JPH067628B2 - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH067628B2 JPH067628B2 JP7361785A JP7361785A JPH067628B2 JP H067628 B2 JPH067628 B2 JP H067628B2 JP 7361785 A JP7361785 A JP 7361785A JP 7361785 A JP7361785 A JP 7361785A JP H067628 B2 JPH067628 B2 JP H067628B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- metal
- heat sink
- laser device
- tin
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、コンパクトディスクプレーヤやビデオディス
クプレーヤなどの半導体レーザ装置に関するものであ
る。
クプレーヤなどの半導体レーザ装置に関するものであ
る。
（従来の技術） 近年、半導体レーザ装置はコンパクトディスクプレーヤ
やビデオディスクプレーヤなどの需要の増大とともにま
すます重要になり、高信頼性を要求されるようになって
きた。
やビデオディスクプレーヤなどの需要の増大とともにま
すます重要になり、高信頼性を要求されるようになって
きた。
第３図は、従来の半導体レーザ装置の斜視図である。同
図において、11は半導体レーザ素子であり、12はヒート
シンクであって半導体レーザ素子11が接着されている。
13はヒートシンク12を接着するステムであり、14はヒー
トシンク12上に付着した融着金属である。
図において、11は半導体レーザ素子であり、12はヒート
シンクであって半導体レーザ素子11が接着されている。
13はヒートシンク12を接着するステムであり、14はヒー
トシンク12上に付着した融着金属である。
以上のように構成された半導体レーザ装置の製造方法を
説明する。
説明する。
ヒートシンク12上に付着した融着金属14を熱によって溶
かし、その上に半導体レーザ素子11のどちらか一方の電
極を下にして接着していた。
かし、その上に半導体レーザ素子11のどちらか一方の電
極を下にして接着していた。
（発明が解決しようとする問題点） 上記のような製造方法では、ヒートシンク12上の融着金
属14と半導体レーザ素子11の接着面とがなじみにくく、
接着不十分で、はずれることがあった。またヒートシン
ク12上の融着金属14の厚さにばらつきができ、融着金属
１４が薄いと接着不十分になることがあり、作業中の歩
留りの低下を招いたり、熱抵抗が高くなるため、信頼性
が低下する欠点があった。
属14と半導体レーザ素子11の接着面とがなじみにくく、
接着不十分で、はずれることがあった。またヒートシン
ク12上の融着金属14の厚さにばらつきができ、融着金属
１４が薄いと接着不十分になることがあり、作業中の歩
留りの低下を招いたり、熱抵抗が高くなるため、信頼性
が低下する欠点があった。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、ヒートシンクと
半導体レーザ素子の接着を強くし、はずれによる歩留り
の低下を防ぎ、さらに熱抵抗を低くすることによって高
信頼をもたらす半導体レーザ装置の製造方法を抵抗する
ことである。
半導体レーザ素子の接着を強くし、はずれによる歩留り
の低下を防ぎ、さらに熱抵抗を低くすることによって高
信頼をもたらす半導体レーザ装置の製造方法を抵抗する
ことである。
（問題点を解決するための手段） 本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、ヒートシンク
の表面に融着金属を付着し、半導体レーザ素子の一方の
電極の上に、この電極を形成している金属と前記融着金
属との合金と、この合金の上に、前記融着金属と同種の
融着金属を順次付着したのち、前記半導体レーザ素子
と、ヒートシンクとを接着するものである。
の表面に融着金属を付着し、半導体レーザ素子の一方の
電極の上に、この電極を形成している金属と前記融着金
属との合金と、この合金の上に、前記融着金属と同種の
融着金属を順次付着したのち、前記半導体レーザ素子
と、ヒートシンクとを接着するものである。
（作 用） 本発明によれば、ヒートシンクと半導体レーザ素子の接
着が強くなり、はずれを防ぐとともに、半導体レーザ装
置の熱抵抗が低下することにより高信頼性をもたらすも
のである。
着が強くなり、はずれを防ぐとともに、半導体レーザ装
置の熱抵抗が低下することにより高信頼性をもたらすも
のである。
（実施例） 本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
する。
する。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の断面図である。同
図において、１は半導体レーザ素子、２はヒートシン
ク、３はヒートシンク２上の融着金属、４は半導体レー
ザ素子の１の接着面側の電極金属とヒートシンク２上の
融着金属３との合金であり、５はヒートシンク２上の融
着金属３と同種の融着金属である。
