JPS63249665A - 薄膜感熱記録ヘツド - Google Patents
薄膜感熱記録ヘツドInfo
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- JPS63249665A JPS63249665A JP8448287A JP8448287A JPS63249665A JP S63249665 A JPS63249665 A JP S63249665A JP 8448287 A JP8448287 A JP 8448287A JP 8448287 A JP8448287 A JP 8448287A JP S63249665 A JPS63249665 A JP S63249665A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ファクシミリなどに使用されるプリンタの感
熱記録ヘッドの構造に係り、特に、配線導体およびはん
だ接続用金属材料の構成に関するものである。
熱記録ヘッドの構造に係り、特に、配線導体およびはん
だ接続用金属材料の構成に関するものである。
[従来の技術ゴ
従来技術におけるヘッドの構造の一例を第2図に示す。
同図に示すヘッドは、高抵抗基材l上に形成された発熱
抵抗層3、配線導体層4、を順次ホトエツチングにより
パターン化し発熱抵抗素子2を形成する。さらに発熱抵
抗素子2および基板全面を覆うように酸化保護膜51.
発熱抵抗素子2上の特定の領域に耐摩耗層52を形成し
、この酸化保護膜51の特定な場所に、ドライバIC素
子7を接続するためのスルーホール8を開口させた後、
その接続用金i6を形成し、はんだ溶融接続法によって
ドライバIC素子7を実装する。
抵抗層3、配線導体層4、を順次ホトエツチングにより
パターン化し発熱抵抗素子2を形成する。さらに発熱抵
抗素子2および基板全面を覆うように酸化保護膜51.
発熱抵抗素子2上の特定の領域に耐摩耗層52を形成し
、この酸化保護膜51の特定な場所に、ドライバIC素
子7を接続するためのスルーホール8を開口させた後、
その接続用金i6を形成し、はんだ溶融接続法によって
ドライバIC素子7を実装する。
はんだ接続用金属6の膜構成は、第2層配線および外部
引出し端子部(いずれも図示せず)の部分も同一の構造
を有している0例えば、日立評論rcMOsドライバ搭
載形高精細感熱記録へラドJ (VOL67、No、
7.1985 pp53−56)に示すヘッドの構造は
、第2図のヘッドに当てはめて示せば、Cr−3i−Q
抵抗体3、Cr層41/AI層42から成る二層構造の
配線導体4、絶縁層と発熱抵抗素子2の保護膜51を兼
ねたSin、、耐摩耗層52として5i−N、さらに、
配線導体4上の領域にのみポリイミド系樹脂の保護膜(
図示せず)を形成した二層構造の保護絶縁層を形成しで
ある。また、接続用スルーホール8を介して形成される
はんだ接続用金属を、Cr/ Cu/ Au (61/
62/ 6:l)の三層構造のメタライズて構成して
いる。
引出し端子部(いずれも図示せず)の部分も同一の構造
を有している0例えば、日立評論rcMOsドライバ搭
載形高精細感熱記録へラドJ (VOL67、No、
7.1985 pp53−56)に示すヘッドの構造は
、第2図のヘッドに当てはめて示せば、Cr−3i−Q
抵抗体3、Cr層41/AI層42から成る二層構造の
配線導体4、絶縁層と発熱抵抗素子2の保護膜51を兼
ねたSin、、耐摩耗層52として5i−N、さらに、
配線導体4上の領域にのみポリイミド系樹脂の保護膜(
図示せず)を形成した二層構造の保護絶縁層を形成しで
ある。また、接続用スルーホール8を介して形成される
はんだ接続用金属を、Cr/ Cu/ Au (61/
62/ 6:l)の三層構造のメタライズて構成して
いる。
この構造は、第2層配線および外部引出し端子部(いず
れも図示せず)についても同一の構造である。これらの
構造は、はんだ溶融接続のための第1層配線導体4との
接着用金属61(主としてCr)と、拡散防止用金属6
2(例えばCu、旧など)と、はんだ濡れ性および酸化
防止用金属63(主としてAu)とで共通に構成するこ
とで工数の低減を図っている。
れも図示せず)についても同一の構造である。これらの
構造は、はんだ溶融接続のための第1層配線導体4との
接着用金属61(主としてCr)と、拡散防止用金属6
2(例えばCu、旧など)と、はんだ濡れ性および酸化
防止用金属63(主としてAu)とで共通に構成するこ
とで工数の低減を図っている。
この中で、はんだの拡散防止用金属62の性質によって
膜厚や、はんだ濡れ性か決定される。例えば、 Cuは
1回のはんだ接続で1〜数、LLIm程度か溶融はんだ
中に溶は込むため、少なくともこの厚さ以上の膜厚か必
要であり、また、繰り返し不良素子の再接続を行なう場
合は、はんだの溶融回数に応じて、はんだ中にCuが溶
は込む。
膜厚や、はんだ濡れ性か決定される。例えば、 Cuは
1回のはんだ接続で1〜数、LLIm程度か溶融はんだ
中に溶は込むため、少なくともこの厚さ以上の膜厚か必
要であり、また、繰り返し不良素子の再接続を行なう場
合は、はんだの溶融回数に応じて、はんだ中にCuが溶
は込む。
従って、拡散防止用金属62の厚さは、1回のはんだ溶
融接続で溶は込む厚さの3〜4倍の厚さとなる。Cuの
場合には、47ts以上の膜厚が必要となる。
融接続で溶は込む厚さの3〜4倍の厚さとなる。Cuの
場合には、47ts以上の膜厚が必要となる。
このように厚い金属層を形成した場合、内部応力による
基板の破壊や、膜自身の割れを発生し易い。また、Cu
以外の材料では、必要膜厚は薄くて済むか、はんだ濡れ
性か悪くなるため、接続不良が発生する。さらには、こ
の構造では配線導体を含めた薄膜の積層数も多くなり、
コスト的にも不利である。
基板の破壊や、膜自身の割れを発生し易い。また、Cu
以外の材料では、必要膜厚は薄くて済むか、はんだ濡れ
性か悪くなるため、接続不良が発生する。さらには、こ
の構造では配線導体を含めた薄膜の積層数も多くなり、
コスト的にも不利である。
[発明か解決しようとする問題点]
しかし、上記従来技術のヘッドの構成は、薄膜の積層数
も多く、はんだ接続を安定に行なうために拡散防止金属
の膜厚を厚く形成する必要があり、製造コスト、信頼性
の点て問題があった。
も多く、はんだ接続を安定に行なうために拡散防止金属
の膜厚を厚く形成する必要があり、製造コスト、信頼性
の点て問題があった。
本発明の目的は、発熱抵抗体につながる配線導体層を直
接はんだ接続用金属として適用し、かつ、膜厚の薄膜化
か達成できる新規な材料構成を提供することによって、
ヘッドの接続信頼性を向上させると同時に製造コストを
低減することにある。
接はんだ接続用金属として適用し、かつ、膜厚の薄膜化
か達成できる新規な材料構成を提供することによって、
ヘッドの接続信頼性を向上させると同時に製造コストを
低減することにある。
[問題点を解決するための手段]
上記[1的を達成するためには、溶融はんだに対する濡
れ性か良好で、はんだ成分金属(例えば、Sn、 Pb
、in等)の拡散速度の遅い材料を用い、同時に、配線
導体材料としてヘッドの発熱効率の面から電気抵抗の小
さな材料が有効である。
れ性か良好で、はんだ成分金属(例えば、Sn、 Pb
、in等)の拡散速度の遅い材料を用い、同時に、配線
導体材料としてヘッドの発熱効率の面から電気抵抗の小
さな材料が有効である。
拡散速度の赳い電極材料として、 AI、Cu、 Ni
などがある。しかし、^1の場合には、強固な酸化層を
形成するため、大気中では、はんだ濡れ性か悪い。また
、 Cuは、酸化に弱く、熱工程に細心の注意を要し、
しかも、はんだの拡散速度か比較的速く、電極の膜厚を
厚く形成する必要がある。一方、Niは、拡散速度は小
さいが、はんだ濡れ性か小さく、はんだ付けに問題点が
ある。
などがある。しかし、^1の場合には、強固な酸化層を
形成するため、大気中では、はんだ濡れ性か悪い。また
、 Cuは、酸化に弱く、熱工程に細心の注意を要し、
しかも、はんだの拡散速度か比較的速く、電極の膜厚を
厚く形成する必要がある。一方、Niは、拡散速度は小
さいが、はんだ濡れ性か小さく、はんだ付けに問題点が
ある。
端子の材料は、対象によって最も条件に適合する材料を
選定する必要かあるが、上記したように、はんだ付けの
種々の条件を満たす単体の材料は見当らないのが現状で
あった。
選定する必要かあるが、上記したように、はんだ付けの
種々の条件を満たす単体の材料は見当らないのが現状で
あった。
そこで、電極材料として種々の合金について検3、Iシ
た結果、j′#iい中間層(全居間化合物)の生成かな
く、はんだ成分との脆い化合物も生成せず、しかも、濡
れ性か良好で、耐食性に優れる合金材料として、Cu−
Ni合金を見い出した。
た結果、j′#iい中間層(全居間化合物)の生成かな
く、はんだ成分との脆い化合物も生成せず、しかも、濡
れ性か良好で、耐食性に優れる合金材料として、Cu−
Ni合金を見い出した。
しかし、この合金薄膜は、配線導体材料としては、若干
電気抵抗か大きく、ヘッドの発熱効率の面で問題である
。
電気抵抗か大きく、ヘッドの発熱効率の面で問題である
。
そこて、本発明者等は、この欠点を解決する手段として
、Cu−Ni合金の組成比に着目し、配線導体の下層お
よび上層領域の組成比を最適化することによって、両特
性を満足する配線導体の構造を見い出した。
、Cu−Ni合金の組成比に着目し、配線導体の下層お
よび上層領域の組成比を最適化することによって、両特
性を満足する配線導体の構造を見い出した。
即ち、本発明は、高抵抗基村上に形成された複数個の発
熱抵抗素子、これにつながる配線導体および保護膜を備
えて成る薄膜感熱記録ヘッドにおいて、上記配線導体を
、CuとNiの合金にて形成し、かつ、該配線導体の合
金組成比を、下層領域てCuリッチとし、ト層領域でN
iリッチとして構成することを特徴とする。
熱抵抗素子、これにつながる配線導体および保護膜を備
えて成る薄膜感熱記録ヘッドにおいて、上記配線導体を
、CuとNiの合金にて形成し、かつ、該配線導体の合
金組成比を、下層領域てCuリッチとし、ト層領域でN
iリッチとして構成することを特徴とする。
この場合、上記配線導体の合金組成は、好ましくは、下
層q1域の+00Cu/ ONi (mo1%)から上
層領域の25Cu/ 75Ni (mo1%)まで変化
するように設定する。組成比の変化は、連続的、または
、層状に段階的のいずれであってもよい。
層q1域の+00Cu/ ONi (mo1%)から上
層領域の25Cu/ 75Ni (mo1%)まで変化
するように設定する。組成比の変化は、連続的、または
、層状に段階的のいずれであってもよい。
また、上記9!熱抵抗素子および配線導体の上面には、
酸化防止のため、 5in2から成る保2ff膜を形成
することが好ましい。
酸化防止のため、 5in2から成る保2ff膜を形成
することが好ましい。
さらに、上記保;[に選択的に開目されたスルーホール
部、および、上記配線導体の、該スルーホールを介して
露出し、外部引出し端子部となる面に、Au層を被着形
成してもよい。
部、および、上記配線導体の、該スルーホールを介して
露出し、外部引出し端子部となる面に、Au層を被着形
成してもよい。
[作用]
ヘッドを構成する薄膜の積層数は、ヘッドとしての機俺
が得られれば出来るだけ少ない方がコスト的にも性能的
にも有利である。本発明における1発熱抵抗体層および
配線導体層のみでパターンを構成すると共に、保護膜の
形成されたコンパクトな構成は、従来技術における複雑
なプロセスに対して非常に有利である。これは、配線導
体としてCu−Ni合金を適用したことで達成される。
が得られれば出来るだけ少ない方がコスト的にも性能的
にも有利である。本発明における1発熱抵抗体層および
配線導体層のみでパターンを構成すると共に、保護膜の
形成されたコンパクトな構成は、従来技術における複雑
なプロセスに対して非常に有利である。これは、配線導
体としてCu−Ni合金を適用したことで達成される。
はんだ接続用金属としての拡散防止用金属Cu −Ni
合金は、従来のCuと同等のはんだ濡れ性を有し接続上
の問題はない。
合金は、従来のCuと同等のはんだ濡れ性を有し接続上
の問題はない。
また、Cu−Ni合金は、Niが組成比が大きくなるほ
ど、はんだの拡散速度か遅くなり、拡散防止効果か大き
くなる。
ど、はんだの拡散速度か遅くなり、拡散防止効果か大き
くなる。
はんだの拡散速度を求めた結果を第3図に示す。同図の
グラフは、所定の膜厚を有する金属膜厚中をはんだか拡
散する時間を求めたものであり、はんだは拡散速度の速
い63Sn/:17Pb組成の場合である。同図におい
て、例えば、通常のはんだ溶融接続を行なう250°C
の条件では、Cu単体金属に比較してCu−Ni合金の
組成比72Ni (残りCu)の例では約2桁の拡散速
度の差かあり1組成比の制御によってその特性が変わる
ことが分かる。
グラフは、所定の膜厚を有する金属膜厚中をはんだか拡
散する時間を求めたものであり、はんだは拡散速度の速
い63Sn/:17Pb組成の場合である。同図におい
て、例えば、通常のはんだ溶融接続を行なう250°C
の条件では、Cu単体金属に比較してCu−Ni合金の
組成比72Ni (残りCu)の例では約2桁の拡散速
度の差かあり1組成比の制御によってその特性が変わる
ことが分かる。
この結果から、Cu−Ni合金では、Cuに対して薄い
膜厚で同等の条件か得られることになり、薄膜化が達成
され、パターン形成における高精度化が図れる笠の利点
を有する。
膜厚で同等の条件か得られることになり、薄膜化が達成
され、パターン形成における高精度化が図れる笠の利点
を有する。
一方、配線導体としての特性は、発熱抵抗素子での発熱
効率を維持する点からも配線導体での消費分(トロウプ
分)か小さいことが望ましく、この観点では電気抵抗の
小さなCu単体金属が有利である。
効率を維持する点からも配線導体での消費分(トロウプ
分)か小さいことが望ましく、この観点では電気抵抗の
小さなCu単体金属が有利である。
従って本発明は、はんだ拡散防止と電気抵抗の低減の両
方の要因を満たす構造として、配線導体の下層領域かC
uリッチ、上層領域に対応してCu −Ni合金組成な
Niリッチの組成となるように設定した。この場合、連
続的に、あるいは層構造的に構成することにより1合理
的な感熱記録ヘッドの構造が得られる。
方の要因を満たす構造として、配線導体の下層領域かC
uリッチ、上層領域に対応してCu −Ni合金組成な
Niリッチの組成となるように設定した。この場合、連
続的に、あるいは層構造的に構成することにより1合理
的な感熱記録ヘッドの構造が得られる。
次にトライバIC素子のはんだ接続においては、保護膜
(SiO2)に選択的に開口されたスルーホールから露
出するCu−Ni面に直接はんだ溶融接続を行な・ても
1門続は可能である。しかし、上記したように、この面
にAu層を形成しておけば、接続信頼性およびはんだ濡
れ性を改善することが有望であり、これはCu−Ni膜
面の酸化防止の効果も大である。
(SiO2)に選択的に開口されたスルーホールから露
出するCu−Ni面に直接はんだ溶融接続を行な・ても
1門続は可能である。しかし、上記したように、この面
にAu層を形成しておけば、接続信頼性およびはんだ濡
れ性を改善することが有望であり、これはCu−Ni膜
面の酸化防止の効果も大である。
[実施例]
以下、本発明の実施例を第1図を参照して説明する。な
お、第1図は薄膜感熱記録ヘッドの構造を示す断面図で
ある。
お、第1図は薄膜感熱記録ヘッドの構造を示す断面図で
ある。
同図に示す本実施例のヘッドは、アルミナセラミックス
等の高抵抗基材l上に、発熱抵抗体層3と、配線導体層
4とを所定の形状にパターン化して形成しである。これ
らの上面には、発熱抵抗素子2の酸化防止および配線領
域の保護を兼ねた。
等の高抵抗基材l上に、発熱抵抗体層3と、配線導体層
4とを所定の形状にパターン化して形成しである。これ
らの上面には、発熱抵抗素子2の酸化防止および配線領
域の保護を兼ねた。
例えばSin、から成る保護膜51を形成しである。
発熱抵抗素子2の領域には、特定の範囲に耐摩耗層52
か形成され、保護膜51の所定の位置に開口されたスル
ーホール8にドライバIC素子7がはんだ溶融接続法に
よって実装された構造を有している。
か形成され、保護膜51の所定の位置に開口されたスル
ーホール8にドライバIC素子7がはんだ溶融接続法に
よって実装された構造を有している。
各々の膜構成は、発熱抵抗体層3としてCr−3i−O
系の抵抗体を約800人、配線導体4としては、 Cu
−旧合金導体層42との接着性を保証する金属層41と
してCr1000人を形成しである。導体層およびはん
だ接続用金属としてのCu−Ni合金層42は、下層領
域に、低電気抵抗の導体層としての役割を持つ組成10
0Cu/ ONi (mo1%)を約2000〜500
0人形成し、上層領域に、対応して組1&25Cu/7
5Ni (mo1%)を約400口〜5000人形成す
る。
系の抵抗体を約800人、配線導体4としては、 Cu
−旧合金導体層42との接着性を保証する金属層41と
してCr1000人を形成しである。導体層およびはん
だ接続用金属としてのCu−Ni合金層42は、下層領
域に、低電気抵抗の導体層としての役割を持つ組成10
0Cu/ ONi (mo1%)を約2000〜500
0人形成し、上層領域に、対応して組1&25Cu/7
5Ni (mo1%)を約400口〜5000人形成す
る。
本実施例では、導体層4を含めた膜の形成にはスパッタ
リング装置を適用して行なう。この配線導体層4の形成
では、3元スパッタリング装置により、接着層41Cr
、 CuおよびCu−Ni合金を連続的に所定の膜厚形
成している。従って導体層42の構造は、積層状態の例
の場合である。
リング装置を適用して行なう。この配線導体層4の形成
では、3元スパッタリング装置により、接着層41Cr
、 CuおよびCu−Ni合金を連続的に所定の膜厚形
成している。従って導体層42の構造は、積層状態の例
の場合である。
なお、真空蒸着法によるCuとXiの同時蒸着による膜
形成の方法において連続的に組成を変化せしめる構造で
も同様の構成が得られることは言うまでもない。
形成の方法において連続的に組成を変化せしめる構造で
も同様の構成が得られることは言うまでもない。
また、この導体層4のCu、 Cu−Ni合金のパター
ン形成においては、共通の工・ンチンダ液(例えばヨウ
素−ヨウ化アンモン系など)で処理できる利点もある。
ン形成においては、共通の工・ンチンダ液(例えばヨウ
素−ヨウ化アンモン系など)で処理できる利点もある。
以上の構造を有するパターン上に、保護膜5として酸化
防止保護層51(SiO□:2ルm)および耐摩耗層5
2 (Si −N : 1.5 gta )を形成し、
所定の場所に選択的に開口されたスルーホール部8にド
ライバIC素子7をはんだ9溶融接続法により実装する
。ドライバIC素子7の接続においては。
防止保護層51(SiO□:2ルm)および耐摩耗層5
2 (Si −N : 1.5 gta )を形成し、
所定の場所に選択的に開口されたスルーホール部8にド
ライバIC素子7をはんだ9溶融接続法により実装する
。ドライバIC素子7の接続においては。
あらかじめCu−Ni合金膜上の極薄な酸化膜を除去す
る目的で希硫酸水溶液による前処理を施しておく。
る目的で希硫酸水溶液による前処理を施しておく。
ドライバIC素子7のはんだ接続においては、上記方法
で十分な接続性が得られるが、さらに。
で十分な接続性が得られるが、さらに。
はんだ濡れ性を向上させる手段としては、Auを形成す
ることが効果が大きく、接続信頼性、Cu−Ni合金の
酸化防止の目的からも有意義である。
ることが効果が大きく、接続信頼性、Cu−Ni合金の
酸化防止の目的からも有意義である。
本実施例で示すようなはんだ接続用のドライバIC素子
7は、ヘッド基板上に数十個実装される。この中には特
異に不良素子が含まれる可能性があり、この際には素子
の交換が必要となる。素子交換に際しては、はんだの溶
融を要し、従来のものでは、はんだ拡散防止用金属とし
てCuを4pm以上形成する必要があったが、本実施例
で適用したCu−旧合金では約10分のlの厚さでドラ
イバIC素子を2回交換しても拡散防止膜としての特性
は何ら問題はなかった。
7は、ヘッド基板上に数十個実装される。この中には特
異に不良素子が含まれる可能性があり、この際には素子
の交換が必要となる。素子交換に際しては、はんだの溶
融を要し、従来のものでは、はんだ拡散防止用金属とし
てCuを4pm以上形成する必要があったが、本実施例
で適用したCu−旧合金では約10分のlの厚さでドラ
イバIC素子を2回交換しても拡散防止膜としての特性
は何ら問題はなかった。
[発明の効果]
未発IJlによれば、配線導体として電気良導体および
はんだ濡れ性が優れかつ拡散防止効果の大きいCu−N
i合金層を適用したことによって、はんだ接続金属とし
ては従来の数分の1〜数十分の1以下の膜厚で同等の特
性が得られるたけでなく、発熱抵抗体を含めた配線層が
コンパクトな一層構造となり薄膜の積層数の低減、ホト
エッチ工程の短縮によるパターン精度の向上、および大
幅なコスト低減が可能となる。
はんだ濡れ性が優れかつ拡散防止効果の大きいCu−N
i合金層を適用したことによって、はんだ接続金属とし
ては従来の数分の1〜数十分の1以下の膜厚で同等の特
性が得られるたけでなく、発熱抵抗体を含めた配線層が
コンパクトな一層構造となり薄膜の積層数の低減、ホト
エッチ工程の短縮によるパターン精度の向上、および大
幅なコスト低減が可能となる。
第1図は本発明における感熱記録ヘッドの発熱抵抗体お
よびドライバIC接続部の構造を示す断面図、第2図は
従来技術における構造を示す断面図、第3図ははんだ拡
散防止金属中のはんだ拡散性を示す特性図である。 l・・・高抵抗基材、2・・・発熱抵抗体素子、3・・
・発熱抵抗体層、4・・・配線導体層、5・・・保護膜
。 6・・・はんだ接続用金属層、7・・・ドライバIC素
子。
よびドライバIC接続部の構造を示す断面図、第2図は
従来技術における構造を示す断面図、第3図ははんだ拡
散防止金属中のはんだ拡散性を示す特性図である。 l・・・高抵抗基材、2・・・発熱抵抗体素子、3・・
・発熱抵抗体層、4・・・配線導体層、5・・・保護膜
。 6・・・はんだ接続用金属層、7・・・ドライバIC素
子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、高抵抗基材上に形成された複数個の発熱抵抗素子、
これにつながる配線導体および保護膜を備えて成る薄膜
感熱記録ヘッドにおいて、 上記配線導体を、CuとNiの合金にて形成し、かつ、
該配線導体の合金組成比を、下層領域でCuリッチとし
、上層領域で旧リッチとして構成することを特徴とする
薄膜感熱記録ヘッド。 2、上記配線導体の合金組成を、下層領域の100Cu
/0Ni(mol%)から上層領域の25Cu/75N
i(mol%)まで変化するよう設定した特許請求の範
囲第1項記載の薄膜感熱記録ヘッド。 3、上記配線導体の合金組成比変化を連続的とした特許
請求の範囲第1項または第2項記載の薄膜感熱記録ヘッ
ド。 4、上記配線導体の合金の組成比変化を層状に段階的と
した特許請求の範囲第1項または第2項記載の薄膜感熱
記録ヘッド。 5、上記発熱抵抗体素子および配線導体の上面に、酸化
防上用の保護膜を形成した特許請求の範囲第1項または
第2項記載の薄膜感熱記録ヘッド。 6、上記発熱抵抗体素子および配線導体の上面に、酸化
防止用の保護膜を形成し、 かつ、上記保護膜に選択的に開口して設けたスルーホー
ル部から露出する配線導体表面にAuを被着形成した特
許請求の範囲第1項または第2項記載の薄膜感熱記録ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8448287A JPS63249665A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 薄膜感熱記録ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8448287A JPS63249665A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 薄膜感熱記録ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63249665A true JPS63249665A (ja) | 1988-10-17 |
Family
ID=13831862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8448287A Pending JPS63249665A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 薄膜感熱記録ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63249665A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02137942A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Casio Comput Co Ltd | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-04-06 JP JP8448287A patent/JPS63249665A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02137942A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Casio Comput Co Ltd | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
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