMOSト
ランジスタ(P3 )とNMOSトランジスタ(N3 )と
なるインバータ回路と、ゲート端子とドレイン端子がお
互いに連結された接合ポイントにVcc電圧が印加され、
ソース端子は上記インバータ回路(2)のパワー端子で
あるPMOSトランジスタ(P3 )のソース端子に連結
されているNチャンネルトランジスタ(N 2 )と、上記
ナンドゲート(NAND2 )の出力信号を時間の遅延を
させるためのインバータ(INV6 ,INV7 )、ノア
ゲート(NOR3 )、インバータ(INV8 )を含む遅
延回路と、上記遅延回路を経てナンドゲート(NAND
2 )の出力信号が入力されるゲート端子と、Vcc電圧端
子に連結されたソース端子と、上記インバータ回路
(2)パワー端子と連結されたドレイン端子を有するP
チャンネルトランジスタ(P2 )とを含む。
【0013】
【実施例】図3は、本発明による論理回路(1)を適用
した出力バッファ回路を示す。ここで、本発明の論理回
路(1)について説明すれば、入力データ(Din)と制
御信号(φOE)が入力されたナンドゲート(NAND
2 )の出力信号はインバータ(2)を形成するPチャン
ネルトランジスタ(P3 )と、Nチャンネルトランジス
タ(N3 )のゲートに各々印加され、インバータ(2)
のパワー端子に該当するトランジスタ(P3 )のソース
端子は、ゲート端子とドレイン端子が連結されたNチャ
ンネルトランジスタ(N2 )のソース端子およびPチャ
ンネルトランジスタ(P2 )のドレイン端子に接続さ
れ、上記トランジスタ(N2 )のゲート端子とドレイン
端子の接合点およびトランジスタ(P2 )のソース端子
にはVcc電圧が印加される。ナンドゲート(NAN
2 )の出力信号は、かつ、インバータ(INV6 ,I
NV7 ,INV8 )およびノアゲート(NOR3 )とな
った遅延回路を経てPチャンネルトランジスタ(P2
のゲート端子に印加される。
【0014】図4の信号波形図を参照して、図3に示さ
れた本発明の出力バッファ回路の動作を詳細に説明す
る。
【0015】まず、出力バッファ回路を制御する制御信
号φOEが“ロー”のときには、図1を参照して説明し
たように、Pチャンネルプルアップトランジスタ
(P4 )のゲート端子には“ハイ”信号が印加されてト
ランジスタ(P4 )は動作しないことになり、かつ、N
チャンネルプルダウントランジスタ(N4 )のゲート端
子にもナンドゲート(NAND2 )とインバータ(2)
を通過して“ロー”状態になった信号が印加され、プル
ダウントランジスタ(N4 )は動作しないことになるの
で、出力バッファ回路は動作しない。
【0016】次に、制御信号φOEが“ハイ”となれ
ば、出力バッファ回路は動作することになる。制御信号
φOEが“ハイ”であり、入力信号(Din)が“ロー”
であれば、インバータ(INV5 )を通過した信号は
“ロー”となり、Pチャンネルプルアップトランジスタ
(P4 )のゲートに“ロー”信号が印加されるのでプル
アップトランジスタ(P4 )はオンとなる。かつ、ナン
ドゲート(NAND2 )の出力が“ハイ”であるためイ
ンバータ(2)のNチャンネルトランジスタ(N3)が
オンとなり、Nチャンネルプルダウントランジスタ(N
4 )のゲート端子に“ロー”信号が印加されてトランジ
スタ(N4 )はオフとなるため、バッファ回路の出力端
子にはVcc電圧が充電されて“ハイ”状態の出力を出さ
せる。
【0017】ここで、入力信号(Din)が“ハイ”とな
れば、ノアゲート(NOR2 )およびインバータ(IN
5 )を通過した信号は“ハイ”となってPチャンネル
プルダウントランジスタ(P4 )ははオフとなる。一
方、ナンドゲート(NAND2)を通過した図3に示す
ポイントBの信号は“ロー”となるため、Pチャンネル
トランジスタ(P3 )はオンとなりNチャンネルトラン
ジスタ(N3 )はオフとなる。Pチャンネルトランジス
タ(P3 )のソース端子を示すポイントAの電位は、ゲ
ート端子とドレイン端子がともに連結されているNチャ
ンネルトランジスタ(N2 )を通過して入力されるVcc
電圧により、Vcc−VT (VT はトランジスタ(N2
のしきい電圧)の電位を維持する。
【0018】したがって、ポイントAの電圧(Vcc−V
T )がPチャンネルトランジスタ(P3 )を経てNチャ
ンネルプルダウントランジスタ(N4 )のゲート端子に
印加されるので、Nチャンネルプルダウントランジスタ
(N4 )は一応オンとなり出力端子に充電されていた電
荷をVss端子に放電し始める。この際、ポイントBの
“ロー”信号はインバータ(INV6 ,INV7 )を経
てノアゲート(NOR3)をしてインバータ(IN
8 )を通る間、時間が遅延された後、Pチャンネルト
ランジスタ(P2 )のゲート端子に印加される。トラン
ジスタ(P2 )のゲート端子を示すポイントDの電位は
ポイントBの電位が一定の時間に遅延されたことと同じ
である。したがって、トランジスタ(P2 )のゲート端
子に“ロー”信号が入力されてトランジスタ(P2 )が
オンとなれば、トランジスタ(P2 )を通してVcc電圧
がポイントAに印加されるので、このVcc電圧がオン状
態にあるトランジスタ(P3 )を通してポイントCの電
位を上昇させて、Nチャンネルプルダウントランジスタ
(N2 )のゲート端子にはフルVcc電圧が印加されトラ
ンジスタ(N4 )の駆動能力を大きくさせる。
【0019】このように、出力が“ハイ”信号にて“ロ
ー”信号に変換されるとき、プルダウントランジスタ
(N4 )のゲート端子に入力されるポイントCの電位を
フルスウィング(Full swing)させることで
はなく、初期にはVcc−VT で比較的に低くしてプルダ
ウントランジスタ(N4 )を通して出力端子の電位をあ
る程度落とした後、遅延回路(INV6 ,INV7 ,N
OR3 ,INV8 )を経てフィードバックさせた信号が
cc電圧端子と連結されたトランジスタ(P2 )をオン
にさせるとき、トランジスタ(P2 )を通してVccレベ
ルの電位をプルダウントランジスタ(N4 )のゲートに
印加させて出力端子の電位をVssに落とすことにする。
【0020】
【発明の効果】以上に示したように、本発明はNチャン
ネルトランジスタのゲート端子とドレイン端子をともに
接続させ、ドレイン端子でVcc電圧を印加するとき、ソ
ース端子の電位がVcc−VT レベルを維持する特性を利
用して、バッファ回路の出力が“ハイ”にて“ロー”に
変更されるとき、プルダウントランジスタ(N4 )のゲ
ート端子に初期からVcc電圧を印加せず、初期にはVcc
−VT 電圧を印加して出力端子の電圧をある程度落とさ
せた後、一定時間の遅延後トランジスタ(N4 )のゲー
ト端子にフルVcc電圧が印加されるようにし、出力端の
電圧がVss(ロー)まで落とさせることにより、出力信
号の電位が直接“ハイ”レベル(Vcc)から“ロー”レ
ベル(Vss)に落ちるとき、発生し得るVssノイズを抑
制して出力バッファ回路が安定化する効果を持つ。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の出力バッファ回路図である。
【図2】図1に示した従来の出力バッファ回路の信号波
形図である。
【図3】本発明による出力バッファ回路図である。
【図4】図3に示した本発明による出力バッファ回路各
部分の信号波形図である。
【符号の説明】
1 本発明の論理回路 N1 ,N2 Nチャンネルトランジスタ P1 ,P2 Pチャンネルトランジスタ INV1 8 インバータ NAND1 ,NAND2 ナンドゲート NOR1 ,NOR2 ,NOR3 ノアゲート φOE 制御信号 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1つの端子に入力データ(Din)が入り
    込み、他の1つの端子に回路の作動を調節するための制
    御信号φOEがインバータ(INV4 )を通して入力さ
    れるノアゲート(NOR2 )と、 1つの端子に上記の入力データ(Din)が、他の1つの
    端子に制御信号φOEが入力されるナンドゲート(NA
    ND2 )と、 上記ノアゲート(NOR2 )を通過した信号がインバー
    タ(INV5 )を経てゲート端子に入力され、そのソー
    ス端子にハイレベルの電圧(Vcc)が印加されるPチャ
    ンネルプルアップトランジスタ(P4 )と、 上記プルアップトランジスタ(P4 )のドレイン端子と
    自己のドレイン端子が結合されて出力端子となり、ソー
    ス端子はVss端子と連結されているNチャンネルプルダ
    ウントランジスタ(N4 )と、 上記プルダウントランジスタ(N4 )のゲート端子と、
    上記ナンドゲート(NAND2 )の出力端子の間に配置
    されプルダウントランジスタ(N4 )のゲート端子に印
    加される電圧レベルを調節する論理回路(1)とを具備
    し、 上記論理回路(1)は、 NANDゲート(NAND2 )の出力信号の入力を受け
    プルダウントランジスタ(N4 )のゲート端子に信号を
    送り与えるPMOSトランジスタ(P3 )とNMOSト
    ランジスタ(N3 )になるインバータ回路(2)と、 ゲート端子とドレイン端子がお互いに連結された接合点
    にVcc電圧が印加され、ソース端子は上記インバータ回
    路(2)のパワー端子であるPMOSトランジスタ(P
    3 )のソース端子に連結されているNチャンネルトラン
    ジスタ(N2 )と、 上記ナンドゲート(NAND2 )の出力信号を時間の遅
    延をさせるためのインバータ(INV6 ,INV7 )、
    ノアゲート(NOR3 )、インバータ(INV 8 )を含
    む遅延回路と、 上記遅延回路を経てナンドゲート(NAND2 )の出力
    信号が入力されるゲート端子と、Vcc電圧端子に連結さ
    れたソース端子と、上記インバータ回路(2)のパワー
    端子と連結されたドレイン端子を有するPチャンネルト
    ランジスタ(P 2 )とを含む、出力バッファ回路。
JP4338834A 1991-12-19 1992-12-18 出力バッファ回路 Pending JPH0677807A (ja)

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KR (1) KR940006507B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11202970A (ja) * 1998-01-19 1999-07-30 Toshiba Microelectronics Corp クロックスキュー防止回路
JP2009267758A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

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JPH01268311A (ja) * 1988-04-20 1989-10-26 Seiko Epson Corp 出力回路
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Effective date: 19960409