図において、１は半導体レーザ素子、２はヒートシン
ク、３はヒートシンク２上の融着金属、４は半導体レー
ザ素子の１の接着面側の電極金属とヒートシンク２上の
融着金属３との合金であり、５はヒートシンク２上の融
着金属３と同種の融着金属である。
接着方法は、第２図に示すように、半導体レーザ素子１
のヒートシンク２と接着する面側に、電極金属である金
と、融着金属３である錫がなじみやすいように、まず金
−錫の合金４を付着する。次に錫からなる融着金属５を
付着する。その後、半導体レーザ素子１に熱を加えてヒ
ートシンク２側の融着金属３の錫と半導体レーザ素子１
側の融着金属の錫５とを同時にとけあわせて協力に接着
する。
のヒートシンク２と接着する面側に、電極金属である金
と、融着金属３である錫がなじみやすいように、まず金
−錫の合金４を付着する。次に錫からなる融着金属５を
付着する。その後、半導体レーザ素子１に熱を加えてヒ
ートシンク２側の融着金属３の錫と半導体レーザ素子１
側の融着金属の錫５とを同時にとけあわせて協力に接着
する。
（発明の効果） 本発明によれば、半導体レーザ素子のヒートシンクに接
着する側の面にヒートシンク上に融着金属と半導体レー
ザ素子の接着面側の電極金属との合金を付着し、さらに
ヒートシンク上と同種の融着金属を付着し、半導体レー
ザ素子側の融着金属とヒートシンク側の融着金属とを熱
により接着させることにより、接着を強くし、はずれを
防ぎ、また熱抵抗を下げて高信頼性の半導体レーザ装置
を製作することができ、その実用的効果は大なるものが
ある。
着する側の面にヒートシンク上に融着金属と半導体レー
ザ素子の接着面側の電極金属との合金を付着し、さらに
ヒートシンク上と同種の融着金属を付着し、半導体レー
ザ素子側の融着金属とヒートシンク側の融着金属とを熱
により接着させることにより、接着を強くし、はずれを
防ぎ、また熱抵抗を下げて高信頼性の半導体レーザ装置
を製作することができ、その実用的効果は大なるものが
ある。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置の断
面図、第２図は同半導体レーザ装置の製造方法説明図、
第３図は従来の半導体レーザ装置の斜視図である。 １，11…半導体レーザ素子、２，12…ヒートシンク、
３，５，14…融着金属、４…合金、13…システム。
面図、第２図は同半導体レーザ装置の製造方法説明図、
第３図は従来の半導体レーザ装置の斜視図である。 １，11…半導体レーザ素子、２，12…ヒートシンク、
３，５，14…融着金属、４…合金、13…システム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 裕一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−40879（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−139975（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ヒートシンクの表面に融着金属を付着し、
半導体レーザ素子の一方の電極の上に、該電極を形成し
ている金属と前記融着金属との合金と、該合金の上に前
記融着金属と同種の融着金属とを順次付着したのち、前
記半導体レーザ素子とヒートシンクとを接着することを
特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7361785A JPH067628B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7361785A JPH067628B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61232691A JPS61232691A (ja) | 1986-10-16 |
| JPH067628B2 true JPH067628B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=13523470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7361785A Expired - Lifetime JPH067628B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067628B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100658939B1 (ko) | 2005-05-24 | 2006-12-15 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자의 패키지 |
-
1985
- 1985-04-09 JP JP7361785A patent/JPH067628B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61232691A (ja) | 1986-10-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |